JP2014067894A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透光性を有する基板1、基板上に少なくとも第1導電型半導体層2、発光層3および第2導電型半導体層4がこの順で積層された半導体層を有するフリップチップ型の半導体発光素子において、第2導電型半導体層上には、透明電極5、透明電極上に形成され、屈折率の異なる誘電体からなる層が交互に積層された多層反射膜8、及び多層反射膜上に形成された第1反射膜10aを有し、第1反射膜は、前記発光層からの光に対して高反射率を有する金属からなり、第1反射膜上には絶縁膜11が形成され、絶縁膜上には、断面視において、少なくとも第1反射膜が形成されない位置に第2反射膜13が形成される。
【選択図】図2
Description
図1は、本実施形態により得られる半導体発光素子の平面図であり、図2〜図4は、前記平面図においてA−A’、B−B’、C−C’の断面で切断したときの断面図を示している。上記各図面を用いて、本実施形態により得られる半導体発光素子の説明を行う。尚、図1〜図4で示す各部材の詳細については後述するものとする。
以下、本実施形態により得られる半導体発光素子について説明する。図14は、本実施形態により得られる半導体発光素子の平面図であり、図15〜図17は、前記平面図においてD−D’、E−E’、F−F’の断面で切断したときの断面図を示している。
以下、本実施形態により得られる白色半導体発光装置の例を図21〜図23に示す。当該白色半導体発光装置は、実施形態1により得られるフリップチップタイプの半導体発光素子を実装している。
2 n型窒化物半導体層
3 発光層
4 p型窒化物半導体層
5 透明電極
6、7、9、12、14、16、19 フォトレジストマスク
8 多層反射膜
10a p側電極 Al膜(反射膜)
10b n側電極
11 絶縁膜
13 反射膜
15 凹部
18a p側導電性バンプ
18b n側導電性バンプ
20a、20b リードパターン
21 基体
22 封止材
R 接触部
Claims (5)
- 透光性を有する基板、
該基板上に少なくとも第1導電型半導体層、発光層および第2導電型半導体層がこの順で積層された半導体層、
前記第2導電型半導体層上に形成された第1導電性バンプ、及び
前記第1導電型半導体層の一部を露出させ形成した第2導電性バンプ
を有するフリップチップ型の半導体発光素子において、
前記第2導電型半導体層上には、
透明電極、
該透明電極上に形成され、屈折率の異なる誘電体からなる層が交互に積層された多層反射膜、及び
該多層反射膜上に形成された第1反射膜を有し、
該第1反射膜は、前記発光層からの光に対して高反射率を有する金属からなり、前記第1反射膜上には絶縁膜が形成され、該絶縁膜上には、断面視において、少なくとも前記第1反射膜が形成されない位置に第2反射膜が形成される、
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2反射膜は、前記第2導電性バンプにより覆われるように形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第2反射膜は、前記半導体層の側面を覆うように形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第1導電性バンプが前記第1反射膜と接する接触部と、前記第1反射膜が前記透明電極と接する接触部とは平面視において異なる位置に形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 透光性を有する基板上に少なくとも第1導電型半導体層、発光層および第2導電型半導体層をこの順で積層し半導体層を形成する工程、
前記第2導電型半導体層上に第1導電性バンプ形成する工程、及び
前記第1導電型半導体層の一部を露出させ第2導電性バンプを形成する工程を有するフリップチップ型の半導体発光素子において、
前記第2導電型半導体層上に透明電極を形成する工程、
前記透明電極上に、屈折率の異なる誘電体からなる層が周期的に積層された多層反射膜を形成する工程、及び
該多層反射膜上に形成された第1反射膜であって、該第1反射膜は、前記発光層からの光に対して高反射率を有する金属からなり、
前記第1反射膜上に絶縁膜を形成し、
該絶縁膜上に、断面視において、少なくとも前記第1反射膜が形成されない位置に第2反射膜を形成する工程を有する、ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150142738A (ko) * | 2014-06-11 | 2015-12-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
JP2016021537A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
JP2017535052A (ja) * | 2014-08-28 | 2017-11-24 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光素子 |
US9923120B2 (en) | 2015-09-26 | 2018-03-20 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element and method of producing the same |
CN107863434A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-03-30 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种具有绝缘保护结构的高亮倒装led芯片及其制作方法 |
CN108172674A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
JP2018529230A (ja) * | 2015-08-25 | 2018-10-04 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子およびこれを含む発光素子パッケージ |
JP2019511844A (ja) * | 2016-04-13 | 2019-04-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
JP2019522360A (ja) * | 2016-06-10 | 2019-08-08 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体素子 |
JP7378686B2 (ja) | 2021-08-31 | 2023-11-13 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
JP7491769B2 (ja) | 2020-08-04 | 2024-05-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 回路基板、ledモジュール及び表示装置、並びにledモジュールの作製方法及び表示装置の作製方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120913A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007157850A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012069909A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-04-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
-
2012
- 2012-09-26 JP JP2012212613A patent/JP6087096B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120913A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007157850A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012069909A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-04-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150142738A (ko) * | 2014-06-11 | 2015-12-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
KR102153125B1 (ko) | 2014-06-11 | 2020-09-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
JP2016021537A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
US10276769B2 (en) | 2014-08-28 | 2019-04-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2017535052A (ja) * | 2014-08-28 | 2017-11-24 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光素子 |
JP7148131B2 (ja) | 2015-08-25 | 2022-10-05 | スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光素子およびこれを含む発光素子パッケージ |
JP2018529230A (ja) * | 2015-08-25 | 2018-10-04 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子およびこれを含む発光素子パッケージ |
US10424693B2 (en) | 2015-09-26 | 2019-09-24 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element having first semiconductor layer and holes through second semiconductor layer to expose the first semiconductor layer |
US9923120B2 (en) | 2015-09-26 | 2018-03-20 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element and method of producing the same |
US10629777B2 (en) | 2016-04-13 | 2020-04-21 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
JP2019511844A (ja) * | 2016-04-13 | 2019-04-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
JP2019522360A (ja) * | 2016-06-10 | 2019-08-08 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体素子 |
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CN107863434A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-03-30 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种具有绝缘保护结构的高亮倒装led芯片及其制作方法 |
CN108172674A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
JP7491769B2 (ja) | 2020-08-04 | 2024-05-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 回路基板、ledモジュール及び表示装置、並びにledモジュールの作製方法及び表示装置の作製方法 |
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