JP2014060185A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014060185A JP2014060185A JP2012202607A JP2012202607A JP2014060185A JP 2014060185 A JP2014060185 A JP 2014060185A JP 2012202607 A JP2012202607 A JP 2012202607A JP 2012202607 A JP2012202607 A JP 2012202607A JP 2014060185 A JP2014060185 A JP 2014060185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistors
- evaluation pattern
- pattern
- resistance value
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】半導体ウエハのチップ領域内の複数の抵抗体の抵抗ばらつきを評価するために使用される評価パターンを提供すること。
【解決手段】評価パターンは、半導体ウエハのダイシング領域に設けられ、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の抵抗体R01乃至R64と、前記ダイシング領域内に設けられ、前記複数の抵抗体R01乃至R64を直列に接続するための接続構造とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】評価パターンは、半導体ウエハのダイシング領域に設けられ、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の抵抗体R01乃至R64と、前記ダイシング領域内に設けられ、前記複数の抵抗体R01乃至R64を直列に接続するための接続構造とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体分野で使用される半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
40nmルール以降のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)を用いた半導体装置(CMOSデバイス)の製造方法では、アニールに必要なエネルギーを瞬時に供給するために、ミリセカンドアニールが使用される。
ミリセカンドアニールの一つとして、レーザースパイクアニール(LSA)が知られている。LSAでは、CO2 (炭酸ガス)レーザー装置が用いられる。ウエハの表面をレーザー光でスキャンすることにより、ウエハの全面を加熱する。
しかしながら、LSAを経て得られたCMOSデバイスには、特性ばらつきが見られることがある。具体的には、CMOSデバイスに使用される複数の抵抗体(不純物添加プポリシリコン)に抵抗値ばらつきが見られることがある。
半導体ウエハのチップ領域内の複数の抵抗体の抵抗ばらつきを小さくするための半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することにある。
実施形態の半導体装置の製造方法は、チップ領域内に設けられた複数の第1の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価するために使用される評価パターンを含む半導体ウエハを用意すること、前記評価パターンは、前記半導体ウエハのダイシング領域に設けられ、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の第2の抵抗体と、前記ダイシング領域内に設けられ、前記複数の第2の抵抗体を直列に接続するための接続構造とを具備すること、前記評価パターンを用いて、前記複数の第1の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価することを備えている。前記抵抗値ばらつきを評価することは、前記複数の第2の抵抗体を第1の条件で第1の光によりスキャンすることにより、前記評価パターンを加熱すること、前記加熱された評価パターンの複数の第2の抵抗体の抵抗値を取得すること、前記取得した複数の抵抗体の抵抗値に基づいて、前記複数の第2の抵抗体の抵抗値ばらつきが許容範囲内か否かを判断することを備えている。
実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた回路と、前記半導体基板上に設けられ、複数の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価するために使用される評価パターンであって、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の抵抗体と、前記複数の抵抗体を直列に接続するための接続構造とを備えている前記評価パターンとを備えている。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る評価パターンを模式的に示す平面図である。
図1は、第1の実施形態に係る評価パターンを模式的に示す平面図である。
本実施形態の評価パターンは、半導体ウエハのチップ領域内に設けられた複数の第1の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価するために使用され、図1に示すように、抵抗体パターン101を備えている。
抵抗体パターン101は、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の抵抗体を具備する。図1には、8行×8列でもってマトリクス状に配置された64個の抵抗体R01乃至R64を備えた抵抗体パターン101が示されている。抵抗体R1乃至R64は、電流配線102および後述するコンタクトプラグ1031 ,1032 によって直列接続されている。
図1において、参照符号2乃至23は、抵抗体の電圧を検出して抵抗体の抵抗値を取得するために使用されるパッド配線を示している。例えば、電流配線102に電流Iを流した状態で、パッド配線2,3に周知の電圧検出器の2つのプローブに接触させて電圧Vを検出することにより、電流I、電圧Vから抵抗体R01の抵抗値(V/I)を取得することができる。同様に、抵抗体R04,R08,R28,R33,R36,R40,R57,R60,R64の抵抗値も取得できる。さらに、パッド配線5,6にプローブに接触させることにより、抵抗体R5乃至R7の直列抵抗値を取得することもできる。図2に、図1の評価パターンの等価回路図を示す。図2において、数字1,2,…,23の右側の四角形は図1のパッド配線1,2,…,23を示し、PSUBはウエハ内のpウェル(グランド)を示している。
本実施形態では、例えば、図3に示すように、評価パターン100は、半導体ウエハ200のダイシング領域210内に設けられている。半導体ウエハは、例えば、Siウエハ、SOIウエハまたはSi以外の半導体ウエハでも構わない。
半導体ウエハ200は主面を有し、その主面上には複数のチップ領域201および上記のダイシングライン領域210が設けられている。ダイシングライン領域210は、複数のチップ領域201の外周に設けられている。複数のチップ領域201の各々は、デバイスパターン(不図示)を具備し、このデバイスパターンはマトリクス状に配置された複数の抵抗体(不図示)を備えている。
ここでは、上記デバイスパターンの複数の抵抗体の数は64とする。すなわち、抵抗体の評価パターン(以下、「評価パターン」という。)の複数の抵抗体の個数は、上記デバイスパターンの複数の抵抗体の個数に等しい。また、評価パターン100の複数の抵抗体のレイアウトは、上記デバイスパターンの複数の抵抗体のレイアウトと同じである。なお、評価パターン100の複数の抵抗体の個数は、上記デバイスパターンの複数の抵抗体の個数よりも少なくても構わない。
評価パターン100は、複数のチップ領域201の少なくとも1つのチップ領域の周辺のダイシングライン領域210上に設けられる。図3には、1つのチップ領域の周辺のダイシングライン領域210上に評価パターン100が設けられた例が示されている。
図4は、実施形態の評価パターンの一部分の断面図であり、この断面図は、図5に示すように、抵抗体R4の破線4−4に沿った断面図である。抵抗体R4は、パッド配線が設けられた抵抗体である。
実施形態の抵抗体は、不純物を含む多結晶シリコン膜106(抵抗本体)を備えている。多結晶シリコン膜106は、ダイシング領域内に形成された絶縁膜202上に形成されている。絶縁膜202は、STI(Shallow Trench Isolation)用の溝を埋める絶縁膜である。
多結晶シリコン膜106の表面の一部の領域には第1のシリサイド領域1071 が形成されている。多結晶シリコン膜106の表面の一部の領域には第1のシリサイド領域1071 と接触しない第2のシリサイド領域1072 が形成されている。
第1のシリサイド領域1071 と第2のシリサイド領域1072 との間の多結晶シリコン膜106の表面上には、シリサイドブロックとしてのシリコン酸化膜108およびシリコン窒化膜109が形成されている。シリコン窒化膜109はシリコン酸化膜108よりも厚い。
このように実施形態の抵抗体は、多結晶シリコン膜106、シリサイド領域1071 ,1072 およびシリサイドブロック108,109を含む。
実施形態の抵抗体は、第1の層間絶縁膜111で覆われている。第1の層間絶縁膜111中には、シリサイド領域1071 に接続するコンタクトプラグ1031 が形成されている。同様に、第1の層間絶縁膜111中には、シリサイド領域1072 に接続するコンタクトプラグ1032 が形成されている。
第1の層間絶縁膜111上には電流配線102が形成されている。電流配線102は、シリサイドブロック109,110の上方においては分断されている。図中、左側の電流配線102は、コンタクトプラグ1031 を介して、シリサイド領域1071 に接続されている。一方、右側の電流配線102は、コンタクトプラグ1032 を介して、シリサイド領域1072 に接続されている。
図3には、電流が流れる経路が破線Ipathで示されている。電流は、左側の電流配線102、コンタクトプラグ1031 、シリサイド領域1071 、シリサイド領域1072 、コンタクトプラグ1032 、右側の電流配線102の経路を経て流れる。
左側の電流配線102、コンタクトプラグ1031 、コンタクトプラグ1032 および右側の電流配線102を含む接続構造は、全ての抵抗体R01乃至R64に形成されているので、抵抗体R01乃至R64は上記接続構造によって直列接続されることになる。
第1の層間絶縁膜111上には、電流配線102を覆う第2の層間絶縁膜112が形成されている。第2の層間絶縁膜112中には、左側の電流配線102(第1のシリサイド領域1071 の上方に位置する電流配線102)に接続する、コンタクトプラグ104が形成されている。このコンタクトプラグ104はパッド配線4に接続される。
同様に、第2の層間絶縁膜112中には、右側の電流配線102(第2のシリサイド領域1072 の上方に位置する電流配線102)に接続する、コンタクトプラグ104が形成されている。このコンタクトプラグ104はパッド配線5に接続される。
電流配線102に電流を流した状態で、2つのパッド配線4,5間の電圧を測定することにより、抵抗体の抵抗値を取得できる。この抵抗値は、図4に示すように、第1のシリサイド領域1071 と第2のシリサイド領域との間の多結晶シリコン膜106の抵抗値Rに対応する。
図6に、実施形態の評価パターンの他の部分の断面図を示す。図6は、図7に示すように、抵抗体R6(パッド配線が設けられていない抵抗体)の破線6−6に沿った断面図である。
(第2の実施形態)
次に、第1の実施形態の評価パターンを用いた評価方法について説明する。
次に、第1の実施形態の評価パターンを用いた評価方法について説明する。
図8は、半導体ウエハ200をCO2 レーザー光300でスキャンすること(第1の光照射)により、半導体ウエハ200をCO2 レーザー光300で加熱(LSA)する様子を模式的に示す図である。図8の場合、ノッチ203を基準にすると、レーザー光300の照射方向は0度であり、レーザー光300は下から上にスキャンされる。
図9は、図8のLSAが行われた半導体ウエハ200に設けられている評価パターンの抵抗値のぱらつきを示す図である。図9では、図1の抵抗体R01乃至R64を、行(A乃至H)および例(1乃至8)を指定することで区別する。図9において、抵抗体に付された数字は抵抗値の相対的な大きさを示しており、大きい数字ほど抵抗値は大きい。
図9から、レーザー光のスキャン方向が下から上の場合、スキャン方向に向かって抵抗値が小さくなる抵抗分布が生じ、しかも抵抗値ばらつきは大きい。
図10は、半導体ウエハ200をCO2 レーザー光300でスキャンすること(第1の光照射)により、半導体ウエハ200をCO2 レーザー光300で加熱(LSA)する他の様子を模式的に示す図である。図10の場合、ノッチ203を基準にすると、レーザー光300の照射方向は90度であり、レーザー光300は右から左にスキャンされる。
図11は、図10のLSAが行われた半導体ウエハ200に設けられている評価パターンの抵抗値のぱらつきを示す図である。
図11から、レーザー光300のスキャン方向が右から左の場合、スキャン方向に向かって抵抗値が小さくなる抵抗分布が生じ、しかも抵抗値ばらつきは大きい。
図12は、半導体ウエハ200をCO2 レーザー光300でスキャンすること(第1の光照射)により、半導体ウエハ200をCO2 レーザー光300で加熱(LSA)するさらに別の様子を模式的に示す図である。図12の場合、ノッチ203を基準にすると、レーザー光300の照射方向は135度であり、レーザー光300は右上から左下への斜め方向にスキャンされる。
図13は、図12のLSAが行われた半導体ウエハ200に設けられている評価パターンの抵抗値のぱらつきを示す図である。
図13から、レーザー光300のスキャン方向が斜め方向の場合、抵抗値ばらつきは小さいことがわかる。
本発明者の鋭意研究によれば、上記の通り、レーザー光のスキャン方向に依存して、複数の抵抗体の抵抗分布は変わることが明らかになった。その理由は明らかにはされていないが、その一つとしては以下のことが考えられる。
図9の場合、(A,1)の抵抗体は(A,5)乃至(A,8)の抵抗体とともに最も上に配置されている。(A,1)乃至(A,8)の抵抗体の先には抵抗体は存在しないが、図示しない素子分離絶縁膜が存在する。
抵抗体(多結晶シリコン膜)と素子分離絶縁膜(例えば、シリコン酸化膜)とでは材料が異なる。一般に、素子分離絶縁膜は抵抗体よりも熱伝導率は低い。
そのため、図8に示されるように、下から上にレーザー光300をスキャンすると、(A,1)乃至(A,8)の抵抗体と素子分離絶縁膜との界面付近に熱が溜まりやすくなり、行Hから行Aに向かって温度が高くなる温度分布が生じると考えられる。その結果、図9に示したように、行Hから行Aに向かって(スキャン方向)に向かって抵抗値が小さくなる抵抗分布が生じると考えられる。
本実施形態では、図9に示される抵抗値ばらつきを小さくするために、図14に示すように、半導体ウエハ200を上から下にレーザー光300をスキャンする(第2の光照射)。すなわち、図8とは逆方向にレーザー光300をスキャンする。そうすると、図8とは逆に、行Aから行Hに向かって(スキャン方向)に向かって抵抗値が小さくなる抵抗分布が生じると考えられる。すなわち、第2の光照射を行うと、第1の光照射で生じた抵抗分布を補償するような抵抗分布が生じると考えられる。実際、第2の光照射を行った後の抵抗分布を調べところ、抵抗のばらつきは小さくなることを確認した。
ここで、従来の光照射のパワー(第1の光照射だけ行い、第2のレーザー光を行わない場合の上記第1の光照射時のレーザー光300のパワー)をP0、実施形態の第1の光照射のパワーをP1、実施形態の第2の光照射のパワーをP2とすると、例えば、P0=P1+P2となるように、P1およびP2を設定する。例えば、P1=P2=P0/2である。このようにP1およびP2を設定すれば、半導体ウエハが必要以上に加熱されることを抑制できる。
本実施形態において、P0=P1+P2であることは必須ではない。P0>P1+P2でも構わない。逆に、P0<P1+P2でも構わない。また、P1=P2あることも必須ではない。P1>P2、または、P1<P2でも構わない。
同様に、本実施形態では、図10に示される抵抗値ばらつきを小さくするために、図15に示すように、図10とは逆方向に、半導体ウエハ200を左から右にレーザー光300をスキャンする(第2の光照射)。第2の光照射を行うと、図10とは逆に、列1から列8に向かって(スキャン方向)に向かって抵抗値が小さくなる抵抗分布、つまり、第1の光照射で生じた抵抗分布を補償するような抵抗分布が生じ、抵抗のばらつきは小さくできる。
図12に示した方向でのレーザー光300の照射(第1の光照射)の場合、図13に示したように、抵抗値ばらつきは小さいので、第2の光照射は行わない。
次に、上記事情を考慮した実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図16は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
まず、半導体ウエハのダイシング領域内の評価パターンに対してアニール(例えばLSA)を行う(ステップS1)。アニールは、LSAには限定されない。本実施形態の処理方法は、LSA以外のスキャンを伴うアニールにも適用可能である。
次に、評価パターンの複数(M個)の抵抗体の一部(N個)の抵抗体の抵抗値を取得する(ステップS2)。ここで、M≧N、N≧2である。
次に、取得した抵抗体の抵抗値ばらつきが許容範囲内にあるか否かを判断する(ステップS3)。この判断は、例えば、最も大きい抵抗値Rmaxと最も小さい抵抗値Rminとの差(Rmax−Rmin)に基づいて行われる。この場合、差(Rmax−Rmin)が一定値(しきい値)よりも大きい場合、NOと判断する。抵抗値の分散に基づいて行っても構わない。
ステップS3の判断の結果がYESの場合、半導体ウエハのチップ領域内のデバイスパターンに対してステップS1と同じアニールを行う。例えば、アニールがLSAの場合、同じ条件、つまり、同じスキャン方向および同じ光エネルギーで、LSAを行う。
上記デバイスパターンは、評価パターンの複数の抵抗体に対応する、複数の抵抗体を含む。例えば、アナログデジタルコンバータ回路中の複数の抵抗体である。
一方、ステップS3の判断の結果がNOの場合、半導体ウエハのチップ領域内のデバイスパターンに対してステップS1と同じアニールを行った後、抵抗値ばらつきを小さくするために、上記デバイスパターンに対して補正アニールを行う(ステップS4)。ステップS4の補正アニールは、ステップS1のアニールとは逆方向のスキャンで行われる。このような補正アニールを行うことで、抵抗値ばらつきを小さくできることは、当業者であれば、先の図8乃至図15を参酌した説明から理解できるであろう。
本実施形態の半導体装置の製造方法を複数の半導体ウエハに適用する場合、複数の半導体ウエハは同じステップを経ることになる。
図17は、本実施形態の他の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図17の半導体装置の製造方法が図16の半導体装置の製造方法と異なる点は、ステップS4(補正アニール)の後、ステップS2に戻り、抵抗値ばらつきが許容範囲内に収まるまで、ステップS2乃至S4を繰り返すことにある。この場合、補正アニールの効果の有無が確認されるので、より効果的に抵抗値ばらつきを抑制できるようになる。ステップS2乃至S4のループを一定回数繰り返しても、ステップS3でYESが得られない場合、終了しても構わない。
図18は、本実施形態の他の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図16および図17の半導体装置の製造方法の場合、複数の半導体ウエハに対して同じステップが行われる。図18の半導体装置の製造方法の場合、1枚目の半導体ウエハと2枚目以降の半導体ウエハとではステップを変えている。
1枚目の半導体ウエハの処理において、ステップS3の判断がNOの場合には、図16または図17の処理方法と同様に、ステップS1乃至S4が行われる。
1枚目の半導体ウエハでのステップS3の判断がNOの場合、2枚目以降の半導体ウエハにおいても、ステップS3の判断がNOである可能性が高いと推定される。
そこで、本実施形態では、1枚目の半導体ウエハの処理において、ステップS3の判断がNOの場合、2枚目以降の半導体ウエハに対しては、ステップS2,S3を省いて、アニールのステップS5(=S1)および補正アニールのステップS6(=S4)を行う。
一方、1枚目の半導体ウエハでのステップS3の判断がYESの場合、2枚目以降の半導体ウエハもYESである可能性が高い推定される。
そこで、本実施形態では、1枚目の半導体ウエハの処理において、ステップS3の判断がYESの場合、2枚目以降の半導体ウエハに対しては、ステップS2,S3を省いて、アニールのステップS7(=S1)を行う。
なお、第1および第2の実施形態の場合、図3に示したように、ダイシング領域210内に設けられた評価パターン100の数は1つであるが、図19に示すように、2つの評価パターン100を設けても構わない。図19では、2つの評価パターン100中の抵抗体パターン101の長手方向が異なるように、2つ評価パターン100を配置している。3つ以上の評価パターンを配置しても構わない。
(第3の実施形態)
図20は、第3の実施形態に係る評価パターンを模式的に示す平面図である。
図20は、第3の実施形態に係る評価パターンを模式的に示す平面図である。
本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、同じ行の複数の抵抗体(図20では4つの抵抗体R)は、列方向(X方向)に沿って抵抗体R間の距離(図20ではL1,L2,L3)が変化していることにある(L1<L2<L3)。抵抗体R間に存在する部材は素子分離絶縁膜(STI)である。本実施形態の場合、素子分離領域のX方向の寸法に対する、抵抗体RのX方向の寸法の比率(被覆率)は、左から右に向かって小さくなる。
本実施形態によれば、図20に示すように、同じ行の複数の抵抗体Rをレーザー光301(例えば、CO2 レーザー光)で照射すると、被覆率の異なる抵抗体Rの抵抗値を取得できる。これにより、互いに被覆率の異なる評価パターンが形成された複数の評価用半導体ウエハを用いずに、抵抗値ばらつきを小さくできる被覆率を求めることが可能となる。また、1つの評価用の半導体ウエハで済むので、コストの増加を抑制できる。
(第4の実施形態)
図21は、第4の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
図21は、第4の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
図中、本実施形態の半導体装置400は、半導体基板等の基板401を具備している。基板401には図示しない回路が形成されている。この回路は、例えば、アナログデジタルコンバータ回路である。基板401の空き領域内には、2つの評価パターン100a,100bが形成されている。
図21では、評価パターン100aは基板401の左上に配置され、評価パターン100bは基板401の右上に配置されているが、評価パターン100a,100bの配置位置は適宜変更可能である。
本実施形態の場合、評価パターン100aを構成する複数の抵抗体R(抵抗体パターン)は、基板401に形成された回路中の抵抗体パターンの抵抗ばらつきを評価するためのものではない。
評価パターン100aは、例えば、上記回路中の抵抗体パターン(現抵抗体パターン)の次バージョンに対応する抵抗対パターン(新抵抗体パターン)の抵抗ばらつきを評価するためのものである。この場合、新抵抗体パターンは、一般に、半導体装置400と同様の半導体装置内で使用される。そのため、半導体装置400内の評価パターン100aを評価することは、新抵抗体パターンが実際に使用される環境と同様の環境で、新抵抗体パターンを評価することに略等しくなる。これにより、いち早く、新抵抗体パターンの抵抗ばらつきを評価することが可能となる。
評価パターン100bについても同様である。ただし、評価パターン100bは、評価パターン100aと異なる抵抗体パターンを評価するために使用される。図21では、向きが異なる抵抗体パターンを評価する例が示されているが、形状やサイズなど他の要素が異なっていても構わない。
本実施形態によれば、基板401上に設けられた評価パターン100a,100bを用いることで、半導体装置400を構成する回路中の抵抗体パターンとは別の抵抗体パターンの抵抗ばらつきの分布を評価できるようになる。
図21には、2つの評価パターン100a,100bが形成されているが、3つ以上でも構わなく、また、1つでも構わない。
(第5の実施形態)
図22は、第5の実施形態に係る評価パターンを説明するための平面図である。
図22は、第5の実施形態に係る評価パターンを説明するための平面図である。
半導体ウエハのチップ領域内には、抵抗体パターン500が形成されている。抵抗体パターン500は、複数の抵抗体501を備えている。図22には、例示として、3×3の抵抗体501で構成された抵抗体パターン500が示されている。抵抗体501は素子分離領域502上に形成されている。素子分離領域502は、例えば、STI用の溝内の絶縁膜で規定される。素子分離領域502間は活性領域である。
本実施形態では、抵抗体パターン500(複数の素子分離領域上に形成された複数の抵抗体を備えた抵抗体パターン)を評価するために、半導体ウエハのダイシング領域内に、抵抗体パターン500に対応する評価パターン600を形成する。すなわち、ダイシング領域内に複数の素子分離領域602を形成し、これらの素子分離領域602上にそれぞれ抵抗体601を形成する。
本実施形態によれば、ダイシング領域内の評価パターン600を用いることで、チップ領域内の複数の素子分離領域502上に形成された複数の抵抗体501で構成されたタイプの抵抗体パターンの抵抗ばらつきを評価できるようになる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
R01乃至R64…抵抗体、100…評価パターン、101…抵抗体パターン、102…電流配線、106…多結晶シリコン膜、1071 ,1072 …シリサイド領域、200…半導体ウエハ、202…絶縁膜、210…ダイシング領域、201…チップ領域3…、300…レーザー光。
Claims (5)
- チップ領域内に設けられた複数の第1の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価するために使用される評価パターンを含む半導体ウエハを用意すること、前記評価パターンは、前記半導体ウエハのダイシング領域に設けられ、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の第2の抵抗体と、前記ダイシング領域内に設けられ、前記複数の第2の抵抗体を直列に接続するための接続構造とを具備すること、
前記評価パターンを用いて、前記複数の第1の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価すること を具備してなり、
前記抵抗値ばらつきを評価することは、
前記複数の第2の抵抗体を第1の条件で第1の光によりスキャンすることにより、前記評価パターンを加熱すること、
前記加熱された評価パターンの複数の第2の抵抗体の抵抗値を取得すること、
前記取得した複数の抵抗体の抵抗値に基づいて、前記複数の第2の抵抗体の抵抗値ばらつきが許容範囲内か否かを判断すること
前記抵抗値ばらつきが許容範囲内でない場合、前記複数の第1の抵抗体を前記第1の光のスキャン方向と逆方向から第2の光でスキャンすること
を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウエハ内に設けられた2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の抵抗体と、前記複数の抵抗体を直列に接続するための接続構造を備えた抵抗体パターンに対して、
前記複数の抵抗体を第1の光によりスキャンすることにより、前記抵抗体パターンを加熱すること、
前記複数の抵抗体を前記第1の光のスキャン方向と異なる方向から第2の光によりスキャンすることで前記抵抗体パターンをさらに加熱すること
を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - チップ領域内に設けられた複数の第1の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価するために使用される評価パターンを含む半導体ウエハを用意すること、前記評価パターンは、前記半導体ウエハのダイシング領域に設けられ、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の第2の抵抗体と、前記ダイシング領域内に設けられ、前記複数の第2の抵抗体を直列に接続するための接続構造とを具備すること、
前記評価パターンを用いて、前記複数の第1の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価すること を具備してなり、
前記抵抗値ばらつきを評価することは、
前記複数の第2の抵抗体を第1の条件で第1の光によりスキャンすることにより、前記評価パターンを加熱すること、
前記加熱された評価パターンの複数の第2の抵抗体の抵抗値を取得すること、
前記取得した複数の抵抗体の抵抗値に基づいて、前記複数の第2の抵抗体の抵抗値ばらつきが許容範囲内か否かを判断すること
を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記抵抗値ばらつきが許容範囲内でない場合、前記複数の第2の抵抗体を第2の条件で第2の光によりスキャンすることにより、前記評価パターンを加熱したら、前記抵抗値ばらつきが小さくなるように、前記取得した複数の抵抗体の抵抗値に基づいて、前記第2の条件を求めることをさらに具備してなることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた回路と、
前記半導体基板上に設けられ、複数の抵抗体の抵抗値ばらつきを評価するために使用される評価パターンであって、2以上の行および2以上の列でもってマトリクス状に配置された複数の抵抗体と、前記複数の抵抗体を直列に接続するための接続構造とを具備してなる前記評価パターンと
を具備してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012202607A JP2014060185A (ja) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US13/841,087 US8993354B2 (en) | 2012-09-14 | 2013-03-15 | Evaluation pattern, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012202607A JP2014060185A (ja) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014060185A true JP2014060185A (ja) | 2014-04-03 |
Family
ID=50273551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012202607A Pending JP2014060185A (ja) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8993354B2 (ja) |
JP (1) | JP2014060185A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113611621B (zh) * | 2021-03-03 | 2022-06-14 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 半导体测试图案及其测试方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW297138B (ja) * | 1995-05-31 | 1997-02-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
JP2000021945A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Nec Corp | 半導体集積回路のコンタクト抵抗測定方法及び回路 |
US6617681B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-09-09 | Intel Corporation | Interposer and method of making same |
JP2001257307A (ja) | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Sharp Corp | 半導体装置 |
SG97938A1 (en) | 2000-09-21 | 2003-08-20 | Micron Technology Inc | Method to prevent die attach adhesive contamination in stacked chips |
JP3788268B2 (ja) | 2001-05-14 | 2006-06-21 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6878608B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-04-12 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of silicon based package |
US6960837B2 (en) | 2002-02-26 | 2005-11-01 | International Business Machines Corporation | Method of connecting core I/O pins to backside chip I/O pads |
JP2003258189A (ja) | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4285629B2 (ja) | 2002-04-25 | 2009-06-24 | 富士通株式会社 | 集積回路を搭載するインターポーザ基板の作製方法 |
JP4472232B2 (ja) * | 2002-06-03 | 2010-06-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6791133B2 (en) | 2002-07-19 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | Interposer capacitor built on silicon wafer and joined to a ceramic substrate |
US6593221B1 (en) | 2002-08-13 | 2003-07-15 | Micron Technology, Inc. | Selective passivation of exposed silicon |
JP2004079701A (ja) | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6936536B2 (en) | 2002-10-09 | 2005-08-30 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive through-wafer vias |
US6852627B2 (en) | 2003-03-05 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Conductive through wafer vias |
US6875921B1 (en) | 2003-10-31 | 2005-04-05 | Xilinx, Inc. | Capacitive interposer |
US7098528B2 (en) | 2003-12-22 | 2006-08-29 | Lsi Logic Corporation | Embedded redistribution interposer for footprint compatible chip package conversion |
US7042077B2 (en) | 2004-04-15 | 2006-05-09 | Intel Corporation | Integrated circuit package with low modulus layer and capacitor/interposer |
JP2006040917A (ja) | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006165222A (ja) | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Seiko Epson Corp | 配線形成工程の検査方法、半導体装置の製造方法、評価用半導体基板、及び半導体装置 |
JP2008244374A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜及び薄膜トランジスタ |
JP5431661B2 (ja) | 2007-09-05 | 2014-03-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路およびそのパターンレイアウト方法 |
US8618610B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dummy pattern design for thermal annealing |
-
2012
- 2012-09-14 JP JP2012202607A patent/JP2014060185A/ja active Pending
-
2013
- 2013-03-15 US US13/841,087 patent/US8993354B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8993354B2 (en) | 2015-03-31 |
US20140077209A1 (en) | 2014-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7468283B2 (en) | Method and resulting structure for fabricating test key structures in DRAM structures | |
US7851235B2 (en) | Test element group for monitoring leakage current in semiconductor device and method of manufacturing the same | |
KR101470530B1 (ko) | 일체화된 가드 링 패턴과 공정 모니터링 패턴을 포함하는 반도체 웨이퍼 및 반도체 소자 | |
US9607906B2 (en) | Integrated circuit chip with corrected temperature drift | |
JP2013183143A (ja) | 半導体装置を製造する方法、及び、半導体装置 | |
JP2008166691A (ja) | テグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子の検査方法 | |
JP5379418B2 (ja) | 半導体装置のテスト構造物 | |
TW201350881A (zh) | 半導體基板之評價方法、評價用半導體基板、半導體裝置 | |
JP2014060185A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2008135496A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007250880A (ja) | 半導体特性評価用デバイス、これを備えた半導体基板および半導体基板の評価方法 | |
KR20180121369A (ko) | 반도체 장치 | |
JP6541620B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI666695B (zh) | 具劃線導體之半導體晶圓及測試方法 | |
US9685387B1 (en) | Test key for checking the window of a doped region and method of using the test key | |
US9589854B2 (en) | Alignment monitoring structure and alignment monitoring method for semiconductor devices | |
TWI688072B (zh) | 半導體積體電路裝置 | |
US20230046911A1 (en) | Backside interconnect structures in integrated circuit chips | |
JP7116847B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11049784B2 (en) | Semiconductor device for use in harsh media | |
US20160351456A1 (en) | Test pattern structure for monitoring semiconductor fabrication process | |
JP2009111290A (ja) | 抵抗測定素子およびコンタクト抵抗の測定方法、並びに半導体素子チップおよびその評価方法 | |
JP2010186775A (ja) | モニター用結晶欠陥検出素子、半導体装置及びその製造方法 | |
US7727851B2 (en) | Method of measuring shifted epitaxy layer by buried layer | |
TW201725692A (zh) | 測試鍵結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131226 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140109 |