JP2014057284A - Crystal device - Google Patents

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Terumoto Honda
晃基 本田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crystal device capable of suppressing short-circuiting due to contact between conductive adhesives in the crystal device on which at least two crystal elements are mounted.SOLUTION: A crystal device includes: a rectangular-shaped substrate 110; a first crystal element 120 which has a rectangular shape and which is arranged in the substrate 110 so that the long side follows the short side of the substrate 110; and a second crystal element 130 which has a rectangular shape and which is arranged in the substrate 110 adjacent to the first crystal element 120 so that the long side follows the short side of the substrate 110 and is parallel to the long side of the first crystal element 120.

Description

本発明は、電子機器などに用いられる水晶デバイスに関する。   The present invention relates to a crystal device used for electronic equipment and the like.

水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、水晶素板の両面が互いにずれるように厚み滑り振動を起こし、特定の周波数を発生させるものである。内部空間を有する直方体状のパッケージ内に収容された平板状の水晶素子に対して、その両面に被着させた励振用電極に駆動電圧を印加することで、所定周波数の振動を取り出すことができる(特許文献1)。水晶デバイスは、例えば携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの情報機器を含む電子機器内部の集積回路部に搭載されている。特に、電子機器の多機能化に伴い、電子機器においては、異なる周波数で発振する複数の水晶デバイスが必要とされ、さらに、電子機器の小型化に伴って、複数の水晶デバイスを搭載するために、水晶デバイス自体も小型化が進められている。   A quartz crystal device uses a piezoelectric effect of a quartz crystal element to cause a thickness-shear vibration so that both surfaces of a quartz base plate are displaced from each other, thereby generating a specific frequency. By applying a drive voltage to the excitation electrodes attached to both sides of a flat plate-shaped quartz crystal element housed in a rectangular parallelepiped package having an internal space, vibration at a predetermined frequency can be taken out. (Patent Document 1). The crystal device is mounted on an integrated circuit unit in an electronic device including information devices such as a mobile phone and a personal computer. In particular, with the increase in functionality of electronic devices, electronic devices require a plurality of crystal devices that oscillate at different frequencies. Further, as electronic devices become smaller, a plurality of crystal devices are mounted. Quartz devices themselves are also becoming smaller.

また、1つのパッケージに複数の水晶素子を収容させ、1つのパッケージから複数の信号を取り出す構成についても提案されている(特許文献2)。   There has also been proposed a configuration in which a plurality of crystal elements are accommodated in one package and a plurality of signals are extracted from one package (Patent Document 2).

特開2002−111435号公報JP 2002-111435 A 特開2003−258589号公報JP 2003-258589 A

特許文献2の構成は、その図3に代表されるように、パッケージの底面を構成する長方形状の基板の長辺と、水晶素子の長辺とが沿うようにして、パッケージ内に2つの水晶素子を並列に収容し、各水晶素子の長辺方向の一端を基板の上面と導電性接着剤により接合した固定端とし、他端を基板の上面と間をあけた自由端とした片保持構造となっている。すなわち、長方形状の基板の短辺に沿って、2つの水晶素子の固定端側の短辺が直列になって、2つの水晶素子の固定端に設けられた電極と、パッケージ内の基板上の電極とが導電性接着剤により接合されている。   As represented by FIG. 3, the configuration of Patent Document 2 includes two quartz crystals in the package such that the long side of the rectangular substrate constituting the bottom surface of the package and the long side of the crystal element are aligned. A single-side holding structure in which elements are accommodated in parallel, one end in the long side direction of each crystal element is a fixed end joined to the upper surface of the substrate by a conductive adhesive, and the other end is a free end spaced from the upper surface of the substrate It has become. That is, along the short side of the rectangular substrate, the short sides on the fixed end sides of the two crystal elements are connected in series, and the electrodes provided on the fixed ends of the two crystal elements are arranged on the substrate in the package. The electrode is joined with a conductive adhesive.

水晶素子のサイズが小型化されていくと、その短辺の長さも相対的に短くなり、導電性接着剤の塗布間隔も狭くなっていく。そのため、導電性接着剤の塗布位置又は塗布径のばらつきにより、隣接する導電性接着剤の接触による短絡のおそれがある。   As the size of the crystal element is reduced, the length of the short side thereof becomes relatively shorter, and the application interval of the conductive adhesive is also reduced. Therefore, there is a risk of short circuit due to contact between adjacent conductive adhesives due to variations in the application position or diameter of the conductive adhesive.

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、少なくとも2つの水晶素子を搭載する水晶デバイスにおいて、導電性接着剤同士の接触による短絡を抑制することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a crystal device capable of suppressing a short circuit due to contact between conductive adhesives in a crystal device including at least two crystal elements. And

上記目的を達成するための本発明の水晶デバイスの態様は、長方形状の基板と、長方形状を有しその長辺が基板の短辺に沿うように基板に配置される第1の水晶素子と、長方形状を有しその長辺が基板の短辺に沿い且つ前記第1の水晶素子の長辺と並列になるように第1の水晶素子と隣接して基板に配置される第2の水晶素子とを備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, an aspect of the quartz crystal device of the present invention includes a rectangular substrate, a first quartz crystal element arranged on the substrate having a rectangular shape and a long side thereof along the short side of the substrate, A second quartz crystal having a rectangular shape and disposed on the substrate adjacent to the first crystal element so that its long side is along the short side of the substrate and in parallel with the long side of the first crystal element. And an element.

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、長方形状の第1の水晶素子と第2の水晶素子の短辺が長方形状の基板の長辺に沿って隣接するように実装されていることによって、第1の水晶素子と第2の水晶素子との間隔を広くすることができるので、導電性接着剤同士の接触による短絡を抑制することができる。   The crystal device according to one aspect of the present invention is mounted such that the short sides of the rectangular first crystal element and the second crystal element are adjacent along the long side of the rectangular substrate, Since the interval between the first crystal element and the second crystal element can be widened, a short circuit due to contact between the conductive adhesives can be suppressed.

本発明の実施の形態における水晶デバイスの蓋体をはずした状態を示す上面図である。It is a top view which shows the state which removed the cover body of the quartz crystal device in embodiment of this invention. 図1のA−A線の断面図である。It is sectional drawing of the AA line of FIG. 本発明の実施の形態における水晶デバイスの下面の平面透視図である。It is a plane perspective view of the lower surface of the quartz crystal device in an embodiment of the present invention. 基板111上面の配線パターンを示す平面図である。3 is a plan view showing a wiring pattern on the upper surface of a substrate 111. FIG. 中間配線層Mの配線パターンを示す平面図である。4 is a plan view showing a wiring pattern of an intermediate wiring layer M. FIG. 水晶デバイスの簡易な等価回路を示す図である。It is a figure which shows the simple equivalent circuit of a crystal device.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。しかしながら、かかる実施の形態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, such an embodiment does not limit the technical scope of the present invention.

本発明の実施の形態における水晶デバイスは、図1及び図2に示されるように、パッケージ110内に第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130の2つの水晶素子を収容している。本実施の形態では、パッケージに2つの水晶素子が収容される例について説明するが、本発明は、パッケージ内に3つ以上の水晶素子を収容する場合についても適用可能である。   As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal device according to the embodiment of the present invention accommodates two crystal elements of a first crystal element 120 and a second crystal element 130 in a package 110. In the present embodiment, an example in which two crystal elements are accommodated in a package will be described. However, the present invention can also be applied to a case where three or more crystal elements are accommodated in a package.

パッケージ110は、長方形状の基板111、基板111上にそれを囲むように設けられる枠体112とを含んでいる。パッケージ110には、基板111の上面と枠体112の内側面によって囲まれた凹部Kが形成され、凹部K内に、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130が収容されて配置されている。本実施の形態においては、長方形状の第1の水晶素子120は、図1に示されるように、その長辺が基板111の短辺に沿うように基板111の上面に配置され、長方形状の第2の水晶素子130についても、長辺が基板111の短辺に沿うように基板111の上面に第1の水晶素子120と隣接して、両長辺が並列になるように配置される。すなわち、第1の水晶素子120の短辺と第2の水晶素子130の短辺とが、基板111の長辺に沿って延びるように、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130とを基板111上に並列に配置されている。   The package 110 includes a rectangular substrate 111 and a frame 112 provided on the substrate 111 so as to surround it. The package 110 has a recess K surrounded by the upper surface of the substrate 111 and the inner surface of the frame 112, and the first crystal element 120 and the second crystal element 130 are accommodated and disposed in the recess K. ing. In the present embodiment, the rectangular first quartz crystal element 120 is arranged on the upper surface of the substrate 111 so that the long side is along the short side of the substrate 111 as shown in FIG. The second crystal element 130 is also arranged on the upper surface of the substrate 111 adjacent to the first crystal element 120 so that the long side is along the short side of the substrate 111 so that both long sides are in parallel. That is, the first crystal element 120 and the second crystal element 130 are arranged such that the short side of the first crystal element 120 and the short side of the second crystal element 130 extend along the long side of the substrate 111. Are arranged in parallel on the substrate 111.

なお、図2に示される蓋体140(図1では、図示省略)が凹部Kの開口部分を塞ぐように枠体112に被せられ、パッケージ110を封止している。   A lid 140 (not shown in FIG. 1) shown in FIG. 2 is placed on the frame 112 so as to close the opening of the recess K, thereby sealing the package 110.

蓋体140は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。蓋体140は、真空状態又は窒素ガスなどが充填された状態の収容空間Kを気密的に封止するためのものである。具体的には、所定雰囲気で、パッケージ110の枠体112上に載置され、枠体112の封止用導体パターン112aと蓋体140の封止部材141とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体112に接合される。   The lid 140 is made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt. The lid 140 is for hermetically sealing the accommodation space K in a vacuum state or a state filled with nitrogen gas or the like. Specifically, a predetermined current is applied so that the sealing conductor pattern 112a of the frame body 112 and the sealing member 141 of the lid body 140 are welded in a predetermined atmosphere on the frame body 112 of the package 110. It is joined to the frame body 112 by applying and performing seam welding.

封止部材141は、パッケージ110の枠体112上面に設けられた封止用導体パターンに相対する蓋体130の箇所に設けられている。封止部材141は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。金錫の場合は、その厚みは、10μm〜40μmである。例えば、成分比率が、金が78〜82%、錫が18〜22%のものが使用されている。銀ロウの場合は、その厚みは、10〜20μmである。例えば、成分比率は、銀が72〜85%、銅が15〜28%のものが使用されている。   The sealing member 141 is provided at a position of the lid body 130 facing the sealing conductor pattern provided on the upper surface of the frame body 112 of the package 110. The sealing member 141 is provided by, for example, silver solder or gold tin. In the case of gold tin, the thickness is 10 μm to 40 μm. For example, the component ratio is 78 to 82% for gold and 18 to 22% for tin. In the case of silver wax, the thickness is 10 to 20 μm. For example, the component ratio is 72 to 85% for silver and 15 to 28% for copper.

基板111は長辺と短辺を有する長方形状であり、凹部K内に実装される第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130を支持するための支持部材として機能する。基板111の上面には、第1の水晶素子120と接合するための一対の第一電極バッドP1、P2及び第2の水晶素子130と接合するための別の一対の第二電極パッドP3、P4が並んで設けられている。また、図3に示されるように、基板111の下面の四隅には、4つ外部接続用電極端子D1、D2、D3、D4が設けられ、更に、グランド用端子G1、G2が設けられている。グランド用端子G1は、基板111の長辺の両端にある2つの外部接続用電極端子D1とD2の間に設けられ、グランド用端子G2は、基板111のもう一つの長辺の両端にある2つの外部接続用電極端子D3とD4の間に設けられる。このようにグランド用端子G1は、基板111の長辺の両端にある2つの外部接続用電極端子D1とD2の間に設けられ、グランド用端子G2は、基板111のもう一つの長辺の両端にある2つの外部接続用電極端子D3とD4の間に設けられることによって、外部接続用電極端子から出力される第1の水晶素子121及び第2の水晶素子の発振周波数にノイズが重畳することを低減することができる。   The substrate 111 has a rectangular shape having a long side and a short side, and functions as a support member for supporting the first crystal element 120 and the second crystal element 130 mounted in the recess K. On the upper surface of the substrate 111, a pair of first electrode pads P1, P2 for bonding to the first crystal element 120 and another pair of second electrode pads P3, P4 for bonding to the second crystal element 130 are provided. Are provided side by side. As shown in FIG. 3, four external connection electrode terminals D1, D2, D3, and D4 are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 111, and ground terminals G1 and G2 are further provided. . The ground terminal G1 is provided between the two external connection electrode terminals D1 and D2 at both ends of the long side of the substrate 111, and the ground terminal G2 is 2 at both ends of the other long side of the substrate 111. Two external connection electrode terminals D3 and D4 are provided. Thus, the ground terminal G1 is provided between the two external connection electrode terminals D1 and D2 at both ends of the long side of the substrate 111, and the ground terminal G2 is the both ends of the other long side of the substrate 111. Noise is superimposed on the oscillation frequencies of the first crystal element 121 and the second crystal element output from the external connection electrode terminal by being provided between the two external connection electrode terminals D3 and D4. Can be reduced.

基板111は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックなどのセラミック材料である絶縁層からなり、複数の絶縁層を積層した多層構造となっている。基板111の表面及び内部には、基板111の上面の第一電極パッドP1、P2、及び第二電極パッドP3、P4と下面の外部接続用電極端子D1、D2、D3、D4とを電気的に接続する配線パターン及びビア導体が設けられている。基板111の配線パターンについては後述する。   The substrate 111 is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic, and has a multilayer structure in which a plurality of insulating layers are stacked. On the surface and inside of the substrate 111, the first electrode pads P1, P2 and the second electrode pads P3, P4 on the upper surface of the substrate 111 and the external connection electrode terminals D1, D2, D3, D4 on the lower surface are electrically connected. Wiring patterns and via conductors to be connected are provided. The wiring pattern of the substrate 111 will be described later.

枠体112は、基板111上に凹部Kを形成するためのものである。枠体112は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックスなどのセラミック材料からなり、基板111と一体的に形成されている。   The frame body 112 is for forming the recess K on the substrate 111. The frame body 112 is made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and is formed integrally with the substrate 111.

第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130は、安定した機械振動と圧電効果により、電子機器などの所定周波数の基準信号を発振する機能を果たしている。図3では、例示として、第1の水晶素子120の横断面図が示されるが、第2の水晶素子130は第1の水晶素子120と同様の構造を有している。以下、第1の水晶素子120の構造について説明し、各要素の参照符号のカッコ内には、第2の水晶素子130の対応する要素の参照符号を付する。なお、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130の発振周波数が異なる場合、その発振周波数及びクリスタルインピーダンスなど他の設計要素に応じて水晶素子の形状、サイズはそれぞれ決定される。   The first crystal element 120 and the second crystal element 130 have a function of oscillating a reference signal of a predetermined frequency of an electronic device or the like by stable mechanical vibration and a piezoelectric effect. In FIG. 3, a cross-sectional view of the first crystal element 120 is shown as an example, but the second crystal element 130 has the same structure as the first crystal element 120. Hereinafter, the structure of the first crystal element 120 will be described, and reference numerals of corresponding elements of the second crystal element 130 are given in parentheses of reference numerals of the respective elements. In addition, when the oscillation frequency of the 1st crystal element 120 and the 2nd crystal element 130 differs, the shape and size of a crystal element are each determined according to other design elements, such as the oscillation frequency and crystal impedance.

第1の水晶素子120(130)は、長方形状の水晶素板121(131)の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122(132)、接続用電極123(133)及び引出電極124(134)を、例えば蒸着技術又はスパッタリング技術などによって所定パターンの金属膜として被着させた構造を有している。水晶素子の振動領域は、水晶素子の上面に被着された励振用電極と下面に被着された励振用電極とが対向する領域となっている。   The first crystal element 120 (130) includes an excitation electrode 122 (132), a connection electrode 123 (133), and an extraction electrode 124 (134) on the upper and lower surfaces of a rectangular crystal base plate 121 (131), respectively. For example, by a vapor deposition technique or a sputtering technique. The vibration region of the crystal element is a region where the excitation electrode attached to the upper surface of the crystal element and the excitation electrode attached to the lower surface face each other.

尚、励振用電極122(132)、接続用電極123(133)及び引出電極124(134)は、水晶素板121(131)の両主面に第1の金属膜が形成され、第1の金属膜の上面に第2の金属膜が積層するように形成されている。第1の金属膜は、例えばクロム又はチタンから構成され、第2の金属膜は、例えば金により構成されている。また、第1の金属膜と第2の金属膜の接合力を上げるために例えばニッケルを第1の金属膜と第2の金属膜の間に形成してもよい。   The excitation electrode 122 (132), the connection electrode 123 (133), and the extraction electrode 124 (134) are formed by forming a first metal film on both main surfaces of the quartz base plate 121 (131), A second metal film is formed so as to be laminated on the upper surface of the metal film. The first metal film is made of, for example, chromium or titanium, and the second metal film is made of, for example, gold. Further, in order to increase the bonding force between the first metal film and the second metal film, for example, nickel may be formed between the first metal film and the second metal film.

引出電極124(134)は、励振用電極122(132)から水晶素板121(131)の長辺に沿って短辺に向けて延出されるように設けられ、引出電極124(134)の一端は励振用電極122(132)と接続され、他端は接続用電極123(133)と接続されている。接続用電極123(133)は、引出電極124(134)と接続されており、好ましくは、水晶素板121(131)の一端側の両角部の両面に上面側と下面側を導通させるように設けられ、2つの接続用電極123(133)と第一電極パッドP1、P2(第二電極パッドP3、P4)が導電性接着剤DSにより電気的に接続している。上面側の励振用電極122(132)から延出する引出電極124(134)が一方の接続用電極123(133)と接続し、下面側の励振用電極122(132)から延びる引出電極124(134)は、下面側で他方の接続用電極123(133)と接続する。   The extraction electrode 124 (134) is provided so as to extend from the excitation electrode 122 (132) to the short side along the long side of the crystal base plate 121 (131), and one end of the extraction electrode 124 (134). Is connected to the excitation electrode 122 (132), and the other end is connected to the connection electrode 123 (133). The connection electrode 123 (133) is connected to the extraction electrode 124 (134), and preferably, the upper surface side and the lower surface side are electrically connected to both surfaces of both corners on one end side of the crystal base plate 121 (131). Two connection electrodes 123 (133) and the first electrode pads P1, P2 (second electrode pads P3, P4) are electrically connected by the conductive adhesive DS. An extraction electrode 124 (134) extending from the excitation electrode 122 (132) on the upper surface side is connected to one connection electrode 123 (133), and an extraction electrode 124 (extending from the excitation electrode 122 (132) on the lower surface side is provided. 134) is connected to the other connection electrode 123 (133) on the lower surface side.

励振用電極122(132)が被着された水晶素子120(130)は、パッケージ110に実装される。導電性接着剤DSが、例えばディスペンサによって、一対の電極パッドP1、P2上に所定高さに盛り上がるように塗布される。水晶素子120(130)が塗布された導電性接着剤DSの頂部に搬送され、導電性接着剤DSと水晶素子120(130)の固定端側に設けられた接続用電極123(133)とが接触するように、導電性接着剤DSの頂部に載置される。そして、水晶素子120(130)は、導電性接着剤DSを加熱硬化させることで、水晶素子120(130)は、第一電極パッドP1、P2(第二電極パッドP3、P4)と電気的に接続して、パッケージ110内に実装される。   The crystal element 120 (130) to which the excitation electrode 122 (132) is attached is mounted on the package 110. The conductive adhesive DS is applied by a dispenser, for example, so as to rise to a predetermined height on the pair of electrode pads P1, P2. The conductive adhesive DS is transported to the top of the conductive adhesive DS coated with the crystal element 120 (130), and the connection electrode 123 (133) provided on the fixed end side of the crystal element 120 (130). It is mounted on the top of the conductive adhesive DS so as to come into contact. Then, the crystal element 120 (130) is electrically cured by the conductive adhesive DS, so that the crystal element 120 (130) is electrically connected to the first electrode pads P1 and P2 (second electrode pads P3 and P4). Connected and mounted in the package 110.

導電性接着剤DSは、シリコン樹脂などのバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。   The conductive adhesive DS contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as silicon resin, and the conductive powder includes aluminum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, silver, titanium, One containing either nickel or nickel iron, or a combination thereof is used. Moreover, as a binder, a silicon resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used, for example.

第1の水晶素子120(130)において、第一電極パッドP1、P2(第二電極パッドP3、P4)と接続されている水晶素子120(130)の一端を基板111の上面と接続した固定端とし、他端を基板111の上面と間をあけた自由端として片保持構造にて、第1の水晶素子120(130)が基板111上に固定されている。第1の水晶素子120(130)は、外部からの交番電圧が接続用電極123(133)から引出電極124(124)及び励振用電極122(132)を介して水晶素板121(131)に印加されると、水晶素板121(131)が所定の振動モード及び周波数で励振を起こす。   In the first crystal element 120 (130), a fixed end in which one end of the crystal element 120 (130) connected to the first electrode pads P1 and P2 (second electrode pads P3 and P4) is connected to the upper surface of the substrate 111. The first crystal element 120 (130) is fixed on the substrate 111 with a one-side holding structure with the other end being a free end spaced from the upper surface of the substrate 111. In the first crystal element 120 (130), an alternating voltage from the outside is applied to the crystal element plate 121 (131) from the connection electrode 123 (133) via the extraction electrode 124 (124) and the excitation electrode 122 (132). When applied, the quartz base plate 121 (131) excites in a predetermined vibration mode and frequency.

水晶素板121(131)は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し(例えばATカット)、外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば長方形状となっており、全面にわたって平坦であり、上下方向の厚みは均一である。また、水晶素板121の中央領域よりも、その周囲の外周領域を薄くするいわゆるベベル加工が施されてもよい。水晶素板121の中央部は、例えば水晶素板121(131)が長方形の場合は、その対角線の交点であり、円又は楕円である場合は中心点である。寸法例として、水晶素板121(131)の一辺の寸法は、例えば0.8〜2.0mmであり、その場合、励振用電極122の一辺の寸法は(長方形の場合)、0.6〜1.5mmである。   The quartz base plate 121 (131) is cut from an artificial crystalline lens at a predetermined cut angle (for example, AT cut), is a substantially flat plate shape that has been subjected to external processing, and has a planar shape such as a rectangular shape, and is flat over the entire surface. Yes, the thickness in the vertical direction is uniform. Further, so-called bevel processing may be performed to make the peripheral region around the center region of the quartz base plate 121 thinner. For example, when the crystal base plate 121 (131) is rectangular, the central portion of the crystal base plate 121 is an intersection of the diagonal lines, and when it is a circle or an ellipse, it is the center point. As a dimension example, the dimension of one side of the quartz base plate 121 (131) is, for example, 0.8 to 2.0 mm. In that case, the dimension of one side of the excitation electrode 122 (in the case of a rectangle) is 0.6 to 1.5 mm.

尚、水晶素子のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。   A method for beveling a quartz element will be described. A polishing material provided with media and abrasive grains of a predetermined particle size, and a quartz base plate formed to a predetermined size are prepared. The prepared abrasive and quartz base plate are placed in the cylindrical body, and the open end of the cylindrical body is closed with a cover. A beveling process is performed by polishing a quartz base plate that rotates a cylindrical body in which an abrasive and a quartz base plate are placed with the central axis of the cylindrical body as a rotation axis.

水晶素板121(131)の両面に被着される一対の励振用電極122(132)の形状は、四角形、円及び楕円などに形成される。水晶素子120(130)の振動(厚みすべり振動)は、励振用電極122(132)の外周側から中央に向けて徐々に変位が大きくなるようにして発生する。   The shape of the pair of excitation electrodes 122 (132) attached to both surfaces of the quartz base plate 121 (131) is a quadrangle, a circle, an ellipse, or the like. The vibration (thickness shear vibration) of the crystal element 120 (130) is generated such that the displacement gradually increases from the outer peripheral side of the excitation electrode 122 (132) toward the center.

本実施の形態における第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130は、それぞれの長辺が基板111の短辺に沿い、両長辺が並列になるように基板111上に配置される。すなわち、第1の水晶素子120の短辺と第2の水晶素子130の短辺とが、基板111の長辺に沿ってそれぞれ延びるように、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130とを基板111上に並列に配置することにより、基板111の短辺に沿って配置する場合と比較して、第1の水晶素子120と第2の水晶素子130との間隔を広くすることができる。すなわち、互いに隣接する第1の水晶素子120と接続する片方の第一電極パッドP2と第2の水晶素子130と接続する片方の第二電極パッドP3との間隔を広げることができ、電極パッド上に塗布される導電性接着剤DSの塗布位置又は塗布径のばらつきにより生じうる導電性接着剤DSの接触の可能性を抑制し、第一電極パッドP2と第二電極パッドP3との間の短絡を防止することができる。   The first crystal element 120 and the second crystal element 130 in the present embodiment are arranged on the substrate 111 such that the long sides thereof are along the short sides of the substrate 111 and the long sides are parallel to each other. That is, the first crystal element 120 and the second crystal element 130 are arranged such that the short side of the first crystal element 120 and the short side of the second crystal element 130 extend along the long side of the substrate 111, respectively. Are arranged in parallel on the substrate 111, so that the distance between the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can be widened as compared with the case where the first crystal element 120 and the second crystal element 130 are arranged along the short side of the substrate 111. it can. That is, the interval between the first electrode pad P2 that is connected to the first crystal element 120 adjacent to each other and the second electrode pad P3 that is connected to the second crystal element 130 can be widened. Suppressing the possibility of contact of the conductive adhesive DS that may be caused by variations in the application position or diameter of the conductive adhesive DS applied to the surface, and short-circuiting between the first electrode pad P2 and the second electrode pad P3 Can be prevented.

次に、基板111の配線について説明する。基板111の上面と下面の間に、図4に示す中間配線層Mが設けられる。図5は基板111上面の配線を示し、図6は中間配線層Mの配線を示す。基板111上面の第一電極パッドP1、P2及び第二電極パッドP3、P4の内の少なくとも一つは、ビア導体を介して中間配線層Mの配線と接続して、その中間配線層Mの配線を介して、配線基板111の下面の外部接続用電極端子と電気的に接続する。   Next, the wiring of the substrate 111 will be described. An intermediate wiring layer M shown in FIG. 4 is provided between the upper surface and the lower surface of the substrate 111. FIG. 5 shows wiring on the upper surface of the substrate 111, and FIG. 6 shows wiring on the intermediate wiring layer M. At least one of the first electrode pads P1 and P2 and the second electrode pads P3 and P4 on the upper surface of the substrate 111 is connected to the wiring of the intermediate wiring layer M via the via conductor, and the wiring of the intermediate wiring layer M And electrically connected to the external connection electrode terminal on the lower surface of the wiring board 111.

このように、一対の第一電極パッドの内の1つから引き出された第一配線113と一対の第一電極パッドの内の1つから引き出された第二配線114は、異なる層を介して対角関係にある2つの外部接続用電極端子D1、D3と接続し、一対の第二電極パッドの内の1つから引き出された第三配線115と一対の第二電極パッドの内の1つから引き出された第四配線116は、異なる層を介して対角関係にある別の2つの外部接続用電極端子D2、D4と接続される。このようにすることよって、第一配線113、第二配線114、第三配線115及び第四配線116と、第一電極パッドP1、P2及び第二電極パッドP3、P4とが導電性接着剤DSを介して接触し、短絡することを低減することができる。   As described above, the first wiring 113 drawn from one of the pair of first electrode pads and the second wiring 114 drawn from one of the pair of first electrode pads are connected via different layers. One of the pair of second electrode pads and the third wiring 115 connected to the two external connection electrode terminals D1 and D3 in a diagonal relationship and drawn from one of the pair of second electrode pads. The fourth wiring 116 led out from is connected to another two external connection electrode terminals D2 and D4 having a diagonal relationship through different layers. Thus, the first wiring 113, the second wiring 114, the third wiring 115, the fourth wiring 116, the first electrode pads P1, P2, and the second electrode pads P3, P4 are connected to the conductive adhesive DS. It is possible to reduce a short circuit due to contact through the.

例えば、図5及び図6に示すように、第1の水晶素子120と接続する一方の第一電極パッドP1は、それから最も近い角部に延びる第一配線113を通じて、角部に設けられた第一側面電極T1を介して基板111下面の外部接続用電極端子D1と接続する。また、第1の水晶素子120と接続する他方の第一電極パッドP2は、第一ビア導体V1を介して中間配線層Mの第二配線114と接続している。第二配線114は、中間配線層M内を外部接続用電極端子D3の設けられる角部に延び、角部に設けられた第三側面電極T3を介して外部接続用電極端子D3と接続する。   For example, as shown in FIGS. 5 and 6, one first electrode pad P1 connected to the first crystal element 120 is provided at a corner portion through a first wiring 113 extending to the nearest corner portion. The external connection electrode terminal D1 on the lower surface of the substrate 111 is connected via the one side electrode T1. The other first electrode pad P2 connected to the first crystal element 120 is connected to the second wiring 114 of the intermediate wiring layer M through the first via conductor V1. The second wiring 114 extends in the intermediate wiring layer M to a corner where the external connection electrode terminal D3 is provided, and is connected to the external connection electrode terminal D3 via a third side electrode T3 provided at the corner.

また、第2の水晶素子130と接続する一方の第二電極パッドP3は、第二ビア導体V2を介して中間配線層Mの第三配線115と接続する。第三配線115は、中間配線層M内を外部接続用電極端子D4の設けられる角部に延び、角部に設けられた第四側面電極T4を介して外部接続用電極端子D4と接続する。他方の第二電極パッドP4も、それから最も近い角部に延びる第四配線116を通じて、角部に設けられた第二側面電極T2を介して基板111下面の外部接続用電極端子D2と接続する。図6において、枠体112と重なっている部分は透視されて描かれている。   One second electrode pad P3 connected to the second crystal element 130 is connected to the third wiring 115 of the intermediate wiring layer M through the second via conductor V2. The third wiring 115 extends in the intermediate wiring layer M to a corner where the external connection electrode terminal D4 is provided, and is connected to the external connection electrode terminal D4 via a fourth side electrode T4 provided at the corner. The other second electrode pad P4 is also connected to the external connection electrode terminal D2 on the lower surface of the substrate 111 through the fourth wiring 116 extending to the nearest corner portion from the second side electrode T2 provided at the corner portion. In FIG. 6, a portion overlapping with the frame body 112 is drawn through.

よって、第1の水晶素子120は、対角関係にある2つの外部接続用電極端子D1、D3と電気的に接続し、第2の水晶素子130は、対角関係にある別の2つの外部接続用電極端子D2、D4と電気的に接続する。   Therefore, the first crystal element 120 is electrically connected to the two external connection electrode terminals D1 and D3 having a diagonal relationship, and the second crystal element 130 is connected to two other external terminals having the diagonal relationship. It is electrically connected to the connection electrode terminals D2, D4.

このようにすることによって、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130が最短経路にて4つの外部接続用電極端子にそれぞれ電気的接続することができる。よって、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130に付与される負荷容量を緩和することが可能となる。また、対角関係にある2つの外部接続用電極端子が一対の第一電極パッドP1、P2を介して第1の水晶素子120と電気的に接続され、対角関係にある別の2つの外部接続用電極端子が一対の第二電極パッドP3、P4を介して第2の水晶素子130と電気的に接続されていることによって、水晶デバイスは、180度向きを入れ替えても、安定して第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130の発振周波数を出力することができる。好ましくは、第1の水晶素子120の一方の第一電極パッドP1から引き出された第一配線113の配線長及び第1の水晶素子120の他方の第一電極パッドP2から引き出された第二配線114の配線長を足した長さは、第2の水晶素子130の一方の第二電極パッドP3から引き出された第三配線115の配線長及び第2の水晶素子130の他方の第二電極パッドP4から引き出された第四配線116の配線長を足した長さと、略等しい長さとなる。ここで、略等しい長さとは、第一配線113の配線長及び第二配線114の配線長を足した長さと、第三配線115の配線長及び第四配線116の配線長を足した長さとの差が0〜200μm異なるものを含むものとする。配線の長さは、各配線の中心を通る直線の長さを測定したものとする。   In this way, the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can be electrically connected to the four external connection electrode terminals through the shortest path. Therefore, it is possible to reduce the load capacitance applied to the first crystal element 120 and the second crystal element 130. In addition, two external connection electrode terminals in a diagonal relationship are electrically connected to the first crystal element 120 via a pair of first electrode pads P1 and P2, and two other external terminals in a diagonal relationship are connected. Since the connecting electrode terminal is electrically connected to the second crystal element 130 via the pair of second electrode pads P3 and P4, the crystal device can stably operate even if the orientation is changed by 180 degrees. The oscillation frequency of the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can be output. Preferably, the wiring length of the first wiring 113 drawn from one first electrode pad P1 of the first crystal element 120 and the second wiring drawn from the other first electrode pad P2 of the first crystal element 120 are preferable. The length obtained by adding the wiring length of 114 is the wiring length of the third wiring 115 drawn from one second electrode pad P3 of the second crystal element 130 and the other second electrode pad of the second crystal element 130. The length obtained by adding the wiring length of the fourth wiring 116 drawn from P4 is substantially equal to the length. Here, the substantially equal length is a length obtained by adding the wiring length of the first wiring 113 and the wiring length of the second wiring 114, and a length adding the wiring length of the third wiring 115 and the wiring length of the fourth wiring 116. Including a difference of 0 to 200 μm. As for the length of the wiring, the length of a straight line passing through the center of each wiring is measured.

第2の水晶素子130の一方の第二電極パッドP3から引き出された第三配線115の配線長及び第2の水晶素子130の他方の第二電極パッドP4から引き出された第四配線116の配線長を足した長さと、略等しい長さとなることによって、発生する負荷容量が等しくなり、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130に付与される負荷容量も均一になるため、第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130の発振周波数を安定して出力することが可能となる。水晶素子の等価回路は、図6に示されるように、励振用電極のうち実際に振動している部分(一対の励振用電極の対向部分)で形成される等価直列容量C1と、等価インダクタンスL及び等価直列抵抗R1とが直列に接続されており、等価並列容量C0が等価直列抵抗R、等価直列容量C1及び等価インダクタンスLに並列に接続された構成されている。この水晶素子120の等価回路に主に発振回路で構成される負荷容量CLが並列に付加された状態で、水晶デバイスの等価回路が形成される。負荷容量CLは、多くの発振回路において、水晶素子に並列に接続する2つの容量をCa、Cbとすると、
CL=(Ca・Cb)/(Ca+Cb)+Cs
で表され、ここで、Csは配線や部品の浮遊容量である。水晶デバイスの発振周波数は、一般に、水晶デバイスの発振回路の負荷容量CLに関連して決まり、負荷容量CLは基板111の配線パターンなどに起因する浮遊容量によって変動する。第1の水晶素子120及び第2の水晶素子130の2つの水晶素子を収容する水晶デバイスにおいて、第1の水晶素子120と接続する配線と第2の水晶素子130と接続する配線の長さが異なると、両水晶素子における配線パターンの浮遊容量による発振周波数の変動量が異なってしまう。よって、第1の水晶素子120と接続する配線と第2の水晶素子130と接続する配線の配線長を等しくすることで、第1の水晶素子120と第2の水晶素子130の浮遊容量が等しくなり、両水晶素子の発振周波数の変動量の差異を抑制することができる。
The wiring length of the third wiring 115 drawn from one second electrode pad P3 of the second crystal element 130 and the wiring of the fourth wiring 116 drawn from the other second electrode pad P4 of the second crystal element 130. Since the length obtained by adding the length and the substantially equal length make the generated load capacitances equal, and the load capacitances applied to the first crystal element 120 and the second crystal element 130 are also uniform, the first Thus, it is possible to stably output the oscillation frequencies of the crystal element 120 and the second crystal element 130. As shown in FIG. 6, the equivalent circuit of the crystal element includes an equivalent series capacitance C <b> 1 formed by a portion that actually vibrates among the excitation electrodes (a portion opposite to the pair of excitation electrodes), and an equivalent inductance L. And an equivalent series resistance R1 are connected in series, and an equivalent parallel capacitance C0 is connected in parallel to the equivalent series resistance R, equivalent series capacitance C1, and equivalent inductance L. An equivalent circuit of the crystal device is formed in a state where a load capacitor CL mainly composed of an oscillation circuit is added in parallel to the equivalent circuit of the crystal element 120. In many oscillation circuits, the load capacitance CL is defined as Ca and Cb, which are two capacitors connected in parallel to a crystal element.
CL = (Ca · Cb) / (Ca + Cb) + Cs
Where Cs is the stray capacitance of the wiring or component. The oscillation frequency of the crystal device is generally determined in relation to the load capacitance CL of the oscillation circuit of the crystal device, and the load capacitance CL varies depending on the stray capacitance caused by the wiring pattern of the substrate 111 and the like. In a crystal device that accommodates two crystal elements, the first crystal element 120 and the second crystal element 130, the length of the wiring connected to the first crystal element 120 and the length of the wiring connected to the second crystal element 130 are If they are different, the fluctuation amount of the oscillation frequency due to the stray capacitance of the wiring pattern in both crystal elements will be different. Therefore, by making the wiring lengths of the wiring connected to the first crystal element 120 and the wiring connected to the second crystal element 130 equal, the stray capacitances of the first crystal element 120 and the second crystal element 130 are equal. Thus, the difference in the fluctuation amount of the oscillation frequency of both crystal elements can be suppressed.

また、中間配線層Mには、基板111下面のグランド用電極端子G1、G2と、第三ビア導体V3及び第四ビア導体V4を介して接続する第五配線118が設けられる。第五配線118は、枠体112の一部を貫通する第五ビア導体V5を介して蓋体140と電気的に接続し、蓋体140をグランド用電極端子G1、G2に接続する。蓋体140がグランドに接続されることにより、蓋体140による凹部K内のシールド性が向上する。   Further, the intermediate wiring layer M is provided with a fifth wiring 118 connected to the ground electrode terminals G1 and G2 on the lower surface of the substrate 111 via the third via conductor V3 and the fourth via conductor V4. The fifth wiring 118 is electrically connected to the lid 140 via a fifth via conductor V5 that penetrates part of the frame 112, and connects the lid 140 to the ground electrode terminals G1 and G2. By connecting the lid 140 to the ground, the shielding property in the recess K by the lid 140 is improved.

本実施の形態における水晶デバイスは、パッケージ内に複数の水晶素子を収容し、各水晶素子の短辺が基板の長辺に沿うように、各水晶素子を並列に配置することにより、水晶素子間の間隔、すなわち、互いに隣接し且つ異なる水晶素子と接続する電極パッド間の間隔を広げることができ、隣接する電極パッドに塗布された導電性接着剤同士の接触の可能性を低減し、それによる短絡を防止することができる。   The crystal device according to the present embodiment accommodates a plurality of crystal elements in a package, and each crystal element is arranged in parallel so that the short side of each crystal element is along the long side of the substrate. , I.e., the distance between electrode pads adjacent to each other and connected to different crystal elements can be increased, thereby reducing the possibility of contact between conductive adhesives applied to adjacent electrode pads, thereby A short circuit can be prevented.

また、パッケージ内に収容される複数の水晶素子の接続用電極123と接続される電極パッドと基板111に設けられた外部接続用端子とを接続する配線の長さを、各水晶素子について略等しい長さとすることで、複数の水晶素子それぞれにおける浮遊容量が等しくなり、複数の水晶素子の発振周波数の変動量の差異を抑制することができる。   Further, the lengths of the wirings connecting the electrode pads connected to the connection electrodes 123 of the plurality of crystal elements housed in the package and the external connection terminals provided on the substrate 111 are substantially equal for each crystal element. By setting the length, the stray capacitance in each of the plurality of crystal elements becomes equal, and a difference in fluctuation amount of the oscillation frequency of the plurality of crystal elements can be suppressed.

本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の分野における通常の知識を有する者であれば想到し得る各種変形、修正を含む要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても、本発明に含まれることは勿論である。例えば、枠体112が基板111と同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体112が金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and there are design changes within a range that does not depart from the gist including various modifications and corrections that can be conceived by those having ordinary knowledge in the field of the present invention. Of course, it is included in the present invention. For example, although the case where the frame body 112 is integrally formed of a ceramic material in the same manner as the substrate 111 has been described, the frame body 112 may be made of metal. In this case, the frame is joined to the conductor film of the substrate via a brazing material such as silver-copper.

110:パッケージ
111:基板
112:枠体
112a:封止用導体パターン
113:第一配線
114:第二配線
115:第三配線
116:第四配線
118:第五配線
120、130:水晶素子
121、131:水晶素板
122、132:励振用電極
123、133:接続用電極
124、134:引出電極
140:蓋体
141:封止部材
D1、D2、D3、D4:外部接続用電極端子
G1、G2:グランド用電極端子
P1、P2:第一電極パッド
P3、P4:第二電極パッド
110: Package 111: Substrate 112: Frame 112a: Sealing conductor pattern 113: First wiring 114: Second wiring 115: Third wiring 116: Fourth wiring 118: Fifth wiring 120, 130: Crystal element 121, 131: Crystal base plate 122, 132: Excitation electrode 123, 133: Connection electrode 124, 134: Extraction electrode 140: Cover body 141: Sealing member D1, D2, D3, D4: External connection electrode terminal G1, G2 : Ground terminal P1, P2: First electrode pad P3, P4: Second electrode pad

Claims (5)

長方形状の基板と、
長方形状を有し、その長辺が前記基板の短辺に沿うように、前記基板に配置された第1の水晶素子と、
長方形状を有し、その長辺が前記基板の短辺に沿い且つ前記第1の水晶素子の長辺と並列になるように、前記第1の水晶素子と隣接して前記基板に配置された第2の水晶素子と、を備えることを特徴とする水晶デバイス。
A rectangular substrate;
A first crystal element disposed on the substrate so that the long side is along the short side of the substrate, having a rectangular shape;
It has a rectangular shape and is disposed on the substrate adjacent to the first crystal element so that its long side is along the short side of the substrate and in parallel with the long side of the first crystal element. A crystal device comprising: a second crystal element.
請求項1において、
前記基板の上面の長辺に沿って設けられた一対の第一電極パッドと、
前記一対の第一電極パッドと隣接するように設けられた一対の第二電極パッドと、
前記基板の下面の4隅に設けられた4つの外部接続用電極端子と、を備え、
前記4つの外部接続用電極端子のうち、対角関係にある2つの外部接続用電極端子が前記一対の第一電極パッドを介して前記第1の水晶素子と電気的に接続され、対角関係にある別の2つの外部接続用電極端子が前記一対の第二電極パッドを介して前記第2の水晶素子と電気的に接続されていることを特徴とする水晶デバイス。
In claim 1,
A pair of first electrode pads provided along the long side of the upper surface of the substrate;
A pair of second electrode pads provided adjacent to the pair of first electrode pads;
Four external connection electrode terminals provided at the four corners of the lower surface of the substrate,
Of the four external connection electrode terminals, two external connection electrode terminals in a diagonal relationship are electrically connected to the first crystal element through the pair of first electrode pads, and are in a diagonal relationship. The other two external connection electrode terminals are electrically connected to the second crystal element through the pair of second electrode pads.
請求項2において、
前記基板は多層構造を有し、前記一対の第一電極パッドの内の1つから引き出された第一配線と前記一対の第一電極パッドの内の1つから引き出された第二配線は、異なる層を介して前記対角関係にある2つの外部接続用電極端子と接続し、前記一対の第二電極パッドの内の1つから引き出された第三配線と前記一対の第二電極パッドの内の1つから引き出された第四配線は、異なる層を介して前記対角関係にある別の2つの外部接続用電極端子と接続することを特徴とする水晶デバイス。
In claim 2,
The substrate has a multi-layer structure, and a first wiring drawn from one of the pair of first electrode pads and a second wiring drawn from one of the pair of first electrode pads are: The two external connection electrode terminals in the diagonal relationship are connected through different layers, and the third wiring drawn out from one of the pair of second electrode pads and the pair of second electrode pads A fourth wiring led out from one of the electrodes is connected to two other external connection electrode terminals having the diagonal relationship through different layers.
請求項3において、
前記第一配線の配線長及び前記第二配線の配線長を足した長さは、前記第三配線の配線長及び前記第四配線の配線長を足した長さと、略等しい長さであることを特徴とする水晶デバイス。
In claim 3,
The length obtained by adding the wiring length of the first wiring and the wiring length of the second wiring is substantially equal to the length obtained by adding the wiring length of the third wiring and the wiring length of the fourth wiring. Crystal device characterized by.
請求項2乃至4のいずれかにおいて、
前記基板の長辺の両端にある2つの外部接続用電極端子の間に、グランド用電極端子が設けられることを特徴とする水晶デバイス。
In any of claims 2 to 4,
A crystal device, wherein a ground electrode terminal is provided between two external connection electrode terminals at both ends of the long side of the substrate.
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