JP2014053576A - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク - Google Patents
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Abstract
【課題】マスクパターン領域よりも外側の領域からの反射光による影響が抑制されたＥＵＶマスク、および、該ＥＵＶマスクの製造に用いるＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】基板２上に、マスクパターン領域２１と、該マスクパターン領域の外側の領域２２と、を有し、前記マスクパターン領域の外側の領域２２において、前記基板２上に、ＥＵＶ光を反射する反射層３、ＥＵＶ光を吸収する吸収層４、および、ＥＵＶ光と波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層６をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、前記マスクパターン領域の外側の領域２２の遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク。
【選択図】図１
【解決手段】基板２上に、マスクパターン領域２１と、該マスクパターン領域の外側の領域２２と、を有し、前記マスクパターン領域の外側の領域２２において、前記基板２上に、ＥＵＶ光を反射する反射層３、ＥＵＶ光を吸収する吸収層４、および、ＥＵＶ光と波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層６をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、前記マスクパターン領域の外側の領域２２の遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」ともいう。）、および、該ＥＵＶマスクブランクの吸収層にマスクパターンを形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスク」ともいう。）に関する。
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（波長：１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線をさし、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線をさす。
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスク（以下、「ＥＵＶマスク」ともいう。）とミラーとが用いられる。
マスクブランクは、フォトマスクにマスクパターンを形成する前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している（特許文献１参照）。この他、ＥＵＶマスクブランクには、反射層と吸収層との間に、吸収層にマスクパターンを形成する際に反射層を保護するための保護層が通常形成されている。また、吸収層上にはマスクパターンの検査時におけるコントラストを良好とするための低反射層が通常形成されている。
ＥＵＶマスクブランクでは、吸収層の膜厚を薄くすることが好ましい。ＥＵＶリソグラフィでは、露光光はＥＵＶマスクに対して垂直方向から照射されるのではなく、垂直方向より数度、通常は６度傾斜した方向から照射される。吸収層の膜厚が厚いと、ＥＵＶリソグラフィの際に、該吸収層の一部をエッチングにより除去して形成したマスクパターンに露光光による影が生じ、該ＥＵＶマスクを用いてＳｉウエハなどの基板上レジストに転写されるマスクパターン（以下、「転写パターン」という。）の形状精度や寸法精度が悪化しやすくなる。この問題は、ＥＵＶマスク上に形成されるマスクパターンの線幅が小さくなるほど顕著となるため、ＥＵＶマスクブランクの吸収層の膜厚をより薄くすることが求められる。
ＥＵＶマスクブランクの吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料が用いられ、その膜厚も該吸収層表面にＥＵＶ光を照射した際に、照射したＥＵＶ光が吸収層で全て吸収されるような膜厚とすることが理想である。しかし、上記したように、吸収層の膜厚を薄くすることが求められているため、照射されたＥＵＶ光を吸収層ですべて吸収することはできず、その一部は反射光となる。
ＥＵＶリソグラフィにより、基板上に形成されたレジスト上に転写パターンを形成する際に要求されるのは、ＥＵＶマスクでの反射光のコントラスト、すなわち、マスクパターン形成時に吸収層が除去され、反射層が露出した部位からの反射光と、マスクパターン形成時に吸収層が除去されなかった部位からの反射光と、のコントラストである。よって、反射光のコントラストが十分確保できる限り、照射されたＥＵＶ光が吸収層で全て吸収されなくても全く問題ないと考えられていた。特許文献２では、上記の考えに基づき、吸収層の膜厚をより薄くするために、位相シフトの原理を利用したＥＵＶマスクが提案されている。
ＥＵＶリソグラフィにより、基板上に形成されたレジスト上に転写パターンを形成する際に要求されるのは、ＥＵＶマスクでの反射光のコントラスト、すなわち、マスクパターン形成時に吸収層が除去され、反射層が露出した部位からの反射光と、マスクパターン形成時に吸収層が除去されなかった部位からの反射光と、のコントラストである。よって、反射光のコントラストが十分確保できる限り、照射されたＥＵＶ光が吸収層で全て吸収されなくても全く問題ないと考えられていた。特許文献２では、上記の考えに基づき、吸収層の膜厚をより薄くするために、位相シフトの原理を利用したＥＵＶマスクが提案されている。
しかしながら、上記の原理および膜構成は、実際のマスクパターン領域（マスクパターンが形成され、ＥＵＶＬの際にパターンの転写に用いられる領域）に関しては問題無いが、パターンエリアの外周部に関しては、上記構造に課題がある。この点について、以下、図７を用いて説明する。図７は、パターン形成後のＥＵＶマスクの一例を示した概略断面図であり、基板１２０上に反射層１３０および吸収層１４０がこの順に有しており、マスクパターン領域２１０には、吸収層１４０を一部除去することで形成されたマスクパターンが存在している。図７に示すＥＵＶマスク１００のマスクパターン領域２１０に関しては、上記の位相シフトの原理により、反射層１３０の表面と吸収層１４０の表面との反射コントラストが十分維持できる。しかしながら、実際の露光領域、すなわちＥＵＶ光が照射される領域は２００である。よって、２２０で示されるマスクパターン領域２１０の外側の領域にもＥＵＶ光が照射されるが、このとき反射層１３０からの反射光との位相シフトによる効果が十分得られず、吸収層１４０の表面からＥＵＶ光により、Ｓｉ基板上のレジストに照射され、不必要なレジストが感光してしまうという問題が生じるおそれがある。特に重ね合わせ露光を行う時にはこの問題が顕著である。
上記課題を解決するために、特許文献３では、マスクパターン領域２１０の外側に、新たにＥＵＶ光を吸収する膜（第２の吸収膜）を積層する構造が提案されている。特許文献３では、第２の吸収膜としてＣｒ膜を形成している。
また、特許文献４では、マスクパターン領域２１０の外周に接する状態で、該マスクパターン領域を取り囲むようにして、反射層１３０を溝状に除去することにより、遮光帯を形成することが提案されている。
これらの方法のうち、遮光帯を形成する方法は、反射層の除去によりＥＵＶマスクの膜応力が緩和されて、マスクパターンの位置精度が悪化するおそれがあるので、マスクパターン領域２１０の外側に、ＥＵＶ光を吸収する膜を積層する方法がより好ましい。
また、特許文献４では、マスクパターン領域２１０の外周に接する状態で、該マスクパターン領域を取り囲むようにして、反射層１３０を溝状に除去することにより、遮光帯を形成することが提案されている。
これらの方法のうち、遮光帯を形成する方法は、反射層の除去によりＥＵＶマスクの膜応力が緩和されて、マスクパターンの位置精度が悪化するおそれがあるので、マスクパターン領域２１０の外側に、ＥＵＶ光を吸収する膜を積層する方法がより好ましい。
しかしながら、ＥＵＶ光源から照射される光は、ＥＵＶ光領域の波長（１０〜２０ｎｍ）だけでなく、深紫外光（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｇｈｔ）から可視光（Ｖｉｓｉｂｌｅ Ｌｉｇｈｔ）までの波長、具体的には波長１９０〜５００ｎｍの光（以下、「ＤＵＶ−Ｖｉｓ光」という。）も含まれており、近年、これらのＤＵＶ−Ｖｉｓ光もレジストを感光させてしまうことが明らかになってきた。
特許文献３に記載の技術では、マスクパターン領域の外側に、ＥＵＶ光を吸収する膜としてＣｒ膜を積層しているが、Ｃｒ膜の場合、ＥＵＶ光領域の波長の光に対する反射率が低く有効であるが、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対しては反射率が高く、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光によるレジストの感光が懸念される。
吸収層にはＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を低減する作用はないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光によるレジストの感光は、吸収層からのＥＵＶ反射光の反射率が十分低く、位相シフトの原理を利用しないＥＵＶマスクでも問題となると考えられる。
特許文献３に記載の技術では、マスクパターン領域の外側に、ＥＵＶ光を吸収する膜としてＣｒ膜を積層しているが、Ｃｒ膜の場合、ＥＵＶ光領域の波長の光に対する反射率が低く有効であるが、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対しては反射率が高く、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光によるレジストの感光が懸念される。
吸収層にはＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を低減する作用はないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光によるレジストの感光は、吸収層からのＥＵＶ反射光の反射率が十分低く、位相シフトの原理を利用しないＥＵＶマスクでも問題となると考えられる。
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、マスクパターン領域よりも外側の領域からの反射光、具体的には、ＥＵＶ光の波長域の反射光、および、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域の反射光による影響が抑制されたＥＵＶマスク、および、該ＥＵＶマスクの製造に用いるＥＵＶマスクブランクの提供を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に、マスクパターン領域と、該マスクパターン領域の外側の領域と、を有し、
前記マスクパターン領域において、前記基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を有し、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を有する部位と、前記吸収層を有さない部位と、の配置がマスクパターンをなし、
前記マスクパターン領域の外側の領域において、前記基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層、および、ＥＵＶ光と波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、
前記マスクパターン領域の外側の領域の遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク（本発明のＥＵＶマスク（Ａ））を提供する。
前記マスクパターン領域において、前記基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を有し、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を有する部位と、前記吸収層を有さない部位と、の配置がマスクパターンをなし、
前記マスクパターン領域の外側の領域において、前記基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層、および、ＥＵＶ光と波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、
前記マスクパターン領域の外側の領域の遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク（本発明のＥＵＶマスク（Ａ））を提供する。
また、本発明は、基板上に、マスクパターン領域と、該マスクパターン領域の外側の領域と、を有し、前記マスクパターン領域において、前記基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を有し、該反射層上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層およびマスクパターンの検査時におけるコントラストを良好とするための低反射層をこの順に有する部位と、前記吸収層と低反射層を有さない部位と、の配置がマスクパターンをなし、
前記マスクパターン領域の外側の領域において、前記基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とパターン検査時にコントラストを良好とする低反射層、および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、
前記マスクパターン領域の外側の領域の遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク（本発明のＥＵＶマスク（Ｂ））を提供する。
前記マスクパターン領域の外側の領域において、前記基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とパターン検査時にコントラストを良好とする低反射層、および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、
前記マスクパターン領域の外側の領域の遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク（本発明のＥＵＶマスク（Ｂ））を提供する。
本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、表面側の層（以下、本明細書において「遮光層の上層」という。）と基板側の層（以下、本明細書において「遮光層の下層」という。）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、上層と下層の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、ＣｒとＮを含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、ＣｒとＮを含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、上層と下層の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、上層と下層の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記二層構造からなる場合、前記上層および前記下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれていてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記二層構造からなる場合、前記上層と前記下層との間に中間層が存在していてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記二層構造からなる場合、前記上層と前記下層との間に中間層が存在していてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記吸収層側から第１の層と第２の層とが、交互に積層された３層以上の多層構造を含み、
前記第１の層および前記第２の層が、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜からなる群から選択されてもよい。
ここで、前記多層構造は、前記第１の層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記第２の層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、前記多層構造は、前記第１の層と前記第２の層で構成される層の数が３〜２０の範囲であることが好ましい。
また、前記多層構造において、前記第１の層と前記第２の層との間に中間層が存在していてもよい。
前記第１の層および前記第２の層が、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜からなる群から選択されてもよい。
ここで、前記多層構造は、前記第１の層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記第２の層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、前記多層構造は、前記第１の層と前記第２の層で構成される層の数が３〜２０の範囲であることが好ましい。
また、前記多層構造において、前記第１の層と前記第２の層との間に中間層が存在していてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層の膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
ここで、前記遮光膜が、前記二層構造からなる場合、前記上層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記下層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記上層および前記下層の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
また、前記遮光膜が、前記多層構造を含む場合、前記多層構造の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
ここで、前記遮光膜が、前記二層構造からなる場合、前記上層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記下層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記上層および前記下層の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
また、前記遮光膜が、前記多層構造を含む場合、前記多層構造の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とすることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ａ），（Ｂ）において、前記吸収層の膜厚が２０〜９０ｎｍであることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）において、前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）および酸素（Ｏ）を主成分とすることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）において、前記低反射層の膜厚が２〜１０ｎｍであり、前記低反射層と吸収層の合計膜厚が３０〜９０ｎｍであることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスク（Ａ）において、前記吸収層は、該吸収層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層であってもよい。
本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）において、前記低反射層は、該低反射層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層であってもよい。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクであって、
前記遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ））を提供する。
前記遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ））を提供する。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とパターン検査時にコントラストを良好とする低反射層、および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクであって、
前記遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ））を提供する。
前記遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ））を提供する。
本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％であることが好ましい。
ここで、前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。遮光層が傾斜組成膜の場合、前記表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、上層と下層の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、上層と下層の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、ＣｒとＮを含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、ＣｒとＮを含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、上層と下層の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、上層と下層の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましい。
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記二層構造からなる場合、前記上層および前記下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれていてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記二層構造からなる場合、前記上層と前記下層との間に中間層が存在していてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記二層構造からなる場合、前記上層と前記下層との間に中間層が存在していてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層が、前記吸収層側から第１の層と第２の層とが、交互に積層された３層以上の多層構造を含み、
前記第１の層および前記第２の層が、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜からなる群から選択されてもよい。
ここで、前記多層構造は、前記第１の層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記第２の層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、前記多層構造は、前記第１の層と前記第２の層で構成される層の数が３〜２０の範囲であることが好ましい。
また、前記多層構造において、前記第１の層と前記第２の層との間に中間層が存在していてもよい。
前記第１の層および前記第２の層が、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜からなる群から選択されてもよい。
ここで、前記多層構造は、前記第１の層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記第２の層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
また、前記多層構造は、前記第１の層と前記第２の層で構成される層の数が３〜２０の範囲であることが好ましい。
また、前記多層構造において、前記第１の層と前記第２の層との間に中間層が存在していてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記遮光層の膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
ここで、前記遮光膜が、前記二層構造からなる場合、前記上層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記下層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記上層および前記下層の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
また、前記遮光膜が、前記多層構造を含む場合、前記多層構造の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
ここで、前記遮光膜が、前記二層構造からなる場合、前記上層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記下層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記上層および前記下層の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
また、前記遮光膜が、前記多層構造を含む場合、前記多層構造の合計膜厚が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とすることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ），（Ｂ）において、前記吸収層の膜厚が２０〜９０ｎｍであることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ）において、前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）および酸素（Ｏ）を主成分とすることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ）において、前記低反射層の膜厚が２〜１０ｎｍであり、前記低反射層と吸収層の合計膜厚が３０〜９０ｎｍであることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ）において、前記吸収層は、該吸収層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層であってもよい。
本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ）において、前記低反射層は、該低反射層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層であってもよい。
本発明のＥＵＶマスクでは、マスクパターン領域の外側に遮光層を設けることにより、マスクパターン領域よりも外側の領域からの反射光、具体的には、ＥＵＶ光の波長域の反射光、および、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域の反射光を低減できる。
これにより、マスクパターン領域よりも外側の領域からの反射光による、基板上に形成されたレジストの不必要な感光を低減できる。
マスクパターン領域内では、位相シフトの原理を利用することにより、吸収層の膜厚を薄くできる。よって、パターンの微細化が可能であり、該ＥＵＶマスクを用いて基板上に形成されたレジストに形成される転写パターンが形状精度や寸法精度に優れている。
本発明のＥＵＶマスクは、本発明のＥＵＶマスクブランクにより得られる。
これにより、マスクパターン領域よりも外側の領域からの反射光による、基板上に形成されたレジストの不必要な感光を低減できる。
マスクパターン領域内では、位相シフトの原理を利用することにより、吸収層の膜厚を薄くできる。よって、パターンの微細化が可能であり、該ＥＵＶマスクを用いて基板上に形成されたレジストに形成される転写パターンが形状精度や寸法精度に優れている。
本発明のＥＵＶマスクは、本発明のＥＵＶマスクブランクにより得られる。
以下、図面を参照して本発明のＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクについて説明する。
図１は、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）の１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶマスク１０は、基板２上に、マスクパターン領域２１と、該マスクパターン領域の外側の領域２２と、を有している。
マスクパターン領域２１は、マスクパターンを有し、ＥＵＶＬの際にパターンの転写に用いられる領域である。図１に示すＥＵＶマスク１０は、マスクパターン領域２１において、基板２上にＥＵＶ光を反射する反射層３を有し、該反射層３上にはＥＵＶ光を吸収する吸収層４を有する部位と、吸収層４を有しない部位と、が存在し、吸収層４を有する部位と、吸収層４を有さない部位と、が所望のマスクパターンをなすように配置されている。
図１は、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）の１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶマスク１０は、基板２上に、マスクパターン領域２１と、該マスクパターン領域の外側の領域２２と、を有している。
マスクパターン領域２１は、マスクパターンを有し、ＥＵＶＬの際にパターンの転写に用いられる領域である。図１に示すＥＵＶマスク１０は、マスクパターン領域２１において、基板２上にＥＵＶ光を反射する反射層３を有し、該反射層３上にはＥＵＶ光を吸収する吸収層４を有する部位と、吸収層４を有しない部位と、が存在し、吸収層４を有する部位と、吸収層４を有さない部位と、が所望のマスクパターンをなすように配置されている。
一方、図１に示すＥＵＶマスク１０は、マスクパターン領域の外側の領域２２において、基板２上にＥＵＶ光を反射する反射層３、ＥＵＶ光を吸収する吸収層４、および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射を抑制する遮光層６をこの順に有している。ここで、マスクパターン領域の外側の領域２２の吸収層４は、マスクパターンを形成する前のＥＵＶマスクブランクの段階において、マスクパターン領域２１の吸収層４と同一の層をなしている。要するに、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）は、マスクパターン領域の外側の領域２２において、マスクパターン領域２１での吸収層４までの構成（基板２、反射層３、吸収層４）に加えて遮光層６をさらに有する。
このような構成により、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）では、マスクパターン領域２１に存在する吸収層４表面からのＥＵＶ反射光の反射率に比べて、マスクパターン領域の外側の領域２２の遮光層６表面からのＥＵＶ反射光の反射率がきわめて低くなる。具体的には、遮光層６表面からの波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満の反射率となる。さらに、マスクパターン領域の外側の領域２２の遮光層６表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率も低くなる。具体的には、波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する反射率も低くなり、３０％以下の反射率となる。
このような構成により、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）では、マスクパターン領域２１に存在する吸収層４表面からのＥＵＶ反射光の反射率に比べて、マスクパターン領域の外側の領域２２の遮光層６表面からのＥＵＶ反射光の反射率がきわめて低くなる。具体的には、遮光層６表面からの波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満の反射率となる。さらに、マスクパターン領域の外側の領域２２の遮光層６表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率も低くなる。具体的には、波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する反射率も低くなり、３０％以下の反射率となる。
上述したように、吸収層の厚さを薄くすることが求められているが、一方で、吸収層を薄膜化すると、ＥＵＶマスクにＥＵＶ光を照射した際、吸収層表面からはある程度の反射光が生じる。本発明のＥＵＶマスク（Ａ）の場合、吸収層表面からの波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．５〜１５％である。
ここで、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が、０．５％以上２％未満の範囲であれば、反射層表面と吸収層表面との反射コントラストが十分維持できる。また、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が２〜１５％であっても、ＥＵＶマスクのマスクパターン領域においては、位相シフトの原理を利用することにより、反射層表面と吸収層表面との反射コントラストが十分維持できる。
しかしながら、マスクパターン領域よりも外側の領域については、反射層からの反射光との位相シフトによる効果が十分得られず、マスクパターン領域よりも外側の領域の吸収層表面からのＥＵＶ反射光によって、例えばＳｉ基板のような半導体ウエハ上のレジストが感光するという問題が生じるおそれがある。
また、前述のように、ＥＵＶ光源からの光は、ＥＵＶ領域の波長だけでなく、ＤＵＶ−Ｖｉｓ領域の波長の光も含むため、マスクパターン領域よりも外側の領域の吸収層表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光によって、Ｓｉ基板上のレジストが感光するという問題が生じるおそれがある。なお、ＥＵＶマスクの吸収層は、後述するように、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されているため、吸収層表面からのＥＵＶ反射光の反射率を低減できるが、吸収層表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率を低減する作用はない。このため、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が０．５％以上２％未満であり、位相シフトの原理を利用することなしに、反射層表面と吸収層表面との反射コントラストが十分維持できる場合であっても、マスクパターン領域よりも外側の領域の吸収層表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光によって、Ｓｉ基板上のレジストが感光するという問題が生じるおそれがある。
ここで、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が、０．５％以上２％未満の範囲であれば、反射層表面と吸収層表面との反射コントラストが十分維持できる。また、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が２〜１５％であっても、ＥＵＶマスクのマスクパターン領域においては、位相シフトの原理を利用することにより、反射層表面と吸収層表面との反射コントラストが十分維持できる。
しかしながら、マスクパターン領域よりも外側の領域については、反射層からの反射光との位相シフトによる効果が十分得られず、マスクパターン領域よりも外側の領域の吸収層表面からのＥＵＶ反射光によって、例えばＳｉ基板のような半導体ウエハ上のレジストが感光するという問題が生じるおそれがある。
また、前述のように、ＥＵＶ光源からの光は、ＥＵＶ領域の波長だけでなく、ＤＵＶ−Ｖｉｓ領域の波長の光も含むため、マスクパターン領域よりも外側の領域の吸収層表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光によって、Ｓｉ基板上のレジストが感光するという問題が生じるおそれがある。なお、ＥＵＶマスクの吸収層は、後述するように、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されているため、吸収層表面からのＥＵＶ反射光の反射率を低減できるが、吸収層表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率を低減する作用はない。このため、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が０．５％以上２％未満であり、位相シフトの原理を利用することなしに、反射層表面と吸収層表面との反射コントラストが十分維持できる場合であっても、マスクパターン領域よりも外側の領域の吸収層表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光によって、Ｓｉ基板上のレジストが感光するという問題が生じるおそれがある。
本発明のＥＵＶマスク（Ａ）では、マスクパターン領域２１の外側の領域２２に遮光層６を設けることにより、マスクパターン領域２１の吸収層４の厚さを薄くしつつ、マスクパターン領域２１よりも外側の領域２２からのＥＵＶ反射光の反射率、及びＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率を低減できる。そのため、ＥＵＶリソグラフィの際に、マスクパターン領域よりも外側の領域からのＥＵＶ反射光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による上記の問題を低減できる。
以下、ＥＵＶマスク（Ａ）の各構成要素について説明する。なお、説明上、ＥＵＶマスクの各構成要素を表わす符号には、図１に示すＥＵＶマスク１０で使用しているものを用いる。なお、以下の基板２や反射層３、保護層、吸収層４の記載は、ＥＵＶマスク（Ａ）のみならず、後述するＥＵＶマスク（Ｂ）にも同様に適用可能である。
基板２は、ＥＵＶマスク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、基板２は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０-7／℃であることが好ましく、特に好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、および、ＥＵＶマスクの洗浄や吸収層にマスクパターンを形成する前のＥＵＶマスクブランクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板２としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。
そのため、基板２は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０-7／℃であることが好ましく、特に好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、および、ＥＵＶマスクの洗浄や吸収層にマスクパターンを形成する前のＥＵＶマスクブランクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板２としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。
基板２は、表面粗さ（ｒｍｓ）が、ＪＩＳ−Ｂ０６０１で、０．１５ｎｍ以下で、平坦度が１００ｎｍ以下の平滑な表面を有していることが、ＥＵＶマスクにおいて高反射率および高い転写精度が得られるために好ましい。
基板２の大きさや厚さなどはＥＵＶマスクの設計値等により適宜決定されるが、一例を挙げると外形約６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ約０．２５インチ（６．３ｍｍ）である。
基板２の成膜面（反射層３が形成される側の面）には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
基板２の大きさや厚さなどはＥＵＶマスクの設計値等により適宜決定されるが、一例を挙げると外形約６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ約０．２５インチ（６．３ｍｍ）である。
基板２の成膜面（反射層３が形成される側の面）には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
反射層３は、ＥＵＶマスクの反射層として所望の特性を有する限り特に限定されない。ここで、反射層３に特に要求される特性は、反射層表面からのＥＵＶ反射光の反射率が高いことである。具体的には、反射層３表面からの波長１３．５３ｎｍに対するＥＵＶ反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。また、反射層３の上に保護層や低反射層を設けた場合であっても、波長１３．５３ｎｍに対するＥＵＶ反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
反射層３としては、ＥＵＶ反射光の反射率が高くできることから、通常は高屈折率層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層３をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｓｉが広く使用され、低屈折率層にはＭｏが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
反射層３をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ反射膜を例にとると、波長１３．５３ｎｍに対するＥＵＶ反射率の最大値が６０％以上の反射層とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
なお、反射層３をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度１．８〜１８ｎｍ／ｍｉｎで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度１．８〜１８ｎｍ／ｍｉｎで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を３０〜６０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。なお、Ｓｉターゲットとしては、ＢをドープしたＳｉターゲットが導電性の点で好ましい。
反射層３表面が酸化されるのを防止するため、反射層３をなす多層反射膜の最上層は酸化されにくい材料の層が好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層３のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示できる。反射層３をなす多層反射膜がＭｏ／Ｓｉ膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍが好ましい。
また、反射層３と吸収層４との間に保護層が形成されてもよい。保護層は、エッチング（通常はドライエッチング）により吸収層４にマスクパターンを形成する際に、反射層３がエッチングによるダメージを受けないよう、反射層３を保護することを目的として設けられる。したがって保護層の材質としては、吸収層４のエッチングによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層４よりも遅く、しかもこのエッチングによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ及びこれらの窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）が特に好ましい。
また、保護層を形成する場合、その厚さは１〜６０ｎｍが好ましく、１〜４０ｎｍがより好ましい。
また、保護層を形成する場合、その厚さは１〜６０ｎｍが好ましく、１〜４０ｎｍがより好ましい。
保護層を形成する場合、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-1Ｐａ）を使用して投入電力３０〜１５００Ｖ、成膜速度１．２〜６０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
吸収層４に特に要求される特性は、反射層３（該反射層３上に保護層が形成されている場合は該保護層。以下同じ）との関係で、ＥＵＶ反射光のコントラストが十分高いことである。上記の特性を達成するには、吸収層４表面からのＥＵＶ反射光の反射率をきわめて低くすることが好ましい。しかし、上記のように吸収層４の膜厚を薄くすることが求められていることから、吸収層４表面からのＥＵＶ反射光の反射率を低くすることのみで、ＥＵＶ反射光のコントラストを十分高くすることが難しい場合、吸収層４からの反射光と、反射層３からの反射光との関係で位相シフトの原理を利用して、ＥＵＶ反射光のコントラストを高くしてもよい。
上述したように、吸収層４表面からのＥＵＶ反射光の反射率は０．５〜１５％である。
吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が２〜１５％の場合、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めるために、吸収層４からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との位相差が、１７５〜１８５度であることが好ましい。
一方、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が、０．５％以上２％未満の範囲であれば、位相シフトの原理を利用しなくても、ＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めることができる。この場合、吸収層４からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との間に位相差を設けなくてよい。
吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が２〜１５％の場合、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めるために、吸収層４からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との位相差が、１７５〜１８５度であることが好ましい。
一方、吸収層表面からの平均ＥＵＶ反射率が、０．５％以上２％未満の範囲であれば、位相シフトの原理を利用しなくても、ＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めることができる。この場合、吸収層４からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との間に位相差を設けなくてよい。
上記の特性を達成するため、吸収層４は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成される。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。本明細書において、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料と言った場合、当該材料中Ｔａを４０ａｔ％以上含有する材料を意味する。吸収層４は、５０ａｔ％以上タンタル（Ｔａ）を含有していれば好ましく、５５ａｔ％以上含有していればより好ましい。
吸収層４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＰｄＮなどが挙げられる。
また、吸収層４の厚さは、２０〜９０ｎｍが好ましく、３０〜９０ｎｍがより好ましい。
吸収層４の厚さが、２０ｎｍ以上６５ｎｍ未満の場合は、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めることが好ましい。
なお、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高める場合は、吸収層４からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との位相差が１７５〜１８５度となるように吸収層４の厚さを選択する。
吸収層４の厚さが、６５ｎｍ以上９０ｎｍ以下の場合は、吸収層表面からのＥＵＶ反射率が十分低くなるため、位相シフトの原理を利用しなくても、ＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めることができる。
吸収層４の厚さが、２０ｎｍ以上６５ｎｍ未満の場合は、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めることが好ましい。
なお、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高める場合は、吸収層４からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との位相差が１７５〜１８５度となるように吸収層４の厚さを選択する。
吸収層４の厚さが、６５ｎｍ以上９０ｎｍ以下の場合は、吸収層表面からのＥＵＶ反射率が十分低くなるため、位相シフトの原理を利用しなくても、ＥＵＶ反射光のコントラストを十分高めることができる。
上記した構成の吸収層４は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法により形成できる。
例えば、吸収層４として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮＨ膜を形成する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタリングガスとして、ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度１０〜９４ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）、投入電力３００〜２０００Ｗ、成膜速度０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎで、厚さ２０〜９０ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
例えば、吸収層４として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮＨ膜を形成する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタリングガスとして、ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度１０〜９４ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）、投入電力３００〜２０００Ｗ、成膜速度０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎで、厚さ２０〜９０ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
上述したように、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）（図１に示すＥＵＶマスク１０）において、マスクパターン領域の外側の領域２２に形成される吸収層４は、マスクパターンを形成する前のＥＵＶマスクブランクの段階において、マスクパターン領域２１の吸収層４と同一の層をなしている。したがって、マスクパターン領域の外側の領域２２に形成される吸収層４については、上記マスクパターン領域２１の吸収層４に関する記載を同様に適用できる。
遮光層６に要求される特性は、マスクパターン領域の外側の領域２２における、遮光層６表面からのＥＵＶ反射光の波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満かつ、波長１９０〜５００ｎｍに対するＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下である。但し、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）は、吸収層４および遮光層６を合わせた層構造全体で、前記の反射率を達成できればよい。
上記の特性のうち、ＥＵＶ光に対する低反射特性を満足するために、遮光層６は、ＥＵＶ光に対して吸収が大きい材料で構成することが好ましい。一方、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する低反射特性を満足するためには、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域（１９０〜５００ｎｍ）に対して、透明である（吸収が小さい）材料で構成することが好ましい。
上記の特性を満足する遮光層６の一構成例は、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）を含有するＣｒＯ膜であり、該ＣｒＯ膜はＣｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％である。
Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。
Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜）は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板２側におけるＯの含有率が低くなるように、遮光層６におけるＯの含有率が該遮光層６の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。なお、上記の傾斜組成膜は、遮光層６中のＯの含有率が、該遮光層６の厚さ方向に沿って連続的に変化するものであってもよいし、Ｏの含有率が異なる層を複数積層したものであってもよい。
上記した遮光層６の構成例が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％〜３０ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が３０ａｔ％〜４０ａｔ％であることが好ましい。
なお、上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜）が傾斜組成膜の場合、該遮光膜６におけるＣｒの平均含有率およびＯの平均含有率が、前段落に記載した条件を満たす。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜）が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が７２ａｔ％〜８５ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％〜２８ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が６２ａｔ％〜７０ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が３０ａｔ％〜３８ａｔ％であることがより好ましく、表面側におけるＯの含有率が７５ａｔ％〜８５ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％〜２５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が６５ａｔ％〜７０ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が３０ａｔ％〜３５ａｔ％であることがさらに好ましい。
上記した遮光層６の構成例が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％〜３０ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が３０ａｔ％〜４０ａｔ％であることが好ましい。
なお、上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜）が傾斜組成膜の場合、該遮光膜６におけるＣｒの平均含有率およびＯの平均含有率が、前段落に記載した条件を満たす。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜）が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が７２ａｔ％〜８５ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％〜２８ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が６２ａｔ％〜７０ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が３０ａｔ％〜３８ａｔ％であることがより好ましく、表面側におけるＯの含有率が７５ａｔ％〜８５ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％〜２５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が６５ａｔ％〜７０ａｔ％であり、Ｃｒの含有率が３０ａｔ％〜３５ａｔ％であることがさらに好ましい。
上記の特性を満足する遮光層６の別の一構成例は、Ｃｒ、Ｏおよび窒素（Ｎ）を含有するＣｒＯＮ膜であり、該ＣｒＯＮ膜はＣｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５である。
Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。
Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板２側におけるＯの含有率が低くなるように、遮光層６におけるＯの含有率が該遮光層６の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜であってもよい。なお、上記の傾斜組成膜は、遮光層６中のＯの含有率が、該遮光層６の厚さ方向に沿って連続的に変化するものであってもよいし、Ｏの含有率が異なる層を複数積層したものであってもよい。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％であることが好ましい。ここで、表面側におけるＣｒの含有率が１５ａｔ％〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、基板２側におけるＣｒの含有率が３０ａｔ％〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が５：５〜４：６であることが好ましい。
なお、上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）が傾斜組成膜の場合、該遮光膜６におけるＣｒの平均含有率およびＯおよびＮの合計含有率の平均値が、前段落に記載した条件を満たす。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が３６ａｔ％〜７５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３３ａｔ％であることがより好ましい。ここで、表面側におけるＣｒの含有率が１５ａｔ％〜２８ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７２ａｔ％〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、基板２側におけるＣｒの含有率が３３ａｔ％〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０ａｔ％〜６７ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が５：５〜４：６であることがより好ましい。また、表面側におけるＯの含有率が３８ａｔ％〜７５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３２ａｔ％であることがさらに好ましい。ここで、表面側におけるＣｒの含有率が１５ａｔ％〜２５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７５ａｔ％〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、基板２側におけるＣｒの含有率が３５ａｔ％〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０ａｔ％〜６５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が５：５〜４：６であることがさらに好ましい。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％であることが好ましい。ここで、表面側におけるＣｒの含有率が１５ａｔ％〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、基板２側におけるＣｒの含有率が３０ａｔ％〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が５：５〜４：６であることが好ましい。
なお、上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）が傾斜組成膜の場合、該遮光膜６におけるＣｒの平均含有率およびＯおよびＮの合計含有率の平均値が、前段落に記載した条件を満たす。
上記した遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜）が傾斜組成膜の場合、表面側におけるＯの含有率が３６ａｔ％〜７５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３３ａｔ％であることがより好ましい。ここで、表面側におけるＣｒの含有率が１５ａｔ％〜２８ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７２ａｔ％〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、基板２側におけるＣｒの含有率が３３ａｔ％〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０ａｔ％〜６７ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が５：５〜４：６であることがより好ましい。また、表面側におけるＯの含有率が３８ａｔ％〜７５ａｔ％であり、基板２側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３２ａｔ％であることがさらに好ましい。ここで、表面側におけるＣｒの含有率が１５ａｔ％〜２５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７５ａｔ％〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、基板２側におけるＣｒの含有率が３５ａｔ％〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０ａｔ％〜６５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が５：５〜４：６であることがさらに好ましい。
上記の特性を満足する遮光層６の別の一構成例は、上層と下層の２層構造からなり、遮光層６の上層が、Ｃｒと、Ｏを含有するＣｒＯ膜であり、該遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、該遮光層６の下層が、ＣｒとＮを含有するＣｒＮ膜であり、該遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である。
該遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
該遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜／ＣｒＮ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）は、Ｃｒの含有率が４０〜９５ａｔ％であり、Ｎが５〜６０ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が４０〜９０ａｔ％であり、Ｎが１０〜６０ａｔ％であることがさらに好ましい。
該遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
該遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜／ＣｒＮ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）は、Ｃｒの含有率が４０〜９５ａｔ％であり、Ｎが５〜６０ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が４０〜９０ａｔ％であり、Ｎが１０〜６０ａｔ％であることがさらに好ましい。
上記の特性を満足する遮光層６のさらに別の一構成例は、上層と下層の２層構造からなり、遮光層６の上層が、Ｃｒ、ＯおよびＮを含有するＣｒＯＮ膜であり、該遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、遮光層６の下層が、ＣｒとＮを含有するＣｒＮ膜であり、該遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である。
該遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
該遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＮ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）は、Ｃｒの含有率が４０〜９５ａｔ％であり、Ｎが５〜６０ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が４０〜９０ａｔ％であり、Ｎが１０〜６０ａｔ％であることがさらに好ましい。
該遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
該遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＮ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）は、Ｃｒの含有率が４０〜９５ａｔ％であり、Ｎが５〜６０ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が４０〜９０ａｔ％であり、Ｎが１０〜６０ａｔ％であることがさらに好ましい。
上記の特性を満足する遮光層６のさらに別の一構成例は、上層と下層の２層構造からなり、遮光層６の上層が、Ｃｒ、ＯおよびＮを含有するＣｒＯＮ膜であり、該遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、遮光層６の下層が、Ｃｒと、Ｏを含有するＣｒＯ膜であり、該遮光層６の下層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％である。
該遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
該遮光層６の下層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＯ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４０ａｔ％であることがより好ましい。
該遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
該遮光層６の下層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＯ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４０ａｔ％であることがより好ましい。
上記の特性を満足する遮光層６のさらに別の一構成例は、上層と下層の２層構造からなり、遮光層６の上層が、Ｃｒと、Ｏを含有するＣｒＯ膜であり、該遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、遮光層６の下層が、Ｃｒ、ＯおよびＮを含有するＣｒＯＮ膜であり、該遮光層６の下層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８である。
該遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
該遮光層６の下層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、３：７よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、２：８よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜／ＣｒＯＮ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることがより好ましい。
該遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
該遮光層６の下層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、３：７よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、２：８よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜／ＣｒＯＮ膜）において、遮光層６の上層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、遮光層６の下層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることがより好ましい。
上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜／ＣｒＮ膜），（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＮ膜），（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＯ膜），（ＣｒＯ膜／ＣｒＯＮ膜）において、上層および下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれていてもよい。上層および下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれた構成の具体例としては、上層および下層を構成する元素の含有率が異なる層を複数積層したものが挙げられる。
また、上記した二層構造からなる遮光層６の構成例（ＣｒＯ膜／ＣｒＮ膜），（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＮ膜），（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＯ膜），（ＣｒＯ膜／ＣｒＯＮ膜）において、
上層と下層との間に中間層が存在していてもよい。このような中間層の具体例としては、上層および下層のうち、少なくとも一方から拡散した元素を含有する結果、上層および下層の中間となる組成の層が挙げられる。
上層と下層との間に中間層が存在していてもよい。このような中間層の具体例としては、上層および下層のうち、少なくとも一方から拡散した元素を含有する結果、上層および下層の中間となる組成の層が挙げられる。
上記した遮光膜の構成例（ＣｒＯ膜、ＣｒＯＮ膜）、ならびに、上記した二層構造からなる遮光層の構成例の上層および下層（ＣｒＯ膜、ＣｒＯＮ膜、ＣｒＮ膜）は、遮光膜としての特性に悪影響を及ぼさない他の元素を含有してもよい。このような他の元素の具体例としては、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）が例示される。これらの元素の合計含有率は、７ａｔ％以下が好ましく、５ａｔ％以下がより好ましく、３ａｔ％以下がさらに好ましい。
上記の特性を満足する遮光層６の別の一構成例は、遮光層６が第１の層と第２の層とが、交互に積層された３層以上の多層構造を含む。ここで、「交互に積層させた３層以上の多層構造」とは、第１の層と第２の層とが交互に、合計３層以上の積層された構成を指す。つまり、第１の層／第２の層／第１の層、第１の層／第２の層／第１の層／第２の層、第１の層／第２の層／第１の層／第２の層／第１の層、等の多層構造を含む。
ここで、多層構造を構成する第１の層および第２の層は、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜（ＣｒＯ膜）、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜（ＣｒＮ膜）、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜（ＣｒＯＮ膜）からなる群から選択される。つまり、第１の層および第２の層の組合せは、これらの膜から６通り選択可能であるが、いずれの組合せであってもよい。ここで、第１の層は、遮光層６のうち、積層の開始層、つまり、吸収層４側にある層を指す。上述したように、遮光層６では第１の層と第２の層とが交互に積層される。したがって、第２の層は、該積層開始層に積層される層を指す。そして、第２の層には第１の層、該第１の層には第２の層と、交互に積層される。
また、「交互に積層させた多層構造」は、合計２０層以内であれば好ましく、合計１０層以内であればより好ましい。また、第１の層と第２の層との間に中間層が存在してもよく、このような中間層の具体例としては、第１の層と第２の層のうち、少なくとも一方から拡散した元素を含有する結果、第１の層および第２の層の中間となる組成の層が挙げられる。
以下、多層構造を構成する第１の層および第２の層の６通りの組合せのうち、代表的な４通りの組合せについて例示するが、この他の組合せとして、第１の層がＣｒＮ膜であり、第２の層がＣｒＯ膜の場合、第１の層がＣｒＮ膜であり、第２の層がＣｒＯＮ膜の場合がある。
ここで、多層構造を構成する第１の層および第２の層は、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜（ＣｒＯ膜）、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜（ＣｒＮ膜）、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜（ＣｒＯＮ膜）からなる群から選択される。つまり、第１の層および第２の層の組合せは、これらの膜から６通り選択可能であるが、いずれの組合せであってもよい。ここで、第１の層は、遮光層６のうち、積層の開始層、つまり、吸収層４側にある層を指す。上述したように、遮光層６では第１の層と第２の層とが交互に積層される。したがって、第２の層は、該積層開始層に積層される層を指す。そして、第２の層には第１の層、該第１の層には第２の層と、交互に積層される。
また、「交互に積層させた多層構造」は、合計２０層以内であれば好ましく、合計１０層以内であればより好ましい。また、第１の層と第２の層との間に中間層が存在してもよく、このような中間層の具体例としては、第１の層と第２の層のうち、少なくとも一方から拡散した元素を含有する結果、第１の層および第２の層の中間となる組成の層が挙げられる。
以下、多層構造を構成する第１の層および第２の層の６通りの組合せのうち、代表的な４通りの組合せについて例示するが、この他の組合せとして、第１の層がＣｒＮ膜であり、第２の層がＣｒＯ膜の場合、第１の層がＣｒＮ膜であり、第２の層がＣｒＯＮ膜の場合がある。
ここで、第１の層がＣｒＯＮ膜であり、第２の層がＣｒＮ膜となる組合せを考える。このとき、第１の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、第２の層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
そして、第１の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
第２の層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
第２の層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
上記した多層構造の構成例において、第１の層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。一方、第２の層（ＣｒＮ膜）は、Ｃｒの含有率が４０〜９５ａｔ％であり、Ｎが５〜６０ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が４０〜９０ａｔ％であり、Ｎが１０〜６０ａｔ％であることがさらに好ましい。
次に、第１の層がＣｒＯ膜であり、第２の層がＣｒＮ膜となる組合せを考える。
このとき、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、第２の層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
そして、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
第２の層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
上記した多層構造の構成例において、第１の層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、第２の層（ＣｒＮ膜）は、Ｃｒの含有率が４０〜９５ａｔ％であり、Ｎが５〜６０ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が４０〜９０ａｔ％であり、Ｎが１０〜６０ａｔ％であることがさらに好ましい。
このとき、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、第２の層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％であることが好ましい。
そして、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
第２の層（ＣｒＮ膜）において、Ｃｒの含有量が、４０ａｔ％未満（すなわちＮの含有率が６０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が９７ａｔ％超（すなわちＮが３ａｔ％未満）であると、結晶化や応力が大きくなるなどの問題がある。
上記した多層構造の構成例において、第１の層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、第２の層（ＣｒＮ膜）は、Ｃｒの含有率が４０〜９５ａｔ％であり、Ｎが５〜６０ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が４０〜９０ａｔ％であり、Ｎが１０〜６０ａｔ％であることがさらに好ましい。
次に、第１の層がＣｒＯＮ膜であり、第２の層がＣｒＯ膜となる組合せを考える。
このとき、第１の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、第２の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％であることが好ましい。
そして、第１の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
第２の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した多層構造の構成例において、第１の層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。一方、第２の層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４０ａｔ％であることがより好ましい。
このとき、第１の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、第２の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％であることが好ましい。
そして、第１の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、９：１よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、５：５よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、後述する手順にしたがって、スパッタリング法によりＣｒＯＮ膜を形成する場合、５：５よりもＮの組成比が高い膜を形成することは困難である。
第２の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した多層構造の構成例において、第１の層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６５〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が７０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であることがより好ましい。一方、第２の層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜４０ａｔ％であることがより好ましい。
次に、第１の層がＣｒＯ膜であり、第２の層がＣｒＯＮ膜となる組合せを考える。
このとき、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、第２の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましい。
そして、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
第２の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、３：７よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、２：８よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した多層構造の構成例において、第１の層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、第２の層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることがより好ましい。
このとき、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、第２の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましい。
そして、第１の層（ＣｒＯ膜）において、Ｃｒの含有率が１５ａｔ％未満（すなわちＯの含有率が８５ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が４０ａｔ％超（すなわちＯの含有率が６０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
第２の層（ＣｒＯＮ膜）において、Ｃｒの含有率が５０ａｔ％未満（すなわちＯとＮの合計含有率が５０ａｔ％超）であると、ＥＵＶ光に対する吸収が小さく、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満とならない。一方、Ｃｒの含有率が８０ａｔ％超（すなわちＯとＮの合計含有率が２０ａｔ％未満）であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。また、３：７よりもＯの組成比が高い場合、Ｎ含有による平滑性の向上が期待できない。一方、２：８よりもＮの組成比が高いと、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する吸収が大きく低反射特性が得られないため、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下とならない。
上記した多層構造の構成例において、第１の層（ＣｒＯ膜）は、Ｃｒの含有率が１５〜３５ａｔ％であり、Ｏの含有率が６５〜８５ａｔ％であることが好ましく、Ｃｒの含有率が１５〜３０ａｔ％であり、Ｏの含有率が７０〜８５ａｔ％であることがより好ましい。一方、第２の層（ＣｒＯＮ膜）は、Ｃｒの含有率が５５〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることが好ましく、Ｃｒの含有率が６０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜４０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８であることがより好ましい。
遮光層６の膜厚は、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満となる膜厚となるように、任意に選択できる。しかしながら、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光で低反射特性を得るためには、遮光層６の膜厚は、１０〜１００ｎｍの範囲が好ましい。遮光層６の膜厚が１０ｎｍ未満であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下にできない。一方、１００ｎｍ以上であるとマスク作製時のパターン精度が悪化する、成膜時間が長くなることによる成膜コストが上がるなどの点で好ましくない。
遮光層６の膜厚は、１０〜９５ｎｍが好ましく、１０〜９０ｎｍがより好ましい。
遮光層６の膜厚は、１０〜９５ｎｍが好ましく、１０〜９０ｎｍがより好ましい。
上記した二層構造からなる遮光膜６の構成例の場合、上層および下層の合計膜厚が、前段落に記載した条件を満たす。この前提の下で、上層の膜厚は５〜８０ｎｍが好ましく、１０〜８０ｎｍがより好ましく、１５〜８０ｎｍがさらに好ましい。一方、下層の膜厚は５〜８０ｎｍが好ましく、１０〜８０ｎｍがより好ましく、１５〜８０ｎｍがさらに好ましい。
また、上記した二層構造からなる遮光層６の構成例において、上層および下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれている場合、二層以上に分かれた各層の膜厚は５〜４０ｎｍが好ましく、７〜４０ｎｍがより好ましく、１０〜４０ｎｍがさらに好ましい。
また、上記した二層構造からなる遮光層６の構成例において、上層と下層との間に中間層が存在する場合、該中間膜の膜厚は５〜４０ｎｍが好ましく、７〜４０ｎｍがより好ましく、１０〜４０ｎｍがさらに好ましい。
また、上記した二層構造からなる遮光層６の構成例において、上層および下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれている場合、二層以上に分かれた各層の膜厚は５〜４０ｎｍが好ましく、７〜４０ｎｍがより好ましく、１０〜４０ｎｍがさらに好ましい。
また、上記した二層構造からなる遮光層６の構成例において、上層と下層との間に中間層が存在する場合、該中間膜の膜厚は５〜４０ｎｍが好ましく、７〜４０ｎｍがより好ましく、１０〜４０ｎｍがさらに好ましい。
上記した多層構造からなる遮光膜６の構成例の場合、第１の層および第２の層の膜厚は、平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満となる膜厚となるように、それぞれ任意に選択できる。しかしながら、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光で低反射特性を得るためには、多層構造の合計膜厚は、１０〜１００ｎｍの範囲が好ましい。多層構造の合計膜厚が１０ｎｍ未満であると、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下にできない。一方、１００ｎｍ以上であるとマスク作製時のパターン精度が悪化する、成膜時間が長くなることによる成膜コストが上がるなどの点で好ましくない。
また、マスク作製時のパターン精度の悪化や、成膜コストの増加の防止という観点から、吸収層４と遮光膜６の合計膜厚は１６０ｎｍ以下が好ましく、１５５ｎｍがより好ましい。
遮光層６表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する反射率は、２７％以下であることが好ましく、２５％以下であることがさらに好ましい。
遮光層６表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ光に対する反射率は、２７％以下であることが好ましく、２５％以下であることがさらに好ましい。
上記した構成の遮光層６は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成できる。以下に、遮光層６として、ＣｒＯ膜、ＣｒＯＮ膜およびＣｒＮ膜をマグネトロンスパッタリング法により形成する場合の方法を示す。
ＣｒＯ膜の場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度５０〜７０ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）
投入電力：３００〜２０００Ｗ
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＯＮ膜の場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度２０〜６５ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）
投入電力：３００〜２０００Ｗ
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＮ膜の場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５０〜７０ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）
投入電力：３００〜２０００Ｗ
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＯ膜の場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度５０〜７０ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）
投入電力：３００〜２０００Ｗ
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＯＮ膜の場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度２０〜６５ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）
投入電力：３００〜２０００Ｗ
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ
ＣｒＮ膜の場合
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５０〜７０ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）
投入電力：３００〜２０００Ｗ
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ
本発明のＥＵＶマスクは、基板上に反射層、吸収層、遮光層以外の構成を有していてもよい。図２は、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）の１実施形態を示す概略断面図である。図２に示すＥＵＶマスク１０´は、マスクパターン領域２１において、吸収層４上にマスクパターンの検査時におけるコントラストを良好とするための低反射層（以下、「低反射層」という。）５を有しており、マスクパターン領域の外側の領域２２において、吸収層４と遮光層６との間に低反射層５を有している。要するに、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）は、本発明のＥＵＶマスク（Ａ）の吸収層上に低反射層を有する。上述したように、マスクパターン領域の外側の領域２２の吸収層４は、マスクパターンを形成する前のＥＵＶマスクブランクの段階において、マスクパターン領域２１の吸収層４と同一の層をなすため、吸収層上に低反射層を有している場合、マスクパターン領域の外側の領域２２では、吸収層４と遮光層６との間に低反射層５を有していることになる。
なお、ＥＵＶマスク（Ｂ）であっても、基板２や反射層３、保護層、および、吸収層４の記載は上述した記載をそのまま適用できる。
なお、ＥＵＶマスク（Ｂ）であっても、基板２や反射層３、保護層、および、吸収層４の記載は上述した記載をそのまま適用できる。
ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層にマスクパターンを形成した後、このマスクパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の波長域における反射光のコントラストによって検査される。ＥＵＶマスクの吸収層は、ＥＵＶ反射光の反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長域について見た場合、反射光の反射率が必ずしも十分低いとは言えず、マスクパターンの検査時にはコントラストが十分得られない可能性がある。コントラストが十分得られないと、マスクパターンの検査時に欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
吸収層上にマスクパターンの検査時におけるコントラストを良好とするための低反射層を形成すると、マスクパターンの検査光を低反射層表面に照射した際に生じる反射光の反射率が極めて低くなるので、マスクパターンの検査時のコントラストが良好となる。具体的には、２５７ｎｍ程度の光を使用した場合、マスクパターンの検査光を低反射層５表面に照射した際に生じる反射光の反射率が１５％以下であることが好ましい。
低反射層５は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層４よりも低い材料で構成されることが好ましい。
低反射層５にはタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。低反射層５に用いるＴａとＯを主成分とする材料は、ＴａとＯ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、水素（Ｈ）のうち少なくとも１成分を含有する。
Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＮＯ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ等が挙げられる。
低反射層５にはタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。低反射層５に用いるＴａとＯを主成分とする材料は、ＴａとＯ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、水素（Ｈ）のうち少なくとも１成分を含有する。
Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＮＯ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ等が挙げられる。
マスクパターンの検査光として使用する２５７ｎｍ程度の光は、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域（１９０〜５００ｎｍ）の範囲内であるが、上述したＴａとＯを主成分する低反射層５では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域（１９０〜５００ｎｍ）の全域にわたって、低反射特性を発現できない。この点については、図８からも明らかである。
図８は、ＴａＯＮ膜表面にＤＵＶ−Ｖｉｓ光を照射した際のＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率（ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率（％））と、波長（ｎｍ）と、の関係を示したグラフである。ＴａＯＮ膜は膜厚７ｎｍである。また、分光光度計（ＵＶ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製））を用いて、ＴａＯＮ膜表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率を入射角度５度で測定した。
図８は、ＴａＯＮ膜表面にＤＵＶ−Ｖｉｓ光を照射した際のＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率（ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率（％））と、波長（ｎｍ）と、の関係を示したグラフである。ＴａＯＮ膜は膜厚７ｎｍである。また、分光光度計（ＵＶ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製））を用いて、ＴａＯＮ膜表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光の反射率を入射角度５度で測定した。
本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）では、マスクパターン領域２１において、吸収層４および低反射層５の合計膜厚が、上述した本発明のＥＵＶマスク（Ａ）の吸収層４の厚さの範囲を満たすことが好ましい。但し、低反射層５の膜厚が吸収層４の膜厚よりも厚いと、吸収層４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層５の膜厚は吸収層の膜厚よりも薄いことが好ましい。このため、低反射層５の厚さは２〜１０ｎｍが好ましい。
低反射層５は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法により形成できる。
例えば、低反射層５として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＯＮ膜を形成する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタリングガスとして、ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度２０〜６５ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）、投入電力３００〜２０００Ｗ、成膜速度０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎで成膜することが好ましい。
例えば、低反射層５として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＯＮ膜を形成する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタリングガスとして、ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒガス濃度３０〜５０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度２０〜６５ｖｏｌ％、ガス圧０．５×１０-1Ｐａ〜１．０Ｐａ）、投入電力３００〜２０００Ｗ、成膜速度０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎで成膜することが好ましい。
本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）は、マスクパターンの検査光を低反射層５表面に照射した際に生じる反射光の反射率が１５％以下であること以外は、上述した本発明のＥＵＶマスク（Ａ）に対する要求特性を満たすことが求められる。
例えば、マスクパターン領域２１においては、吸収層４と低反射層５の合計膜厚は、３０〜９０ｎｍの範囲が好ましく、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高める場合は、低反射層５からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との位相差が１７５〜１８５度となるように吸収層４と低反射層５の合計膜厚を選択する。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）では、吸収層４、低反射層５および遮光膜６の合計膜厚が、上述した本発明のＥＵＶマスク（Ａ）の吸収層４および遮光膜５の合計膜厚の範囲を満たすことが好ましい。
また、マスクパターン領域の外側の領域２２においては、遮光層６表面からのＥＵＶ反射光の波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満かつ、波長１９０〜５００ｎｍに対するＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下である。但し、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）は、吸収層４、低反射層５および遮光層６を合わせた層構造全体で、上述した反射率を達成できればよい。
例えば、マスクパターン領域２１においては、吸収層４と低反射層５の合計膜厚は、３０〜９０ｎｍの範囲が好ましく、位相シフトの原理を利用してＥＵＶ反射光のコントラストを十分高める場合は、低反射層５からのＥＵＶ反射光と反射層３からのＥＵＶ反射光との位相差が１７５〜１８５度となるように吸収層４と低反射層５の合計膜厚を選択する。
また、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）では、吸収層４、低反射層５および遮光膜６の合計膜厚が、上述した本発明のＥＵＶマスク（Ａ）の吸収層４および遮光膜５の合計膜厚の範囲を満たすことが好ましい。
また、マスクパターン領域の外側の領域２２においては、遮光層６表面からのＥＵＶ反射光の波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満かつ、波長１９０〜５００ｎｍに対するＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下である。但し、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）は、吸収層４、低反射層５および遮光層６を合わせた層構造全体で、上述した反射率を達成できればよい。
また、本発明のＥＵＶマスクは、上記した構成、すなわち、反射層、保護層、吸収層、遮光層および低反射層以外に、ＥＵＶマスクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載されているもののように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される導電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、ＥＵＶマスクの基板において、反射層が形成されている側とは反対側の面を指す。
このような目的で基板の裏面に施す導電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の導電率のコーティング、具体的には、Ｓｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＴａＳｉからなるコーティングを適用できる。導電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。
導電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
このような目的で基板の裏面に施す導電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の導電率のコーティング、具体的には、Ｓｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＴａＳｉからなるコーティングを適用できる。導電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。
導電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
次に、本発明のＥＵＶマスクブランクについて説明する。
図３は、本発明ＥＵＶマスクブランク（Ａ）の１実施形態を示す概略断面図である。図３に示すＥＵＶマスクブランク１は、基板２上に、反射層３、吸収層４および遮光層６をこの順に有している。
ＥＵＶマスクブランク１の各構成要素の構成材料、厚さ、要求される特性、形成方法等については、ＥＵＶマスクにおける該当個所に関する記載を参考にできる。
図３は、本発明ＥＵＶマスクブランク（Ａ）の１実施形態を示す概略断面図である。図３に示すＥＵＶマスクブランク１は、基板２上に、反射層３、吸収層４および遮光層６をこの順に有している。
ＥＵＶマスクブランク１の各構成要素の構成材料、厚さ、要求される特性、形成方法等については、ＥＵＶマスクにおける該当個所に関する記載を参考にできる。
図４は、本発明ＥＵＶマスクブランク（Ｂ）の１実施形態を示す概略断面図である。図４に示すＥＵＶマスクブランク１´において、吸収層４と遮光層６との間に低反射層５を有している点以外は、図３に示すＥＵＶマスクブランク１と同様である。
ＥＵＶマスクブランク１´の各構成要素の構成材料、厚さ、要求される特性、形成方法等については、ＥＵＶマスクにおける該当個所に関する記載を参考にできる。
ＥＵＶマスクブランク１´の各構成要素の構成材料、厚さ、要求される特性、形成方法等については、ＥＵＶマスクにおける該当個所に関する記載を参考にできる。
次に、本発明のＥＵＶマスクの製造方法について説明する。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法（１）は、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ）を用いてＥＵＶマスク（Ａ）を製造する方法である。図３に示すＥＵＶマスクブランク１を例に本発明のＥＵＶマスクの製造方法（１）を説明する。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法（１）は、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ）を用いてＥＵＶマスク（Ａ）を製造する方法である。図３に示すＥＵＶマスクブランク１を例に本発明のＥＵＶマスクの製造方法（１）を説明する。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法（１）では、まず始めにＥＵＶマスクブランク１の遮光層６のうち、製造されるＥＵＶＬマスクにおいてマスクパターン領域２１となる部位に存在する遮光層６を除去して吸収層４を露出させる。図５はこの手順を実施した後のマスクブランク１を示している。遮光層６の除去は、フォトリソグラフィプロセスによりマスクパターンを形成する際に通常使用される手順で実施できる。具体的には例えば、以下の手順で実施することができる。
・遮光層６上にレジスト膜を形成する。
・電子線または紫外線を用いて該レジスト膜をパターン露光する。
・パターン露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
・エッチングプロセスを実施して、レジスト膜で覆われていない部分の遮光層６を除去する。
遮光層６の除去に用いるエッチングプロセスとしては、ドライエッチングプロセスまたはウエットエッチングプロセスを使用できる。
次に、フォトリソグラフィプロセスを実施して、上記手順で露出させた吸収層４にマスクパターンを形成する。これにより図１に示すＥＵＶマスク１０が製造される。
なお、フォトリソグラフィプロセスを実施して、吸収層４にマスクパターンを形成する手順は、ＥＵＶマスクまたは屈折光学系のフォトマスクにおいて、マスクパターンを形成する際に用いられる通常の手順であってよい。
・遮光層６上にレジスト膜を形成する。
・電子線または紫外線を用いて該レジスト膜をパターン露光する。
・パターン露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
・エッチングプロセスを実施して、レジスト膜で覆われていない部分の遮光層６を除去する。
遮光層６の除去に用いるエッチングプロセスとしては、ドライエッチングプロセスまたはウエットエッチングプロセスを使用できる。
次に、フォトリソグラフィプロセスを実施して、上記手順で露出させた吸収層４にマスクパターンを形成する。これにより図１に示すＥＵＶマスク１０が製造される。
なお、フォトリソグラフィプロセスを実施して、吸収層４にマスクパターンを形成する手順は、ＥＵＶマスクまたは屈折光学系のフォトマスクにおいて、マスクパターンを形成する際に用いられる通常の手順であってよい。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法（２）は、本発明のＥＵＶマスク（Ｂ）を用いてＥＵＶマスク（Ｂ）を製造する方法である。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法（２）は、製造されるＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域２１となる部位に存在する遮光層６を除去して露出させるのが低反射層５であること、および、フォトリソグラフィプロセスにより低反射層５と該低反射層５の下に位置する吸収層４にマスクパターンを形成すること以外は、本発明のＥＵＶマスクの製造方法（１）と同様である。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法（２）は、製造されるＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域２１となる部位に存在する遮光層６を除去して露出させるのが低反射層５であること、および、フォトリソグラフィプロセスにより低反射層５と該低反射層５の下に位置する吸収層４にマスクパターンを形成すること以外は、本発明のＥＵＶマスクの製造方法（１）と同様である。
本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ）を用いてＥＵＶマスク（Ａ）を製造する場合、以下の手順を実施してもよい。
図３に示すＥＵＶマスクブランク１を例にとると、該ＥＵＶマスクブランクを用いて製造されるＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６およびその下にある吸収層４にフォトリソグラフィプロセスによりマスクパターンを形成する。図６は、この手順を実施した後のＥＵＶマスクブランク１を示している。
次に、フォトリソグラフィプロセスにより、ＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６を除去して、吸収層４を露出させる。これにより図１に示すＥＵＶマスク１０が製造される。
本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ）を用いてＥＵＶマスク（Ｂ）を製造する場合も同様の手順を実施できる。図４に示すＥＵＶマスクブランク１´を例にとると、該ＥＵＶマスクブランクを用いて製造されるＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６ならびにその下にある低反射層５および吸収層４にフォトリソグラフィプロセスによりマスクパターンを形成する。次に、フォトリソグラフィプロセスにより、ＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６を除去して、低反射層５を露出させる。これにより図２に示すＥＵＶマスク１０´が製造される。
図３に示すＥＵＶマスクブランク１を例にとると、該ＥＵＶマスクブランクを用いて製造されるＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６およびその下にある吸収層４にフォトリソグラフィプロセスによりマスクパターンを形成する。図６は、この手順を実施した後のＥＵＶマスクブランク１を示している。
次に、フォトリソグラフィプロセスにより、ＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６を除去して、吸収層４を露出させる。これにより図１に示すＥＵＶマスク１０が製造される。
本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ）を用いてＥＵＶマスク（Ｂ）を製造する場合も同様の手順を実施できる。図４に示すＥＵＶマスクブランク１´を例にとると、該ＥＵＶマスクブランクを用いて製造されるＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６ならびにその下にある低反射層５および吸収層４にフォトリソグラフィプロセスによりマスクパターンを形成する。次に、フォトリソグラフィプロセスにより、ＥＵＶマスクにおいてマスクパターン領域となる部位に存在する遮光層６を除去して、低反射層５を露出させる。これにより図２に示すＥＵＶマスク１０´が製造される。
次に、本発明のＥＵＶマスクを用いた半導体集積回路の製造方法について説明する。本発明のＥＵＶマスクは、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウエハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に本発明のＥＵＶマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してＥＵＶマスクに照射し、ＥＵＶ光をＥＵＶマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明するが、これらに限定して解釈されるものではない。
実施例１
本実施例では、図３に示すＥＵＶマスクブランク１を作製することにより、「マスクパターン領域の外側の領域」において、所望の光学特性を満たすかを確認している。
成膜用の基板２として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形約６インチ（約１５２ｍｍ）角、厚さが約６．３ｍｍ）を使用する。このガラス基板の熱膨張率は０．０５×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下で平坦度が１００ｎｍ以下の平滑な表面にする。
本実施例では、図３に示すＥＵＶマスクブランク１を作製することにより、「マスクパターン領域の外側の領域」において、所望の光学特性を満たすかを確認している。
成膜用の基板２として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形約６インチ（約１５２ｍｍ）角、厚さが約６．３ｍｍ）を使用する。このガラス基板の熱膨張率は０．０５×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下で平坦度が１００ｎｍ以下の平滑な表面にする。
基板２の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の導電性コーティングを施す。
平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を用いて基板２（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板２の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ膜およびＭｏ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返し、合計膜厚２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層３）を形成する。
さらに、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層３）上に、イオンビームスパッタリング法を用いてＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を成膜し、保護層（図示しない）とする。
平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を用いて基板２（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板２の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ膜およびＭｏ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返し、合計膜厚２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層３）を形成する。
さらに、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層３）上に、イオンビームスパッタリング法を用いてＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を成膜し、保護層（図示しない）とする。
Ｓｉ膜、Ｍｏ膜およびＲｕ膜の成膜条件は以下のとおりである。
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：４．６２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４．５ｎｍ
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：３．８４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｒｕ膜の成膜条件
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：５００Ｖ
成膜速度：１．３８ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．５ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：４．６２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４．５ｎｍ
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：３．８４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｒｕ膜の成膜条件
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：５００Ｖ
成膜速度：１．３８ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．５ｎｍ
次に、保護層上に、Ｔａ、ＮおよびＨを含有する吸収層４（ＴａＮＨ膜）を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板２上に反射層３、保護層および吸収層４をこの順を有しているマスクブランクを得る。
吸収層４の成膜条件は以下のとおりである。吸収層４は、反射層３からの反射光との関係で位相シフトの原理を利用するために必要と想定される厚さとする。具体的には、５８ｎｍの厚さとすることで、後述の手法で測定した吸収層４表面からの平均ＥＵＶ反射率は２．２％であり、さらに反射層３からの反射光との位相差は１７７〜１８３度である。また、後述の手法で測定した吸収層４表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜５０％である。
吸収層４（ＴａＮＨ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：８９ｖｏｌ％、Ｎ2：８．３ｖｏｌ％、Ｈ2：２．７ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：６．０ｎｍ／ｍｉｎ
吸収層４の成膜条件は以下のとおりである。吸収層４は、反射層３からの反射光との関係で位相シフトの原理を利用するために必要と想定される厚さとする。具体的には、５８ｎｍの厚さとすることで、後述の手法で測定した吸収層４表面からの平均ＥＵＶ反射率は２．２％であり、さらに反射層３からの反射光との位相差は１７７〜１８３度である。また、後述の手法で測定した吸収層４表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜５０％である。
吸収層４（ＴａＮＨ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：８９ｖｏｌ％、Ｎ2：８．３ｖｏｌ％、Ｈ2：２．７ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：６．０ｎｍ／ｍｉｎ
次に、吸収層４上に、ＣｒおよびＯを含有する遮光層６（ＣｒＯ膜）を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板２上に反射層３、保護層、吸収層４および遮光層６をこの順を有しているマスクブランクを得る。遮光層６の成膜条件は以下のとおりである。
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッリングガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：４９．４ｖｏｌ％、Ｏ2：５０．６ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：３．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッリングガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：４９．４ｖｏｌ％、Ｏ2：５０．６ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：３．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、Ｘ線光電子分光装置（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（神戸製鋼社製）を用いて測定した。遮光層６の組成は、Ｃｒ：Ｏ＝２５：７５である。
遮光層６の組成を、Ｘ線光電子分光装置（ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＭＥＲ−ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（神戸製鋼社製）を用いて測定した。遮光層６の組成は、Ｃｒ：Ｏ＝２５：７５である。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定した。
ＥＵＶ反射光の反射率の測定方法は、以下のとおりである。シンクロトロン放射光を用いて、まず所望の波長に分光されたＥＵＶ光をフォトダイオードに直接入射した時のＥＵＶ光強度を計測し、引き続いてマスクブランク表面に対して法線から６度方向からＥＵＶ光を入射し、その反射光強度を計測する。このようにして計測された直接光強度に対する反射光強度比を計算することで所望の波長における反射率を求めることができる。
一方、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率は、分光光度計（ＵＶ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製））を用いて、入射角度５度で測定した。
上記の手法により測定した結果、遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．４％であった。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下であった。なお、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率は、入射角度を５度として測定したが、入射角度が６度であっても同様に、２０％以下のＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が得られる。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用できる。そして、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上に形成されたレジストの不要な感光を抑制できることが期待される。また、吸収層４表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜５０％と高く、遮光層６を設けないとマスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光が問題となると考えられる。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定した。
ＥＵＶ反射光の反射率の測定方法は、以下のとおりである。シンクロトロン放射光を用いて、まず所望の波長に分光されたＥＵＶ光をフォトダイオードに直接入射した時のＥＵＶ光強度を計測し、引き続いてマスクブランク表面に対して法線から６度方向からＥＵＶ光を入射し、その反射光強度を計測する。このようにして計測された直接光強度に対する反射光強度比を計算することで所望の波長における反射率を求めることができる。
一方、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率は、分光光度計（ＵＶ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製））を用いて、入射角度５度で測定した。
上記の手法により測定した結果、遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．４％であった。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下であった。なお、ＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率は、入射角度を５度として測定したが、入射角度が６度であっても同様に、２０％以下のＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が得られる。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用できる。そして、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上に形成されたレジストの不要な感光を抑制できることが期待される。また、吸収層４表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜５０％と高く、遮光層６を設けないとマスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光が問題となると考えられる。
実施例２
本実施例では、遮光層６をＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：４９．４ｖｏｌ％、Ｎ2：１３．８ｖｏｌ％、Ｏ2：３６．８ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：３．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本実施例では、遮光層６をＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：４９．４ｖｏｌ％、Ｎ2：１３．８ｖｏｌ％、Ｏ2：３６．８ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：３．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝２０：７０：１０である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝２０：７０：１０である。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．３％であった。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下であった。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．３％であった。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下であった。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
実施例３
本実施例では、遮光層６をＣｒとＯの含有比率が異なるＣｒＯ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：４０ｖｏｌ％、Ｎ2：６０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：２．７ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本実施例では、遮光層６をＣｒとＯの含有比率が異なるＣｒＯ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：４０ｖｏｌ％、Ｎ2：６０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：２．７ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ＝２０：８０である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ＝２０：８０である。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．４％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．４％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
実施例４
本実施例では、遮光層６をＣｒ，ＯおよびＮの含有比率が異なるＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例２と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：５０ｖｏｌ％、Ｎ2：１６ｖｏｌ％、Ｏ2：３４ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：３．２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本実施例では、遮光層６をＣｒ，ＯおよびＮの含有比率が異なるＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例２と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：５０ｖｏｌ％、Ｎ2：１６ｖｏｌ％、Ｏ2：３４ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：３．２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝２５：６０：１５である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝２５：６０：１５である。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．２％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．２％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
実施例５
本実施例では、遮光層６を、上層をＣｒＯ膜とし、下層をＣｒＮ膜とした２層構造とする以外は、実施例１と同様である。なお、遮光層６の上層のＣｒＯ膜の成膜条件は実施例１と同様であるが、膜厚は３０ｎｍとした。
遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：５８ｖｏｌ％、Ｎ2：４２ｖｏｌ％、Ｏ2：３４ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：４．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：３０ｎｍ
本実施例では、遮光層６を、上層をＣｒＯ膜とし、下層をＣｒＮ膜とした２層構造とする以外は、実施例１と同様である。なお、遮光層６の上層のＣｒＯ膜の成膜条件は実施例１と同様であるが、膜厚は３０ｎｍとした。
遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：５８ｖｏｌ％、Ｎ2：４２ｖｏｌ％、Ｏ2：３４ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：４．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：３０ｎｍ
遮光層６の下層（ＣｒＮ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｎ＝８１：１９である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｎ＝８１：１９である。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．１％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．１％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
実施例６
本実施例では、遮光層６を、上層をＣｒＯＮ膜とし、下層をＣｒＮ膜とした２層構造とする以外は、実施例５と同様である。なお、遮光層６の上層のＣｒＯＮ膜の成膜条件は、実施例２と同様であるが、膜厚は３０ｎｍとした。また、遮光層６の下層のＣｒＮ膜の成膜条件は実施例５の遮光層の下層のＣｒＮ膜と同様であり、膜厚は３０ｎｍとした。
本実施例では、遮光層６を、上層をＣｒＯＮ膜とし、下層をＣｒＮ膜とした２層構造とする以外は、実施例５と同様である。なお、遮光層６の上層のＣｒＯＮ膜の成膜条件は、実施例２と同様であるが、膜厚は３０ｎｍとした。また、遮光層６の下層のＣｒＮ膜の成膜条件は実施例５の遮光層の下層のＣｒＮ膜と同様であり、膜厚は３０ｎｍとした。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．１％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．１％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
実施例７
本実施例では、遮光層６が、第１の層をＣｒＯＮ膜とし、第２の層をＣｒＮ膜とし、第１の層と第２の層が交互に３層に積層された構造（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＮ膜／ＣｒＯＮ膜）の多層構造とする以外は、実施例６と同様である。なお、遮光層６のＣｒＯＮ膜の成膜条件は、実施例２と同様であるが、最上層のＣｒＯＮ膜の膜厚は３０ｎｍとし、最下層のＣｒＯＮ膜の膜厚は１５ｎｍとする。また、遮光層６のＣｒＮ膜の成膜条件は実施例５の遮光層の下層のＣｒＮ膜と同様であり、膜厚は４ｎｍとする。
本実施例では、遮光層６が、第１の層をＣｒＯＮ膜とし、第２の層をＣｒＮ膜とし、第１の層と第２の層が交互に３層に積層された構造（ＣｒＯＮ膜／ＣｒＮ膜／ＣｒＯＮ膜）の多層構造とする以外は、実施例６と同様である。なお、遮光層６のＣｒＯＮ膜の成膜条件は、実施例２と同様であるが、最上層のＣｒＯＮ膜の膜厚は３０ｎｍとし、最下層のＣｒＯＮ膜の膜厚は１５ｎｍとする。また、遮光層６のＣｒＮ膜の成膜条件は実施例５の遮光層の下層のＣｒＮ膜と同様であり、膜厚は４ｎｍとする。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．１％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は１５％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．１％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は１５％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、マスクパターン領域では、ＥＵＶ光に対して、反射層からの反射光と吸収層からの反射光の関係で位相シフトの原理を利用でき、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
実施例８
本実施例では、吸収層４を、位相シフトの原理を利用しない膜厚、具体的には吸収層４の膜厚を８３ｎｍとする以外は実施例１と同様である。
吸収層４表面からの平均ＥＵＶ反射率は０．４％である。また、吸収層４表面からのＤＵＶ-Ｖｉｓ波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜５０％である。
本実施例では、吸収層４を、位相シフトの原理を利用しない膜厚、具体的には吸収層４の膜厚を８３ｎｍとする以外は実施例１と同様である。
吸収層４表面からの平均ＥＵＶ反射率は０．４％である。また、吸収層４表面からのＤＵＶ-Ｖｉｓ波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜５０％である。
次に、吸収層４上に、実施例１と同様の遮光層６（ＣｒＯ膜）を形成することにより、基板２上に反射層３、保護層、吸収層４および遮光層６をこの順に有しているマスクブランクを得る。
遮光層６のＥＵＶ光およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．２％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、位相効果を利用しない吸収層４の膜厚に対しても、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）及びＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６表面からの平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均反射率は０．２％である。また、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は２０％以下である。
このような吸収層４と遮光層６とを組み合わせた、図１に例示されたようなＥＵＶマスクとすることにより、位相効果を利用しない吸収層４の膜厚に対しても、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率およびＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が低減されることにより、マスクパターン領域の外側からの反射光による基板上レジストの不要な感光を抑制できることが期待される。
比較例１
本比較例では、遮光層６をＣｒ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（Ｃｒ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（Ａｒ：１００ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：１０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本比較例では、遮光層６をＣｒ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（Ｃｒ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（Ａｒ：１００ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：１０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（Ｃｒ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ＝１００である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ＝１００である。
遮光層６のＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜４０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３５〜４０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
比較例２
本比較例では、遮光層６をＣｒＮ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｎ2：２０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：８．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本比較例では、遮光層６をＣｒＮ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｎ2：２０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：８．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＮ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｎ＝７０：３０である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｎ＝７０：３０である。
遮光層６のＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は４０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は４０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
比較例３
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率４０ａｔ％超であるＣｒＯ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｏ2：２０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：７．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率４０ａｔ％超であるＣｒＯ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｏ2：２０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：７．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ＝４５：５５である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ＝４５：５５である。
遮光層６のＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定する。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
比較例４
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率１５ａｔ％未満であるＣｒＯ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：２０ｖｏｌ％、Ｏ2：８０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：１．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率１５ａｔ％未満であるＣｒＯ膜とする以外は、実施例１と同様である。
遮光層６（ＣｒＯ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ａｒ：２０ｖｏｌ％、Ｏ2：８０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：１．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ＝１４：８６である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ＝１４：８６である。
遮光層６のＥＵＶ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．９％であり、０．５％未満とはならない。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＥＵＶ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．９％であり、０．５％未満とはならない。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＥＵＶ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
比較例５
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率４０ａｔ％超であるＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例２と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｎ2：１０ｖｏｌ％、Ｏ2：１０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：７．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率４０ａｔ％超であるＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例２と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｎ2：１０ｖｏｌ％、Ｏ2：１０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：７．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝４５：３０：２５である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝４５：３０：２５である。
遮光層６のＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光（１９０〜５００ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の波長域、具体的には１９０〜５００ｎｍのいずれの波長に対しても、反射率は３０％超である。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
比較例６
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率１５ａｔ％未満であるＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例２と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：２０ｖｏｌ％、Ｎ2：２０ｖｏｌ％、Ｏ2：６０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：１．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
本比較例では、遮光層６を、Ｃｒ含有率１５ａｔ％未満であるＣｒＯＮ膜とする以外は、実施例２と同様である。
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：２０ｖｏｌ％、Ｎ2：２０ｖｏｌ％、Ｏ2：６０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１５００Ｗ
成膜速度：１．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２５ｎｍ
遮光層６（ＣｒＯＮ膜）の膜組成
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝１４：４５：４１である。
遮光層６の組成を、実施例１と同様に測定した結果、Ｃｒ：Ｏ：Ｎ＝１４：４５：４１である。
遮光層６のＥＵＶ光の反射率評価
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．９％であり、０．５％未満とはならない。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＥＵＶ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
上記の手順で得られるマスクブランク１の表面に、実施例１と同様に、ＥＵＶ光（波長１３．３〜１３．７ｎｍ）を照射して、遮光層６の表面からの平均ＥＵＶ反射率を測定した。
遮光層６の表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍに対する平均ＥＵＶ反射率は０．９％であり、０．５％未満とはならない。すなわち、マスクパターン領域の外側の領域では、ＥＵＶ反射光の平均ＥＵＶ反射率が高いため、マスクパターン領域の外側からのＥＵＶ反射光による基板上レジストの不要な感光が生じてしまう。
１，１´：ＥＵＶマスクブランク
２：基板
３：反射層
４：吸収層
５：低反射層
６：遮光層
１０，１０´：ＥＵＶマスク
２１：マスクパターン領域
２２：マスクパターン領域の外側の領域
１００：ＥＵＶマスク
１２０：基板
１３０：反射層
１４０：吸収層
２００：実際の露光領域
２１０：マスクパターン領域
２２０：マスクパターン領域の外側の領域
２：基板
３：反射層
４：吸収層
５：低反射層
６：遮光層
１０，１０´：ＥＵＶマスク
２１：マスクパターン領域
２２：マスクパターン領域の外側の領域
１００：ＥＵＶマスク
１２０：基板
１３０：反射層
１４０：吸収層
２００：実際の露光領域
２１０：マスクパターン領域
２２０：マスクパターン領域の外側の領域
Claims (54)
- 基板上に、マスクパターン領域と、該マスクパターン領域の外側の領域と、を有し、
前記マスクパターン領域において、前記基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を有し、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を有する部位と、前記吸収層を有さない部位と、の配置がマスクパターンをなし、
前記マスクパターン領域の外側の領域において、前記基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層、および、ＥＵＶ光と波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、
前記マスクパターン領域の外側の領域の遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 基板上に、マスクパターン領域と、該マスクパターン領域の外側の領域と、を有し、前記マスクパターン領域において、前記基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を有し、該反射層上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層およびマスクパターンの検査時におけるコントラストを良好とするための低反射層をこの順に有する部位と、前記吸収層と低反射層を有さない部位と、の配置がマスクパターンをなし、
前記マスクパターン領域の外側の領域において、前記基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とパターン検査時にコントラストを良好とする低反射層、および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクであって、
前記マスクパターン領域の外側の領域の遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％である、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜である、請求項３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層は、前記表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％である、請求項４に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５である、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層は、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜である、請求項６に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層は、前記表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％である、請求項７に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、ＣｒとＮを含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％である、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８である、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 前記遮光層において、前記上層および前記下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれている、請求項９〜１２のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層において、前記上層と前記下層との間に中間層が存在している、請求項９〜１３のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層が、前記吸収層側から第１の層と第２の層とが、交互に積層された３層以上の多層構造を含み、
前記第１の層および前記第２の層が、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜からなる群から選択される、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 前記多層構造は、前記第１の層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記第２の層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である、請求項１５に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。 - 前記多層構造は、前記第１の層と前記第２の層で構成される層の数が３〜２０の範囲である、請求項１５または１６に記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記多層構造において、前記第１の層と前記第２の層との間に中間層が存在している、請求項１５〜１７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光層の膜厚が１０〜１００ｎｍである、請求項１〜８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記遮光膜において、前記上層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記下層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記上層および前記下層の合計膜厚が１０〜１００ｎｍである、請求項９〜１４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記多層構造の合計膜厚が１０〜１００ｎｍである、請求項１５〜１８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とする、請求項１〜２１のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記吸収層の膜厚が２０〜９０ｎｍである、請求項１〜２２のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）および酸素（Ｏ）を主成分とする、請求項２〜２３のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記低反射層の膜厚が２〜１０ｎｍであり、前記低反射層と吸収層の合計膜厚が３０〜９０ｎｍである、請求項２〜２４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記吸収層は、該吸収層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層である、請求項１〜２５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 前記低反射層は、該低反射層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層である、請求項２〜２５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクであって、
前記遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とパターン検査時にコントラストを良好とする低反射層、および、ＥＵＶ光とＤＵＶ−Ｖｉｓ光の反射光を抑制する遮光層をこの順に有するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクであって、
前記遮光層表面からの、波長１３．３〜１３．７ｎｍの平均ＥＵＶ反射率が０．５％未満、かつ波長１９０〜５００ｎｍのＤＵＶ−Ｖｉｓ反射率が３０％以下であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）と酸素（Ｏ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％である、請求項２８または２９に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層が、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜である、請求項３０に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層が、前記表面側におけるＯの含有率が７０ａｔ％〜８５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が６０ａｔ％〜７０ａｔ％である、請求項３１に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、前記遮光層において、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５である、請求項２８または２９に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層が、表面側におけるＯの含有率が高く、基板側におけるＯの含有率が低くなるように、前記遮光層におけるＯの含有率が該遮光層の厚さ方向に沿って変化する傾斜組成膜である、請求項３３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層が、前記表面側におけるＯの含有率が３５ａｔ％〜７５ａｔ％であり、前記基板側におけるＯの含有率が２５ａｔ％〜３５ａｔ％である、請求項３４に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である請求項２８または２９に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、ＣｒとＮを含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である、請求項２８または２９に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、Ｏの含有率が２０〜５０ａｔ％である、２８または２９に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記遮光層が、表面側の層（上層）と基板側の層（下層）の２層構造からなり、
前記遮光層の上層が、クロム（Ｃｒ）と、酸素（Ｏ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、Ｏの含有率が６０〜８５ａｔ％であり、
前記遮光層の下層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が５０〜８０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が２０〜５０ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が３：７〜２：８である、２８または２９に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記遮光層において、前記上層および前記下層のうち、少なくとも一方がさらに二層以上に分かれている、請求項３６〜３９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層において、前記上層と前記下層との間に中間層が存在している、請求項３６〜４０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層が、前記吸収層側から第１の層と第２の層とが、交互に積層された３層以上の多層構造を含み、
前記第１の層および前記第２の層が、互いに異なる膜組成であることを条件に、クロム（Ｃｒ）および酸素（Ｏ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有する膜、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有する膜からなる群から選択される、請求項２８または２９に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記多層構造は、前記第１の層が、クロム（Ｃｒ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が１５〜４０ａｔ％であり、ＯおよびＮの合計含有率が６０〜８５ａｔ％であり、ＯとＮの組成比が９：１〜５：５であり、
前記第２の層が、Ｃｒと窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有量が４０〜９７ａｔ％であり、Ｎの含有量が３〜６０ａｔ％である、請求項４２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記多層構造は、前記第１の層と前記第２の層で構成される層の数が３〜２０の範囲である、請求項４２または４３記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記多層構造において、前記第１の層と前記第２の層との間に中間層が存在している、請求項４２〜４４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光層の膜厚が１０〜１００ｎｍである、請求項２８〜３５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記遮光膜において、前記上層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記下層の膜厚が５〜８０ｎｍであり、前記上層および前記下層の合計膜厚が１０〜１００ｎｍである、請求項３６〜４１のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記多層構造の合計膜厚が１０〜１００ｎｍである、請求項４２〜４５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記吸収層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とする、請求項２８〜４８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記吸収層の膜厚が２０〜９０ｎｍである、請求項２８〜４９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）および酸素（Ｏ）を主成分とする、請求項２９〜５０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記低反射層の膜厚が２〜１０ｎｍであり、前記低反射層と吸収層の合計膜厚が３０〜９０ｎｍである、請求項２９〜５１のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記吸収層は、該吸収層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層である、請求項２８〜５２のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記低反射層は、該低反射層表面からのＥＵＶ反射光の位相が、前記反射層からのＥＵＶ反射光の位相とは１７５〜１８５度異なる層である、請求項２９〜５３のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2018013616A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 |
| JPWO2018074512A1 (ja) * | 2016-10-21 | 2019-08-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| KR20190136960A (ko) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| JP7417578B2 (ja) | 2021-12-23 | 2024-01-18 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスおよびその製造方法 |
| WO2024048387A1 (ja) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5971122B2 (ja) | 2011-02-01 | 2016-08-17 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP5881633B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-03-09 | 株式会社東芝 | Ｅｕｖ露光用の光反射型フォトマスク及びマスクブランク、並びに半導体装置の製造方法 |
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| WO2015033539A1 (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスク及びその製造方法 |
| US9958579B2 (en) * | 2013-09-06 | 2018-05-01 | Corning Incorporated | UV protective coating for lens assemblies having protective layer between light absorber and adhesive |
| KR20150056112A (ko) * | 2013-11-14 | 2015-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US9195132B2 (en) * | 2014-01-30 | 2015-11-24 | Globalfoundries Inc. | Mask structures and methods of manufacturing |
| DE102014216121A1 (de) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Maske für die EUV-Lithographie, EUV-Lithographieanlage und Verfahren zum Bestimmen eines durch DUV-Strahlung hervorgerufenen Kontrastanteils |
| KR102325314B1 (ko) | 2014-12-01 | 2021-11-11 | 삼성전자주식회사 | 반사형 극자외선 마스크 및 그의 제조 방법 |
| US10578785B2 (en) * | 2015-08-18 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Blocking coating with adhesion layer for ultraviolet optics |
| US10459134B2 (en) * | 2015-08-18 | 2019-10-29 | Corning Incorporated | UV-blocking coating with capping layer in optical assembly having UV light source |
| WO2021085382A1 (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
| US11829062B2 (en) * | 2020-05-22 | 2023-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
| KR102525928B1 (ko) | 2020-09-02 | 2023-04-28 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347777A (ja) * | 2002-04-11 | 2005-12-15 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
| JP2009212220A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 反射型マスク及びその作製方法 |
| JP2013074058A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクブランク、その製造方法および反射型マスク |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3806702B2 (ja) | 2002-04-11 | 2006-08-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
| KR100815671B1 (ko) | 2002-04-11 | 2008-03-20 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 |
| US7118832B2 (en) * | 2003-01-08 | 2006-10-10 | Intel Corporation | Reflective mask with high inspection contrast |
| KR20070054651A (ko) | 2004-09-17 | 2007-05-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법 |
| JP2006228766A (ja) | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、及び露光方法 |
| TWI444757B (zh) | 2006-04-21 | 2014-07-11 | Asahi Glass Co Ltd | 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影術之反射性空白光罩 |
| TWI417647B (zh) | 2006-06-08 | 2013-12-01 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板 |
| JP2008101246A (ja) | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する際に使用されるスパッタリングターゲット |
| WO2008084680A1 (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Asahi Glass Company, Limited | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| WO2008093534A1 (ja) | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Asahi Glass Company, Limited | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP5040996B2 (ja) | 2007-04-17 | 2012-10-03 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
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| KR101571183B1 (ko) | 2008-03-18 | 2015-11-23 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| KR20110031906A (ko) | 2008-06-19 | 2011-03-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| JP2010007955A (ja) | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Orion Mach Co Ltd | 温度調整装置 |
| KR20110050427A (ko) | 2008-07-14 | 2011-05-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 |
| KR101669690B1 (ko) | 2008-10-30 | 2016-10-27 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| JP5348140B2 (ja) | 2008-10-30 | 2013-11-20 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| KR20120034074A (ko) | 2009-07-08 | 2012-04-09 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| JP2011108942A (ja) | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Renesas Electronics Corp | 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、および、半導体装置の製造方法 |
| WO2011108470A1 (ja) | 2010-03-02 | 2011-09-09 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347777A (ja) * | 2002-04-11 | 2005-12-15 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
| JP2009212220A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 反射型マスク及びその作製方法 |
| JP2013074058A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクブランク、その製造方法および反射型マスク |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018013616A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 |
| JPWO2018074512A1 (ja) * | 2016-10-21 | 2019-08-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US11187972B2 (en) | 2016-10-21 | 2021-11-30 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, method of manufacturing reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2022009220A (ja) * | 2016-10-21 | 2022-01-14 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| KR20190136960A (ko) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| JP2019211500A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| KR102371950B1 (ko) | 2018-05-31 | 2022-03-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| JP7417578B2 (ja) | 2021-12-23 | 2024-01-18 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスおよびその製造方法 |
| WO2024048387A1 (ja) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
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