JP2014052832A - ビア接続の多層配線の信頼性を評価する信頼性評価シミュレーションプログラム、ビア接続の多層配線の許容電流密度向上方法およびビア接続の多層配線 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電流密度分布および温度分布を2次元FE分析により計算する。上記解析結果と薄膜特性とから各要素における支配パラメータ(AFD* gen|end、AFD* gen)を計算する。θに関する原子濃度N*を支配パラメータの値に基づき計算する。各要素における原子濃度Nはすべてのθの値についてのN*の平均により計算する。定常状態に達するまで繰返し計算のための設定を行った後、支配パラメータの計算を繰返す。リザーバ構造を有するビア接続の多層配線構造において、陰極端のビア側にのみリザーバを設け、当該多層配線内部の最小原子濃度を増加させることにより、多層配線の許容電流密度を増加させることができる。
【選択図】図2
Description
Claims (3)
- リザーバ構造を有するビア接続の多層配線について、エレクトロマイグレーション損傷過程におけるビア接続の多層配線の信頼性を評価する信頼性評価シミュレーションプログラムであって、コンピュータに、
前記多層配線を二次元的に要素分割する要素分割ステップ、
前記要素分割ステップで分割された各要素の初期原子濃度をN0とする初期設定ステップ、
2次元有限要素法により前記多層配線内の電流密度分布及び温度分布を計算する2次元有限要素法ステップ、
前記2次元有限要素法ステップにより計算された前記多層配線内の電流密度分布及び温度分布と記録部に記録された該多層配線材料の物性定数とに基づき、単位時間に単位体積当たりエレクトロマイグレーションにより何個原子が消失するかを示す以下の支配パラメータ(陰極および陽極端の要素とビアとではAFD* gen|end、他の要素ではAFD* gen)、
を計算する支配パラメータ計算ステップ、
前記支配パラメータ計算ステップで計算された支配パラメータの値に基づき、θに関する原子濃度N*、ここで、N*:式2で表されるAFD* gbθに含まれるθを0から2πのそれぞれの値としてAFD* gbθ値を計算し、その値から求めるθの値毎の原子濃度、を計算する原子濃度N*計算ステップ、
前記原子濃度N*計算ステップで計算されたθの値毎に持っている原子濃度N*を要素内の全てについて平均した原子濃度Nを計算する原子濃度N計算ステップ、
原子濃度が変化しなくなる定常状態に達したか否かを判断する判断ステップ、
前記判断ステップで定常状態に達していないと判断された場合、繰返し計算のための設定を行って、前記支配パラメータ計算ステップへ戻って計算を繰返す繰返ステップを実行させるためのビア接続の多層配線の信頼性を評価する信頼性評価シミュレーションプログラム。 - リザーバ構造を有するビア接続の多層配線について、陰極端のビア側にのみリザーバを設け、該多層配線内部の最小原子濃度を増加させることにより、多層配線の許容電流密度を増加させることを特徴とするビア接続の多層配線の許容電流密度向上方法。
- リザーバ構造を有するビア接続の多層配線構造において、陰極端のビア側にのみリザーバを設け、該多層配線内部の最小原子濃度を増加させることにより、多層配線の許容電流密度を増加させることを特徴とするビア接続の多層配線構造。
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