JP2014049738A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014049738A JP2014049738A JP2012202105A JP2012202105A JP2014049738A JP 2014049738 A JP2014049738 A JP 2014049738A JP 2012202105 A JP2012202105 A JP 2012202105A JP 2012202105 A JP2012202105 A JP 2012202105A JP 2014049738 A JP2014049738 A JP 2014049738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- pattern image
- island pattern
- pattern
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/203—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法は、第1の方向に延び、第1の方向に対して直交した第2の方向に配列された複数のラインパターン上に形成されたレジスト膜に、第1の方向及び第2の方向に対して傾いた第3の方向に延びる外形線または長軸をそれぞれが有する形状の千鳥配置された複数の第1の島状パターン像を露光転写し、第1の方向及び第2の方向に対して傾いた第4の方向に延びる外形線または長軸をそれぞれが有する形状の千鳥配置された複数の第2の島状パターン像を、第1の島状パターン像と一部を重ねて、第1の島状パターン像と第2の島状パターン像とが第1の方向に連なるように露光転写する工程を備えている。
【選択図】図2
Description
図1(a)〜図3は、第1実施形態のパターン形成方法を示す模式平面図である。
図1(a)〜図3は、図19(a)、(b)における、選択ゲートSG間の領域を表す。
図4(a)〜図5は、第2実施形態のパターン形成方法を示す模式平面図である。
図4(a)〜図5も、第1実施形態と同様、図19(a)、(b)における、選択ゲートSG間の領域を表す。
図6(a)〜図7は、第3実施形態のパターン形成方法を示す模式平面図である。
図6(a)〜図7も、第1実施形態と同様、図19(a)、(b)における、選択ゲートSG間の領域を表す。
図8(a)〜図9は、第4実施形態のパターン形成方法を示す模式平面図である。
図8(a)〜図9も、第1実施形態と同様、図19(a)、(b)における、選択ゲートSG間の領域を表す。
図10〜14は、第5実施形態のパターン形成方法を示す模式平面図である。
図15〜17は、第6実施形態のパターン形成方法を示す模式平面図である。
Claims (5)
- 第1の方向に延び、前記第1の方向に対して直交した第2の方向に配列された複数のラインパターン上に形成されたレジスト膜に、前記第1の方向及び前記第2の方向に対して傾いた第3の方向に延びる外形線または長軸をそれぞれが有する形状の千鳥配置された複数の第1の島状パターン像を露光転写し、前記第1の方向及び前記第2の方向に対して傾いた第4の方向に延びる外形線または長軸をそれぞれが有する形状の千鳥配置された複数の第2の島状パターン像を、前記第1の島状パターン像と一部を重ねて、前記第1の島状パターン像と前記第2の島状パターン像とが前記第1の方向に連なるように露光転写する工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記第1の島状パターン像と前記第2の島状パターン像とが重なった領域にそれぞれ形成されて前記ラインパターン上に位置し、前記第2の方向のピッチが前記複数のラインパターンの前記第2の方向のピッチよりも大きい複数のホールを形成する工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 前記第1の島状パターン像の前記第3の方向の端部と、前記第2の島状パターン像の前記第4の方向の端部とが重ねられる請求項1記載のパターン形成方法。
- 第1の方向に延び、前記第1の方向に対して直交した第2の方向に配列された複数のラインパターン上に形成されたレジスト膜に、千鳥配置された複数の第1の島状パターン像を露光転写し、前記第2の方向に配列された複数の第2の島状パターン像を、各第2の島状パターン像を前記第2の方向で隣り合う一対の前記第1の島状パターン像のそれぞれと一部を重ねて、前記第1の島状パターン像と前記第2の島状パターン像とが前記第1の方向及び前記第2の方向に連なるように露光転写する工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記第1の島状パターン像と前記第2の島状パターン像とが重なった領域にそれぞれ形成されて前記ラインパターン上に位置し、前記第2の方向のピッチが前記複数のラインパターンの前記第2の方向のピッチよりも大きい複数のホールを形成する工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 1つの前記第2の島状パターン像に対して、前記第2の島状パターン像の周辺の4つの異なる前記第1の島状パターン像のそれぞれの一部が重ねられる請求項3記載のパターン形成方法。
- 前記第2の島状パターン像は、前記第1の方向及び前記第2の方向に対して傾いた方向に延びる外形線を有する請求項3記載のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261694473P | 2012-08-29 | 2012-08-29 | |
US61/694,473 | 2012-08-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014049738A true JP2014049738A (ja) | 2014-03-17 |
JP5881567B2 JP5881567B2 (ja) | 2016-03-09 |
Family
ID=50188056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012202105A Expired - Fee Related JP5881567B2 (ja) | 2012-08-29 | 2012-09-13 | パターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8765362B2 (ja) |
JP (1) | JP5881567B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016035967A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107863377B (zh) | 2016-09-22 | 2019-10-25 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
CN106597758B (zh) * | 2017-01-03 | 2019-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于处理光阻部件的方法和装置 |
CN109037038A (zh) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | 联华电子股份有限公司 | 半导体装置的形成方法 |
CN109581817B (zh) * | 2017-09-29 | 2021-07-06 | 联华电子股份有限公司 | 半导体装置的形成方法 |
CN109935515B (zh) * | 2017-12-18 | 2021-07-13 | 联华电子股份有限公司 | 形成图形的方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116625A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Exposure of fine pattern |
JPH01128522A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
JPH05326358A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Sony Corp | 微細パターン形成方法 |
JP2000150340A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Nec Corp | 格子パターンの露光方法 |
JP2007048925A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US20110171585A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Photolithography Method |
JP2011258822A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006294942A (ja) | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4625779B2 (ja) | 2006-03-15 | 2011-02-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、レチクル補正方法及びレチクルパターンデータ補正方法 |
US7732235B2 (en) | 2008-06-30 | 2010-06-08 | Sandisk 3D Llc | Method for fabricating high density pillar structures by double patterning using positive photoresist |
JP2010186833A (ja) | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
-
2012
- 2012-09-13 JP JP2012202105A patent/JP5881567B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-19 US US13/720,162 patent/US8765362B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116625A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Exposure of fine pattern |
JPH01128522A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
JPH05326358A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Sony Corp | 微細パターン形成方法 |
JP2000150340A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Nec Corp | 格子パターンの露光方法 |
JP2007048925A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US20110171585A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Photolithography Method |
JP2011258822A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016035967A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5881567B2 (ja) | 2016-03-09 |
US20140065556A1 (en) | 2014-03-06 |
US8765362B2 (en) | 2014-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5881567B2 (ja) | パターン形成方法 | |
US8173544B2 (en) | Integrated circuit having interleaved gridded features, mask set and method for printing | |
US9748107B2 (en) | Method for removing semiconductor fins using alternating masks | |
US9117762B2 (en) | Methods of fabricating fine patterns and photomask sets used therein | |
JP2009064951A (ja) | アライメントマーク、アライメントマーク形成方法及びパターン形成方法 | |
US9024457B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
CN110892331A (zh) | 对准光刻掩膜板的方法和在半导体材料的晶圆中制造集成电路的相应工艺 | |
US8383300B2 (en) | Exposure mask with double patterning technology and method for fabricating semiconductor device using the same | |
JP2011258822A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10969687B2 (en) | Method for forming patterns | |
US20110223541A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
JP2001203139A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20080034568A (ko) | 반도체 소자의 형성 방법 | |
KR101616744B1 (ko) | 포토 마스크, 기판의 노광 방법, 패턴의 형성방법 및 반도체 소자의 제조방법 | |
JP4891962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20070105053A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US7811722B2 (en) | Photomask and method for fabricating the same | |
JP2006135334A (ja) | 非対称パターンを形成するためのフォト工程の実行方法及びそれを用いた半導体装置の形成方法 | |
KR20100134415A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20160038189A (ko) | 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광 방법 및 이에 의해 제조되는 표시 기판 | |
CN110233146B (zh) | 元件基板及其制造方法 | |
CN110597011B (zh) | 掩模辅助图案设置方法及掩模版 | |
KR20110001289A (ko) | 리소그래피용 마스크 | |
JP2011171339A (ja) | 半導体装置の製造方法及びフォトマスク | |
JP2017021263A (ja) | レチクル、及び、半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150703 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160202 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5881567 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |