JP2014048182A - 膜厚測定装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】膜厚の測定精度を向上できると共に膜厚の測定時間を短縮できる膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】測定ヘッド(23)は、製品基板(10)の膜に1次X線を照射してこの膜から発生する蛍光X線を検出する。解析手段(33)は、測定ヘッド(23)により検出された蛍光X線の強度から膜の厚みを求める。
【選択図】図1

Description

この発明は、基板上の膜厚を測定する膜厚測定装置に関する。
従来、膜厚測定装置としては、特開平11−6804号公報(特許文献1)に記載されたものがある。この膜厚測定装置は、X線反射率法を用いて、基板上の膜厚を測定している。
しかしながら、上記従来の膜厚測定装置では、X線反射率法を用いているので、膜上のX線のスポット径が大きくなり、基板上の膜の微小領域を測定できず、膜厚の測定精度が劣る問題があった。また、X線反射率法では、測定時間が長くなる問題があった。このため、X線反射率法は、特に大型の基板の膜厚測定には、不適であった。
特開平11−6804号公報
そこで、この発明の課題は、膜厚の測定精度を向上できると共に膜厚の測定時間を短縮できる膜厚測定装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の膜厚測定装置は、
基台と、
上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
上記基板ステージに対して第1方向に延在すると共に、上記基板ステージに対して第2方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
上記ガントリーに上記第1方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜に1次X線を照射してこの膜から発生する蛍光X線を検出する測定ヘッドと、
上記測定ヘッドにより検出された上記蛍光X線の強度から上記膜の厚みを求める解析手段と
を備えることを特徴としている。
ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。
この発明の膜厚測定装置によれば、上記測定ヘッドは、製品基板の膜に1次X線を照射してこの膜から発生する蛍光X線を検出し、上記解析手段は、上記測定ヘッドにより検出された上記蛍光X線の強度から上記膜の厚みを求める。
このように、蛍光X線分析法により膜厚を求めるので、製品基板の膜の微小領域を測定できて、膜厚の測定精度を向上できる。また、蛍光X線分析法では、X線反射率法に比べて、膜厚の測定時間を短縮できる。
さらに、上記測定ヘッドは、上記基板ステージに対して第1方向および第2方向に移動可能であるので、この測定ヘッドで、製品基板の複数箇所の膜厚を測定できる。これにより、大型の製品基板の膜厚測定に好適となる。
また、一実施形態の膜厚測定装置では、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板のアライメントマークを検出するカメラと、
上記カメラの検出結果に基づいて、上記基板ステージに載置された上記製品基板の位置情報を補正する基板位置補正手段と、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板との距離を測定する変位センサと、
上記変位センサの測定値に基づいて、上記基板ステージに載置された上記製品基板と上記測定ヘッドとの間の距離が予め定められた一定値となるように、上記測定ヘッドの位置を調整するヘッド位置調整手段と
を備える。
この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記カメラは、基板ステージに載置された製品基板のアライメントマークを検出し、上記基板位置補正手段は、このカメラの検出結果に基づいて、基板ステージに載置された製品基板の位置情報を補正する。そして、上記変位センサは、基板ステージに載置された製品基板との距離を測定し、上記ヘッド位置調整手段は、この変位センサの測定値に基づいて、基板ステージに載置された製品基板と測定ヘッドとの間の距離が一定値となるように、測定ヘッドの位置を調整する。
このように、上記測定ヘッドで膜厚を測定する前に、製品基板の位置を調整し、製品基板と測定ヘッドとの間の距離を一定値に調整するので、製品基板の膜厚の測定精度を一層向上できる。
この発明の膜厚測定装置によれば、上記測定ヘッドは、製品基板の膜に1次X線を照射してこの膜から発生する蛍光X線を検出し、上記解析手段は、上記測定ヘッドにより検出された上記蛍光X線の強度から上記膜の厚みを求めるので、膜厚の測定精度を向上できると共に膜厚の測定時間を短縮できる。
本発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。 図1の矢印U方向からみた膜厚測定装置の側面図である。 変位センサの動作を説明する説明図である。 測定ヘッドの動作を説明する説明図である。 1次X線の照射により蛍光X線が発生する状態を説明する説明図である。 チタン膜とモリブデン膜におけるX線強度と膜厚との関係を示す表である。 図6Aのデータをプロットしたグラフである。
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。図2は、図1の矢印U方向からみた側面図である。図1と図2に示すように、この膜厚測定装置は、基台1と、基板ステージ2と、校正ステージ3と、ガンドリー4と、スライダー5と、複数の測定機器21,22,23と、制御手段30とを有する。
上記基板ステージ2は、上記基台1に設けられ、複数に分割されたステージからなる。基板ステージ2上には、成膜された製品基板10が載置される。
上記基板ステージ2には、複数の空気孔2aが設けられ、この空気孔2aからエアを吸い込むことで、製品基板10を基板ステージ2に密着でき、一方、空気孔2aからエアを吹き出すことで、製品基板10を基板ステージ2から浮上できる。
上記製品基板10は、例えば、液晶ディスプレイに用いられる液晶TFTである。この製品基板10は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。上記膜は、例えば、スパッタリング工法や蒸着工法やメッキ工法により、上記基板に成膜される。上記基板は、例えば、ガラス基板であり、上記膜は、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデンなどの金属膜である。
上記校正ステージ3は、上記基台1に設けられ、上記基板ステージ2とは別に設けられる。この校正ステージ3には、複数の凹部3aが設けられ、この凹部3aに様々な種類の校正試料60,70が嵌め込まれ、この校正試料60,70を用いて上記測定機器21,22,23の校正が行われる。
上記ガントリー4は、上記基板ステージ2および上記校正ステージ3に対して第1方向に延在する。ガンドリー4は、基板ステージ2および校正ステージ3に対して第2方向に移動可能となるように、基台1に取り付けられる。第1方向とは、矢印A方向をいい、第2方向とは、矢印B方向をいう。第1方向と第2方向とは、互いに直交する。
つまり、上記基台1には、第2方向(矢印B方向)に延在する2本のレール部6,6が設けられている。この2本のレール部6,6は、基板ステージ2および校正ステージ3を挟むように、配置されている。上記ガンドリー4は、この2本のレール部6,6に架け渡され、このレール部6,6に沿って第2方向に移動可能となる。
上記スライダー5は、上記ガントリー4に第1方向(矢印A方向)に移動可能に取り付けられる。このスライダー5には、上記測定機器としてのカメラ21、変位センサ22および測定ヘッド23が、固定されている。
そして、上記測定機器21,22,23は、ガンドリー4の可動範囲Z1により、基板ステージ2および校正ステージ3の第2方向(矢印B方向)の全範囲をカバーできる。また、上記測定機器21,22,23は、スライダー5の可動範囲Z2により、基板ステージ2および校正ステージ3の第1方向(矢印A方向)の全範囲をカバーできる。
上記制御手段30は、基板位置補正手段31と、ヘッド位置調整手段32と、解析手段33と、測定機器校正手段34とを有する。
上記カメラ21は、基板ステージ2に載置された製品基板10のアライメントマークを検出する。このアライメントマークは、カメラ21で判別可能なマークであり、例えば、製品基板10の四隅に設けられる。
上記基板位置補正手段31は、上記カメラ21の検出結果に基づいて、基板ステージ2に載置された製品基板10の平面方向(第1、第2方向)の位置情報を補正する。具体的に述べると、上記基台1には、製品基板10の周囲の各辺を押圧するように、複数のクランプ7が設けられている。クランプ7により製品基板10を所定の位置に固定後、カメラ21にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段31によって、製品基板10の位置情報を補正する。
上記変位センサ22は、図3に示すように、基板ステージ2に載置された製品基板10との高さ方向の距離を測定する。変位センサ22は、例えば赤外線などの光線を用いて、製品基板10の予め定めた測定ポイントPとの距離を測定する。
上記ヘッド位置調整手段32は、上記変位センサ22の測定値に基づいて、基板ステージに載置された製品基板10と測定ヘッド23との間の距離が予め定められた一定値となるように、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整する。具体的に述べると、製品基板10の測定ポイントPと測定ヘッド23の受発光部23aとの間の高さ方向の距離が、2mm±30μmとなるように、調整される。
また、上記ヘッド位置調整手段32は、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整した後、測定ヘッド23が製品基板10の測定ポイントPを測定できる位置に、測定ヘッド23を移動する。
上記測定ヘッド23は、図4に示すように、X線照射部231と蛍光X線検出部232とを有する。
上記X線照射部231は、受発光部23aから製品基板10の測定ポイントPへ、1次X線51を照射する。1次X線51は、例えば、ロジウムや、モリブデンや、タングステンなどである。すると、図5に示すように、製品基板10の基板11上の膜12は、1次X線51の照射により、蛍光X線52を発生する。
上記蛍光X線検出部232は、上記膜12から発生した上記蛍光X線52を、受発光部23aから検出する。蛍光X線検出部232は、例えば、シリコンドリフト検出器である。
上記解析手段33は、上記測定ヘッド23により検出された上記蛍光X線52の強度から上記膜12の厚みを求める。具体的に述べると、解析手段33は、プリアンプ331とマルチ・チャンネル・アナライザ(以下、MCAという)332とを有する。
上記プリアンプ331は、蛍光X線検出部232から出力される電気信号を増幅する。上記MCA332は、プリアンプ331で増幅された電気信号を解析する。MCA332では、蛍光X線検出部232から出力されたエネルギーを選別し、パルスを計測することで、膜12を構成する元素のX線強度を求める。そして、このX線強度に基づいて、既知のデータから、膜12の厚みを求める。なお、MCA332を用いているため、膜12に混入する異物や不純物を検出できる。
例えば、上記膜12が、チタン膜、または、モリブデン膜である場合、X線強度と膜厚との関係は、図6Aと図6Bに示すような関係となる。
なお、上述では、単層の膜(図5)の厚みの測定を説明したが、複数層の膜の厚みを測定することもできる。この場合、各膜から発生する蛍光X線を測定ヘッド23によって検出し、解析手段33によって、各膜を構成する各元素のX線強度を求め、このX線強度に基づいて、各膜の厚みを求める。さらに、この各元素のX線強度から、各元素の組成比をも、求めることができる。
上記測定機器校正手段34は、図1に示すように、上記測定機器21,22,23を校正ステージ3に移動して、測定機器21,22,23の校正を行う。測定機器21,22,23の校正は、所定間隔で、行う。この所定間隔とは、例えば、1日に1回の校正を行うといった所定時間毎や、所定枚数の製品基板10の膜厚を測定した後に校正を行うといった所定処理数毎である。
上記校正ステージ3には、第1校正試料60と第2校正試料70とが、設置されている。第1校正試料60は、例えば、測定ヘッド23の蛍光X線検出部232のゲインを調整するための試料である。第2校正試料70は、例えば、各測定機器21,22,23のオフセット量を調整するための試料である。
そして、上記測定機器21,22,23の校正は、上記第1、上記第2校正試料60,70を用いて、行われる。
次に、上記構成の膜厚測定装置の動作を説明する。
図1に示すように、まず、上記製品基板10が、膜厚測定装置の右方向(矢印R方向)から基板ステージ2上に、搬送される。基板ステージ2上に搬送された製品基板10は、クランプ7により所定の位置に固定される。その後、カメラ21にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段31によって、製品基板10の位置情報を補正する。
その後、上記製品基板10の複数の測定ポイントのうちの第1の測定ポイントにおいて、変位センサ22により、第1の測定ポイントと変位センサ22との間の高さ方向の距離を測定する。そして、上記ヘッド位置調整手段32は、この測定値に基づいて、第1の測定ポイントと測定ヘッド23との間の距離が一定値となるように、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整する。
その後、上記測定ヘッド23は、ヘッド位置調整手段32により、第1の測定ポイントの直上に移動され、製品基板10の膜に1次X線を照射してこの膜から発生する蛍光X線を検出する。そして、上記解析手段33は、この検出された蛍光X線の強度から膜の厚みを求める。
その後、上記製品基板10の他の測定ポイントについても、同様に、測定ヘッド23の高さを調整してから、測定ヘッド23によって他の測定ポイントの膜厚を測定する。
このようにして、上記製品基板10の全ての測定ポイントの膜厚を測定し、この測定結果に基づいて、製品基板10が不良品であるか否かを判断する。
その後、上記測定機器校正手段34は、所定間隔で、上記測定機器21,22,23を校正ステージ3に移動して、測定機器21,22,23の校正を行う。
上記構成の膜厚測定装置によれば、上記測定ヘッド23は、製品基板10の膜12に1次X線51を照射してこの膜12から発生する蛍光X線52を検出し、上記解析手段33は、上記測定ヘッド23により検出された上記蛍光X線52の強度から上記膜12の厚みを求める。
このように、蛍光X線分析法により膜厚を求めるので、製品基板10の膜12の微小領域を測定できて、膜厚の測定精度を向上できる。また、蛍光X線分析法では、X線反射率法に比べて、膜厚の測定時間を短縮できる。
さらに、上記測定ヘッド23は、上記基板ステージ2に対して第1方向および第2方向に移動可能であるので、この測定ヘッド23で、製品基板10の複数箇所の膜厚を測定できる。これにより、大型の製品基板10の膜厚測定に好適となる。
また、上記カメラ21は、基板ステージ2に載置された製品基板10のアライメントマークを検出し、上記基板位置補正手段31は、このカメラ21の検出結果に基づいて、基板ステージ2に載置された製品基板10の位置情報を補正する。そして、上記変位センサ22は、基板ステージ2に載置された製品基板10との距離を測定し、上記ヘッド位置調整手段32は、この変位センサ22の測定値に基づいて、基板ステージ2に載置された製品基板10と測定ヘッド23との間の距離が一定値となるように、測定ヘッド23の位置を調整する。
このように、上記測定ヘッド23で膜厚を測定する前に、製品基板10の位置を調整し、製品基板10と測定ヘッド23との間の距離を一定値に調整するので、製品基板10の膜厚の測定精度を一層向上できる。
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、カメラ21や変位センサ22や省略して、測定ヘッド23のみを設けるようにしてもよい。また、校正ステージ3を省略して、基板ステージ2のみを設けるようにしてもよい。
また、ガントリー4の延在方向である第1方向と、ガントリー4の移動方向である第2方向とは、互いに直交しないで、交差するようにしてもよい。
また、カメラ21、変位センサ22および測定ヘッド23の数量は、一つに限らず、複数であってもよい。
また、校正ステージ3には、2つの校正試料60,70を設置しているが、校正試料の数量の増減は、自由である。また、他の種類の校正試料であってもよく、例えば、X線強度のドリフトを校正するための校正試料であってもよい。
また、本発明の膜厚測定装置にて、小型の製品基板の膜厚を測定するようにしてもよく、また、液晶TFT以外に、有機ELなどの半導体基板の膜厚を測定するようにしてもよい。
1 基台
2 基板ステージ
3 校正ステージ
4 ガントリー
5 スライダー
6 レール部
7 クランプ
10 製品基板
21 カメラ
22 変位センサ
23 測定ヘッド
30 制御手段
31 基板位置補正手段
32 ヘッド位置調整手段
33 解析手段
34 測定機器校正手段
60 第1校正試料
70 第2校正試料
A 第1方向
B 第2方向

Claims (2)

  1. 基台と、
    上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
    上記基板ステージに対して第1方向に延在すると共に、上記基板ステージに対して第2方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
    上記ガントリーに上記第1方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
    上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜に1次X線を照射してこの膜から発生する蛍光X線を検出する測定ヘッドと、
    上記測定ヘッドにより検出された上記蛍光X線の強度から上記膜の厚みを求める解析手段と
    を備えることを特徴とする膜厚測定装置。
  2. 請求項1に記載の膜厚測定装置において、
    上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板のアライメントマークを検出するカメラと、
    上記カメラの検出結果に基づいて、上記基板ステージに載置された上記製品基板の位置情報を補正する基板位置補正手段と、
    上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板との距離を測定する変位センサと、
    上記変位センサの測定値に基づいて、上記基板ステージに載置された上記製品基板と上記測定ヘッドとの間の距離が予め定められた一定値となるように、上記測定ヘッドの位置を調整するヘッド位置調整手段と
    を備えることを特徴とする膜厚測定装置。
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