JP2014043366A - 結晶製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液相成長法により原料溶液中で種結晶の結晶成長面に単結晶を成長させる結晶製造装置を、原料溶液29を収容する液槽20と、種結晶1を保持する結晶保持要素3と、液槽20中の原料溶液29を流動させる溶液流動要素25と、で構成する。このうち結晶保持要素3を、液槽20内において種結晶1を保持可能であり、液槽20の深さ方向に延びるz軸に対して直交するxy平面の少なくとも一部の領域において移動可能であるようにする。
【選択図】図4
Description
(1)前記溶液流動要素は、前記液槽中の前記原料溶液に外力を加えることで前記原料溶液を強制流動させる。
(2)前記原料融液は、前記結晶保持要素の移動に伴って流動し、前記溶液流動要素は前記結晶保持要素を含む。
(3)前記結晶保持要素および/または前記溶液流動要素は、前記原料溶液の流動方向に対する前記種結晶の結晶成長面の向きを、180°異なる2方向に設定可能である。
(4)前記液槽内面の径方向断面は円形であり、前記原料溶液は前記液槽内面に沿った円弧方向に流動し、前記結晶保持要素は、前記径方向断面の中心に位置する前記z軸よりも径方向外側で前記種結晶を保持可能である。
(5)前記結晶保持要素は、前記種結晶を保持する保持部と、前記保持部の移動方向を案内する案内要素と、を持ち、前記案内要素は、前記z軸方向に前記保持部を案内するz方向案内部と、前記xy平面上の一方向であるx軸方向に前記保持部を案内するx方向案内部と、前記xy平面上の一方向であり前記x軸方向と交差するy軸方向に前記保持部を案内するy方向案内部と、を持つ。
以下、具体例を挙げて、本発明の結晶製造装置を説明する。なお、以下に説明する実施形態1の結晶製造装置を用いた結晶製造方法を試験1の結晶製造方法と呼ぶ。
TSD:貫通らせん転位 SF:積層欠陥 h:ステップ高さ
P1、P2:テラス面 Sm:マクロステップ
20:坩堝 23:加熱要素 24a:ディップ軸部
25:溶液流動要素 28:保持部 29:原料溶液
30x:x方向案内部 30y:y方向案内部 30z:z方向案内部
Claims (6)
- 液相成長法により原料溶液中で種結晶の結晶成長面に単結晶を成長させるための結晶製造装置であって、
前記原料溶液を収容する液槽と、前記種結晶を保持する結晶保持要素と、前記液槽中の前記原料溶液を流動させる溶液流動要素と、を持ち、
前記結晶保持要素は、前記液槽内において前記種結晶を保持可能であり、前記液槽の深さ方向に延びるz軸に対して直交するxy平面の少なくとも一部の領域において移動可能である結晶製造装置。 - 前記溶液流動要素は、前記液槽中の前記原料溶液に外力を加えることで前記原料溶液を強制流動させる請求項1に記載の結晶製造装置。
- 前記原料溶液は、前記結晶保持要素の移動に伴って流動し、
前記溶液流動要素は前記結晶保持要素を含む請求項1または請求項2に記載の結晶製造装置。 - 前記結晶保持要素および/または前記溶液流動要素は、前記原料溶液の流動方向に対する前記種結晶の結晶成長面の向きを、180°異なる2方向に設定可能である請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の結晶製造装置。
- 前記液槽内面の径方向断面は円形であり、
前記原料溶液は前記液槽内面に沿った円弧方向に流動し、
前記結晶保持要素は、前記径方向断面の中心に位置する前記z軸よりも径方向外側で前記種結晶を保持可能である請求項1〜請求項4の何れか一項に記載の結晶製造装置。 - 前記結晶保持要素は、
前記種結晶を保持する保持部と、前記保持部の移動方向を案内する案内要素と、を持ち、
前記案内要素は、前記z軸方向に前記保持部を案内するz方向案内部と、前記xy平面上の一方向であるx軸方向に前記保持部を案内するx方向案内部と、前記xy平面上の一方向であり前記x軸方向と交差するy軸方向に前記保持部を案内するy方向案内部と、を持つ請求項1〜請求項5の何れか一項に記載の結晶製造装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11171689A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化物単結晶膜の製造方法 |
JP2002187791A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-07-05 | Canon Inc | 液相成長方法および液相成長装置 |
JP2005179080A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶の製造方法および製造装置 |
JP2007290914A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Sharp Corp | 融液原料供給装置および多結晶体または単結晶体製造装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11171689A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化物単結晶膜の製造方法 |
JP2002187791A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-07-05 | Canon Inc | 液相成長方法および液相成長装置 |
JP2005179080A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶の製造方法および製造装置 |
JP2007290914A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Sharp Corp | 融液原料供給装置および多結晶体または単結晶体製造装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015183080A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 不二製油株式会社 | 脂肪酸またはグリセリン脂肪酸エステル含有脂質の晶析法 |
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