JP2014037618A - 堆積装置および堆積方法 - Google Patents
堆積装置および堆積方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014037618A JP2014037618A JP2013081042A JP2013081042A JP2014037618A JP 2014037618 A JP2014037618 A JP 2014037618A JP 2013081042 A JP2013081042 A JP 2013081042A JP 2013081042 A JP2013081042 A JP 2013081042A JP 2014037618 A JP2014037618 A JP 2014037618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- material particles
- deposition apparatus
- electrode
- particles
- ionized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
【解決手段】堆積装置100は、材料粒子Pを堆積させる堆積装置100であって、材料粒子Pが供給される反応室において、光電効果により、材料粒子Pをイオン化するイオン化部20と、イオン化された材料粒子Pをクーロン力によって所与の領域に導く電極部32,34と、を含む。
【選択図】図1
Description
材料粒子を堆積させる堆積装置であって、
前記材料粒子が供給される反応室において、光電効果により、前記材料粒子をイオン化するイオン化部と、
イオン化された前記材料粒子をクーロン力によって所与の領域に導く電極部と、
を含む。
前記イオン化部は、電磁波を照射して前記材料粒子をイオン化してもよい。
前記材料粒子を前記反応室に供給する材料粒子供給部を含んでいてもよい。
前記材料粒子供給部は、第1電極と、第2電極と、を有し、前記第1電極と前記第2電極との間に放電を発生させて、前記材料粒子を供給してもよい。
前記材料粒子供給部は、電磁波を照射して原料を気化させ、前記材料粒子を供給してもよい。
前記材料粒子供給部は、前記材料粒子を含む流体を供給してもよい。
前記材料粒子の温度を制御する温度制御部を含んでいてもよい。
イオン化された前記材料粒子の経路に磁界を発生させる磁界生成部を含んでいてもよい。
イオン化された前記材料粒子を質量に応じて選択する質量フィルター部を含んでいてもよい。
前記反応室と、イオン化された前記材料粒子が堆積される試料室と、の間に配置されているバルブを含んでいてもよい。
前記電極部は、光電効果によって前記材料粒子から放出された電子を捕集するための電子捕集電極と、イオン化された前記材料粒子を捕集するための材料粒子捕集電極と、を有していてもよい。
前記材料粒子捕集電極上に堆積された前記材料粒子に荷電粒子を供給して、前記材料粒子捕集電極上の前記材料粒子を中性化するニュートライズ部を含んでいてもよい。
材料粒子を堆積させる堆積方法であって、
前記材料粒子を反応室に供給する工程と、
前記反応室に供給された前記材料粒子を、光電効果により、イオン化する工程と、
イオン化された前記材料粒子をクーロン力によって所与の領域に導いて堆積させる工程と、
を含む。
まず、本実施形態に係る堆積装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る堆積装置100を模式的に示す斜視図である。図2は、本実施形態に係る堆積装置100の構成を説明するための概略図である。なお、便宜上、図1では、チャンバー2、温度制御部14の図示を省略している。
イオン化された材料粒子Pをクーロン力によって材料粒子捕集電極34に導くことにより、材料粒子Pを堆積させることができる。
体的には、イオン化部20は、例えば、水銀灯、カーボンアーク灯、キセノンランプ等である。
32,34間の電圧を低くすることで、堆積される材料粒子Pの粒径の上限を小さくすることができる。
た材料粒子Pの経路には、質量フィルター部40が配置されている。そのため、所与の質量の範囲の材料粒子Pは通過して材料粒子捕集電極34上に堆積され、当該所与の質量の範囲に含まれない材料粒子Pは進行方向が変わり、材料粒子捕集電極34上に堆積されない。これにより、堆積される材料粒子Pの粒径をより制御することができる。また、バルブ4の開閉によって、材料粒子Pの堆積量を制御することができる。
次に、本実施形態の変形例に係る堆積装置について説明する。以下、本実施形態の変形例に係る堆積装置において、上述した堆積装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
まず、第1変形例に係る堆積装置について図面を参照しながら説明する。図4は、第1変形例に係る堆積装置200の構成を説明するための概略図である。
次に、第2変形例に係る堆積装置について図面を参照しながら説明する。図5は、第2変形例に係る堆積装置300の構成を説明するための概略図である。
加熱や電磁波(レーザー光)を照射することにより原料Mを蒸発させて、反応室2aに材料粒子Pを供給した。
次に、第3変形例に係る堆積装置について図面を参照しながら説明する。図6は、第3変形例に係る堆積装置400の構成を説明するための概略図である。
次に、第4変形例に係る堆積装置について図面を参照しながら説明する。図7は、第4変形例に係る堆積装置500の構成を説明するための概略図である。
、例えば、イオナイザー等を用いることができる。
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
ここでは、上述した図4に示す堆積装置200を用いて、実験を行った結果を説明する。
。材料粒子供給部10は、炭素電極を用いたアーク放電方式とした。すなわち、本実施例では、材料粒子Pは、炭素粒子である。
本実施例の試料の観察を、日本電子株式会社製走査型電子顕微鏡JSM−7001Fおよび日本電子株式会社製透過型電子顕微鏡JEM−2100で行った。
図8(A)および図8(B)は、本実施例の試料を日本電子株式会社製走査型電子顕微鏡JSM−7001Fで観察した結果を示すSEM写真である。なお、図8(A)では、観察倍率200,000倍、加速電圧1.5kVで観察を行った。また、図8(B)では、観察倍率100,000倍、加速電圧1.5kVで観察を行った。
が、10〜100nm程度の間隔で点在していることがわかる。
Claims (13)
- 材料粒子を堆積させる堆積装置であって、
前記材料粒子が供給される反応室において、光電効果により、前記材料粒子をイオン化するイオン化部と、
イオン化された前記材料粒子をクーロン力によって所与の領域に導く電極部と、
を含む、堆積装置。 - 請求項1において、
前記イオン化部は、電磁波を照射して前記材料粒子をイオン化する、堆積装置。 - 請求項1または2において、
前記材料粒子を前記反応室に供給する材料粒子供給部を含む、堆積装置。 - 請求項3において、
前記材料粒子供給部は、第1電極と、第2電極と、を有し、前記第1電極と前記第2電極との間に放電を発生させて、前記材料粒子を供給する、堆積装置。 - 請求項3において、
前記材料粒子供給部は、電磁波を照射して原料を気化させ、前記材料粒子を供給する、堆積装置。 - 請求項3において、
前記材料粒子供給部は、前記材料粒子を含む流体を供給する、堆積装置。 - 請求項1ないし6のいずれか1項において、
前記材料粒子の温度を制御する温度制御部を含む、堆積装置。 - 請求項1ないし7のいずれか1項において、
イオン化された前記材料粒子の経路に磁界を発生させる磁界生成部を含む、堆積装置。 - 請求項1ないし8のいずれか1項において、
イオン化された前記材料粒子を質量に応じて選択する質量フィルター部を含む、堆積装置。 - 請求項1ないし9のいずれか1項において、
前記反応室と、イオン化された前記材料粒子が堆積される試料室と、の間に配置されているバルブを含む、堆積装置。 - 請求項1ないし10のいずれか1項において、
前記電極部は、光電効果によって前記材料粒子から放出された電子を捕集するための電子捕集電極と、イオン化された前記材料粒子を捕集するための材料粒子捕集電極と、を有する、堆積装置。 - 請求項11において、
前記材料粒子捕集電極上に堆積された前記材料粒子に荷電粒子を供給して、前記材料粒子捕集電極上の前記材料粒子を中性化するニュートライズ部を含む、堆積装置。 - 材料粒子を堆積させる堆積方法であって、
前記材料粒子を反応室に供給する工程と、
前記反応室に供給された前記材料粒子を、光電効果により、イオン化する工程と、
イオン化された前記材料粒子をクーロン力によって所与の領域に導いて堆積させる工程と、
を含む、堆積方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013081042A JP5404950B1 (ja) | 2012-07-18 | 2013-04-09 | 堆積装置および堆積方法 |
CN201380033599.2A CN104395496A (zh) | 2012-07-18 | 2013-05-21 | 沉积装置和沉积方法 |
US14/403,084 US9453278B2 (en) | 2012-07-18 | 2013-05-21 | Deposition device and deposition method |
KR1020147034565A KR20150010773A (ko) | 2012-07-18 | 2013-05-21 | 퇴적장치 및 퇴적방법 |
PCT/JP2013/064006 WO2014013789A1 (ja) | 2012-07-18 | 2013-05-21 | 堆積装置および堆積方法 |
EP13819352.9A EP2840163B1 (en) | 2012-07-18 | 2013-05-21 | Deposition device and deposition method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012159347 | 2012-07-18 | ||
JP2012159347 | 2012-07-18 | ||
JP2013081042A JP5404950B1 (ja) | 2012-07-18 | 2013-04-09 | 堆積装置および堆積方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5404950B1 JP5404950B1 (ja) | 2014-02-05 |
JP2014037618A true JP2014037618A (ja) | 2014-02-27 |
Family
ID=49948625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013081042A Expired - Fee Related JP5404950B1 (ja) | 2012-07-18 | 2013-04-09 | 堆積装置および堆積方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9453278B2 (ja) |
EP (1) | EP2840163B1 (ja) |
JP (1) | JP5404950B1 (ja) |
KR (1) | KR20150010773A (ja) |
CN (1) | CN104395496A (ja) |
WO (1) | WO2014013789A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106935349A (zh) * | 2017-02-21 | 2017-07-07 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种稀土永磁纳米颗粒的制备方法 |
KR102037910B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2019-10-30 | 세메스 주식회사 | 코팅 장치 및 코팅 방법 |
US11056324B2 (en) * | 2018-08-13 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for particle control in MRAM processing |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62205269A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Katsuhiro Yokota | 薄膜形成のための蒸発源 |
JPH03166358A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ励起薄膜形成法 |
JPH04176862A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-24 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | イオンビーム蒸着方法 |
JPH07278821A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-10-24 | Tokyo Electron America Inc | プロセス・モジュールにおいてプラズマを点火する装置並びに方法 |
JPH08288273A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Nippon Steel Corp | TiNバリア膜の製造方法およびその装置 |
JP2004003006A (ja) * | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2006193800A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 硬質炭素膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP2007066796A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Canon Inc | ガスクラスターイオンビーム装置 |
JP2008270013A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ処理装置 |
JP2012144751A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Nikon Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313067A (en) * | 1992-05-27 | 1994-05-17 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Ion processing apparatus including plasma ion source and mass spectrometer for ion deposition, ion implantation, or isotope separation |
JP3406769B2 (ja) | 1996-03-19 | 2003-05-12 | 日本電子株式会社 | イオンプレーティング装置 |
JPH11111185A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | レーザアブレーション型イオン源 |
US6331227B1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-18 | Epion Corporation | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
US7300559B2 (en) * | 2000-04-10 | 2007-11-27 | G & H Technologies Llc | Filtered cathodic arc deposition method and apparatus |
US6919562B1 (en) * | 2002-05-31 | 2005-07-19 | Analytica Of Branford, Inc. | Fragmentation methods for mass spectrometry |
US20040110388A1 (en) | 2002-12-06 | 2004-06-10 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching |
KR100485385B1 (ko) * | 2002-12-17 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | 극성 변환 장치 및 이를 갖는 이온 주입 장치 |
KR100707172B1 (ko) | 2004-09-04 | 2007-04-13 | 삼성전자주식회사 | 레이저 어블레이션 장치 및 이를 이용한 나노입자의제조방법 |
JP4825028B2 (ja) | 2006-03-17 | 2011-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | イオン化装置 |
WO2007146395A2 (en) * | 2006-06-13 | 2007-12-21 | Semequip, Inc. | Ion beam apparatus and method employing magnetic scanning |
CN101457343A (zh) | 2007-12-14 | 2009-06-17 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 锂离子固体电解质薄膜制备方法 |
-
2013
- 2013-04-09 JP JP2013081042A patent/JP5404950B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-05-21 EP EP13819352.9A patent/EP2840163B1/en not_active Not-in-force
- 2013-05-21 KR KR1020147034565A patent/KR20150010773A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-05-21 WO PCT/JP2013/064006 patent/WO2014013789A1/ja active Application Filing
- 2013-05-21 US US14/403,084 patent/US9453278B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-05-21 CN CN201380033599.2A patent/CN104395496A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62205269A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Katsuhiro Yokota | 薄膜形成のための蒸発源 |
JPH03166358A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ励起薄膜形成法 |
JPH04176862A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-24 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | イオンビーム蒸着方法 |
JPH07278821A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-10-24 | Tokyo Electron America Inc | プロセス・モジュールにおいてプラズマを点火する装置並びに方法 |
JPH08288273A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Nippon Steel Corp | TiNバリア膜の製造方法およびその装置 |
JP2004003006A (ja) * | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2006193800A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 硬質炭素膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP2007066796A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Canon Inc | ガスクラスターイオンビーム装置 |
JP2008270013A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ処理装置 |
JP2012144751A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Nikon Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104395496A (zh) | 2015-03-04 |
EP2840163A1 (en) | 2015-02-25 |
EP2840163B1 (en) | 2016-10-19 |
KR20150010773A (ko) | 2015-01-28 |
US20150118410A1 (en) | 2015-04-30 |
EP2840163A4 (en) | 2015-03-11 |
JP5404950B1 (ja) | 2014-02-05 |
WO2014013789A1 (ja) | 2014-01-23 |
US9453278B2 (en) | 2016-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101156505B (zh) | 用于生成、加速和传播电子束和等离子体束的设备和方法 | |
JP2009298698A (ja) | カーボンナノチューブ成長方法 | |
JP4861257B2 (ja) | 同軸型真空アーク蒸着源を用いた微粒子膜の製造方法及び製造装置 | |
JP4825846B2 (ja) | カーボンナノチューブ作製装置 | |
JP5404950B1 (ja) | 堆積装置および堆積方法 | |
Mondal et al. | Performance of a size-selected nanocluster deposition facility and in situ characterization of grown films by x-ray photoelectron spectroscopy | |
WO2008136130A1 (ja) | プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法並びに成膜装置 | |
JP2008095163A (ja) | ナノ金属粒子及びナノ金属薄膜の形成方法、並びにナノ金属粒子のサイズ制御方法 | |
JP4837409B2 (ja) | ナノ粒子製造方法 | |
KR20150057978A (ko) | 3차원 나노 스케일 구조물 제작 장치 및 이를 이용한 3차원 나노 스케일 구조물 제조방법 | |
Saressalo et al. | In-situ plasma treatment of Cu surfaces for reducing the generation of vacuum arc breakdowns | |
JP4006531B2 (ja) | イオンビームによる表面処理方法および表面処理装置 | |
Ahadi et al. | Modification of a metal nanoparticle beam by a hollow electrode discharge | |
WO2023119619A1 (ja) | 電子クリーニング装置 | |
JP4647476B2 (ja) | 成膜装置 | |
Takaoka et al. | Surface modification using ionic liquid ion beams | |
JP5016976B2 (ja) | 微粒子膜の製造方法 | |
Takaoka | Nanocluster Ions and Beam Techniques for Material Modification | |
JP5954389B2 (ja) | ナノ粒子分散イオンゲルの製造方法 | |
RU153376U1 (ru) | Форвакуумный источник газометаллических ионов | |
JPH05195213A (ja) | スパッタリング装置 | |
Andrew et al. | Process Development and Optimization of Carbon-Based Thin Film Deposition through Ablation of Graphite | |
JPH03146657A (ja) | 活性化粒子を用いた透明導電膜の形成方法および透明導電膜の形成装置 | |
Bernatskii et al. | Anomalous changes in electron emission during adsorption of alkali metals on a carbon film | |
Xenoulis et al. | Size selection by cluster deflection in an electric field |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131029 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5404950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |