JP2014027301A - 多層/多入力/多出力(mlmimo)モデル及び当該モデルの使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、多層処理シーケンス、多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデル及びライブラリを用いた基板処理方法を供する。当該方法は、1つ以上のマスク層生成手順、1つ以上の前処理測定手順、1つ以上の部分エッチング(P-E)手順、1つ以上の最終エッチング(F-E)手順、及び1つ以上の後処理測定手順を有して良い。
【選択図】 図7
Description
(1)一のRGA要素に最も近いものを選択する
(2)負のRGA要素での対生成を作らないようにする
プロセス制御多変数アプリケーションで用いられる分析デバイスは、単一ループ制御と多変数制御との比較に基づき、かつ入力変数と出力変数の対の間での単一ループ挙動の測定値と、多変数制御をある程度理想化した状態での同一の入力変数と出力変数の対の測定との比からなる(全ての可能な入力変数と出力変数の対についての)アレイとして表される。
ここでl、m、及びnは3以上の整数である。
CV(2)=f1{MV(1),MV(2),MV(3),MV(4),MV(5),MV(6),DV(1),DV(2),DV(3),DV(4)}+オフセット2
CV(3)=f1{MV(1),MV(2),MV(3),MV(4),MV(5),MV(6),DV(1),DV(2),DV(3),DV(4)}+オフセット3
CV(4)=f1{MV(1),MV(2),MV(3),MV(4),MV(5),MV(6),DV(1),DV(2),DV(3),DV(4)}+オフセット4
925では、最適化されたプロセス設定が、2次目的関数を用いて計算されて良く、かつ標的偏差t(n)は以下のように定義されて良い。
n=4及びl=4では、以下の式を得ることができる。
t(2)={DV(2)-標的CV(2)}
t(3)={DV(3)-標的CV(3)}
t(4)={DV(4)-標的CV(4)}
モデル及び標的の項を用いることによって、非線形プログラムに用いることのできる2次目的関数は以下のように定義できる。
2 限界寸法(CD)
3 側壁角(SWA)
4 第1組のパラメータ
5 ゲート積層体
6 CD
7 SWA
8 第2組のパラメータ
10 第1集積計測装置用制御装置/モデル
11 CDデータ
12 SWAデータ
15 フィードフォワードデータ
16 データアイテム
20 エッチング装置用制御装置/モデル
21 1組以上のレシピパラメータ
25 ゲート積層体のプロファイル制御
27 予測データアイテム
30 第2集積計測装置用制御装置/モデル
31 CDデータ
32 SWAデータ
33 実際の出力
35 フィードバックデータ
40 第1計算構成要素
41 第1組の標的パラメータ
42 出力データアイテム
45 標的データアイテム
50 MLMIMOモデル最適化器
51 制約パラメータ
55 フィードバックデータアイテム
65 エラー値
70 EWMAフィルタ
71 第1のフィルタリングされた出力
72 第2のフィルタリングされた出力
80 重み付け用構成要素
81 動的に変化する重み付け入力
100 処理システム
105 基板
110 リソグラフィサブシステム
111 接続
112 搬送/格納部
113 処理部
114 制御装置
115 評価部
120 スキャナサブシステム
121 接続
122 搬送/格納部
123 処理部
124 制御装置
125 評価部
130 エッチングサブシステム
131 接続
132 搬送/格納部
133 処理部
134 制御装置
135 評価部
140 堆積サブシステム
141 接続
142 搬送/格納部
143 処理部
144 制御装置
145 評価部
150 検査サブシステム
151 接続
152 搬送/格納部
153 処理部
154 制御装置
155 評価部
160 計測サブシステム
161 接続
162 搬送/格納部
163 処理部
164 制御装置
165 評価部
170 搬送サブシステム
174 搬送部
175 搬送トラック
176 搬送トラック
177 搬送トラック
180 製造実行システム
181 接続
190 システム制御装置
195 メモリ/データベース
305 DC電極
306 DC電源
Claims (12)
- モデルを用いて複数の基板上にゲート構造を作製する方法であって:
a)第1組の基板及び関連する基板データを受け取る工程であって、前記基板データはリアルタイムデータ及び履歴データを有する、工程;
b)1つ以上の入ってくる基板上でのパターニングされたフォトレジスト層に関連するリアルタイム集積計測(IM)データを用いて外乱変数DV(l)の第1数(l)を設定する工程であって、
前記リアルタイムIMデータは、各入ってくる基板上の前記パターニングされたフォトレジスト層内の複数の位置から得られる、限界寸法(CD)データ、側壁角(SWA)データ、厚さデータ、フォトレジストデータ、BARCデータ、ウエハ基板データ、及び回折信号データを有し、
lは3以上の第1整数である、
工程;
c)操作変数MV(m)の第2数を設定する工程であって、mは3以上の第2整数である、工程;
d)制御変数の第3数(n)を設定する工程であって、
nは3以上の第3整数で、
CV(n)は、
CV(n)=fn{MV(1),…MV(m-1), MV(m),DV(1),…DV(l-1),DV(l)}+オフセットn
と定義されて、
工程;
e)2次目的関数を用いて最適化されたプロセス変数を計算する工程であって、標的偏差は、t(n)={DV(l)-標的CV(n)}で定義される、工程;
f)複数の操作変数MV(l)を計算する工程;
g)非線形プログラムの間に設定された前記の計算された1つ以上の操作変数MV(l)を用いて調節されたプロセスレシピを定義する工程;
h)前記調節されたプロセスレシピを用いて1つ以上の前記第1組の基板を処理する工程;
i)前記の1つ以上の処理された基板についての追加測定データを得る工程であって、新たな制御変数(CV)データが得られ、かつフィルタリングされる、工程;
j)測定制御変数データと予測制御変数データとの間の差異を用いて1つ以上のプロセスエラーを計算する工程;
k)フィードバックデータアイテムを計算する工程であって、エラーは、指数重み付け移動平均(EWMA)フィルタを用いたオフセットnの更新に用いられる、工程;
l)最適化ユニット内で前記モデルのオフセットnを更新する工程;並びに
m)前記第1組の基板内の各基板を用いて工程a)-l)を繰り返す工程;
を有する方法。 - 前記重み付けwjは各CVアイテムについてフィードバックエラーに基づいて動的に更新される、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上の制御変数標的は、1つ以上の操作変数が許容プロセス窓の範囲外のときに優先される、請求項1に記載の方法。
- 前記調節されたプロセスレシピはプロセス状態データを用いて定義される、請求項1に記載の方法。
- 前記調節されたプロセスレシピはチャンバ状態データを用いて定義される、請求項1に記載の方法。
- 追加の測定データ、検査データ、及び/又は評価データが、前記基板上の1つ以上の位置から得られる、請求項1に記載の方法。
- 前記追加の測定データ、検査データ、及び/又は評価データが、1つ以上の基板についての、基板関連マップ、プロセス関連マップ、損傷評価マップ、参照マップ、測定マップ、予測マップ、危険性マップ、検査マップ、検証マップ、評価マップ、粒子マップ、及び/又は、(複数の)信頼性マップを有する、請求項7に記載の方法。
- 前記基板関連マップが、適合度(GOF)マップ、1つ以上の厚さマップ、1つ以上のゲート関連マップ、1つ以上の限界寸法(CD)マップ、1つ以上のCDプロファイルマップ、1つ以上の材料関連マップ、1つ以上の構造関連マップ、1つ以上の側壁角関連マップ、1つ以上の差幅マップ、又は前記マップの組み合わせを有する、請求項8に記載の方法。
- 前記基板関連マップが、1つ以上の位置、1つ以上のチップ/ダイ、1つ以上の異なる位置の領域、及び/又は1つ以上の異なる形状の領域を有する、請求項8に記載の方法。
- 1つ以上のプロセスに係るプロセス結果、測定、検査、検証、評価、及び/又は予測マップが、基板の信頼性マップを計算するのに用いられる、請求項10に記載の方法。
- 前記複数の基板上のゲート構造が、多層ゲート構造、pFET構造、nFET構造、トリゲート構造、及び、FinFET構造を有する、請求項1に記載の方法。
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