JP2014027119A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014027119A JP2014027119A JP2012166626A JP2012166626A JP2014027119A JP 2014027119 A JP2014027119 A JP 2014027119A JP 2012166626 A JP2012166626 A JP 2012166626A JP 2012166626 A JP2012166626 A JP 2012166626A JP 2014027119 A JP2014027119 A JP 2014027119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- layer
- semiconductor layer
- barrier layer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
【解決手段】この太陽電池は、半導体層101と、半導体層101よりバンドギャップの大きな材料から構成されて障壁層102とを交互に積層した超格子構造からなる光吸収層を備える。また、半導体層101は、層厚5nm以下とされ、障壁層102は、層厚3nm以下とされている。まず、半導体層101は、シリコンから構成されている。また、障壁層102は、酸化シリコンまたは窒化シリコンなど、シリコン化合物からなる絶縁材料から構成されている。
【選択図】 図1
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における太陽電池の一部構成を示す断面図である。この太陽電池は、半導体層101と、半導体層101よりバンドギャップの大きな材料から構成されて障壁層102とを交互に積層した超格子構造からなる光吸収層を備える。また、半導体層101は、層厚5nm以下とされ、障壁層102は、層厚3nm以下とされている。
次に、本発明の実施の形態2について図5を用いて説明する。図5は、本発明の実施の形態における太陽電池の一部構成を示す断面図である。この太陽電池は、層厚5nm以下とされた半導体層501と、半導体層501よりバンドギャップの大きな材料から構成されて層厚3nm以下とされた障壁層502とを交互に積層した超格子構造からなる光吸収層を備える。
Claims (6)
- 半導体層と、
前記半導体層よりバンドギャップの大きな材料から構成された障壁層と
を交互に積層した超格子構造からなる光吸収層を備え、
前記半導体層は層厚5nm以下とされ、
前記障壁層は層厚3nm以下とされていることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1記載の太陽電池において、
前記半導体層は、シリコンから構成されていることを特徴とする太陽電池。 - 請求項2記載の太陽電池において、
前記障壁層は、酸化シリコンまたは窒化シリコンであることを特徴とする太陽電池。 - 請求項2記載の太陽電池において、
前記障壁層は、SiCであることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1記載の太陽電池において、
前記半導体層および障壁層は、III−V族化合物半導体または窒化物半導体から構成されていることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の太陽電池において、
前記半導体層は、n型またはp型とされていることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012166626A JP2014027119A (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012166626A JP2014027119A (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | 太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014027119A true JP2014027119A (ja) | 2014-02-06 |
Family
ID=50200508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012166626A Pending JP2014027119A (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | 太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014027119A (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62165129A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光センサ |
JPS63155779A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Yokogawa Electric Corp | 半導体温度センサ |
JPH0158962U (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | ||
WO2011023441A2 (de) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiter-schichtmaterial und heteroübergangs-solarzelle |
WO2011062500A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-26 | Integrated Solar As | Method for manufacturing photovoltaic solar cell and a multifunctional photovoltaic solar cell |
JP2012124392A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Hitachi Ltd | 太陽電池の製造方法 |
-
2012
- 2012-07-27 JP JP2012166626A patent/JP2014027119A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62165129A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光センサ |
JPS63155779A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Yokogawa Electric Corp | 半導体温度センサ |
JPH0158962U (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | ||
WO2011023441A2 (de) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiter-schichtmaterial und heteroübergangs-solarzelle |
WO2011062500A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-26 | Integrated Solar As | Method for manufacturing photovoltaic solar cell and a multifunctional photovoltaic solar cell |
JP2012124392A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Hitachi Ltd | 太陽電池の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102369684B1 (ko) | 일함수 감소 및 열이온 에너지 변환을 위한 시스템 및 방법 | |
KR20120100294A (ko) | 전기 에너지 발생장치 | |
Yang et al. | Enhancement of the conversion efficiency of GaN-based photovoltaic devices with AlGaN/InGaN absorption layers | |
JP2011082331A (ja) | 半導体素子 | |
US20150034159A1 (en) | Hole-blocking TiO2/Silicon Heterojunction for Silicon Photovoltaics | |
JP2016143841A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
Williams et al. | Development of a high-band gap high temperature III-nitride solar cell for integration with concentrated solar power technology | |
Wang et al. | High quantum efficiency back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet p—I—n photodetectors | |
CN106298990A (zh) | 一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池 | |
Kudryashov et al. | Design of multijunction GaPNAs/Si heterostructure solar cells by computer simulation | |
JP2012004283A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010186915A (ja) | 太陽電池 | |
JP6791249B2 (ja) | 光起電力装置 | |
JP5221695B2 (ja) | タンデム太陽電池セル | |
JP5669228B2 (ja) | 多接合太陽電池およびその製造方法 | |
JP6463937B2 (ja) | 光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法 | |
JP5742069B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
US20160343885A1 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2014027119A (ja) | 太陽電池 | |
JP2014187235A (ja) | 太陽電池 | |
JP5487295B2 (ja) | 太陽電池 | |
Haque et al. | An investigation into III–V compounds to reach 20% efficiency with minimum cell Thickness in ultrathin-film solar cells | |
JP5876562B1 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
KR101437070B1 (ko) | 광기전력 소자 | |
Li et al. | Bi2Te3/Sb2Te3 Heterojunction and Thermophotovoltaic Cells Absorbing the Radiation from Room-temperature Surroundings |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141105 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160329 |