KR101437070B1 - 광기전력 소자 - Google Patents

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Abstract

저온 성장이 가능하고 저렴한 실리콘(Si) 대면적 웨이퍼 위에 성장이 가능하고 발광특성이 우수한 광기전력 소자가 개시된다. 이러한 광기전력 소자는, 제1 광전변환부 및 제2 광전변환부를 포함한다. 상기 제2 광전변환부는, 상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, 상기 제1 광전변환부보다 큰 밴드갭을 갖는 I-VII족 반도체층들을 포함한다. 이때, 상기 제2 광전변환부는, N형 I-VII족 반도체층, I-VII족 양자 우물층 및 P형 I-VII족 반도체층을 포함한다. 상기 N형 I-VII족 반도체층은, 상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함한다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5). 상기 I-VII족 양자 우물층은, 상기 N형 I-VII족 반도체층 상부에 배치되고, CuClaBrbI(1-a-b)를 포함한다(0≤a<0.5, 0.5<b≤1). 상기 P형 I-VII족 반도체층은, 상기 I-VII족 양자 우물층 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함한다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5).

Description

광기전력 소자{Photovoltaic Device}
본 발명은 광기전력 소자에 관한 것으로, 보다 상세히 I-VII 기반의 광기전력 소자에 관한 것이다.
근래들어, 유가 상승과 지구환경문제와 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물처리 및 신규발전소 건설에 따른 위치선정 등의 문제로 인하여 신·재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해 에너지원인 광기전력 소자에 대한 연구개발이 활발하게 진행되어 지고 있다.
광기전력 소자란 광기전력 효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 광기전력 소자, 박막 광기전력 소자, 염료감응 광기전력 소자 및 유기고분자 광기전력 소자 등으로 구분된다. 이러한 광기전력 소자는 독립적으로는 전자시계, 라디오, 무인등대, 인공위성, 로켓 등의 주전력원으로 이용되고, 상용교류전원의 계통과 연계되어 보조전력원으로도 이용되며, 최근 대체 에너지에 대한 필요성이 증가하면서 광기전력 소자에 대한 관심이 높아지고 있다.
이러한 광기전력 소자에서는, 입사되는 태양 광을 전기 에너지로 변환시키는 비율과 관계된 변환효율(Efficiency)을 높이는 것이 매우 중요하다. 변환효율을 높이기 위해서 여러가지 연구가 행해지고 있으며, 높은 광흡수 계수를 갖는 박막을 광기전력 소자에 포함시킴으로써 변환효율을 높이고자 하는 기술 개발이 활발히 진행되고 있다.
광기전력 소자의 효율을 높이기 위한 하나의 방안으로서, 단일 셀 광기전력 소자 두 개 이상을 적층시켜 사용하기도 하였다. 이렇게 두 개 이상의 셀을 적층시켜 형성되는 광기전력 소자의 구조를 탠덤(tandem) 구조라고 한다.
차세대 탠덤형 광기전력 소자의 핵심소자로 사용되는 III-V족 질화물계 양자우물 구조기반 청녹색 단파장 광기전력 소자는 성장온도가 고온이며 기판으로 사용되는 사이피어가 고가이며 소면적이라는 단점을 갖고 있다. 또한 질화물계 반도체는 본질적인 특성인 활성층에 인가되는 응력에 비례하는 피에조 전계와 자발 분극에 의해 수광 및 발광특성이 다른 III-V족 반도체에 비해 열악하다.
이러한 단점을 극복하기 위해 저온 성장이 가능하고 저렴한 실리콘(Si) 대면적 웨이퍼위에 성장이 가능하고 발광특성이 우수한 광기전력 소자에 대한 개발이 요청되고 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 저온 성장이 가능하고 저렴한 실리콘(Si) 대면적 웨이퍼 위에 성장이 가능하고 광변환 특성이 우수한 광기전력 소자를 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 예시적인 실시예에 의한 광기전력 소자는, 제1 광전변환부 및 제2 광전변환부를 포함한다. 상기 제2 광전변환부는, 상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, 상기 제1 광전변환부보다 큰 밴드갭을 갖는 I-VII족 반도체층들을 포함한다.
이때, 상기 제2 광전변환부는, N형 I-VII족 반도체층, I-VII족 양자 우물층 및 P형 I-VII족 반도체층을 포함한다. 상기 N형 I-VII족 반도체층은, 상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함한다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5). 상기 I-VII족 양자 우물층은, 상기 N형 I-VII족 반도체층 상부에 배치되고, CuClaBrbI(1-a-b)를 포함한다(0≤a<0.5, 0.5<b≤1). 상기 P형 I-VII족 반도체층은, 상기 I-VII족 양자 우물층 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함한다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5).
또한, 상기 광기전력 소자는, 상기 제1 광전변환부와 상기 제2 광전변환부 사이에, CuClxBryI(1-x-y)를 포함하는 I-VII족 터널 정션(tunel junction)층을 더 포함할수 있다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5).
한편, 상기 제1 광전변환부는, 실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘층 및 상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 P형 실리콘층을 포함할 수 있다.
더욱이, 상기 제1 광전변환부는, 상기 P형 실리콘층 상부에 형성된 N형 아몰퍼스 실리콘층 및 상기 N형 아몰퍼스 실리콘층 상부에 형성된 P형 아몰퍼스 실리콘층을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 광전변환부는, 상기 P형 실리콘층과 상기 N형 아폴퍼스 실리콘층 사이에 아몰퍼스 실리콘 터널 정션층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 광기전력 소자는, 노출된 상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 N형 전극 및 상기 P형 I-VII족 반도체층 상부에 형성된 P형 전극을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1 광전변환부는, 실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘층, 상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 진성 실리콘층, 및 상기 진성 실리콘층 상부에 형성된 P형 실리콘층을 포함할 수 있다.
이때, 상기 진성 실리콘층은, 아몰러스 실리콘층 및 미세결정질 실리콘층이 교대로 적층되어 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의한 광기전력 소자는, 제1 광전변환부 및 그 상부에 제1 광전변환부보다 큰 밴드갭을 갖는 I-VII족 반도체층들을 포함하는 제2 광전변환부를 포함함으로써, 광의 이용효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 광전변환부의 CuClxBryI(1-x-y)로 표현되는 I-VII족 반도체층은 격자상수가 실리콘과 매우 유사하여, 버퍼층 및 디펙트 없이 결정성장이 용이하다.
또한, 상기 제1 광전변환부가, P형 및 N형 실리콘층과, 이와 밴드갭이 상이한 P형 및 N형 아몰퍼스 실리콘층을 포함함으로써 광의 이용효율을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 광전변환부의 진성 실리콘층에 광 흡수율이 우수한 아몰퍼스 실리콘층과 광전변환효율이 우수한 미세결정질 실리콘층을 교대로 적층하여 형성하게 되면, 광의 이용효율을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광기전력 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 광기전력 소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 예시적인 또 다른 실시예에 의한 광기전력 소자의 개략적인 단면도이다.
상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광기전력 소자의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광기전력 소자(100)는, 제1 광전변환부(110) 및 제2 광전변환부(120)를 포함한다.
상기 제1 광전변환부(110)는, 실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘(111)층 및 P형 실리콘층(112)을 포함할 수 있다.
상기 N형 실리콘층(111)은, 예컨대 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등의 N형 불순물이 도핑되어 있는 실리콘 물질로 형성될 수 있다. 상기 N형 실리콘층(111)은 예를 들어, 약 200 ~ 1000Å의 두께로 형성될 수 있으며, 비저항은 약 104 ~ 105Ωcm 정도로 형성될 수 있다.
상기 P형 실리콘층(112)은 상기 N형 실리콘층(111) 상부에 형성된다. 상기 P형 실리콘층(112)은, 예컨대 붕소(B), 칼륨(K) 등의 P형 불순물이 도핑되어 있는 실리콘 물질로 형성될 수 있다. 상기 P형 실리콘층(112)은, 예를 들어, 약 200 ~ 1000Å의 두께로 형성되며, 비저항은 약 104 ~ 105Ωcm 정도로 형성될 수 있다.
상기 N형 실리콘층(111)과 상기 P형 실리콘층(112)은 대략 1.1eV의 장파장 영역의 광을 흡수한다.
한편, 상기 제1 광전변환부(110)는, 상기 P형 실리콘층(112) 상부에 형성된 N형 아몰퍼스 실리콘층(113) 및 상기 N형 아몰퍼스 실리콘층(113) 상부에 형성된 P형 아몰퍼스 실리콘층(114)을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 광전변환부(110)는, 상기 P형 실리콘층(114)과 상기 N형 아폴퍼스 실리콘층(113) 사이에 아몰퍼스 실리콘 터널 정션층(115)을 더 포함할 수 있다. 아몰퍼스 실리콘 터널 정션층(115)은 생성된 정공전자 쌍을 외부로 용이하게 배출시킬 수 있다.
상기 N형 아몰퍼스 실리콘층(113) 및 P형 아몰퍼스 실리콘층(114)은, 앞선 형 실리콘층(111)과 상기 P형 실리콘층(112) 보다 단파장의 약 1.7 내지 1.9eV 영역의 광을 흡수한다.
이러한 상기 제1 광전변환부(110)는, 실리콘층에서 장파장 영역의 광을 흡수하고, 아몰퍼스 실리콘층에서 이보다 단파장 영역의 광을 흡수하여, 광의 이용효율을 향상시킬 수 있다.
상기 제2 광전변환부(120)는, 상기 제1 광전변환부(110) 상부에 배치되고, 상기 제1 광전변환부(110)보다 큰 밴드갭을 갖는 I-VII족 반도체층들을 포함한다.
상기 제2 광전변환부(120)는, N형 I-VII족 반도체층(121), I-VII족 양자 우물층(122) 및 P형 I-VII족 반도체층(123)을 포함한다.
상기 N형 I-VII족 반도체층(121)은, 상기 제1 광전변환부(110) 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함한다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5). 예컨대, 상기 N형 I-VII족 반도체층(121)은, N형 CuCl을 포함할 수 있다.
상기 I-VII족 양자 우물층(122)은, 상기 N형 I-VII족 반도체층(121) 상부에 배치되고, CuClaBrbI(1-a-b)를 포함한다(0≤a<0.5, 0.5<b≤1). 예컨대, 상기 I-VII족 양자 우물층(122)은, CuBrI를 포함할 수 있다.
상기 P형 I-VII족 반도체층(123)은, 상기 I-VII족 양자 우물층(122) 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함한다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5). 예컨대, 상기 P형 I-VII족 반도체층(123)은, P형 CuCl을 포함할 수 있다.
상기N형 I-VII족 반도체층(121), I-VII족 양자 우물층(122) 및 P형 I-VII족 반도체층(123)은, 예컨대 각각 200 ~ 1000Å의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 광기전력 소자(100)는, 상기 제1 광전변환부(110)와 상기 제2 광전변환부(120) 사이에, CuClxBryI(1-x-y)를 포함하는 I-VII족 터널 정션(tunel junction)층(130)을 더 포함할수 있다(0.5<x≤1, 0≤y<0.5). I-VII족 터널 정션층(130)은 생성된 정공전자 쌍을 외부로 용이하게 배출시킬 수 있다.
이러한 구조를 갖는, 상기 제2 광전변환부(120)는 2.9eV의 단파장 영역대의 광을 흡수하여, 광의 활용도를 보다 향상시킬 수 있다. 더욱이, 앞선 물질들을 포함하는 I-VII족 반도체의 격자 상수는 대략 0.542nm로서, 대략 0.543nm의 격자상수를 갖는 실리콘과 유사하여, 버퍼층이나, 디펙트(defect) 없이, 결정성장이 가능하다.
한편, 상기 광기전력 소자(100)는, 노출된 상기 N형 실리콘층(111) 상부에 형성된 N형 전극(140) 및 상기 P형 I-VII족 반도체층(123) 상부에 형성된 P형 전극(150)을 더 포함할 수 있다. 상기 N형 전극(140) 또는 P형 전극(150)은, 알루미늄, 아연, 몰리브덴 등의 단일 금속 또는 이들의 합금으로 형성되거나, 상기 단일금속 또는 합금의 산화물 등으로 형성될 수 있다.
도시된 도 1과 다르게, P형 전극(150)은 ITO, IZO 등의 투명 도전체를 포함하며, 상기 P형 I-VII족 반도체층(123) 상부면 전체를 커버하도록 형성될 수 있으며, 또한, N형 전극(140)은 N형 실리콘층(111) 하부면을 전체적으로 커버하도록 형성될 수 있으며, 반사율이 좋은 금속으로 형성되어, 하부에 도달한 광을 반사시켜 광 이용효율을 보다 향상시킬 수 있다.
도 2는, 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 광기전력 소자의 개략적인 단면도이다. 도 2에서 도시된 본 발명의 다른 실시예에 의한 광기전력 소자는 도 1에서 도시된 광기전력 소자와 제1 광전변환부를 제외하면 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일 또는 유사한 구성요소는 동일한 참조부호를 병기하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적인 또 다른 실시예에 의한 광기전력 소자(100)는, 제1 광전변환부(110) 및 제2 광전변환부(120)를 포함한다.
상기 제1 광전변환부(110)는, 실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘(111)층, 진성 실리콘층(116) 및 P형 실리콘층(112)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 P형 실리콘층(112)을 통과하는 광이 P형 실리콘층(112)에서 흡수되지 않고 통과되어 상기 진성 실리콘층(116)에 도달하는 것이 바람직하다. 이를 위해, P형 실리콘층(112)은 상기 진성 실리콘층(116)과는 다른 밴드갭(band gap) 특성을 갖는 것이 바람직하다. 보다 상세히 상기 진성 실리콘층(116)은, 상기 P형 실리콘층(112)에 비하여 작은 밴드갭 에너지를 갖는 것이 바람직하다. 밴드갭 에너지를 증가시키기 위하여, P형 실리콘층(112)에는 탄소(C)가 더 첨가될 수 있다.
도 3은, 본 발명의 예시적인 또 다른 실시예에 의한 광기전력 소자의 개략적인 단면도이다. 도 3에서 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 광기전력 소자는 도 2에서 도시된 광기전력 소자와 진성실리콘층을 제외하면 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일 또는 유사한 구성요소는 동일한 참조부호를 병기하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 예시적인 또 다른 실시예에 의한 광기전력 소자(100)는, 제1 광전변환부(110) 및 제2 광전변환부(120)를 포함한다.
상기 제1 광전변환부(110)는, 실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘(111)층, 진성 실리콘층(116) 및 P형 실리콘층(112)을 포함할 수 있다.
진성 실리콘층(116)은 N형 실리콘층(111)과 P형 실리콘층(112) 사이에 형성된다. 진성 실리콘층(116)은 광전 변환 효율을 높이기 위하여, 복수의 아몰퍼스 실리콘층(116a)과 복수의 미세결정질 실리콘층(116b)이 서로 교대로 적층된 구조로 형성된다. 이때, 미세결정질 실리콘층(116b)은 아몰퍼스과 단결정 실리콘의 경계물질로서 수십 nm에서 수백 nm의 결정크기를 갖는 나노 스케일(nano scale)의 실리콘 결정들이 형성된 층을 의미한다.
아몰퍼스 실리콘층(116a)과 미세결정질 실리콘층(116b)은 서로 다른 두께를 갖거나, 또는 서로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 또한, 아몰퍼스 실리콘층들(132)과 미세결정질 실리콘층들(134)은 서로 동일한 층수를 갖거나, 서로 다른 층수를 갖도록 형성될 수 있다. 진성 실리콘층(116)의 두께는 아몰퍼스 실리콘층(116a)과 미세결정질 실리콘층(116b)의 두께 비에 따라 탄력적으로 변할 수 있으며, 예를 들어, 약 500 ~ 2000nm의 두께로 형성될 수 있다.
일반적으로, 실리콘을 이용한 광전소자는 진성 실리콘층의 광 흡수율과 광전변환효율에 따라 광전 효율이 결정된다. 이러한 관점에서, 아몰퍼스 실리콘층(116a)은 결정면을 갖지 않기 때문에 미세결정질 실리콘층(116b)에 비하여 광 흡수율이 우수하다. 반면, 미세결정질 실리콘층(116b)은 결정면에서 광을 반사시키기 때문에 광 흡수율은 아몰퍼스 실리콘층(116a)보다 낮지만, 전자 이동도가 아몰퍼스 실리콘층(116a)보다 우수하기 때문에 흡수된 광을 전기로 변환하는 광전변환효율은 아몰퍼스 실리콘층(116a)보다 우수하다. 따라서, 광 흡수율이 우수한 아몰퍼스 실리콘층(116a)과 광전변환효율이 우수한 미세결정질 실리콘층(116b)을 적층하여 형성하게 되면, 진성 실리콘층(116)의 광전 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 앞선 실시예들에서, 제1 광전변환부(110), 또는 제2 광전변환부(120)중 어느 하나는 이와 다르게 AlGaP/GaP로 대치되어질 수도 있다. AlGaP/GaP는 격자상수가 0.545nm로서 밴드갭이 매우 유사하여 대면적 Si기판 위에 결함없이 성장 가능하다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 광기전력 소자 110: 제1 광전변환부
111: N형 실리콘층 112: P형 실리콘층
113: N형 아몰퍼스 실리콘층 114: P형 아몰퍼스 실리콘층
115: 아몰퍼스 실리콘 터널 정션층 116: 진성 실리콘층
116a: 아몰퍼스 실리콘층 116b: 미세결정질 실리콘층
120: 제2 광전변환부 121: N형 I-VII족 반도체층
122: I-VII족 양자 우물층 123: P형 I-VII족 반도체층
130: I-VII족 터널 정션층 140: N형 전극
150: P형 전극 160: 실리콘 기판

Claims (9)

  1. 제1 광전변환부; 및
    상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, 상기 제1 광전변환부보다 큰 밴드갭을 갖는 I-VII족 반도체층들을 포함하는 제2 광전변환부를 포함하고,
    상기 제2 광전변환부는,
    상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함하는 N형 I-VII족 반도체층(0.5<x≤1, 0≤y<0.5);
    상기 N형 I-VII족 반도체층 상부에 배치되고, CuClaBrbI(1-a-b)를 포함하는 I-VII족 양자 우물층(0≤a<0.5, 0.5<b≤1); 및
    상기 I-VII족 양자 우물층 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함하는 P형 I-VII족 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자(0.5<x≤1, 0≤y<0.5).
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광전변환부와 상기 제2 광전변환부 사이에, CuClxBryI(1-x-y)를 포함하는 I-VII족 터널 정션(tunel junction)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자(0.5<x≤1, 0≤y<0.5).
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광전변환부는,
    실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘층; 및
    상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 P형 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 광전변환부는,
    상기 P형 실리콘층 상부에 형성된 N형 아몰퍼스 실리콘층; 및
    상기 N형 아몰퍼스 실리콘층 상부에 형성된 P형 아몰퍼스 실리콘층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 광전변환부는,
    상기 P형 실리콘층과 상기 N형 아폴퍼스 실리콘층 사이에 아몰퍼스 실리콘 터널 정션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자.
  7. 제4항에 있어서,
    노출된 상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 N형 전극; 및
    상기 P형 I-VII족 반도체층 상부에 형성된 P형 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광전변환부는,
    실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘층;
    상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 진성 실리콘층; 및
    상기 진성 실리콘층 상부에 형성된 P형 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 진성 실리콘층은,
    아몰러스 실리콘층 및 미세결정질 실리콘층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 광기전력 소자.

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