JP2014026287A - 発光表示装置の駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子を所望の輝度階調で発光動作させる際、良好な画質を実現することができる発光表示装置の駆動回路および駆動方法を提供する。
【解決手段】画素回路は、供給される電流で輝度が決定される発光素子と、該発光素子に電流を供給する駆動トランジスタとを含んでいる。閾値補正回路のオペアンプ（ＡＭＰ７，ＡＭＰ８）を用いて画素回路の容量素子（１９）に、駆動トランジスタ（Ｔｒ１０）のしきい値を含む電位を保存する期間を設ける。発光素子駆動期間にその容量素子（１９）の電位を駆動トランジスタ（Ｔｒ１０）のゲート電位に入力し、そのときに流れる電流値で発光素子（９）の輝度を制御する。閾値補正回路は画素回路列ごとに設けることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光表示素子、特に有機エレクトロルミネッセンス（Electro-Luminescence、以下ＥＬと略す）素子を用いた発光表示装置の駆動回路に関する。

近年、液晶表示装置やプラズマディスプレイに続く次世代の大画面、薄型表示装置として、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子、発光ダイオードなど、自発光素子を用いたディスプレイの開発が活発に行われている。

特に、有機ＥＬ素子は、ガラス基板やさらに薄いフィルムなどのフレキシブル基板上に成膜可能であることから、近年の発光効率や信頼性向上に伴って、本格的な実用化が期待されている。

有機ＥＬ素子の駆動には、液晶ディスプレイで実績のある、ポリシリコン、アモルファス半導体などを用いた、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）によるアクティブマトリクス駆動方式が主流である。

中でもアモルファス半導体は、フィルム基板上への低温プロセスで形成が可能である点で、大型、薄型ディスプレイ用途に優位性を持つ。

アクティブマトリックス（Active-Matrix、以下ＡＭと記す）型有機ＥＬ表示装置は、駆動トランジスタに印加される電圧、又は電流信号に従って、有機ＥＬ素子へ供給する電圧、電流等を制御することで、輝度を調節し、階調表示を行う（図１５）。このようなAM型有機ＥＬ表示装置の、駆動トランジスタを含む画素回路の一例が特許文献１に記載されている。

特開２００３−５８１０６号公報

しかしながら、実際は、駆動トランジスタで有機ＥＬ素子の輝度を制御するには、以下のような問題がある。

即ち、駆動トランジスタの電気特性が、製造プロセスの変動で画素ごとにばらつく場合がある。また駆動トランジスタの電気特性が、環境や通電時間に依存して変化する場合がある。そして電気特性が変化する場合、特にしきい値の変化が顕著である。

このため、同じデータ信号を印加していても、駆動トランジスタに流れる電流が異なる。これが画素毎に、また時間とともに発光素子の輝度の差を生じる原因となり、ひいては表示画面全体で見たときのムラをもたらすことになる。

これに対し、発光素子に印加される電圧と、データ信号とが差動増幅器を用いた負帰還ループにより、同電位となるように動作することによって、駆動トランジスタの電気特性のばらつきをキャンセルすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。この場合、発光素子への輝度の制御は電圧で供給されることになる。

しかしながら、有機ＥＬ素子の輝度を電圧で制御すると、
輝度−電圧特性が線形でないため、階調制御がより複雑になる。

また、輝度−電圧特性の経時変化の影響を免れない。

以上の理由から、輝度は電圧でなく、電流で制御することが望ましい。

そこで本発明は、発光表示装置において、発光素子へ安定した電流を供給するため、駆動トランジスタのしきい値がばらついたり、経時変化した場合でも、良好な画質を実現する駆動回路を提供することを目的とする。即ち、駆動トランジスタのしきい値を補正することによって、発光素子を所望の輝度階調で発光動作させる際、良好な画質を実現することができる発光表示装置の駆動回路および駆動方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明者らが鋭意検討を行ったところ完成に至ったものである。

本発明の発光表示装置の駆動回路は、供給される電流に従って輝度が決定される発光素子と、前記発光素子に前記電流を供給する駆動トランジスタとを含む画素回路を備える発光表示装置の駆動回路であって、
前記駆動トランジスタの制御電極に前記発光素子に前記電流を供給するための第１の信号が入力されたときに、前記駆動トランジスタのソースから出力される第２の信号が入力され、第３の信号を出力する閾値補正回路を有し、
前記閾値補正回路は、基準電位に対して、入力電圧をゲイン１で反転し出力する反転増幅器であり、
前記画素回路は、前記閾値補正回路の出力に接続され、前記第３の信号を保持し、前記駆動トランジスタの制御電極に接続されたときに前記第３の信号を前記駆動トランジスタの制御電極に供給する第１の容量素子と、前記駆動トランジスタの制御電極に接続された第２の容量素子と、前記駆動トランジスタのソースと前記閾値補正回路の入力との間、前記第１の容量素子と前記駆動トランジスタの制御電極との間、ならびに前記駆動トランジスタの制御電極と前記第１の信号の信号線との間に配置されたスイッチ群とを備え、
前記スイッチ群は、
前記閾値補正回路が前記第３の信号を出力する閾値プログラム期間に、前記駆動トランジスタのソースを前記閾値補正回路の入力に接続し、前記駆動トランジスタの制御電極を前記第１の信号の信号線に接続し、
前記第３の信号に基づいて前記発光素子を駆動する発光素子駆動期間に、前記駆動トランジスタのソースを前記閾値補正回路の入力から切り離し、前記駆動トランジスタの制御電極を前記第１の信号の信号線から切り離すとともに前記第１の容量素子に接続して、前記第１の容量素子の電荷を前記第２の容量素子に移動した後、前記駆動トランジスタの制御電極を前記第１の容量素子から切り離すことを特徴とする。

本発明によれば、製造プロセス、環境条件や通電時間で駆動トランジスタのしきい値変動があっても、画質のムラなどの問題が生じない高品位な発光表示装置を安定して提供できる。

本発明の駆動回路の一実施形態の構成及びその動作を示す図である。 閾値補正回路を画素回路列ごとに設けた構成を示す図である。 本発明の駆動回路の第１実施例となる、ＡＭ型有機ＥＬ表示装置の画素回路と閾値補正回路の構成を示す図である。 実施例１の画素回路の動作を示すタイミングチャートである。 実施例１のＡＭ型有機ＥＬ表示装置の全体の概略的構成を示す図である。 データドライバと閾値補正回路部とを示す図である。 Ｄ／Ａ変換回路、閾値補正回路部及び画素回路列を示す図である。 しきい値プログラム期間での画素回路部と閾値補正回路との回路構成を示す図である。 発光素子と接続している領域の回路構成を示す図である。 本発明における発光表示装置の駆動回路の第５の実施例を示す図である。 第５実施例のタイミングチャートを示す図である。 しきい値プログラム期間での画素回路部と閾値補正回路との回路構成を示す図である。 発光素子駆動期間での画素回路部と閾値補正回路との回路構成を示す図である。 デジタルスチルカメラの一例のブロック図である。 アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の画素回路の配置を示す図である。

次に、本発明の最良の形態について図面を参照して説明する。

本発明に使用される駆動トランジスタは、電気・光学特性を構成するパラメータの内、しきい値がばらつく、または、電気的ストレスによる電気・光学特性の変化として、しきい値シフトが見られるものである。ただし、当該移動度のばらつき、あるいはシフトは、求められる電流負荷デバイスの仕様の範囲内であるとする。

本発明は駆動用トランジスタのしきい値電圧の変動を補正し、発光素子は、前記駆動用トランジスタのしきい値電圧の影響が抑制された、安定な発光強度を得るものである。発光素子としては、供給される電流で輝度が決定される発光素子、例えばＡＭ型有機ＥＬ素子を用いることができる。

以下、図面を用いて本発明の駆動回路の一実施形態の構成及びその動作について説明する。図１に示すように、駆動トランジスタのドレイン端子は発光素子に接続され、ソース端子は駆動トランジスタの閾値を補正ための閾値補正回路に接続される。駆動トランジスタの制御電極となるゲートには、データ電圧Vdataと閾値補正回路からの出力のいずれかが入力される。発光素子の発光素子駆動期間の前の期間においてスイッチをオンにし、駆動トランジスタのゲートにデータ電圧Vdata（第１の信号）を入力する。Vdata−Vth（第２の信号。Vthは閾値電圧）が閾値補正回路に入力され、閾値補正回路で閾値電圧Vthの極性（正負）を反転させてVdata＋Vthを駆動トランジスタのゲートに出力する（第３の信号）。ここで、
駆動トランジスタのドレイン電流Ｉdsは、ゲート−ソース間電圧をＶgsとすると、
Ｉds∝（Ｖgs−Ｖth）^２
となり、Ｖgs＝Ｖdata＋Ｖthとなるので、
Ｉds∝（Ｖdata）^２
となる。

これによって、スイッチがオフされ、発光素子駆動期間（発光期間）において駆動トランジスタにより発光素子へ供給される電流は、駆動トランジスタのしきい値Ｖthから独立した値となり、Ｖthの値やその変化の影響をほとんど受けることがなくなる。

なお、閾値補正回路は閾値電圧Vthの極性（正負）を反転させる機能を有すればよく、必ずしも（Vdata＋Vth）を出力する必要はない。例えば後述する実施例４で説明するように、（２Ｖ１−Ｖdata＋Ｖth）を出力してもよい。ここで、Ｖ１は任意のＤＣ電圧であり、２Ｖ１−Ｖdataはデータ電圧Vdataに対応する信号となる。Ｖ１＝Ｖdataの場合は、閾値補正回路の出力はVdata＋Vthとなる。またスイッチはなくてもよい。

本実施形態において、閾値補正回路は駆動トランジスタを含む画素回路ごとに設け、閾値補正回路と画素回路とで画素を構成することができる。しかし、図２に示すように閾値補正回路３１を、複数の画素回路１１が配列された画素回路列ごとに設けてもよい。後述する実施例では図２に示す構成について説明する。画素回路の構成は後述する実施例において説明を行うが、特にかかる構成に限定されるものではない。

なお、本明細書では、駆動用電界効果トランジスタを駆動トランジスタとして、説明する。

図３は本発明の駆動回路の第１実施例となる、ＡＭ型有機ＥＬ表示装置の画素回路と閾値補正回路の構成を示す図、図４は画素回路の動作を示すタイミングチャートである。図５はＡＭ型有機ＥＬ表示装置の全体の概略的構成を示す図である。図６はデータドライバと閾値補正回路部とを示す図、図７はＤ／Ａ変換回路、閾値補正回路部及び画素回路列を示す図である。なお、図５において、簡略化のために閾値補正回路は図示されていない。本実施例では供給される電流で輝度が決定される発光素子としてＡＭ型有機ＥＬ素子を用いている。

図５に示すように、ＡＭ型有機ＥＬ表示装置は、２次元に配列された画素回路１１からなる画素領域４１、データドライバ４２、走査ドライバ４３から構成される。データドライバ４２はデータ線ＤＬ１〜ＤＬｎを介してデータ信号を各画素回路に送る。走査ドライバ４３は走査線ＳＬ１〜ＳＬｎを介して走査信号を送り画素回路行ごとに走査を行う。図６に示すように、データドライバ４２はシフトレジスタ、データレジスタ、データラッチ回路、Ｄ／Ａ変換回路からなる。図６及び図７に示すように、閾値補正回路３１は画素回路列ごとに配され、また閾値補正回路３１は複数配列されて閾値補正回路部を構成し、閾値補正回路部はＤ／Ａ変換回路と画素領域４１との間に配置される。すなわち、閾値補正回路は複数の画素回路が配置された画素領域４１の周辺領域に配置される。

図３に示すように、画素回路１１は、有機ＥＬ素子９、スイッチＳＷ１〜ＳＷ６、駆動トランジスタＴｒ１０、容量素子１９とを備える。閾値補正回路３１は、電流源（電流源回路となる）１２、オペアンプＡＭＰ７，ＡＭＰ８、抵抗素子１４，１５を備える。

画素回路１１内において、有機ＥＬ素子９のカソードがＮ型の駆動トランジスタＴｒ１０のドレイン端子と接続されている。データ電圧VdataはスイッチＳＷ５を介して駆動トランジスタＴｒ１０の制御電極となるゲートに入力される。一方、閾値補正回路３１からの出力はスイッチＳＷ２を介して容量素子１９に蓄積され、有機ＥＬ素子９を発光させる期間において、スイッチＳＷ５をＯＦＦ、スイッチＳＷ４をＯＮとして駆動トランジスタのゲートに閾値補正回路３１からの信号を出力する。

第１のオペアンプとなるオペアンプＡＭＰ７は、出力端子が第１の抵抗素子となる抵抗素子Ｒ１４を介して、第２のオペアンプとなるオペアンプＡＭＰ８の反転入力端子と接続される。オペアンプＡＭＰ７の非反転入力端子が駆動トランジスタＴｒ１０のソース端子とスイッチＳＷ１を介して接続され、かつオペアンプＡＭＰ７の反転入力端子が自身の出力端子と接続される。オペアンプＡＭＰ８は、出力端子と反転入力端子とが抵抗素子Ｒ１５を介して接続される。容量素子１９は、オペアンプＡＭＰ８の出力端子とスイッチＳＷ２を介して接続される。スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＴｒ１０のソース端子とＧＮＤとの間に接続される。スイッチＳＷ４およびＳＷ５は、一方の端子が駆動トランジスタＴｒ１０のゲート端子に接続される。スイッチＳＷ４の他方の端子は、容量素子１９とスイッチＳＷ２との接続点と接続される。スイッチＳＷ５の他方の端子は、データドライバからの信号線と接続されている。スイッチＳＷ６は有機ＥＬ素子９の両端子に並列に接続される。

画素回路１１内のトランジスタや容量素子は、アモルファス半導体プロセスで形成され、閾値補正回路３１内の電流源１２、抵抗素子１４，１５、オペアンプＡＭＰ７，ＡＭＰ８は結晶Ｓｉプロセスにおいて作成する。同様に、データドライバ部も結晶Ｓｉプロセスで作成される。

本実施形態の回路構成は、スイッチＳＷ１からＳＷ６を用い、画像表示にあたっては、少なくとも［しきい値プログラム期間］および［発光素子駆動期間］の２通りのモードを実現するような回路構成からなる。そのときの各スイッチのタイミングチャートを図４に示す。

図４において、Ｐ１がスイッチＳＷ１，２，６の制御信号、
Ｐ２がスイッチＳＷ５の制御信号、
Ｐ３がスイッチＳＷ３の制御信号、
Ｐ４がスイッチＳＷ４の制御信号、
のタイミングを示す。

［しきい値プログラム期間］
図８はしきい値プログラム期間での画素回路部と閾値補正回路との回路構成を示す図である。

図８に示すように、しきい値プログラム期間では、スイッチＳＷ１，２，５，６が同時にＯＮ状態、かつスイッチＳＷ３，４が同時にＯＦＦ状態になる期間が存在するようスイッチＳＷ１〜ＳＷ６が開閉している。

［発光素子駆動期間］
図９は発光素子駆動期間での発光素子と接続している領域の回路構成を示す図である。図９に示すように、スイッチＳＷ３，４が同時にＯＮ状態、かつスイッチＳＷ１，２，５，６が同時にＯＦＦ状態になる期間が存在するようＳＷ１〜ＳＷ６が開閉している。

以下に回路動作の説明を示す。

しきい値プログラム期間においては、図５に示すように、データドライバ４２のＤ／Ａ変換回路からの信号Ｖdataを、しきい値Ｖthを有する駆動トランジスタＴｒ１０のゲート、およびオプアンプＡＭＰ８の基準電源Ｖref１３に入力する。

このときの駆動トランジスタＴｒ１０のドレインは電源に、かつソースは、電流源１２に接続されている。駆動トランジスタ１０および電流源１２でソースフォロア回路となって、ソース電圧が、ボルテージフォロアであるオプアンプＡＭＰ７を介して、ゲイン１倍の反転増幅器となるオプアンプＡＭＰ８の反転入力端子に入る。抵抗素子Ｒ１４およびＲ１５は、等しい抵抗値とする。

ここで図３において、ソースフォロアの出力をノード１６、ボルテージフォロアアンプの出力をノード１７とすると、
ノード１６の電位：Ｖdata−Ｖth
ノード１７の電位：Ｖdata−Ｖth
オプアンプＡＭＰ８において、反転入力端子の入力Ｖinとすると、基準電位Ｖref１３に対して、ノード１８の出力Ｖoutは、
（Ｖin＋Ｖout）／２＝Ｖref
Ｖout＝２Ｖref−Ｖin
ここでＶin＝Ｖdata−ＶthかつＶref＝Ｖdataのとき、
Ｖout＝Ｖdata＋Ｖth・・・・・・・・・・（１）
となる。

この電位が、容量素子１９に保持される。また、この期間、有機ＥＬ素子は発光していない。

次に、発光素子駆動期間においては、図９に示すように、駆動トランジスタＴｒ１０のゲート端子は、データドライバ４２からの信号線とは遮断され、代わりに容量素子１９と接続されている。

駆動トランジスタＴｒ１０のドレイン端子は、有機ＥＬ素子のカソードに、ソース端子はＧＮＤに接続されている。

ここで駆動トランジスタＴｒ１０のドレイン電流Ｉdsは、ゲート−ソース間電圧をＶgsとすると、
Ｉds∝（Ｖgs−Ｖth）^２
ここで、先のしきい値プログラム期間により
Ｖgs＝Ｖdata＋Ｖthとなるので、
Ｉds∝（Ｖdata）^２・・・・・・・・・・（２）
で表される。

これによって、駆動トランジスタＴｒ１０から有機ＥＬ素子へ供給される電流は、駆動トランジスタのしきい値Ｖthから独立した値となり、しきい値Ｖthの値やその変化の影響をほとんど受けることがない。

なお上述した実施例では、駆動トランジスタをＮ型とした場合で述べたが、Ｐ型でも同様の効果が期待できる。

また、有機ＥＬ素子を用いる発光表示装置について述べたが、供給される電流により発光する発光表示装置や、供給される電流により任意の機能を示す一般的な電流負荷を用いる電流負荷デバイスにも適用できる。

本発明の実施例２の構成は、実施例１とほぼ同様に、図３、図４、図８および図９で示される。但し、図３中のスイッチＳＷ６がない構成とする。これにより実施例１に比べて画素領域でのスイッチ素子を一つ低減できる。

この場合、しきい値プログラム期間では、有機ＥＬ素子は、
Ｉds∝（Ｖdata−Ｖth）^２
のように、駆動トランジスタ１０のＶthをパラメータとする供給電流で発光することになる。しかし正規の発光素子駆動期間に比べ十分短い期間であることから、その期間での輝度の影響はフレーム期間全体から見ると無視できる。

本発明の実施例３の構成は、実施例１とほぼ同様に、図３、図４、図８および図９で示される。但し、電流源１２がない構成とする。

この場合、しきい値プログラム期間において、ノード１６が、ほぼ（Ｖdata−Ｖth）の電位レベルとなることから、実施例１と同様の動作を経てほぼ同じ効果をもたらす。

本発明の実施例４の構成は、実施例１と同様に、図３、図４、図８および図９で示される。但し、反転増幅器となるオプアンプＡＭＰ８の基準電源１３は、データドライバからの信号でなく、他の電位レベルを有するＤＣ電源とする。

この場合、先述したしきい値プログラム期間において、オプアンプＡＭＰ８における出力は、
（Ｖin＋Ｖout）／２＝Ｖref
Ｖout＝２Ｖref−Ｖin
ここでＶin＝Ｖdata−ＶthかつＶref＝Ｖ１（Ｖ１は任意のＤＣ電圧）
Ｖout＝２Ｖ１−Ｖdata＋Ｖth・・・・・・・・・・（３）
一方、発光素子駆動期間の駆動トランジスタを流れる電流は、
Ｉds∝（Ｖgs−Ｖth）^２
Ｖgs＝２Ｖ１−Ｖdata＋Ｖthとなるので、
Ｉds∝（２Ｖ１−Ｖdata）^２・・・・・・・・・・（４）
となり、有機ＥＬ素子への供給電流は、実施例１同様、Ｖthの値やその変化の影響をほとんど受けることがない。

本発明における発光表示装置の駆動回路の第５の実施例を図１０に示す。図３の構成と異なるのは、容量素子２０が設けられていること、スイッチＳＷ５が削除されていること、データ信号VdataがスイッチＳＷ４を介して駆動トランジスタＴｒ１０の制御電極となるゲートに入力されることである。ここで容量素子２０は、データドライバから、画素内のスイッチＳＷ２までの配線およびそこに接続されているスイッチトランジスタなどの寄生容量成分を総称する。

本実施形態の回路構成は、第１実施例と同様に、画像表示にあたっては、少なくとも［しきい値プログラム期間］および［発光素子駆動期間］の２通りのモードを実現するような回路構成からなる。そのときの各スイッチのタイミングチャートを図１１に示す。

［しきい値プログラム期間］
図１２はしきい値プログラム期間での画素回路部と閾値補正回路との回路構成を示す図である。図１２に示すように、スイッチＳＷ１，４，６が同時にＯＮ状態、かつスイッチＳＷ２，３が同時にＯＦＦ状態になる期間が存在するようスイッチが開閉している。

［発光素子駆動期間］
図１３に示すように、スイッチＳＷ１，４，６をＯＦＦ状態とし、スイッチＳＷ２をＯＮ状態として容量素子２０の電荷を容量素子１９に移動する。次にスイッチＳＷ２をＯＦＦ状態、スイッチＳＷ３をＯＮ状態とする。駆動トランジスタＴｒ１０のゲート端子には容量素子１９が、ドレイン端子には有機発光素子９が、またソース端子にはＧＮＤが接続されている。

以下に回路動作の説明を示す。

しきい値プログラム期間においては、実施例１とほぼ同様の動作になる。但し、図１２に示すように、ノード１８の電位は、容量素子２０に蓄えられる。この期間、有機ＥＬ素子は発光していない。

次に、発光素子駆動期間においては、まず図１３に示すように、スイッチＳＷ２をＯＮ状態、スイッチＳＷ４をＯＦＦ状態とすることで、容量素子１９の端子が、データドライバからの信号線とは遮断され、代わりに容量素子２０と接続されている。

次にスイッチＳＷ２がＯＦＦ状態となり、容量素子２０の電荷を容量素子１９に移動する。

駆動トランジスタＴｒ１０のゲート端子は、容量素子１９により、Ｖdata＋Ｖthに保持される。同時にトランジスタ１０のドレイン端子は、有機ＥＬ素子のカソードに、ソース端子はＧＮＤに接続されている。

ここでトランジスタ１０のドレイン電流Ｉdsは、実施例１と同様に、
Ｉds∝（Ｖdata）^２・・・・・・・・・・（２）
で表される。

これによって、駆動トランジスタＴｒ１０から有機ＥＬ素子９へ供給される電流は、駆動トランジスタのしきい値Ｖthから独立した値となり、Ｖthの変化の影響をほとんど受けることがない。

本実施例においては、画素内のスイッチの数を、実施例１の６つの場合に比べて、一つ削減できる。

さらに、実施例２と同様、スイッチＳＷ６も削減した場合、画素内のスイッチ４つで動作が可能になる。

上述した各実施例のＡＭ型有機ＥＬ表示装置は情報表示装置を構成できる。この情報表示装置は携帯電話、携帯コンピュータ、スチルカメラもしくはビデオカメラ等のカメラ、もしくはそれらの各機能の複数を実現する装置に用いられる。

以下本発明の好適な実施例として、上述した実施例１に記載のＡＭ型有機ＥＬ表示装置を用いたデジタルカメラについて説明する。

図１４はデジタルスチルカメラの一例のブロック図である。図中、１２９はシステム全体、１２３は被写体を撮像する撮影部、１２４は映像信号処理回路（映像信号処理部となる）、１２５は表示パネル、１２６はメモリ、１２７はＣＰＵ、１２８は操作部を示す。撮像部１２３で撮影した映像または、メモリ１２６に記録された映像を、映像信号処理回路１２４で信号処理し、表示パネル１２５で見ることができる。ＣＰＵ１２７では、操作部１２８からの入力によって、撮影部１２３、メモリ１２６、映像信号処理回路１２４などを制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。

ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６ スイッチトランジスタ
ＡＭＰ７，ＡＭＰ８ オペアンプ
９ 発光素子
１０ 駆動トランジスタ
１１ １画素内の領域
１２ 電流源
１３ 基準電位
Ｒ１４，Ｒ１５ 抵抗素子
１９，２０ 容量素子

Claims (6)

1. 供給される電流に従って輝度が決定される発光素子と、前記発光素子に前記電流を供給する駆動トランジスタとを含む画素回路を備える発光表示装置の駆動回路であって、
   前記駆動トランジスタの制御電極に前記発光素子に前記電流を供給するための第１の信号が入力されたときに、前記駆動トランジスタのソースから出力される第２の信号が入力され、第３の信号を出力する閾値補正回路を有し、
   前記閾値補正回路は、基準電位に対して、入力電圧をゲイン１で反転し出力する反転増幅器であり、
   前記画素回路は、前記閾値補正回路の出力に接続され、前記第３の信号を保持し、前記駆動トランジスタの制御電極に接続されたときに前記第３の信号を前記駆動トランジスタの制御電極に供給する第１の容量素子と、前記駆動トランジスタの制御電極に接続された第２の容量素子と、前記駆動トランジスタのソースと前記閾値補正回路の入力との間、前記第１の容量素子と前記駆動トランジスタの制御電極との間、ならびに前記駆動トランジスタの制御電極と前記第１の信号の信号線との間に配置されたスイッチ群とを備え、
   前記スイッチ群は、
   前記閾値補正回路が前記第３の信号を出力する閾値プログラム期間に、前記駆動トランジスタのソースを前記閾値補正回路の入力に接続し、前記駆動トランジスタの制御電極を前記第１の信号の信号線に接続し、
   前記第３の信号に基づいて前記発光素子を駆動する発光素子駆動期間に、前記駆動トランジスタのソースを前記閾値補正回路の入力から切り離し、前記駆動トランジスタの制御電極を前記第１の信号の信号線から切り離すとともに前記第１の容量素子に接続して、前記第１の容量素子の電荷を前記第２の容量素子に移動した後、前記駆動トランジスタの制御電極を前記第１の容量素子から切り離すことを特徴とする発光表示装置の駆動回路。
2. 前記画素回路は２次元に配列され、前記第１の信号は画素回路列ごとに設けられたデータ線により入力され、
   前記閾値補正回路は前記画素回路列ごとに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置の駆動回路。
3. 前記画素回路は、前記スイッチ群に加えて、第１のスイッチを備え、
   前記閾値補正回路は、定電流源と、第１及び第２のオペアンプと、第１及び第２の抵抗素子とを有し、
   前記第１のオペアンプは、出力端子が前記第１の抵抗素子を介して前記第２のオペアンプの反転入力端子に接続され、非反転入力端子は前記定電流源に接続され、かつ反転入力端子は前記第１のオペアンプの出力端子に接続され、
   前記第２のオペアンプは、出力端子と反転入力端子が前記第２の抵抗素子を介して互いに接続され、かつ、非反転入力端子は基準電位に接続され、
   前記第１のスイッチは、前記駆動トランジスタのソース端子とＧＮＤとの間に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光表示装置の駆動回路。
4. 前記画素回路は２次元に配列され、前記信号線は画素回路列ごとに設けられ、
   前記閾値補正回路は前記画素回路列ごとに設けられ、且つ複数の前記画素回路が配置された画素領域の周辺領域に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の発光表示装置の駆動回路。
5. 前記発光素子の両端子に並列して接続される第２のスイッチを有することを特徴とする請求項３に記載の発光表示装置の駆動回路。
6. 前記発光素子が有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光表示装置の駆動回路。

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