JP2014022550A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、下層膜上の第1領域に第1所定パターンを含み、第2領域に第2所定パターン及びダミーパターンを含む物理ガイドを形成する工程と、前記物理ガイド内にブロックポリマーを形成する工程と、前記ブロックポリマーをミクロ相分離させ、第1ポリマー部及び第2ポリマー部を有するパターンを形成する工程と、前記第2ポリマー部を除去してホールパターンを形成する工程と、前記物理ガイド及び前記第1ポリマー部をマスクとして前記下層膜を加工する工程と、を備える。前記下層膜を加工する工程では、前記ダミーパターンにおける前記ホールパターンの形状は前記下層膜に転写されない。
【選択図】図7
Description
102 ハードマスク
103 反射防止膜
104 レジスト膜
105a ホールパターン
105b ダミーホールパターン
106 ブロックポリマー
107a、107b 第1ポリマー部
108a、108b 第2ポリマー部
109a、109b 自己組織化相
110a、110b ホールパターン
Claims (5)
- 下層膜上の第1領域に第1所定パターンを含み、第2領域に第2所定パターン及びダミーパターンを含む物理ガイドを形成する工程と、
前記物理ガイド内にブロックポリマーを形成する工程と、
前記ブロックポリマーをミクロ相分離させ、第1ポリマー部及び第2ポリマー部を有するパターンを形成する工程と、
前記第1ポリマー部を残存させつつ前記第2ポリマー部を除去してホールパターンを形成する工程と、
前記第2ポリマー部の除去後、前記物理ガイド及び前記第1ポリマー部をマスクとして前記下層膜を加工する工程と、
を備え、
前記下層膜を加工する工程では、前記第1所定パターン及び前記第2所定パターンにおける前記ホールパターンの形状が前記下層膜に転写され、前記ダミーパターンにおける前記ホールパターンの形状が前記下層膜に転写されず、
前記第1所定パターン、前記第2所定パターン、及び前記ダミーパターンは円形のホールパターンであり、前記第1所定パターン及び前記第2所定パターンの径は60nm以上76nm以下、前記ダミーパターンの径は60nm未満又は76nmより大きく、
前記第1領域において前記下層膜に転写されるパターンのパターン密度は、前記第2領域において前記下層膜に転写されるパターンのパターン密度より高いことを特徴とするパターン形成方法。 - 下層膜上の第1領域に第1所定パターンを含み、第2領域に第2所定パターン及びダミーパターンを含む物理ガイドを形成する工程と、
前記物理ガイド内にブロックポリマーを形成する工程と、
前記ブロックポリマーをミクロ相分離させ、第1ポリマー部及び第2ポリマー部を有するパターンを形成する工程と、
前記第1ポリマー部を残存させつつ前記第2ポリマー部を除去してホールパターンを形成する工程と、
前記第2ポリマー部の除去後、前記物理ガイド及び前記第1ポリマー部をマスクとして前記下層膜を加工する工程と、
を備え、
前記下層膜を加工する工程では、前記第1所定パターン及び前記第2所定パターンにおける前記ホールパターンの形状が前記下層膜に転写され、前記ダミーパターンにおける前記ホールパターンの形状が前記下層膜に転写されないことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1所定パターン、前記第2所定パターン、及び前記ダミーパターンは円形のホールパターンであり、前記ダミーパターンの径は60nm未満又は76nmより大きいことを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記第1所定パターン及び前記第2所定パターンの径は60nm以上76nm以下であることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記第1領域において前記下層膜に転写されるパターンのパターン密度は、前記第2領域において前記下層膜に転写されるパターンのパターン密度より高いことを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のパターン形成方法。
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