JP2014021000A - 放射線検出器 - Google Patents

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Abstract

【課題】プリアンプの入力容量を小さく保ちながら十分な静電気対策を施した放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器では、プリアンプ(増幅器)2に接続された接続線22と他の接続線との間にキャパシタ5が接続されている。特に、放射線検出素子1に接続された接続線の内で信号線3との間の電気抵抗が最も低い接続線11と接続線22との間にキャパシタ5が接続されている。信号線3へ静電気による電流が流れることが防止され、静電気による信号線3又はプリアンプ2の損傷が防止される。信号線3には静電気対策用の回路素子は設けられておらず、プリアンプ2の入力容量は低く保たれる。従って、放射線検出器は、プリアンプ2の入力容量を小さく保ちながら、十分な静電気対策を施されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、放射線検出素子と、プリアンプの一部又は全部として利用される増幅器とを備えた放射線検出器に関する。
X線等の放射線を検出する放射線検出器は、SDD(Silicon Drift Detector)等の放射線検出素子を備える。放射線検出素子は、検出した放射線に応じた電荷信号を出力し、電荷信号はプリアンプによって電圧信号に変換され、電圧信号に基づいてスペクトル生成等の信号処理が行われる。従来の放射線検出器には、放射線検出素子及びプリアンプを含んだユニット状に構成されたものがある。特許文献1には、ユニット状の放射線検出器の例が開示されている。
ユニット状の放射線検出器は、放射線検出素子及びプリアンプ以外に、電力を供給するために放射線検出素子及びプリアンプの夫々に接続された接続線を含んでいる。接続線は、接続端子を介して外部の電源又はグラウンドに接続される。また、ユニット状の放射線検出器には、プリアンプの回路の全てが含まれていないものもあり、このような放射線検出器には、プリアンプの一部が含まれている。例えば、プリアンプの一部であるFET(Field effect transistor )が放射線検出素子に接続されているものがある。このような放射線検出器では、FETは、外部に存在するプリアンプのその他の部分に接続端子を介して接続される。
特許第3127930号公報
放射線検出器では、放射線検出素子からプリアンプへの入力容量が大きいほど、出力する信号に含まれるノイズが大きくなり、ノイズが大きいほど放射線検出のエネルギー分解能が悪化する。放射線検出のエネルギー分解能を向上させるためには、プリアンプの入力容量を小さくしておく必要がある。放射線検出素子からプリアンプへ信号を入力するための信号線にキャパシタ等の静電気対策用の回路素子を設けた場合は、プリアンプの入力容量が大きくなってしまう。このため、入力容量を抑制するために信号線には不十分な静電気対策しか施されていないのが現状である。従って、従来の放射線検出器を取り扱う際に、接続端子及び接続線を経由して静電気により信号線又はプリアンプが損傷を受け、放射線検出器が故障する虞がある。
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、プリアンプの入力容量を小さく保ちながら十分な静電気対策を施した放射線検出器を提供することにある。
本発明に係る放射線検出器は、放射線検出素子と、該放射線検出素子からの信号を入力される増幅器と、前記放射線検出素子又は前記増幅器に接続されており、外部の電源又はグラウンドに接続されるための複数の接続線とを備える放射線検出器において、前記複数の接続線の内の少なくとも一つの接続線と他の接続線との間に、静電容量を有する回路素子を接続してあることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記増幅器に接続された一つの接続線は、外部のグラウンドに接続されるための接続線であり、前記放射線検出素子に接続された一又は複数の接続線の夫々と前記一つの接続線との間に前記回路素子を接続してあることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記増幅器には複数の接続線が接続されてあり、前記一つの接続線と前記増幅器に接続された他の接続線との間に前記回路素子を接続してあることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、複数の基板を備え、前記放射線検出素子及び前記増幅器は、一の基板に実装されており、前記回路素子は、他の基板に実装されてあることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記回路素子は、所定方向の直流電圧に対して所定の電圧値まで電流を流さず、パルス電圧に対して前記所定の電圧値よりも低い電圧値で電流を流す特性を有することを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記回路素子は、キャパシタ、ダイオード又はバリスタであることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器は、前記放射線検出素子、前記増幅器及び前記回路素子は、減圧状態又は不活性ガスを封入した状態の一つの密閉容器内に配置されていることを特徴とする。
本発明においては、放射線検出素子と増幅器とを備える放射線検出器は、放射線検出素子又は増幅器に接続されてあり外部に接続されるための複数の接続線の間に、静電容量を有する回路素子を接続してある。例えば、接続線間に、静電容量を有するキャパシタ、ダイオード又はバリスタ等の回路素子が接続されている。また例えば、接続線間の寄生容量を利用した回路素子が設けられている。回路素子によって、接続線を通じた静電気による損傷が抑制される。
また、本発明においては、放射線検出素子に接続された接続線と増幅器に接続されてあって外部のグラウンドへ接続されるための接続線との間に、静電容量を有する回路素子が接続されている。静電気による電流は回路素子を通じてグラウンドへ流れる。
また、本発明においては、増幅器に接続されてあって外部のグラウンドへ接続されるための接続線と増幅器に接続された他の接続線との間に、静電容量を有する回路素子が接続されている。増幅器に接続された接続線に発生した静電気による電流も、回路素子を通じてグラウンドへ流れる。
また、本発明においては、静電容量を有する回路素子は、放射線検出素子とは別の基板に実装されていることによって、放射線の検出に悪影響を及ぼすことのない位置に設けられている。
また、本発明においては、静電容量を有する回路素子は、直流電圧に対して所定の電圧値まで電流を流さず、パルス電圧に対してはより低い電圧値で電流を流すような特性を有する。このため、この回路素子は、放射線検出器の動作に必要な直流電圧が印加された状態では動作せず、静電気の発生時には低い電圧であっても動作して回路を保護する。
また、本発明においては、放射線検出素子、増幅器及び前記回路素子が密閉容器内に配置されて、放射線検出器が構成されている。
本発明にあっては、放射線検出素子が静電気から保護されている一方で、プリアンプの少なくとも一部として用いられる増幅器の入力容量は低く保たれる。従って、放射線検出器は、プリアンプの入力容量を小さく保ちながら、十分な静電気対策を施されている等、本発明は優れた効果を奏する。
本発明の放射線検出器の模式的回路図である。 放射線検出器の構成例を示す模式的断面図である。 キャパシタの数を減少させた放射線検出器の例を示す模式的回路図である。 キャパシタの数を減少させた放射線検出器の例を示す模式的回路図である。 基板を一つにした放射線検出器の例を示す模式的回路図である。 プリアンプの一部を含んだ放射線検出器の例を示す模式的回路図である。 寄生容量を利用して静電気対策を施した放射線検出器の例を示す模式的斜視図である。
以下本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。
図1は、本発明の放射線検出器の模式的回路図である。放射線検出器は、X線等の放射線を検出するための放射線検出素子1を備えている。放射線検出素子1は、SDD等の半導体検出素子である。放射線検出素子1は、放射線が入射した場合に、放射線のエネルギーに比例した電荷信号を発生する。放射線検出素子1の出力端には、信号線3が接続されている。放射線検出素子1は電荷信号を出力し、信号線3は出力された電荷信号を伝送する。放射線検出器は、プリアンプ2を備えており、プリアンプ2の入力端に信号線3が接続されている。プリアンプ2は本発明における増幅器であり、例えば集積回路で構成されている。放射線検出素子1から出力された電荷信号は信号線3を通じてプリアンプ2へ入力される。プリアンプ2は、入力された電荷信号を、放射線のエネルギーに比例した電圧信号に変換する。プリアンプ2の出力端には、出力線21が接続されており、出力線21には外部に接続するための接続端子6が接続されている。プリアンプ2は、出力線21及び接続端子6を通じて、外部へ電圧信号を出力する。放射線検出素子1及びプリアンプ2は、基板41上に実装されている。
放射線検出素子1には、信号線3以外に、接続線11,12が接続されている。接続線11,12は、夫々に接続端子6に接続されている。接続線11,12は、接続端子6を通じて外部の電源又はグラウンドに接続される。放射線検出素子1は、接続線11,12を通じて、動作に必要な電圧を外部から印加される。接続線11と信号線3との間の電気抵抗は、放射線検出素子1に接続された他の接続線と信号線3との間の電気抵抗に比べて低い。即ち、信号線3が接続された放射線検出素子1の出力端と接続線11が接続された接続端との間の経路の放射線検出素子1内での電気抵抗が、他の経路に比べて低くなっている。図1には、放射線検出素子1に二本の接続線が接続されている形態を示したが、放射線検出器は、放射線検出素子1に単数の接続線が接続されている形態であってもよく、三本以上の接続線が接続されている形態であってもよい。
プリアンプ2には、信号線3及び出力線21以外に、接続線22,23が接続されている。接続線22,23は、夫々に接続端子6に接続されている。接続線22は、接続端子6を通じて外部のグラウンドに接続されるグラウンド線である。接続線23は、接続端子6を通じて外部の電源に接続される。図1には、プリアンプ2に二本の接続線が接続されている形態を示したが、放射線検出器は、プリアンプ2に単数の接続線が接続されている形態であってもよく、三本以上の接続線が接続されている形態であってもよい。三本以上の接続線が接続されている場合は、各接続線は外部の電源又はグラウンドに接続される。
図2は、放射線検出器の構成例を示す模式的断面図である。基板41、放射線検出素子1及びプリアンプ2は、密閉容器73内に配置されている。複数の接続端子6の先端は、密閉容器73外に突出している。密閉容器73は、内部が減圧されている状態であるか、又は内部に不活性ガスが満たされて封入された状態になっている。密閉容器73は、接着剤による接着、はんだ付け又はろう付け等の方法で密閉されており、簡単には開放することができない構造になっている。密閉容器73には、窓部74が設けられている。窓部74は、放射線検出器が検出すべき放射線が透過する材料で形成されており、例えば、ダイヤモンド等のカーボン膜、ベリリウム膜又は高分子ポリマー膜で形成されている。また、窓部74は、可視光が透過しないような処理が施されてあってもよい。
放射線検出素子1は、窓部74の正面に位置するように、基板41の一面に配置されている。放射線は、窓部74を通過して放射線検出素子1へ入射し、検出される。プリアンプ2は、基板41の他面に配置されており、放射線検出素子1に対して基板41の裏側に位置している。信号線3は、基板41に設けられたスルーホールを通って放射線検出素子1及びプリアンプ2に接続されている。接続線11,12,22,23及び出力線21は、基板41の表面又は内部に形成された配線、ボンディングパッド及びワイヤを含んで構成されている。
密閉容器73内には、更に、放射線検出素子1を冷却する冷却部71が備えられている。冷却部71は、例えばペルチェ素子である。放射線検出器には、外部の電源に接続されて冷却部71に外部から電力を供給するための図示しない接続部と図示しない放熱部とが設けられている。冷却部71には伝熱部72が連結しており、伝熱部72は放射線検出素子1及び基板41に接触している。放射線検出素子1及びプリアンプ2は、伝熱部72及び基板41を通じて冷却部71によって冷却される。なお、伝熱部72は基板41の一部であってもよい。放射線検出素子1及びプリアンプ2の冷却が行われることによって、ノイズが低減される。
放射線検出器は、例えば、X線検出装置に備えられる。このとき、出力線21は、接続端子6を介してX線検出装置内の信号処理部に接続される。また、接続線11,12はX線検出装置内の電源に接続され、接続線22はX線検出装置内のグラウンドに接続され、接続線23が電源に接続される。放射線検出素子1及びプリアンプ2に電力が供給され、放射線検出素子1及びプリアンプ2が動作する。放射線検出器は、出力線21から電圧信号を出力し、電圧信号はX線検出装置内の信号処理部で処理される。例えば、信号処理部は、各値の電圧信号をカウントし、検出したX線のスペクトルを取得する処理を行う。また例えば、放射線検出器は、蛍光X線分析装置に備えられる。蛍光X線分析装置内では、放射線検出器は試料からの蛍光X線を検出し、試料の蛍光X線分析が行われる。また例えば、放射線検出器は光検出器であってもよい。
図1及び図2に示すように、放射線検出器は、基板41以外に基板42を備えている。基板42は、密閉容器73内に配置されており、図2に示す例では、基板41に平行であり、冷却部71を囲う位置に配置されている。グラウンド線になっている接続線22と他の接続線の夫々との間に、キャパシタ5が接続されており、複数のキャパシタ5は基板42に実装されている。即ち、接続線22と接続線11との間にキャパシタ5が接続され、接続線22と接続線12との間にキャパシタ5が接続され、接続線22と接続線23との間にキャパシタ5が接続されている。接続線11,12,22,23及び出力線21は、基板42の表面又は内部に形成された配線及びボンディングパッドを含んで構成されている。また、接続線22と他の接続線との間にキャパシタ5を接続するための接続線の一部は、基板42の内部に形成された配線で構成されており、この配線は図2中に破線で示されている。夫々の接続線と接続線22との間にキャパシタ5が接続されているので、何れの接続端子6で静電気が発生したとしても、静電気による電流は、キャパシタ5を通じてグラウンドへ流れることになり、接続線を通じて信号線3を流れることは無い。このため、信号線3又はプリアンプ2が静電気によって損傷を受けることは無く、放射線検出器は静電気から保護される。キャパシタ5の静電容量は、静電気による電流が接続線を通じて信号線3を流れることを防止するために十分な静電容量である必要がある。例えば、キャパシタ5の静電容量は100pF以上であることが望ましい。キャパシタ5の静電容量が100pFである場合は、電圧50Vの静電気から放射線検出器を保護することができる。
放射線検出器では、放射線検出素子1に接続された接続線の内で信号線3との間の電気抵抗が最も低い接続線11を通じて信号線3へ静電気による電流が流れた場合に、信号線3又はプリアンプ2の損傷が最大となる。このため、放射線検出器は、接続線11を通じた静電気に対して最も脆弱である。本発明では、接続線11と接続線22との間にキャパシタ5が接続されていることによって、接続線11を通じて信号線3へ静電気による電流が流れることが防止されるので、静電気による信号線3又はプリアンプ2の損傷が効果的に防止される。また、接続線22と接続線23との間にもキャパシタ5が接続されているので、接続線23で静電気により発生した電流はキャパシタ5を通じてグラウンドへ流れる。プリアンプ2に接続された接続線からプリアンプ2又は信号線3へ静電気による電流が流れることが防止され、同様に静電気による信号線3又はプリアンプ2の損傷が防止される。
また、本実施の形態では、信号線3には静電気対策用の回路素子は設けられていないので、回路素子に起因してプリアンプ2の入力容量が大きくなることが無く、プリアンプ2の入力容量は低く保たれる。従って、本発明の放射線検出器は、プリアンプの入力容量を小さく保ちながら、十分な静電気対策を施されている。このため、放射線検出器は、高いエネルギー分解能で放射線検出が可能であると共に、静電気に対する耐久性に優れている。
また、本実施の形態では、複数のキャパシタ5は、放射線検出素子1及びプリアンプ2が実装された基板41とは別の基板42に実装されている。キャパシタ5は、放射線の検出に悪影響を及ぼすことのない位置に設けられている必要がある。例えば、キャパシタ5は、放射線が当たらない位置、又はキャパシタ5に放射線が当たることによって発生した放射線が放射線検出素子1へ入射することが無い位置に設けられている。図2に示す例では、窓部74と基板42との間に、基板41及び放射線検出素子1が配置されており、窓部74を通過した放射線はほぼ放射線検出素子1へ入射し、キャパシタ5には入射し難いようになっている。基板41とは別の基板42に複数のキャパシタ5を実装してあることによって、放射線の検出に悪影響を及ぼすことのない位置に設けられるようにキャパシタ5の配置を工夫することが容易となる。また、放射線検出素子1及びプリアンプ2の配置を変えずにキャパシタ5の配置を工夫することができるので、既存の放射線検出器の回路のレイアウトを利用して本発明の放射線検出器を構成することが容易となる。
次に、放射線検出器の他の構成例を説明する。図3及び図4は、キャパシタ5の数を減少させた放射線検出器の例を示す模式的回路図である。図3に示した例では、接続線11と接続線22との間にキャパシタ5が接続されており、他にはキャパシタ5は設けられていない。この例でも、接続線11を通じて信号線3へ静電気による電流が流れることが、キャパシタ5によって防止されている。この例では、放射線検出器の静電気に対して最も脆弱な部分がキャパシタ5によって重点的に保護されており、少数のキャパシタ5で最大限の静電気対策が施されている。図3に示したように、放射線検出器は、放射線検出素子1に接続された接続線の内で信号線3との間の電気抵抗が最も低い接続線11と他の接続線との間にキャパシタ5が接続されてあって他のキャパシタ5が省略された形態であってもよい。
図4に示した例では、接続線11と接続線12との間にキャパシタ5が接続されており、他にはキャパシタ5は設けられていない。この例でも、接続線11を通じて信号線3へ静電気による電流が流れることがキャパシタ5によって抑制される。図4に示したように、放射線検出器は、接続線22以外の接続線と接続線11との間にキャパシタ5が接続された形態であってもよい。また、放射線検出器は、接続線11と他の複数の接続線の夫々との間にキャパシタ5が接続された形態であってもよい。接続線11と他の接続線との間にキャパシタ5が接続されてあれば、静電気に対して最も脆弱な部分が重点的に保護され、放射線検出器は静電気に対する耐久性を有する。また、放射線検出器は、接続線11以外の接続線間にキャパシタ5が接続された形態であってもよい。この形態においても、キャパシタ5が接続された接続線を通じて信号線3へ静電気による電流が流れることが抑制される。
図5は、基板を一つにした放射線検出器の例を示す模式的回路図である。図5に示すように、放射線検出器は、放射線検出素子1及びプリアンプ2が実装された基板41に静電気対策用のキャパシタ5が更に実装された形態であってもよい。また、放射線検出器は、基板にキャパシタ5が実装されているのではなく、接続線にキャパシタ5が直接に設けられている形態であってもよい。また、放射線検出器は、夫々の接続線が接続された接続端子6の間にキャパシタ5が接続された形態であってもよい。
また、放射線検出器は、プリアンプの一部として用いられる増幅器を備えた形態であってもよい。図6は、プリアンプの一部を含んだ放射線検出器の例を示す模式的回路図である。図6に示す例では、放射線検出器はFET20を備えており、FET20は増幅器に対応する。FET20には、信号線3が接続されており、更に出力線21及び接続線22が接続されている。接続線22は、グラウンド線である。出力線21は、接続端子6を介して、外部に設けられたプリアンプの他の部分に接続される。放射線検出器は、例えば、プリアンプの他の部分を備えたX線検出装置に備えられる。FET20は、信号線3を通じて放射線検出素子1から信号を入力され、適宜信号の増幅を行い、出力線21を通じてプリアンプの他の部分へ信号を出力する。また、接続線11と接続線22との間にキャパシタ5が接続されており、接続線12と接続線22との間にキャパシタ5が接続されている。この形態においても、放射線検出器は、キャパシタ5によって静電気から保護されている。
なお、放射線検出器は、静電容量を有する回路素子であれば、静電気対策用の回路素子としてキャパシタ以外の回路素子を用いた形態であってもよい。例えば、放射線検出器は、静電気対策用の回路素子としてダイオード又はバリスタを用いてもよい。放射線検出素子1は半導体検出素子であるので、動作時には一定の直流電圧が印加されている。このため、静電気対策用の回路素子は、放射線検出素子1に動作時に印加される電圧では動作しないことが必要である。一方で、静電気による電流によって信号線3及びプリアンプ2が損傷することを効果的に防止するためには、静電気対策用の回路素子は、低い電圧であっても静電気の発生時には動作することが望ましい。従って、ダイオード又はバリスタ等の静電気対策用の回路素子は、直流電圧に対して所定の電圧値まで電流を流さず、パルス電圧に対してはより低い電圧値で電流を流すような特性を有していることが望ましい。また、ダイオード又はバリスタ等の回路素子の静電容量は、静電気による電流が接続線を通じて信号線3を流れることを防止するために十分な静電容量である必要がある。
また、放射線検出器は、一箇所で複数の回路素子を用いて静電気対策を施した形態であってもよい。例えば、放射線検出器は、接続線11と接続線22との間に複数のキャパシタ5が接続された形態であってもよい。また例えば、放射線検出器は、キャパシタを含む複数種類の回路素子で構成された静電気対策用の回路が接続線11と接続線22との間に設けられた形態であってもよい。一箇所に設けられた複数の回路素子の組み合わせによって得られる静電容量は、静電気による電流が接続線を通じて信号線3を流れることを防止するために十分な静電容量である必要がある。
また、放射線検出器は、ディスクリートの回路素子を用いて静電気対策を施した形態に限るものではなく、寄生容量を静電気対策用の静電容量として利用した回路素子を設けた形態であってもよい。図7は、寄生容量を利用して静電気対策を施した放射線検出器の例を示す模式的斜視図である。図7には、放射線検出器の一部を示している。絶縁性の基板41上に、放射線検出素子1が実装されており、導電性の配線により接続線11が形成されている。接続線11は、ボンディングパッド及びワイヤを介して放射線検出素子1及び接続端子6と接続されている。基板41は多層基板であり、内部に導電性の配線層が設けられている。基板41内の配線層により接続線12が形成されている。図7には接続線12を破線で示している。接続線12は、基板41上に設けられているボンディングパッドとビアによって接続されており、ボンディングパッド及びワイヤを介して放射線検出素子1及び接続端子6と接続されている。なお、接続線12は、基板41の裏面に形成されていてもよい。
接続線11の途中には、矩形状の平板部111が設けられている。平板部111は、ある程度の面積を有している金属板である。また、接続線12の途中にも、矩形状の平板部121が設けられている。平板部121は、平板部111と同等の面積を有している金属板である。また、平板部121は、平板部111の真下、即ち、基板41の表面に垂直に投影したときに平板部111に重なる位置に設けられている。平板部111及び平板部121は、ほぼ平行になっている。なお、平板部111及び平板部121の形状は、矩形以外の形状であってもよい。
導電性の平板部111及び平板部121の間に、絶縁性の基板41の一部が存在するので、平板部111及び平板部121の間に寄生容量が発生する。この状態は、接続線11と接続線12との間に、基板41の一部を誘電体として平板部111及び平板部121を一対の電極としたキャパシタが接続された状態と同様である。即ち、図7に示した放射線検出器の回路は、図4に示したような、接続線11と接続線12との間にキャパシタ5が接続された回路と同等である。この形態でも、図4に示した例と同様に、放射線検出器は、静電気から保護される。平板部111及び平板部121の大きさは、静電気による電流が接続線を通じて信号線3を流れることを防止するために十分な静電容量が得られる大きさになっている。
平板部111及び平板部121を一対の電極としたキャパシタは、接続線11と接続線12との間に接続された静電容量を有する回路素子である。このように、接続線間に接続された静電気対策用の回路素子は、ディスクリートの回路素子に限るものではなく、接続線間の寄生容量を静電容量として接続線の一部を含んで構成された回路素子であってもよい。同様にして、寄生容量を利用した回路素子を用いて図7に示した例以外の静電気対策を施すことも可能である。例えば、接続線11と接続線22との間に寄生容量を利用した回路素子を設けることによって、静電気対策を施してもよい。また、放射線検出器は、寄生容量を利用した回路素子とディスクリートの回路素子とを組み合わせて静電気対策を施した形態であってもよい。
なお、図1〜図7においては、放射線検出器の最小構成を示しており、放射線検出器は、静電気対策以外の用途で、図示していない他の回路素子又は配線を含んだ形態であってもよい。
1 放射線検出素子
11、12 接続線
111、121 平板部
2 プリアンプ(増幅器)
20 FET
21 出力線
22、23 接続線
3 信号線
41、42 基板
5 キャパシタ
6 接続端子
71 冷却部
73 密閉容器
74 窓部

Claims (7)

  1. 放射線検出素子と、該放射線検出素子からの信号を入力される増幅器と、前記放射線検出素子又は前記増幅器に接続されており、外部の電源又はグラウンドに接続されるための複数の接続線とを備える放射線検出器において、
    前記複数の接続線の内の少なくとも一つの接続線と他の接続線との間に、静電容量を有する回路素子を接続してあること
    を特徴とする放射線検出器。
  2. 前記増幅器に接続された一つの接続線は、外部のグラウンドに接続されるための接続線であり、
    前記放射線検出素子に接続された一又は複数の接続線の夫々と前記一つの接続線との間に前記回路素子を接続してあること
    を特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
  3. 前記増幅器には複数の接続線が接続されてあり、
    前記一つの接続線と前記増幅器に接続された他の接続線との間に前記回路素子を接続してあること
    を特徴とする請求項2に記載の放射線検出器。
  4. 複数の基板を備え、
    前記放射線検出素子及び前記増幅器は、一の基板に実装されており、
    前記回路素子は、他の基板に実装されてあること
    を特徴とする請求項1乃至3の何れか一つに記載の放射線検出器。
  5. 前記回路素子は、
    所定方向の直流電圧に対して所定の電圧値まで電流を流さず、パルス電圧に対して前記所定の電圧値よりも低い電圧値で電流を流す特性を有すること
    を特徴とする請求項1乃至4の何れか一つに記載の放射線検出器。
  6. 前記回路素子は、キャパシタ、ダイオード又はバリスタであること
    を特徴とする請求項1乃至5の何れか一つに記載の放射線検出器。
  7. 前記放射線検出素子、前記増幅器及び前記回路素子は、減圧状態又は不活性ガスを封入した状態の一つの密閉容器内に配置されていること
    を特徴とする請求項1乃至6の何れか一つに記載の放射線検出器。
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