JP2014017442A - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 - Google Patents
Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014017442A JP2014017442A JP2012155453A JP2012155453A JP2014017442A JP 2014017442 A JP2014017442 A JP 2014017442A JP 2012155453 A JP2012155453 A JP 2012155453A JP 2012155453 A JP2012155453 A JP 2012155453A JP 2014017442 A JP2014017442 A JP 2014017442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- reflective
- reflectance
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 277
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 310
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 137
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 837
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 99
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 91
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 36
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 37
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
Abstract
【課題】ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性、および、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に優れたＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数回積層させてなる多層反射膜１２であり、多層反射膜の表面における、基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、多層反射膜１２を構成する各層のうち、少なくとも１層を基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、基板の中心から半径方向におけるＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制する。
【選択図】図１
【解決手段】基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数回積層させてなる多層反射膜１２であり、多層反射膜の表面における、基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、多層反射膜１２を構成する各層のうち、少なくとも１層を基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、基板の中心から半径方向におけるＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制する。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用マスクブランク」という。）の製造方法に関する。
また、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法に関する。ＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの前駆体として用いられる。
また、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法に関する。ＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの前駆体として用いられる。
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（波長：１９３ｎｍ）の液浸法を用いても、その露光波長は４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍよりも短い波長を用いる次世代の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度（１３．２〜１３．８ｎｍ程度）の光線を指す。
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶＬ用マスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。
上記反射層と吸収層の間には、通常、保護層が形成される。該保護層は、吸収層にパターン形成する目的で実施されるエッチングプロセスによって反射層がダメージを受けないように、該反射層を保護する目的で設けられる。
上記反射層と吸収層の間には、通常、保護層が形成される。該保護層は、吸収層にパターン形成する目的で実施されるエッチングプロセスによって反射層がダメージを受けないように、該反射層を保護する目的で設けられる。
反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率層となる高屈折率層と、を交互に積層することで、ＥＵＶ光をその表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。このような多層反射膜としては、具体的にはたとえば、低屈折率層であるモリブデン（Ｍｏ）層と高屈折率層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜がある。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
上記反射層と吸収層の間には、通常、保護層が形成される。該保護層は、吸収層にパターン形成する目的で実施されるエッチングプロセスによって反射層がダメージを受けないように、該反射層を保護する目的で設けられる。特許文献１には保護層の材料として、ルテニウム（Ｒｕ）の使用が提案されている。特許文献２には、Ｒｕと、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種と、を含有するルテニウム化合物（Ｒｕ含有量１０〜９５ａｔ％）からなる保護層が提案されている。
また、特許文献３に記載されているように、ＥＵＶＬ用マスクブランクにおいて、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率に面内分布が生じることが問題となっている。多層反射膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光の反射率スペクトルを測定すると、測定する波長により反射率の値は異なり、極大値、すなわち、ピーク反射率を有する。多層反射膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率に面内分布（つまり、ピーク反射率が、多層反射膜の場所により異なる状態）が生じると、該ＥＵＶＬ用マスクブランクから作製したＥＵＶＬ用マスクを用いてＥＵＶＬを実施した際に、ウェハ上レジストへ照射されるＥＵＶ露光量の面内分布が生じる。このことは、露光フィールド内におけるパターン寸法のばらつきを生じさせ、高精度のパターニングを阻害する要因となる。
特許文献３では、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値が±０．２５％以内とされている。また、多層反射膜上に保護膜が形成されている場合は、該保護膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値が±０．２５％以内とされている。
したがって、多層反射膜表面または保護層表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性については、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）を０．５％以内とすることが求められる。
特許文献３では、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値が±０．２５％以内とされている。また、多層反射膜上に保護膜が形成されている場合は、該保護膜の表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値が±０．２５％以内とされている。
したがって、多層反射膜表面または保護層表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性については、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）を０．５％以内とすることが求められる。
また、特許文献３に記載されているように、ＥＵＶＬ用マスクブランクにおいては、反射光の中心波長の面内分布、具体的には、多層反射膜表面におけるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布が生じることも問題となる。なお、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長とは、ＥＵＶ波長域の反射率スペクトルにおいて、ピーク反射率の半値幅（ＦＷＨＭ（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ））に対応する波長をλ1およびλ2とするとき、これらの波長の中央値（（λ1＋λ2）／２）となる波長である。
特許文献３では、多層反射膜表面におけるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値は、±０．０３ｎｍ以内とされている。また、多層反射膜上に保護膜が形成されている場合は、該保護膜の表面における中心波長の面内均一性に関する要求値は、±０．０３ｎｍ以内とされている。
したがって、多層反射膜表面または保護層表面におけるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性については、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）を０．０６ｎｍ以内とすることが求められる。
特許文献３では、多層反射膜表面におけるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値は、±０．０３ｎｍ以内とされている。また、多層反射膜上に保護膜が形成されている場合は、該保護膜の表面における中心波長の面内均一性に関する要求値は、±０．０３ｎｍ以内とされている。
したがって、多層反射膜表面または保護層表面におけるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性については、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）を０．０６ｎｍ以内とすることが求められる。
上記した多層反射膜の表面における反射光の面内分布、すなわち、該表面におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布、および、該表面におけるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布の原因の一つに、多層反射膜を構成する各層、すなわち、低屈折率層および高屈折率層の膜厚の面内分布がある（特許文献３参照）。また、特許文献４に記載されているように、多層反射膜上に形成されるキャッピング膜（すなわち、保護層）における膜厚のばらつき（すなわち、膜厚の面内分布）も、ＥＵＶ波長域の反射光の変動（すなわち、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布や、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布）の原因となる。
このため、多層反射膜を構成する各層の成膜時や、保護層の成膜時には、これらの膜厚に面内分布が生じないように、均一に成膜することが求められる。
このため、多層反射膜を構成する各層の成膜時や、保護層の成膜時には、これらの膜厚に面内分布が生じないように、均一に成膜することが求められる。
特許文献５に記載の方法では、イオンビームスパッタリング法を用いて、基板上に多層反射膜を成膜する方法、および、該多層反射膜上にキャップ層を成膜する方法を開示している。この方法では、基板をその中心軸を中心に回転させつつ、基板の法線と、基板に入射するスパッタ粒子とがなす角度を特定の角度に保持してイオンビームスパッタリングを実施している。このため、特許文献５に記載の方法では、同文献の図１に示すように、基板の法線に対して、斜め方向からスパッタ粒子が入射する。この方法は、表面に凹欠点を有する基板上に多層反射膜を成膜する方法、および、該多層反射膜上にキャップ層を成膜する方法であるが、基板表面に凹欠点が存在しない場合も、多層反射膜もしくは該多層反射膜上に成膜されるキャップ層の膜厚に面内分布が生じないように、均一に成膜するためには、基板をその中心軸を中心に回転させつつ、基板の法線に対して斜め方向からスパッタ粒子が入射する条件で、スパッタリング法を実施することが好ましい。
以上述べたように、多層反射膜を構成する各層の膜厚、および、多層反射膜上に保護層が形成されている場合は該保護層の膜厚、を均一にすれば、多層反射膜の表面における（多層反射膜上に保護層が形成されている場合は該保護層の表面における）ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布だけでなく、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布も解消できると、従来は考えられていた。
しかしながら、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内を満たすレベルまで、多層反射膜の各層の膜厚を均一に成膜した場合（多層反射膜上に保護層を成膜する場合は、該保護層の膜厚も均一に成膜した場合）であっても、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率に要求値を超える面内分布が生じる場合があることを見出した。この面内分布は、多層反射膜や保護層が形成される基板の半径方向についてみた場合、特定の傾向があり、基板の半径方向において、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が低くなる面内分布である。特許文献３の実施例においても、合成石英ガラス基板上に、イオンビームスパッタリング法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を成膜した後、保護膜としてＲｕ膜を成膜した反射ミラー基板（多層反射膜および保護膜付き基板）は、基板中心部のピーク反射率が高く、外周部のピーク反射率が低い、ピーク反射率の面内分布が確認されている。ピーク反射率の面内分布は１．２％であり、ピーク反射率の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
上記した特定の傾向の面内分布が生じる原因は明らかではないが、多層反射膜の各層の成膜時や、保護層の成膜時において、基板をその中心軸を中心に回転させつつ、基板の法線に対して斜め方向からスパッタ粒子が入射する条件で、基板回転に伴う成膜レートの周期的変動幅が基板中心より外周部に向かって大きくなるようなスパッタリング法を実施していることが関連していると考えられる。
しかしながら、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内を満たすレベルまで、多層反射膜の各層の膜厚を均一に成膜した場合（多層反射膜上に保護層を成膜する場合は、該保護層の膜厚も均一に成膜した場合）であっても、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率に要求値を超える面内分布が生じる場合があることを見出した。この面内分布は、多層反射膜や保護層が形成される基板の半径方向についてみた場合、特定の傾向があり、基板の半径方向において、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が低くなる面内分布である。特許文献３の実施例においても、合成石英ガラス基板上に、イオンビームスパッタリング法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を成膜した後、保護膜としてＲｕ膜を成膜した反射ミラー基板（多層反射膜および保護膜付き基板）は、基板中心部のピーク反射率が高く、外周部のピーク反射率が低い、ピーク反射率の面内分布が確認されている。ピーク反射率の面内分布は１．２％であり、ピーク反射率の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
上記した特定の傾向の面内分布が生じる原因は明らかではないが、多層反射膜の各層の成膜時や、保護層の成膜時において、基板をその中心軸を中心に回転させつつ、基板の法線に対して斜め方向からスパッタ粒子が入射する条件で、基板回転に伴う成膜レートの周期的変動幅が基板中心より外周部に向かって大きくなるようなスパッタリング法を実施していることが関連していると考えられる。
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、多層反射膜の表面における、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性、および、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に優れたＥＵＶＬ用マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造に使用されるＥＵＶＬ用反射層付基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記した目的を達成するため、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１）を提供する。
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１）を提供する。
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上に該反射層の保護層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記保護層が、スパッタリング法により形成される、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記保護層の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層、および、前記保護層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（２）を提供する。
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記保護層が、スパッタリング法により形成される、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記保護層の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層、および、前記保護層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（２）を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１），（２）において、
前記反射率分布補正層に相当する膜厚分布を設けなかった場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が、前記基板の中心から半径方向にピーク反射率が低くなる面内分布であり、
前記反射率分布補正層における前記基板の中心から半径方向の膜厚分布として、前記基板中心から半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が高くなる膜厚分布を設けて、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制することが好ましい。
前記反射率分布補正層に相当する膜厚分布を設けなかった場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が、前記基板の中心から半径方向にピーク反射率が低くなる面内分布であり、
前記反射率分布補正層における前記基板の中心から半径方向の膜厚分布として、前記基板中心から半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が高くなる膜厚分布を設けて、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１），（２）において、
前記反射率分布補正層の膜厚を、
前記基板の外周部において、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚とし、
前記反射率分布補正層を設けた場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、前記基板の外周部における前記反射率分布補正層の膜厚と前記基板の中心における前記反射率分布補正層の膜厚との差を設定することが好ましい。
前記反射率分布補正層の膜厚を、
前記基板の外周部において、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚とし、
前記反射率分布補正層を設けた場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、前記基板の外周部における前記反射率分布補正層の膜厚と前記基板の中心における前記反射率分布補正層の膜厚との差を設定することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１），（２）において、前記反射率分布補正層での前記基板の中心から半径方向の膜厚分布によって生じる、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の変化が２％以内であることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１）において、前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とすることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（２）において、前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記保護層と、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層と、のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とすることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１），（２）において、前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とを交互に複数回積層させてなるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とすることが好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１）を提供する。
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１）を提供する。
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上に該反射層の保護層を形成し、前記保護層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記保護層が、スパッタリング法により形成される、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記保護層の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層、および、前記保護層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（２）を提供する。
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記保護層が、スパッタリング法により形成される、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記保護層の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層、および、前記保護層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（２）を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１），（２）において、前記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層をさらに形成してもよい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１），（２）において、
前記反射率分布補正層に相当する膜厚分布を設けなかった場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が、前記基板の中心から半径方向にピーク反射率が低くなる面内分布であり、
前記反射率分布補正層での前記基板の中心から半径方向の膜厚分布として、前記基板中心から半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が高くなる膜厚分布を設けて、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制することが好ましい。
前記反射率分布補正層に相当する膜厚分布を設けなかった場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が、前記基板の中心から半径方向にピーク反射率が低くなる面内分布であり、
前記反射率分布補正層での前記基板の中心から半径方向の膜厚分布として、前記基板中心から半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が高くなる膜厚分布を設けて、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１），（２）において、
前記反射率分布補正層の膜厚を、
前記基板の外周部において、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚とし、
前記反射率分布補正層を設けた場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、前記基板の外周部における前記反射率分布補正層の膜厚と前記基板の中心における前記反射率分布補正層の膜厚との差を設定することが好ましい。
前記反射率分布補正層の膜厚を、
前記基板の外周部において、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚とし、
前記反射率分布補正層を設けた場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、前記基板の外周部における前記反射率分布補正層の膜厚と前記基板の中心における前記反射率分布補正層の膜厚との差を設定することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１），（２）において、前記反射率分布補正層での前記基板の中心から半径方向の膜厚分布によって生じる、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の変化が２％以内であることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１）において、前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とすることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（２）において、前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記保護層と、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層と、のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とすることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１），（２）において、前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とを交互に複数回積層させてなるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とすることが好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
また、本発明は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法（１），（２）により製造される、ＥＵＶＬ用反射層付基板を提供する。
また、本発明は、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法（１），（２）により製造される、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを提供する。
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板（１）を提供する。
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板（１）を提供する。
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上に該反射層の保護層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層および、前記保護層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板（２）を提供する。
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層および、前記保護層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板（２）を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板（１），（２）において、前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とが交互に複数回積層されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層が前記反射率分布補正層であることが好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（１）を提供する。
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（１）を提供する。
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上に該反射層の保護層が形成され、前記保護層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記多層反射膜を構成する各層および前記保護層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（２）を提供する。
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層とが交互に複数回積層された多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記多層反射膜を構成する各層および前記保護層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（２）を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（１），（２）において、前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とが交互に複数回積層されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層が前記反射率分布補正層であることが好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
この場合、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とすることがより好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（１），（２）において、前記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されていてもよい。
また、本発明は、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（１），（２）をパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを提供する。
本発明によれば、多層反射膜の表面における、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内均一性、および、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に優れたＥＵＶＬ用反射型マスクブランク、および、ＥＵＶＬ用反射層付基板を製造できる。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク」という。）の１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４とがこの順に形成されている。反射層１２と吸収層１４との間には、吸収層１４へのパターン形成時に反射層１２を保護するための保護層１３が形成されている。
なお、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクにおいて、図１に示す構成中、基板１１、反射層１２、および、吸収層１４のみが必須であり、保護層１３は任意の構成要素である。
以下、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１の個々の構成要素について説明する。
図１は、本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク」という。）の１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４とがこの順に形成されている。反射層１２と吸収層１４との間には、吸収層１４へのパターン形成時に反射層１２を保護するための保護層１３が形成されている。
なお、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクにおいて、図１に示す構成中、基板１１、反射層１２、および、吸収層１４のみが必須であり、保護層１３は任意の構成要素である。
以下、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１の個々の構成要素について説明する。
基板１１は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、基板１１は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えば、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。また、基板１１上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板１１は、０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１１の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では、外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１１の成膜面、つまり、反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅は、６０ｎｍ以下が好ましい。
そのため、基板１１は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えば、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。また、基板１１上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板１１は、０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１１の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では、外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１１の成膜面、つまり、反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅は、６０ｎｍ以下が好ましい。
ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層１２表面に入射角度６度で照射した際の、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率（すなわち、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の極大値。以下、本明細書において、「ＥＵＶ光のピーク反射率」という。）は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。また、反射層１２の上に保護層１３を設けた場合であっても、ＥＵＶ光のピーク反射率は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
また、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層１２は、上記したＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性の要求値が、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）で０．５％以内である。なお、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合は、該保護層１３の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性の要求値が、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）で０．５％以内となる。
また、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層１２は、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値が、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内である。なお、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合は、該保護層１３の表面におけるＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値が、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内となる。
ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる層である低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる層である高屈折率層とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。このような多層反射膜としては、低屈折率層としてのモリブデン（Ｍｏ）層と、高屈折率層としてのケイ素（Ｓｉ）層とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常用いられる。多層反射膜の他の具体例としては、低屈折率層としてのルテニウム（Ｒｕ）層と、高屈折率層としてのケイ素（Ｓｉ）層とを交互に複数回積層させたＲｕ／Ｓｉ多層反射膜、低屈折率層としてのモリブデン（Ｍｏ）層と、高屈折率層としてのベリリウム（Ｂｅ）層とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｂｅ多層反射膜、低屈折率層としてのモリブデン（Ｍｏ）化合物層と、高屈折率層としてのケイ素（Ｓｉ）化合物層とを交互に複数回積層させたＭｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜等が挙げられる。
また、多層反射膜は、特開２００６−０９３４５４号の記載の多層反射膜のように、低屈折率層（Ｍｏ層）と、高屈折率層（Ｓｉ層）と、の間に拡散防止層や膜応力緩和層などの中間層が形成されたものであってもよい。
また、多層反射膜は、特開２００６−０９３４５４号の記載の多層反射膜のように、低屈折率層（Ｍｏ層）と、高屈折率層（Ｓｉ層）と、の間に拡散防止層や膜応力緩和層などの中間層が形成されたものであってもよい。
多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）の膜厚、および、低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数は、各層の構成材料や、達成するＥＵＶ光線反射率によって異なるが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光のピーク反射率が６０％以上の反射層１２とするには、例えば、膜厚２．５ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５ｎｍのＳｉ層と、を繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させることになる。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ層、Ｓｉ層）は、（１）各層の膜厚分布が後述する波長分布の要求から０．４〜０．３％以内の均一な膜厚分布であり、（２）Ｍｏ層およびＳｉ層それぞれの膜厚は、後述のγ比の調整から最大反射率が得られる膜厚に調整され、（３）Ｍｏ層およびＳｉ層の合計膜厚（Ｂｉｌａｙｅｒ）は、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長が、約１３．５ｎｍとなるよう約７ｎｍに調整される。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層（Ｍｏ層、Ｓｉ層）は、（１）各層の膜厚分布が後述する波長分布の要求から０．４〜０．３％以内の均一な膜厚分布であり、（２）Ｍｏ層およびＳｉ層それぞれの膜厚は、後述のγ比の調整から最大反射率が得られる膜厚に調整され、（３）Ｍｏ層およびＳｉ層の合計膜厚（Ｂｉｌａｙｅｒ）は、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長が、約１３．５ｎｍとなるよう約７ｎｍに調整される。
なお、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ２．５ｎｍとなるようにＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を３０〜６０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
但し、上述したＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性の要求値、および、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値を満たすためには、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）の膜厚に面内分布が生じないように、均一に成膜することが求められる。
マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）を均一な膜厚に成膜するには、図２に示すように、基板１１をその中心Ｏを通過する軸（中心軸）３０を中心に回転させつつ、基板１１の法線Ｈに対して、斜め方向からスパッタ粒子２０が入射することが好ましい。その理由は、法線Ｈに対するスパッタ粒子２０の入射角度αを調節することで、スパッタリング法により成膜される各層の膜厚を均一にできるからである。
以下、本明細書において、図２に示す成膜手順を「スピン成膜」という。なお、中心軸とは、基板の中心を通る軸であり、図２に示す基板１１のように、基板形状が円形の場合は、中心軸は円形の中心Ｏを通る軸であり、基板形状が正方形や矩形の場合は、正方形や矩形の対角線の交点を通る軸である。
なお、上記は、１枚の基板に対して成膜を実施する方法について例示したが、これに限らず、複数枚の基板に対して同時に成膜を実施する、いわゆる枚葉式成膜方法を実施してもよい。この枚葉式成膜方法の場合、中心軸を中心とする基板の自転に加え、基板の公転の動きも含めて成膜条件を与えるとよい。
以下、本明細書において、図２に示す成膜手順を「スピン成膜」という。なお、中心軸とは、基板の中心を通る軸であり、図２に示す基板１１のように、基板形状が円形の場合は、中心軸は円形の中心Ｏを通る軸であり、基板形状が正方形や矩形の場合は、正方形や矩形の対角線の交点を通る軸である。
なお、上記は、１枚の基板に対して成膜を実施する方法について例示したが、これに限らず、複数枚の基板に対して同時に成膜を実施する、いわゆる枚葉式成膜方法を実施してもよい。この枚葉式成膜方法の場合、中心軸を中心とする基板の自転に加え、基板の公転の動きも含めて成膜条件を与えるとよい。
多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）を成膜する際、図２に示すように、スピン成膜を実施し、法線Ｈに対するスパッタ粒子２０の入射角度αを調節することで、スパッタリング法により成膜される各層の膜厚を均一に成膜できる。
ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値に関して、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内を満たす程度まで、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の各層が均一に成膜されていることは、後述する比較例１に示されている。比較例１では、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以内であり、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値である、そのレンジで０．０６ｎｍ以内を満たしている。なお、上記したＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布（０．０４ｎｍ以内）は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の基本構成であるＭｏ層およびＳｉ層の２層からなるＢｉｌａｙｅｒの膜厚分布にして、０．０４／１３．５３≒０．３％に相当する。
ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値に関して、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内を満たす程度まで、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の各層が均一に成膜されていることは、後述する比較例１に示されている。比較例１では、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以内であり、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値である、そのレンジで０．０６ｎｍ以内を満たしている。なお、上記したＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布（０．０４ｎｍ以内）は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の基本構成であるＭｏ層およびＳｉ層の２層からなるＢｉｌａｙｅｒの膜厚分布にして、０．０４／１３．５３≒０．３％に相当する。
しかしながら、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値に関して、そのレンジで０．０６ｎｍ以内を満たすレベルまで、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の各層の膜厚を均一に成膜した場合であっても、ＥＵＶ光のピーク反射率に要求値を超える面内分布が生じる場合がある。この点については、後述する比較例１（図５の「補正前」に相当する破線）に示されている。
図５では、基板の中心から該基板の外周部へと、ＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は０．６％超であり、ピーク反射率の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
図５では、基板の中心から該基板の外周部へと、ＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は０．６％超であり、ピーク反射率の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（ピーク反射率の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
本発明では、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）のうち少なくとも１層を、基板の中心から半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、上述したＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布、すなわち、基板の中心から該基板の外周部へと、ＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布を抑制する。したがって、反射率分布補正層では、基板の中心から該基板の外周部へと、ＥＵＶ光のピーク反射率が高くなるような膜厚分布を設ける。
本明細書における基板の外周部とは、ＥＵＶ光のピーク反射率やＥＵＶ波長域の反射光の中心波長といった、多層反射膜の光学特性を評価する領域（光学特性評価領域）の外周部を指す。例えば、１５２ｍｍ角の基板の場合、光学特性評価領域は１４２ｍｍ角の領域である。この１４２ｍｍ角の領域の角部は、基板中心から半径方向に１００ｍｍ付近に位置しているので、基板の外周部は、基板中心から半径方向に１００ｍｍ付近に位置していることになる。
上述したＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布を抑制する目的で、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）のうち少なくとも１層を、基板の中心から半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とするのは、図３に示すように、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率が、該多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）の膜厚に対し依存性があるからである。
図３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層のうち、最上層のＳｉ層の膜厚と、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率と、の関係を示したグラフである。
図３に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率は、Ｓｉ層の膜厚に対し依存性があり、極大値と極小値との間で周期的に増減を繰り返す。図３では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層のうち、最上層のＳｉ層の膜厚と、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率と、の関係を示したが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率は、最上層以外のＳｉ層の膜厚に対しても依存性があり、極大値と極小値との間で周期的に増減を繰り返す。また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率は、Ｍｏ層の膜厚に対しても依存性があり、極大値と極小値との間で周期的に増減を繰り返す。
また、図３では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜について、最上層のＳｉ層の膜厚と、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率と、の関係を示したが、上述した低屈折率層や高屈折率層がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜とは異なる多層反射膜や、多層反射膜の低屈折率層と高屈折率層との間に拡散防止層が形成されたものでも、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率が、該多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）の膜厚に対し依存性がある。
本明細書における基板の外周部とは、ＥＵＶ光のピーク反射率やＥＵＶ波長域の反射光の中心波長といった、多層反射膜の光学特性を評価する領域（光学特性評価領域）の外周部を指す。例えば、１５２ｍｍ角の基板の場合、光学特性評価領域は１４２ｍｍ角の領域である。この１４２ｍｍ角の領域の角部は、基板中心から半径方向に１００ｍｍ付近に位置しているので、基板の外周部は、基板中心から半径方向に１００ｍｍ付近に位置していることになる。
上述したＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布を抑制する目的で、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）のうち少なくとも１層を、基板の中心から半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とするのは、図３に示すように、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率が、該多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）の膜厚に対し依存性があるからである。
図３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層のうち、最上層のＳｉ層の膜厚と、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率と、の関係を示したグラフである。
図３に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率は、Ｓｉ層の膜厚に対し依存性があり、極大値と極小値との間で周期的に増減を繰り返す。図３では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層のうち、最上層のＳｉ層の膜厚と、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率と、の関係を示したが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率は、最上層以外のＳｉ層の膜厚に対しても依存性があり、極大値と極小値との間で周期的に増減を繰り返す。また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率は、Ｍｏ層の膜厚に対しても依存性があり、極大値と極小値との間で周期的に増減を繰り返す。
また、図３では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜について、最上層のＳｉ層の膜厚と、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率と、の関係を示したが、上述した低屈折率層や高屈折率層がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜とは異なる多層反射膜や、多層反射膜の低屈折率層と高屈折率層との間に拡散防止層が形成されたものでも、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率が、該多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）の膜厚に対し依存性がある。
本発明では、上述したＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布、すなわち、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布を抑制するため、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）のうち少なくとも１層を、基板中心から半径方向にピーク反射率が高くなるような膜厚分布（別の言い方をすると、基板の外周部から基板の中心へとピーク反射率が低くなるような膜厚分布）を設けた反射率分布補正層とする。
基板中心から半径方向にピーク反射率が高くなる膜厚分布は、上述した多層反射膜の表面におけるピーク反射率の面内分布と、反射率分布補正層とする層における、上述した膜厚依存性（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層を反射率分布補正層とする場合は図３に示す膜厚依存性）に基づいて設定すればよい。
基板中心から半径方向にピーク反射率が高くなる膜厚分布は、上述した多層反射膜の表面におけるピーク反射率の面内分布と、反射率分布補正層とする層における、上述した膜厚依存性（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層を反射率分布補正層とする場合は図３に示す膜厚依存性）に基づいて設定すればよい。
本発明では、基板の外周部から基板の中心へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなるような膜厚分布を設けるため、基板の外周部における反射率分布補正層の膜厚をＥＵＶ光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近とする。後述する実施例では、図３に基づき、反射率分布補正層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層）の膜厚を４．５ｎｍとした。
そして、基板の中心に向けて、反射率分布補正層の膜厚が増加するか、または、減少するように、半径方向に膜厚分布を設ければよい。ここで、上述したＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布の抑制という点では、基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた場合の、基板の中心から半径方向のＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、基板の外周部における膜厚と基板の中心における膜厚との差を設定することが好ましい。
そして、基板の中心に向けて、反射率分布補正層の膜厚が増加するか、または、減少するように、半径方向に膜厚分布を設ければよい。ここで、上述したＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布の抑制という点では、基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた場合の、基板の中心から半径方向のＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、基板の外周部における膜厚と基板の中心における膜厚との差を設定することが好ましい。
後述する比較例１の場合、前述のとおり、図５に示すピーク反射率の面内分布から導き出される、基板の中心から外周部へのピーク反射率の低下量（ピーク反射率の最大値に対するピーク反射率の低下量）は、約０．６％となる。
このため、図３において、ピーク反射率の極大値に対するピーク反射率の低下量が、約０．６％となるように、基板の中心における膜厚を設定すればよい。
これらの前提により、実施例１では、基板の外周部における、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層の膜厚が４．５ｎｍ、基板の中心における、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層の膜厚が４．９ｎｍになるように、半径方向に膜厚分布を設けた。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層に上記の膜厚分布を設けるには、図２に示すスピン成膜の実施時において、法線Ｈに対するスパッタ粒子２０の入射角度αを適宜調節すればよい。例えば、通常の成膜時におけるスパッタ粒子２０の入射角度を基準としたとき、反射率分布補正層の成膜時におけるスパッタ粒子２０の入射角度を１０°以上差を与えて調整してもよく、１０％以上の膜厚分布を与える場合、反射率分布補正層の成膜時におけるスパッタ粒子２０の入射角度を２０°以上差を与えて調整してもよい。なお、後述する実施例では、入射角度αを０°〜６０°の範囲で所望の膜厚分布となるように調整し、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布が０．３％以下であることを確認した。
このため、図３において、ピーク反射率の極大値に対するピーク反射率の低下量が、約０．６％となるように、基板の中心における膜厚を設定すればよい。
これらの前提により、実施例１では、基板の外周部における、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層の膜厚が４．５ｎｍ、基板の中心における、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層の膜厚が４．９ｎｍになるように、半径方向に膜厚分布を設けた。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層に上記の膜厚分布を設けるには、図２に示すスピン成膜の実施時において、法線Ｈに対するスパッタ粒子２０の入射角度αを適宜調節すればよい。例えば、通常の成膜時におけるスパッタ粒子２０の入射角度を基準としたとき、反射率分布補正層の成膜時におけるスパッタ粒子２０の入射角度を１０°以上差を与えて調整してもよく、１０％以上の膜厚分布を与える場合、反射率分布補正層の成膜時におけるスパッタ粒子２０の入射角度を２０°以上差を与えて調整してもよい。なお、後述する実施例では、入射角度αを０°〜６０°の範囲で所望の膜厚分布となるように調整し、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布が０．３％以下であることを確認した。
但し、基板中心から半径方向に膜厚分布を設けたことによって生じるＥＵＶ光のピーク反射率の変化が大きすぎると、かえってＥＵＶ光のピーク反射率に面内分布を生じさせるおそれがある。このため、基板中心から半径方向に膜厚分布を設けたことによって生じるＥＵＶ光のピーク反射率の変化は２％以下が好ましく、１．５％以下がより好ましく、１％以下がさらに好ましい。
上述したように、本発明では、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層、高屈折率層）のうち少なくとも１層を、基板中心から半径方向にＥＵＶ光のピーク反射率が高くなるような膜厚分布（別の言い方をすると、基板の外周部から基板の中心へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなるような膜厚分布）を設けた反射率分布補正層とする。
したがって、多層反射膜を構成するいずれの層を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。すなわち、高屈折率層（Ｓｉ層）を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよく、低屈折率層（Ｍｏ層）を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。
また、多層反射膜を構成する各層のうち、１層のみを、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよく、２層以上を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。したがって、高屈折率層（Ｓｉ層）と低屈折率層（Ｍｏ層）の両方を、反射率分布補正層としてもよい。また、２層以上を上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層とする場合、互いに連続する２層以上を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよく、互いに離隔した２層以上を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。
なお、多層反射膜を構成する各層のうち、上記した膜厚分布を設ける層は、上述した低屈折率層（Ｍｏ層）と高屈折率層（Ｓｉ層）の膜厚の一構成例（（２．５ｎｍ）および（４．５ｎｍ））の例外となる。
したがって、多層反射膜を構成するいずれの層を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。すなわち、高屈折率層（Ｓｉ層）を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよく、低屈折率層（Ｍｏ層）を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。
また、多層反射膜を構成する各層のうち、１層のみを、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよく、２層以上を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。したがって、高屈折率層（Ｓｉ層）と低屈折率層（Ｍｏ層）の両方を、反射率分布補正層としてもよい。また、２層以上を上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層とする場合、互いに連続する２層以上を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよく、互いに離隔した２層以上を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層としてもよい。
なお、多層反射膜を構成する各層のうち、上記した膜厚分布を設ける層は、上述した低屈折率層（Ｍｏ層）と高屈折率層（Ｓｉ層）の膜厚の一構成例（（２．５ｎｍ）および（４．５ｎｍ））の例外となる。
但し、多層反射膜の表面に近い層を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層とするほうが、多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率がより大きく変化する場合が多い。このため、多層反射膜の最上層から、低屈折率層（Ｍｏ層）および高屈折率層（Ｓｉ層）の積層の繰り返し数が２０以内の層を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることが好ましく、該積層の繰り返し数が１０以内の層を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることがより好ましく、該積層の繰り返し数が５以内の層を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることがさらに好ましい。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＭｏ層およびＳｉ層の積層の繰り返し数は、上述したように３０〜６０である。
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＭｏ層およびＳｉ層の積層の繰り返し数は、上述したように３０〜６０である。
また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する層のうち、Ｓｉ層を、上記した膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることが好ましい。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層の膜厚は、上述した一構成例（Ｍｏ層（２．５ｎｍ）、Ｓｉ層（４．５ｎｍ））に示すように、Ｍｏ層よりもＳｉ層のほうが大きい。これは、ＥＵＶ光のピーク反射率を高くするためのγ比（周期長に対するＳｉ層の割合）として、このような組み合わせが好ましいからである。そして、膜厚の大きいＳｉ層のほうが、より小さな膜厚分布の変化率でＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面におけるＥＵＶ光のピーク反射率を変化させることから、成膜装置の制御範囲で膜厚分布を調整しやすくなる点で好ましい。反射率分布補正層を、Ｓｉ層１層のみ、とする場合、最上層Ｓｉ層を第１層目としたとき、第１層目〜（上記したＭｏ層およびＳｉ層の積層の繰り返し数に応じて、第３０層目〜第６０層目）のいずれか１層のＳｉ層のみ、とすればよく、第１層目〜第２０層目のいずれか１層のＳｉ層のみ、が好ましく、第１層目〜第１０層目のいずれか１層のＳｉ層のみ、がより好ましく、第１層目〜第５層目のいずれか１層のＳｉ層のみ、がさらに好ましく、第１層目〜第３層目のいずれか１層のＳｉ層のみ、がさらに好ましい。なお、上記のＳｉ層の層番号は、Ｍｏ層をカウントしないときの層番号である。例えば、最上層がＳｉ層であるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、第２層目のＳｉ層とは、最上層からＳｉ層、Ｍｏ層に続く、Ｓｉ層がそれに該当する。
また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜において、例えば、最上層（第１層目）のＳｉ層のみを反射率分布補正層とする場合、スパッタリングプロセスにおける最終の成膜時のみ、他のＳｉ層の成膜時のスパッタ粒子の入射角度等の条件から変更するだけでよいので、成膜プロセスが煩雑になりにくい利点がある。
また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜において、例えば、最上層（第１層目）のＳｉ層のみを反射率分布補正層とする場合、スパッタリングプロセスにおける最終の成膜時のみ、他のＳｉ層の成膜時のスパッタ粒子の入射角度等の条件から変更するだけでよいので、成膜プロセスが煩雑になりにくい利点がある。
保護層１３は、エッチングプロセス、具体的には、エッチングガスとして塩素系ガスを用いたドライエッチングプロセスにより吸収層１４にパターン形成する際に、反射層１２がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう反射層１２を保護する目的で設けられる。したがって保護層１３の材質としては、吸収層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。
また、保護層１３は、保護層１３を形成した後であっても反射層１２でのＥＵＶ光線反射率を損なうことがないように、保護層１３自体もＥＵＶ光線反射率が高いことが好ましい。
本発明では、上記の条件を満足するため、保護層１３として、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層が形成される。Ｒｕ化合物層としては、ＲｕＢ、ＲｕＮｂ、および、ＲｕＺｒからなる少なくとも１種で構成されることが好ましい。保護層１４がＲｕ化合物層である場合、Ｒｕの含有率は５０ａｔ％以上、８０ａｔ％以上、特に９０ａｔ％以上であることが好ましい。但し、保護層１３がＲｕＮｂ層の場合、保護層１３中のＮｂの含有率が５〜４０ａｔ％、特に５〜３０ａｔ％が好ましい。
また、保護層１３は、保護層１３を形成した後であっても反射層１２でのＥＵＶ光線反射率を損なうことがないように、保護層１３自体もＥＵＶ光線反射率が高いことが好ましい。
本発明では、上記の条件を満足するため、保護層１３として、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層が形成される。Ｒｕ化合物層としては、ＲｕＢ、ＲｕＮｂ、および、ＲｕＺｒからなる少なくとも１種で構成されることが好ましい。保護層１４がＲｕ化合物層である場合、Ｒｕの含有率は５０ａｔ％以上、８０ａｔ％以上、特に９０ａｔ％以上であることが好ましい。但し、保護層１３がＲｕＮｂ層の場合、保護層１３中のＮｂの含有率が５〜４０ａｔ％、特に５〜３０ａｔ％が好ましい。
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３表面の表面粗さは、０．５ｎｍ ｒｍｓ以下が好ましい。保護層１３表面の表面粗さが大きいと、該保護層１３上に形成される吸収層１４の表面粗さが大きくなり、該吸収層１４に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層１４表面は平滑であることが要求される。
保護層１３表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、該保護層１３上に形成される吸収層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。保護層１３表面の表面粗さは、０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
保護層１３表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、該保護層１３上に形成される吸収層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。保護層１３表面の表面粗さは、０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３の厚さは、ＥＵＶ光線反射率を高め、かつ耐エッチング特性を得られるという理由から、１〜１０ｎｍが好ましい。保護層１３の厚さは、１〜５ｎｍがより好ましく、２〜４ｎｍがさらに好ましい。
また、反射層（多層反射膜）１２上に保護層１３を形成する場合は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）、および、保護層のうち、少なくとも１層に前記基板の中心から半径方向に上記した膜厚分布を設ける。したがって、保護層１３として形成するＲｕ層やＲｕ化合物層のみに上記した膜厚分布を設けてもよく、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層、および、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）の両方に上記した膜厚分布を設けてもよい。
但し、反射層１２がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、ＥＵＶ光線反射率を高くするためには、保護層１３として形成するＲｕ層やＲｕ化合物層の膜厚よりも、Ｓｉ層の膜厚を大きくすることが好ましいため、反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２上に保護層１３を形成する場合についても、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＳｉ層に膜厚分布を設けることが好ましい。
また、反射層（多層反射膜）１２上に保護層１３を形成する場合は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）、および、保護層のうち、少なくとも１層に前記基板の中心から半径方向に上記した膜厚分布を設ける。したがって、保護層１３として形成するＲｕ層やＲｕ化合物層のみに上記した膜厚分布を設けてもよく、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層、および、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）の両方に上記した膜厚分布を設けてもよい。
但し、反射層１２がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、ＥＵＶ光線反射率を高くするためには、保護層１３として形成するＲｕ層やＲｕ化合物層の膜厚よりも、Ｓｉ層の膜厚を大きくすることが好ましいため、反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２上に保護層１３を形成する場合についても、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成するＳｉ層に膜厚分布を設けることが好ましい。
反射層１２上に保護層１３を形成する場合、保護層１３は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いる。
ここで、イオンビームスパッタリング法を用いて、保護層１３としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガス雰囲気中で放電させればよい。具体的には、以下の条件でイオンビームスパッタリングを実施すればよい。
スパッタリングガス：Ａｒ（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
イオン加速電圧：３００〜１５００Ｖ
成膜速度：１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合も上記のガス圧とする。
ここで、イオンビームスパッタリング法を用いて、保護層１３としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガス雰囲気中で放電させればよい。具体的には、以下の条件でイオンビームスパッタリングを実施すればよい。
スパッタリングガス：Ａｒ（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
イオン加速電圧：３００〜１５００Ｖ
成膜速度：１．８〜１８．０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合も上記のガス圧とする。
なお、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層を形成する前の状態、すなわち、図１に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１の吸収層１４を除いた構造が本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板である。本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの前駆体をなすものである。なお、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの前駆体に限らず、全般的にＥＵＶ光を反射する機能を有する光学基板を含めて考えてもよい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）のうち、少なくとも１層が、基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層である。
なお、反射層に保護層が形成されている場合は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）のうち、少なくとも１層が、基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層である。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）のうち、少なくとも１層が、基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層である。
なお、反射層に保護層が形成されている場合は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）のうち、少なくとも１層が、基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層である。
吸収層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層１４表面に照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率は、０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料での構成が好ましく、少なくともＴａおよびＮを含有する層が好ましい。
なお、少なくともＴａおよびＮを含有する層であれば、結晶状態がアモルファスの膜を形成しやすい点でも好ましい。
ＴａおよびＮを含有する層としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＢＮ、ＴａＧａＮ、ＴａＧｅＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＳｉＮ、および、ＰｄＴａＮからなる群から選択されるいずれか１つを用いることが好ましい。これらの吸収層の好適組成の一例を挙げると以下のとおりである。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料での構成が好ましく、少なくともＴａおよびＮを含有する層が好ましい。
なお、少なくともＴａおよびＮを含有する層であれば、結晶状態がアモルファスの膜を形成しやすい点でも好ましい。
ＴａおよびＮを含有する層としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＢＮ、ＴａＧａＮ、ＴａＧｅＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＳｉＮ、および、ＰｄＴａＮからなる群から選択されるいずれか１つを用いることが好ましい。これらの吸収層の好適組成の一例を挙げると以下のとおりである。
ＴａＮ層
Ｔａの含有率：好ましくは３０〜９０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％、さらに好ましくは４０〜７０ａｔ％、特に好ましくは５０〜７０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは１０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜６０ａｔ％、特に好ましくは３０〜５０ａｔ％
Ｔａの含有率：好ましくは３０〜９０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％、さらに好ましくは４０〜７０ａｔ％、特に好ましくは５０〜７０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは１０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜６０ａｔ％、特に好ましくは３０〜５０ａｔ％
ＴａＮＨ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは５０〜９９．９ａｔ％、より好ましくは９０〜９８ａｔ％、さらに好ましくは９５〜９８ａｔ％
Ｈの含有率：好ましくは０．１〜５０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％、さらに好ましくは２〜５ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは５０〜９９．９ａｔ％、より好ましくは９０〜９８ａｔ％、さらに好ましくは９５〜９８ａｔ％
Ｈの含有率：好ましくは０．１〜５０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％、さらに好ましくは２〜５ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
ＴａＢＮ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは７５〜９５ａｔ％、より好ましくは８５〜９５ａｔ％、さらに好ましくは９０〜９５ａｔ％
Ｂの含有率：好ましくは５〜２５ａｔ％、より好ましくは５〜１５ａｔ％、さらに好ましくは５〜１０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは７５〜９５ａｔ％、より好ましくは８５〜９５ａｔ％、さらに好ましくは９０〜９５ａｔ％
Ｂの含有率：好ましくは５〜２５ａｔ％、より好ましくは５〜１５ａｔ％、さらに好ましくは５〜１０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
ＴａＢＳｉＮ層
Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率：１〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：８：１〜１：１
Ｔａの含有率：好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率：１〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：８：１〜１：１
Ｔａの含有率：好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
ＰｄＴａＮ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは３０〜７５ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
Ｐｄの含有率：好ましくは２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２５〜７０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは１：７〜３：１、より好ましくは１：３〜３：１、さらに好ましくは３：５〜３：１
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは３０〜７５ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
Ｐｄの含有率：好ましくは２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２５〜７０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは１：７〜３：１、より好ましくは１：３〜３：１、さらに好ましくは３：５〜３：１
吸収層１４表面は、上述のとおり、その表面粗さが大きいと、吸収層１４に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層１４表面は平滑性が要求される。
吸収層１４として、少なくともＴａおよびＮを含有する層を形成した場合、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。具体的には、吸収層１４としてＴａＮ層を形成した場合、吸収層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下になる。
吸収層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、吸収層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層１４表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
吸収層１４として、少なくともＴａおよびＮを含有する層を形成した場合、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。具体的には、吸収層１４としてＴａＮ層を形成した場合、吸収層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下になる。
吸収層１４表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、吸収層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層１４表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
吸収層１４は、少なくともＴａおよびＮを含有する層であることにより、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際のエッチング速度が速く、保護層１３とのエッチング選択比は１０以上を示す。本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。
エッチング選択比
＝（吸収層１４のエッチング速度）／（保護層１３のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上がさらに好ましく、１２以上が特に好ましい。
エッチング選択比
＝（吸収層１４のエッチング速度）／（保護層１３のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上がさらに好ましく、１２以上が特に好ましい。
吸収層１４の膜厚は、５ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましく、３０ｎｍ以上がさらに好ましく、５０ｎｍ以上が特に好ましい。
一方、吸収層１４の膜厚が大きすぎると、該吸収層１４に形成するパターンの精度が低下するおそれがあるため、１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下がさらに好ましい。
一方、吸収層１４の膜厚が大きすぎると、該吸収層１４に形成するパターンの精度が低下するおそれがあるため、１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下がさらに好ましい。
吸収層１４は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を使用できる。
吸収層１４としてＴａＮ層を形成する場合、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合には、Ｔａターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でターゲットを放電させることによって、ＴａＮ層を形成できる。
吸収層１４としてＴａＮ層を形成する場合、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合には、Ｔａターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でターゲットを放電させることによって、ＴａＮ層を形成できる。
上記例示した方法で吸収層１４としてのＴａＮ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧０．５×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧０．５×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは０．５×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクは、図４に示した構成（すなわち、基板１１、反射層１２、保護層１３および吸収層１４）以外の構成要素を有していてもよい。
図４は、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの別の実施形態を示す概略断面図である。
図４に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´では、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層１５が形成されている。
図４は、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの別の実施形態を示す概略断面図である。
図４に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´では、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層１５が形成されている。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクからＥＵＶＬ用反射型マスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計どおりに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍの光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層１４がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層１４表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は保護層１３表面であり、反射層１２上に保護層１３が形成しない場合は反射層１２表面（具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜表面）である。
したがって、２５７ｎｍ程度の検査光の波長に対する保護層１３表面（または反射層１２表面）と吸収層１４表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査ができない場合がある。
したがって、２５７ｎｍ程度の検査光の波長に対する保護層１３表面（または反射層１２表面）と吸収層１４表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査ができない場合がある。
上記した構成の吸収層１４は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長についてみた場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収層１４表面の反射率と反射層１２表面（または保護層１３表面）の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られないおそれがある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えない場合がある。
図４に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´のように、吸収層１４上に低反射層１５を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層１５は、検査光の波長領域（２５７ｎｍ近傍）の光線を照射した際の、該検査光の波長の最大光線反射率は、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
低反射層１５における検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層１３表面（または反射層１２表面）における検査光の波長の反射光と、低反射層１５表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、４０％以上となる。
図４に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´のように、吸収層１４上に低反射層１５を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層１５は、検査光の波長領域（２５７ｎｍ近傍）の光線を照射した際の、該検査光の波長の最大光線反射率は、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
低反射層１５における検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層１３表面（または反射層１２表面）における検査光の波長の反射光と、低反射層１５表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、４０％以上となる。
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求められる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層１３表面（または反射層１２表面）での反射率であり、Ｒ1は低反射層１５表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図４に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´の吸収層１４および低反射層１５にパターンを形成した状態で測定する。上記Ｒ2は、パターン形成によって吸収層１４および低反射層１５が除去され、外部に露出した保護層１３表面（または反射層１２表面）で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１５表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストは、４５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、７０％以上が特に好ましい。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層１３表面（または反射層１２表面）での反射率であり、Ｒ1は低反射層１５表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図４に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´の吸収層１４および低反射層１５にパターンを形成した状態で測定する。上記Ｒ2は、パターン形成によって吸収層１４および低反射層１５が除去され、外部に露出した保護層１３表面（または反射層１２表面）で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１５表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストは、４５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、７０％以上が特に好ましい。
低反射層１５は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層１４よりも低い材料で構成され、その結晶状態はアモルファスが好ましい。
このような低反射層１５の具体例としては、Ｔａ、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を以下に述べる原子比率で含有するもの（低反射層（ＴａＯＮ））が挙げられる。
Ｔａの含有率 ２０〜８０ａｔ％、好ましくは、２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％
ＯおよびＮの合計含有率 ２０〜８０ａｔ％、好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％
ＯとＮとの組成（Ｏ：Ｎ） ２０：１〜１：２０、好ましくは１８：１〜１：１８、より好ましくは１５：１〜１：１５
このような低反射層１５の具体例としては、Ｔａ、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を以下に述べる原子比率で含有するもの（低反射層（ＴａＯＮ））が挙げられる。
Ｔａの含有率 ２０〜８０ａｔ％、好ましくは、２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％
ＯおよびＮの合計含有率 ２０〜８０ａｔ％、好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％
ＯとＮとの組成（Ｏ：Ｎ） ２０：１〜１：２０、好ましくは１８：１〜１：１８、より好ましくは１５：１〜１：１５
低反射層（ＴａＯＮ）は、上記の構成により、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、低反射層（ＴａＯＮ）表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化を防止するため、吸収層１４表面は平滑であることが要求される。低反射層１５は、吸収層１４上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
低反射層１５表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、低反射層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層１５表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化を防止するため、吸収層１４表面は平滑であることが要求される。低反射層１５は、吸収層１４上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
低反射層１５表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、低反射層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層１５表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
吸収層１４上に低反射層１５を形成する場合、吸収層１４と低反射層１５との合計厚さは、２０〜１３０ｎｍが好ましい。また、低反射層１５の厚さが吸収層１４の厚さよりも大きいと、吸収層１４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１５の厚さは吸収層１４の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層１５の厚さは５〜３０ｎｍが好ましく、１０〜２０ｎｍがより好ましい。
上記の構成の低反射層（ＴａＯＮ）は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した酸素（Ｏ2）および窒素（Ｎ2）雰囲気中で、Ｔａターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法により形成できる。または、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａターゲットを放電させてＴａおよびＮを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、上記の構成の低反射層（ＴａＯＮ）としてもよい。
上記した方法で低反射層（ＴａＯＮ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜８０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜７０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％。Ａｒガス濃度５〜９０ｖｏｌ％、好ましくは１０〜８８ｖｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．２〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．２〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
スパッタリングガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜８０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜７５ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜７０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％。Ａｒガス濃度５〜９０ｖｏｌ％、好ましくは１０〜８８ｖｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：０．１〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．２〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．２〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
図５に示すＥＵＶＬ用反射型マスクブランク１´のように、吸収層１４上に低反射層１５を形成する構成が好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。また、検査光の波長が１９３ｎｍである場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はない場合がある。さらに、検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。
また、本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクは、反射層１２、保護層１３、吸収層１４、低反射層１５以外に、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載のように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される導電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、反射層１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す導電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択できる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の導電性（高誘電率）のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用できる。導電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍである。
導電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
導電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクは、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）のうち、少なくとも１層が、基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層である。
なお、反射層に保護層が形成されている場合は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）のうち、少なくとも１層が、基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層である。
なお、反射層に保護層が形成されている場合は、多層反射膜を構成する各層（低屈折率層および高屈折率層）のうち、少なくとも１層が、基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層である。
本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）を少なくともパターニングすることで、ＥＵＶＬ用反射型マスクが得られる。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）のエッチング方法としては、エッチングガスとして塩素系ガスを用いたドライエッチングを用いる。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより、ＥＵＶＬ用反射型マスクが得られる。
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（比較例１）
本実施例では、ＥＵＶＬ用反射層付基板を作製した。このＥＵＶＬ用反射層付基板は、図１に示すマスクブランク１の吸収層１４を除いた構造である。
成膜用の基板１１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３５ｍｍ）を使用する。このガラス基板の熱膨張率は０．０５×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、ｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
（比較例１）
本実施例では、ＥＵＶＬ用反射層付基板を作製した。このＥＵＶＬ用反射層付基板は、図１に示すマスクブランク１の吸収層１４を除いた構造である。
成膜用の基板１１として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３５ｍｍ）を使用する。このガラス基板の熱膨張率は０．０５×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、ｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
基板１１の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の導電性コーティング（図示していない）を施した。
平板形状をした通常の静電チャックに、上記の手順で形成されるＣｒ膜を用いて基板１１（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３５ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いて、図２に示すスピン成膜を実施し、Ｍｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返すことにより、合計膜厚２８０ｎｍ（（２．５ｎｍ＋４．５ｎｍ）×４０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）を形成した。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層はＳｉ膜である。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜は、基板１１表面の１５２ｍｍ角の領域に形成した。
平板形状をした通常の静電チャックに、上記の手順で形成されるＣｒ膜を用いて基板１１（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３５ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いて、図２に示すスピン成膜を実施し、Ｍｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返すことにより、合計膜厚２８０ｎｍ（（２．５ｎｍ＋４．５ｎｍ）×４０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）を形成した。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層はＳｉ膜である。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜は、基板１１表面の１５２ｍｍ角の領域に形成した。
Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下のとおりである。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度３ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度９７ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：３．８４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．５ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度３ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度９７ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：４．６２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４．５ｎｍ
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度３ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度９７ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：３．８４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２．５ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス：ＡｒとＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度３ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度９７ｖｏｌ％、ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：４．６２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４．５ｎｍ
上記の手順で形成したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜に最上層のＳｉ層について、基板中心から半径方向の膜厚分布を、ＸＲＲ（Ｘ線反射率法）を用いて評価した。基板中心から半径方向の膜厚分布は０．０ｎｍであった。
上記の手順で形成したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面に、ＥＵＶ光を入射角６度で照射した。この時のＥＵＶ波長域の反射光を、ＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ）を用いて測定し、同波長域のピーク反射率の面内分布と、反射光の中心波長の面内分布を評価した。
ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布は、０．０４ｎｍ以内であり、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内を満たしていた。なお、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以内であることは、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の基本構成であるＭｏ層およびＳｉ層の２層からなるＢｉｌａｙｅｒの膜厚分布にして、０．０４／１３．５３≒０．３％に相当する。
一方、図５の補正前（破線）は、上記の手順で形成したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図５の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は０．６％超であり、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値であり、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布は、０．０４ｎｍ以内であり、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値である、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．０６ｎｍ以内を満たしていた。なお、ＥＵＶ波長域の反射光の中心波長の面内分布が０．０４ｎｍ以内であることは、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の基本構成であるＭｏ層およびＳｉ層の２層からなるＢｉｌａｙｅｒの膜厚分布にして、０．０４／１３．５３≒０．３％に相当する。
一方、図５の補正前（破線）は、上記の手順で形成したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図５の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は０．６％超であり、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値であり、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
（実施例１）
本実施例では、比較例１で得られたＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布（図５の補正前）と、図３に示すＥＵＶ光のピーク反射率の膜厚依存性と、に基づいて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした点を除いて、比較例１と同様の手順で、基板１１上に反射層２として、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した。具体的には以下のとおり。
比較例１でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における、反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、図３でＥＵＶ光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例１でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ光のピーク反射率の低下量（約０．６％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
上記の手順で形成したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の反射率分布補正層（Ｓｉ層）について、基板中心から半径方向の膜厚分布を、ＸＲＲ（Ｘ線反射率法）を用いて評価した。基板中心から半径方向の膜厚分布は０．４ｎｍであり、上記した基板外周部における膜厚と基板中心における膜厚との差にほぼ一致していた。
本実施例では、比較例１で得られたＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布（図５の補正前）と、図３に示すＥＵＶ光のピーク反射率の膜厚依存性と、に基づいて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした点を除いて、比較例１と同様の手順で、基板１１上に反射層２として、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した。具体的には以下のとおり。
比較例１でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における、反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、図３でＥＵＶ光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例１でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ光のピーク反射率の低下量（約０．６％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
上記の手順で形成したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の反射率分布補正層（Ｓｉ層）について、基板中心から半径方向の膜厚分布を、ＸＲＲ（Ｘ線反射率法）を用いて評価した。基板中心から半径方向の膜厚分布は０．４ｎｍであり、上記した基板外周部における膜厚と基板中心における膜厚との差にほぼ一致していた。
図５の補正後（実線）に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層を、膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることで、基板中心から外周部へと半径方向にＥＵＶ光のピーク反射率が低下するピーク反射率の面内分布が抑制されて、ピーク反射率の面内分布が約０．１％となった。
（比較例２）
比較例１と同様の手順で基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を評価した。図６の補正前（破線）は、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図６の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は０．６％超であり、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値であり、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
比較例１と同様の手順で基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を評価した。図６の補正前（破線）は、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図６の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は０．６％超であり、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値であり、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
（実施例２）
本実施例では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層から、低屈折率層（Ｍｏ層）および高屈折率層（Ｓｉ層）の積層の繰り返し数が３番目のＳｉ層（つまり、上から３番目のＳｉ層）を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした。
比較例２でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、ＥＵＶ光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例２でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ光のピーク反射率の低下量（約０．６％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
図６の補正後（実線）に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の上から３番目のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることで、基板中心から外周部へと半径方向にＥＵＶ光のピーク反射率が低下するピーク反射率の面内分布が抑制されて、ピーク反射率の面内分布が約０．１％となった。
本実施例では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層から、低屈折率層（Ｍｏ層）および高屈折率層（Ｓｉ層）の積層の繰り返し数が３番目のＳｉ層（つまり、上から３番目のＳｉ層）を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした。
比較例２でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、ＥＵＶ光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例２でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ光のピーク反射率の低下量（約０．６％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
図６の補正後（実線）に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の上から３番目のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることで、基板中心から外周部へと半径方向にＥＵＶ光のピーク反射率が低下するピーク反射率の面内分布が抑制されて、ピーク反射率の面内分布が約０．１％となった。
（比較例３）
比較例１と同様の手順で基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を評価した。図７の補正前（破線）は、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図７の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は約０．４％であった。
比較例１と同様の手順で基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を評価した。図７の補正前（破線）は、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図７の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は約０．４％であった。
（実施例３）
本実施例では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層から、低屈折率層（Ｍｏ層）および高屈折率層（Ｓｉ層）の積層の繰り返し数が１０番目のＳｉ層（つまり、上から１０番目のＳｉ層）を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした。
比較例３でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例３でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ光のピーク反射率の低下量（約０．４％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
図７の補正後（実線）に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の上から１０番目のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることで、基板中心から外周部へと半径方向にＥＵＶ光のピーク反射率が低下するピーク反射率の面内分布が抑制されて、ピーク反射率の面内分布が約０．１％となった。
本実施例では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層から、低屈折率層（Ｍｏ層）および高屈折率層（Ｓｉ層）の積層の繰り返し数が１０番目のＳｉ層（つまり、上から１０番目のＳｉ層）を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした。
比較例３でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例３でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ光のピーク反射率の低下量（約０．４％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
図７の補正後（実線）に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の上から１０番目のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることで、基板中心から外周部へと半径方向にＥＵＶ光のピーク反射率が低下するピーク反射率の面内分布が抑制されて、ピーク反射率の面内分布が約０．１％となった。
（比較例４）
比較例１と同様の手順で基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を評価した。図８の補正前（破線）は、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図８の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は１．６％超であり、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値であり、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
比較例１と同様の手順で基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成し、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜にＥＵＶ光を入射角６度で照射した際の、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を評価した。図８の補正前（破線）は、基板の中心から半径方向における位置と、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布と、の関係を示したグラフである。
図８の補正前（破線）に示すように、基板の中心から該基板の外周部へとＥＵＶ光のピーク反射率が低くなる面内分布が生じている。ＥＵＶ光のピーク反射率の面内分布は１．６％超であり、ＥＵＶ光のピーク反射率の面内均一性に関する要求値であり、そのレンジ（中心波長の最大値と最小値との差）で０．５％以内を満たしていない。
（実施例４）
本実施例では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層と、該最上層から低屈折率層（Ｍｏ層）および高屈折率層（Ｓｉ層）の積層の繰り返し数が２番目のＳｉ層（つまり、上から２番目のＳｉ層）を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした。
比較例１でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例１でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の低下量（約１．６％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
図８の補正後（実線）に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層と、上から２番目のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることで、基板中心から外周部へと半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が低下するピーク反射率の面内分布が抑制されて、ピーク反射率の面内分布が約０．３％となった。
本実施例では、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ層と、該最上層から低屈折率層（Ｍｏ層）および高屈折率層（Ｓｉ層）の積層の繰り返し数が２番目のＳｉ層（つまり、上から２番目のＳｉ層）を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とした。
比較例１でＥＵＶ光のピーク反射率が最も低くなった基板の外周部における反射率分布補正層（Ｓｉ層）の膜厚を、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚付近の（４．５ｎｍ）とした。一方、比較例１でピーク反射率が最も高くなった基板の中心については、基板の中心から外周部へのＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の低下量（約１．６％）に対応する膜厚（４．９ｎｍ）とした。
図８の補正後（実線）に示すように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層と、上から２番目のＳｉ層を、半径方向の膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることで、基板中心から外周部へと半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が低下するピーク反射率の面内分布が抑制されて、ピーク反射率の面内分布が約０．３％となった。
１，１´：ＥＵＶマスクブランク
１１：基板
１２：反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）
１３：保護層
１４：吸収層
１５：低反射層
２０：スパッタ粒子
３０：中心軸
１１：基板
１２：反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）
１３：保護層
１４：吸収層
１５：低反射層
２０：スパッタ粒子
３０：中心軸
反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる高屈折率層と、を交互に積層することで、ＥＵＶ光をその表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。このような多層反射膜としては、具体的にはたとえば、低屈折率層であるモリブデン（Ｍｏ）層と高屈折率層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜がある。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
吸収層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層１４表面に照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率は、０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、吸収層１４は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料での構成が好ましく、少なくともＴａおよびＮを含有する層が好ましい。
なお、吸収層１４は、少なくともＴａおよびＮを含有する層であれば、結晶状態がアモルファスの膜を形成しやすい点でも好ましい。
ＴａおよびＮを含有する層としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＢＮ、ＴａＧａＮ、ＴａＧｅＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＳｉＮ、および、ＰｄＴａＮからなる群から選択されるいずれか１つを用いることが好ましい。これらの吸収層の好適組成の一例を挙げると以下のとおりである。
上記の特性を達成するため、吸収層１４は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料での構成が好ましく、少なくともＴａおよびＮを含有する層が好ましい。
なお、吸収層１４は、少なくともＴａおよびＮを含有する層であれば、結晶状態がアモルファスの膜を形成しやすい点でも好ましい。
ＴａおよびＮを含有する層としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＢＮ、ＴａＧａＮ、ＴａＧｅＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＳｉＮ、および、ＰｄＴａＮからなる群から選択されるいずれか１つを用いることが好ましい。これらの吸収層の好適組成の一例を挙げると以下のとおりである。
Claims (31)
- 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向におけるＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。 - 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上に該反射層の保護層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記保護層が、スパッタリング法により形成される、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記保護層の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層、および、前記保護層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。 - 前記反射率分布補正層に相当する膜厚分布を設けなかった場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が、前記基板の中心から半径方向にピーク反射率が低くなる面内分布であり、
前記反射率分布補正層における前記基板の中心から半径方向の膜厚分布として、前記基板中心から半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が高くなる膜厚分布を設けて、前記基板の中心から半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制する、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。 - 前記反射率分布補正層の膜厚を、
前記基板の外周部において、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚とし、
前記反射率分布補正層を設けた場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、前記基板の外周部における前記反射率分布補正層の膜厚と前記基板の中心における前記反射率分布補正層の膜厚との差を設定する、請求項３に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。 - 前記反射率分布補正層での前記基板の中心から半径方向の膜厚分布によって生じる、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の変化が２％以内である、請求項４に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とする、請求項１に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記保護層と、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層と、のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とする、請求項２に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とを交互に複数回積層させてなるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とする、請求項１〜７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。 - 前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とする、請求項８に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記多層反射膜の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 - 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、前記反射層上に該反射層の保護層を形成し、前記保護層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射層が、スパッタリング法により、低屈折率層と高屈折率層を交互に複数回積層させてなる多層反射膜であり、
前記保護層が、スパッタリング法により形成される、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記保護層の表面における、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布に応じて、
前記多層反射膜を構成する各層、および、前記保護層のうち、少なくとも１層を、前記基板の中心から半径方向に膜厚分布を設けた反射率分布補正層とすることにより、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層をさらに形成する、請求項１０または１１に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記反射率分布補正層に相当する膜厚分布を設けなかった場合の、前記基板の中心から半径方向のピーク反射率の面内分布が、前記基板の中心から半径方向にピーク反射率が低くなる面内分布であり、
前記反射率分布補正層での前記基板の中心から半径方向の膜厚分布として、前記基板中心から半径方向にＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が高くなる膜厚分布を設けて、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布が小さくなるように抑制する、請求項１０〜１２のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記反射率分布補正層の膜厚を、
前記基板の外周部において、ＥＵＶ波長域の光のピーク反射率が極大値となる膜厚とし、
前記反射率分布補正層を設けた場合の、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の面内分布における、ピーク反射率の最大値と最小値との差が、０．３％以下となるように、前記基板の外周部における前記反射率分布補正層の膜厚と前記基板の中心における前記反射率分布補正層の膜厚との差を設定する、請求項１３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記反射率分布補正層での前記基板の中心から半径方向の膜厚分布によって生じる、前記基板の中心から半径方向のＥＵＶ波長域の光のピーク反射率の変化が２％以内である、請求項１４に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とする、請求項１０に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記多層反射膜における低屈折率層および高屈折率層の積層の繰り返し数が３０〜６０であり、前記保護層と、前記多層反射膜の最上層から、前記積層の繰り返し数が２０以内の層と、のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とする、請求項１１に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とを交互に複数回積層させてなるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層を前記反射率分布補正層とする、請求項１０〜１７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とする、請求項１８に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項１〜９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法により製造される、ＥＵＶＬ用反射層付基板。
- 請求項１０〜１９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法により製造される、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層が交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板。 - 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上に該反射層の保護層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層が交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層および、前記保護層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であることを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板。 - 前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とが交互に複数回積層されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層が前記反射率分布補正層である、請求項２２または２３に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板。 - 前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とする、請求項２４に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板。
- 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層が交互に複数回積層された多層反射膜であり、
前記多層反射膜を構成する各層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であるＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上に該反射層の保護層が形成され、前記保護層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、
前記反射層が、低屈折率層と高屈折率層が交互に複数回積層された多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層またはＲｕ化合物層であり、
前記多層反射膜を構成する各層および前記保護層のうち、少なくとも１層が、前記基板の中心から半径方向に向けて、０．１〜１ｎｍの範囲で、膜厚が増加する、または、膜厚が減少する膜厚分布を有する反射率分布補正層であるＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記多層反射膜が、モリブデン（Ｍｏ）層とケイ素（Ｓｉ）層とが交互に複数回積層されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、少なくとも１層が前記反射率分布補正層である、請求項２５または２６に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。 - 前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＳｉ層のうち、最上層のＳｉ層を前記反射率分布補正層とする、請求項２８に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 前記吸収層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成された、請求項２６〜２９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
- 請求項２１、２６〜３０のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012155453A JP6069919B2 (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 |
| KR1020130077596A KR102133165B1 (ko) | 2012-07-11 | 2013-07-03 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 그 마스크 블랭크용 반사층 부착 기판 및 그 제조 방법 |
| US13/937,771 US9052601B2 (en) | 2012-07-11 | 2013-07-09 | Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production, as well as substrate with reflective layer for such mask blank and process for its production |
| TW102124698A TWI591421B (zh) | 2012-07-11 | 2013-07-10 | Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底及其製造方法、以及附該光罩基底用之反射層的基板及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012155453A JP6069919B2 (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014017442A true JP2014017442A (ja) | 2014-01-30 |
| JP6069919B2 JP6069919B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=49914252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012155453A Active JP6069919B2 (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9052601B2 (ja) |
| JP (1) | JP6069919B2 (ja) |
| KR (1) | KR102133165B1 (ja) |
| TW (1) | TWI591421B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160046740A (ko) | 2014-10-21 | 2016-04-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 그 마스크 블랭크용의 반사층이 부착된 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2016139675A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 |
| US10254640B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-04-09 | AGC Inc. | Reflective element for mask blank and process for producing reflective element for mask blank |
| JP2019117296A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP2020509413A (ja) * | 2017-02-28 | 2020-03-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ５ｎｍ〜２０ｎｍの波長域用の反射光学素子を補正する方法 |
| TWI724751B (zh) * | 2015-03-12 | 2021-04-11 | 美商瑞弗股份有限公司 | 用於改良光罩之光學性能及其特性之方法 |
| JP2023011647A (ja) * | 2014-07-11 | 2023-01-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム |
| US11860533B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014160752A (ja) | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板 |
| WO2019240555A1 (ko) | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 주식회사 엘지화학 | 장식 부재 |
| US11004612B2 (en) * | 2019-03-14 | 2021-05-11 | MicroSol Technologies Inc. | Low temperature sub-nanometer periodic stack dielectrics |
| KR102511751B1 (ko) * | 2019-11-05 | 2023-03-21 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크 및 포토마스크 |
| JP7226384B2 (ja) * | 2020-04-10 | 2023-02-21 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランク、その製造方法及び反射型マスク |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260072A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 反射素子、露光装置 |
| JP2005340459A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
| JP2009260183A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2010199503A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Nikon Corp | 光学素子、露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5371162B2 (ja) | 2000-10-13 | 2013-12-18 | 三星電子株式会社 | 反射型フォトマスク |
| JP4693395B2 (ja) | 2004-02-19 | 2011-06-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
| KR20070054651A (ko) * | 2004-09-17 | 2007-05-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법 |
| US7504185B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-03-17 | Asahi Glass Company, Limited | Method for depositing multi-layer film of mask blank for EUV lithography and method for producing mask blank for EUV lithography |
| JP5082857B2 (ja) | 2005-12-12 | 2012-11-28 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板 |
| TWI444757B (zh) | 2006-04-21 | 2014-07-11 | Asahi Glass Co Ltd | 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影術之反射性空白光罩 |
| TWI417647B (zh) | 2006-06-08 | 2013-12-01 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板 |
| KR101409642B1 (ko) | 2007-04-17 | 2014-06-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| JP5194547B2 (ja) | 2007-04-26 | 2013-05-08 | 凸版印刷株式会社 | 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク |
| JP2011022012A (ja) | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Canon Inc | 光学素子 |
| TWI467318B (zh) | 2009-12-04 | 2015-01-01 | Asahi Glass Co Ltd | An optical member for EUV microfilm, and a method for manufacturing a substrate with a reflective layer for EUV microfilm |
| KR101699574B1 (ko) | 2009-12-09 | 2017-01-24 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사층이 형성된 기판, ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크, 및 그 반사층이 형성된 기판의 제조 방법 |
| JP5590044B2 (ja) | 2009-12-09 | 2014-09-17 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材 |
| JP5494164B2 (ja) | 2010-04-14 | 2014-05-14 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 |
| CN103026296B (zh) | 2010-07-27 | 2014-12-10 | 旭硝子株式会社 | Euv光刻用带反射层的基板和euv光刻用反射型掩模底版 |
-
2012
- 2012-07-11 JP JP2012155453A patent/JP6069919B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-03 KR KR1020130077596A patent/KR102133165B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-09 US US13/937,771 patent/US9052601B2/en active Active
- 2013-07-10 TW TW102124698A patent/TWI591421B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260072A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 反射素子、露光装置 |
| JP2005340459A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
| JP2009260183A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2010199503A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Nikon Corp | 光学素子、露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023011647A (ja) * | 2014-07-11 | 2023-01-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム |
| KR20160046740A (ko) | 2014-10-21 | 2016-04-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 그 마스크 블랭크용의 반사층이 부착된 기판 및 그 제조 방법 |
| US9720316B2 (en) | 2014-10-21 | 2017-08-01 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production, as well as substrate with reflective layer for such mask blank and process for its production |
| KR102476861B1 (ko) | 2014-10-21 | 2022-12-12 | 에이지씨 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 그 마스크 블랭크용의 반사층이 부착된 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2016139675A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 |
| TWI724751B (zh) * | 2015-03-12 | 2021-04-11 | 美商瑞弗股份有限公司 | 用於改良光罩之光學性能及其特性之方法 |
| US10254640B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-04-09 | AGC Inc. | Reflective element for mask blank and process for producing reflective element for mask blank |
| JP2020509413A (ja) * | 2017-02-28 | 2020-03-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ５ｎｍ〜２０ｎｍの波長域用の反射光学素子を補正する方法 |
| JP7049357B2 (ja) | 2017-02-28 | 2022-04-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ５ｎｍ～２０ｎｍの波長域用の反射光学素子を補正する方法 |
| JP2019117296A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| US11860533B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI591421B (zh) | 2017-07-11 |
| US9052601B2 (en) | 2015-06-09 |
| TW201407262A (zh) | 2014-02-16 |
| JP6069919B2 (ja) | 2017-02-01 |
| US20140017601A1 (en) | 2014-01-16 |
| KR20140008246A (ko) | 2014-01-21 |
| KR102133165B1 (ko) | 2020-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6069919B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 | |
| US9423684B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production | |
| JP6604134B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 | |
| JP5590044B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材 | |
| JP6287099B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
| WO2011068223A1 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法 | |
| KR20140085350A (ko) | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 | |
| JP2015073013A (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 | |
| JP2014229825A (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法および、該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 | |
| US9261773B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography, and reflective layer-coated substrate for EUV lithography | |
| JP6186996B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク | |
| JP6186962B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク | |
| JP6485070B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 | |
| JP6044213B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 | |
| JP5494164B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 | |
| JP6451884B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク | |
| JP6288327B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク | |
| WO2012114980A1 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150302 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160719 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161219 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6069919 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |