JP2020509413A - 5nm〜20nmの波長域用の反射光学素子を補正する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
多層系の表面にわたる反射率分布を測定するステップと、
測定された反射率分布を多層系の表面にわたる反射率の目標分布と比較して、目標反射率を超える測定反射率を有する1つ又は複数の部分表面を求めるステップと、
1つ又は複数の部分表面にイオン又は電子を照射するステップと
を含む方法により達成される。
多層系の表面にわたる反射率分布を測定するステップと、
測定された反射率分布を多層系の表面にわたる反射率の目標分布と比較して、目標反射率を超える測定反射率を有する1つ又は複数の部分表面を求めるステップと、
1つ又は複数の部分表面にイオン又は電子を照射するステップと
により補正することができる。
11 動作ビーム
12 EUV放射源
13 コレクタミラー
14 照明系
15 第1ミラー
16 第2ミラー
17 マスク
18 第3ミラー
19 第4ミラー
20 投影系
21 ウェハ
50 コレクタミラー
51 基板
52 研磨層
53 保護層
54 多層系
55 層対
56 スペーサ
57 アブソーバ
58 マスク
59 吸収層
200 EUVミラー
202 表面
204 領域
206 部分表面
500 ガリウムイオン
501 軌道
560 ケイ素原子
570 モリブデン原子
601〜607 方法ステップ
Claims (10)
- 基板上の多層系を有する5nm〜20nmの波長域用の反射光学素子を補正する方法であって、前記多層系は、極紫外波長域の波長の屈折率の実部が異なる少なくとも2つの異なる材料が交互に配置された層を有する方法において、
前記多層系の表面にわたる反射率分布を測定するステップと、
測定された反射率分布を前記多層系の前記表面にわたる反射率の目標分布と比較して、目標反射率を超える測定反射率を有する1つ又は複数の部分表面を求めるステップと、
前記1つ又は複数の部分表面にイオン又は電子を照射するステップと
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記目標分布は、平均からの変動が1%以下であることを特徴とする方法。
- 請求項1又は2に記載の方法において、照射中の前記イオン又は電子のエネルギーは、スパッタ限界未満及び/又は圧縮限界未満であるように選択されることを特徴とする方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法において、パルスイオンビーム又はパルス電子ビームを照射に用いることを特徴とする方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法において、ガリウム、インジウム、ビスマス、スズ、又は金のイオンを照射に用いることを特徴とする方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のように製造された、基板上の多層系を有する5nm〜20nmの波長域用の反射光学素子であって、前記多層系は、極紫外波長域の波長の屈折率の実部が異なる少なくとも2つの異なる材料が交互に配置された層を有する反射光学素子。
- 請求項6に記載の反射光学素子において、該反射光学素子は、ミラー、マスクブランク、又はマスクの形態で具現されることを特徴とする反射光学素子。
- 請求項6又は7に記載の、又は請求項1〜5のいずれか1項に記載のように製造された反射光学素子を有する光学系。
- 請求項6又は7に記載の反射光学素子を有する光学系とEUV放射源とを有し、該EUV放射源の放射線が前記反射光学素子の多層系の表面にわたってさまざまな強度で前記反射光学素子に入射するEUVリソグラフィ装置であって、二乗平均粗さが0.25nmを超える1つ又は複数の部分表面(206)が高強度の表面領域(204)にあることを特徴とするEUVリソグラフィ装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のように製造された反射光学素子を有する光学系とEUV放射源とを有し、該EUV放射源の放射線が前記反射光学素子の多層系の表面にわたってさまざまな強度で前記反射光学素子に入射するEUVリソグラフィ装置であって、イオン又は電子を照射された1つ又は複数の表面(206)が、高強度の表面領域(204)にあることを特徴とするEUVリソグラフィ装置。
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