JP2014017303A - Led光源装置及び光反射性基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材10の一表面に電極12,13を配置し、その基材10の上面の電極12,13が配置されていない領域全体に、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合された白色無機レジストによって白色無機レジスト層11を形成して、光反射性基板1′を構成する。その白色無機レジスト層11は、白色無機顔料がチタン酸バリウムである第1層11aと、アルミナである第2層11bとが基材10側から積層して形成する。その光反射性基板1′上にLED素子2を搭載し、その第1、第2バンプ23,24を電極12,13と接合して、互いに電気的に接続すると共に機械的に固着する。そのLED素子2を覆うように封止体3を設けている。
【選択図】 図8
Description
上記の目的を達成するため、上記白色無機レジスト層を、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合されたもので形成し、上記基材の表面側から第1層と第2層とによって構成する。
した側に、その近紫外LED素子を覆う封止体を備え、その封止体を蛍光体が分散された透光性を有する樹脂材料によって形成するとよい。
先ず、この発明による光反射性基板の基本的な実施形態について説明する。図1はその光反射性基板の基材の厚さ方向に沿う概略断面図である。
、同じくその波長域380nm〜450nmにおける全反射率特性例を波長のスケールを拡大して示す。
以下、この発明によるLED光源装置の各種実施形態を図8〜図15によって説明するが、これらの図において、図1と対応する部分には同一の符号を付してあり、それらの詳細な説明は省略する。また、図8〜図15の相互においても、形状が多少相違しても対応する部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
(1)フリップチップ両面実装タイプ
光反射性基板にLED素子を実装したLED光源装置には種々のタイプるが、先ず、フリップチップ両面実装タイプのLED光源装置である第1、第2の実施形態を図8〜図10によって説明する。
どの導電性がよく反射率も高いメッキ層12c,13cが形成さらている。しかし、このメッキ層12c,13cは必須ではない。
(2)ワイヤボンド両面実装タイプ
次に、この発明によるワイヤボンド両面実装タイプのLED光源装置である第3、第4の実施形態を図11及び図12によって説明する。
。
(3)フリップチップ上面実装タイプ
次に、この発明によるフリップチップ上面実装タイプのLED光源装置である第5の実施形態を図13によって説明する。図13はその第5の実施形態の構成を示す概略断面図である。
ができる。
次に、この発明によるワイヤボンド上面実装タイプのLED光源装置である第6、第7の実施形態を図14及び図15によって説明する。
の表面に、上述した第6の実施形態における電極17と同様な小さめの電極17,18を間隔を広く開けて配置している。
4,5:ボンディングワイヤ 10:基材 11:白色無機レジスト層
11a:第1層 11b:第2層 12〜19:電極
12a,13a,16a:ポスト部 12b〜16b: 下面電極部
12c〜19c: メッキ層 21:n型半導体層 22:p型半導体層
23:第1バンプ(n側電極) 24:第2バンプ(p側電極)
25:サファイア基板
Claims (11)
- 基材の一表面に電極と白色無機レジスト層とが形成された光反射性基板と、
該光反射性基板の前記白色無機レジスト層が形成された面側に、前記電極と少なくとも電気的に接続されて実装されたLED素子とを有するLED光源装置において、
前記白色無機レジスト層は、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合されたもので形成され、前記基材の表面側から第1層と第2層とによって構成されており、
前記第1層の白色無機顔料は、前記第2層の白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有し、
前記第2層は、前記第1層に比べて少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一である
ことを特徴とするLED光源装置。 - 前記第1層の白色無機顔料は、チタン酸バリウム又は酸化チタンあるいはその両方であり、
前記第2層の白色無機顔料はアルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、べーマイト、硫酸バリウム、焼成カオリンのうちのいずれかあるいは複数の組合せである
ことを特徴とする請求項1に記載のLED光源装置。 - 前記第1層の白色無機顔料はチタン酸バリウムであり、
前記第2層の白色無機顔料はアルミナである
ことを特徴とする請求項2に記載のLED光源装置。 - 前記基材の一表面全体に前記白色無機レジスト層が形成され、該白色無機レジスト層の上面に前記電極が配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のLED光源装置。
- 前記電極が前記基材の一表面に直接配置され、前記白色無機レジスト層が、前記基材の一表面における前記電極が配置されていない領域に形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のLED光源装置。
- 前記LED素子が近紫外LED素子であり、
前記光反射性基板の該近紫外LED素子を搭載した側に、該近紫外LED素子を覆う封止体を備え、該封止体は蛍光体が分散された透光性を有する樹脂材料によって形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のLED光源装置。 - 基材の一表面に白色無機レジスト層が形成された光反射性基板において、
前記白色無機レジスト層は、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合されたもので形成され、前記基材の表面側から第1層と第2層とによって構成されており、
前記第1層の白色無機顔料は、前記第2層の白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有し、
前記第2層は、前記第1層に比べて少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一である
ことを特徴とする光反射性基板。 - 前記第1層の白色無機顔料は、チタン酸バリウム又は酸化チタンあるいはその両方であり、
前記第2層の白色無機顔料はアルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、べーマイト、硫酸バリウム、焼成カオリンのうちのいずれかあるいは複数の組合せである
ことを特徴とする請求項7に記載の光反射性基板。 - 前記第1層の白色無機顔料はチタン酸バリウムであり、
前記第2層の白色無機顔料はアルミナである
ことを特徴とする請求項8に記載の光反射性基板。 - 前記基材の一表面全体に前記白色無機レジスト層が形成され、該白色無機レジスト層の上面に電極が配置されていることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の光反射性基板。
- 前記基材の一表面に電極が直接配置され、前記白色無機レジスト層が、前記基材の一表面における前記電極が配置されていない領域に形成されていることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の光反射性基板。
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