JP2017520915A - Ｕｖ保護を備えた可撓性ｌｅｄアセンブリ - Google Patents

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Abstract

可撓性ＬＥＤアセンブリ（３００）が記載される。より詳細には、基板の上又は中に位置付けられた導電性特徴部（３０４、３０６）を備えた基板（３０２）と、ＵＶ劣化に対抗して保護するように、基板の露出した部分の上に位置付けられるセラミック層（３１０）とを有する、可撓性ＬＥＤ（３２０）アセンブリ、並びにかかるアセンブリの作製方法が記載される。【選択図】図３

Description

本明細書は、可撓性ＬＥＤアセンブリに関する。
可撓性回路及びアセンブリは、多くの場合、プリンタ、コンピュータ、モニタなどの電子機器の様々な用途で、コネクタとして使用される。かかる回路は、可撓性及び省スペースの両方の点で、これまで使用されていた硬質回路基板に勝る利益を提供する。
回路向けのより高可撓性材料への動きにより、かかる回路に搭載されたＬＥＤからのＵＶ光に暴露されたときに、例えば可撓性のポリイミド基板を従来のセラミック基板と比較すると、高可撓性材料は劣化がより激しいなどの課題が生まれてきた。本明細書は、回路基板の劣化を防止しながらＬＥＤの可撓性を維持する解決策を提供することを目的とする。
１つの態様では、本明細書は可撓性ＬＥＤアセンブリに関する。可撓性ＬＥＤアセンブリは、可撓性ポリマー基板と、第１及び第２の導電性特徴部と、セラミック層とを備える。第１の導電性特徴部は、可撓性基板内及びその表面上に位置付けられる。第２の導電性特徴部は、第１の導電性特徴部からある距離で、可撓性基板内及びその表面上に位置付けられ、それによって可撓性ポリマー基板の一部分が第１及び第２の導電性特徴部の間に露出する。セラミック層は、第１及び第２の導電性特徴部の間の露出した可撓性ポリマー表面上に位置付けられる。
別の態様では、本明細書は可撓性ＬＥＤアセンブリに関する。可撓性ＬＥＤアセンブリは、可撓性ポリマー基板と、第１の導電性特徴部と、セラミック層とを備える。本可撓性ポリマー基板は、それを貫通して延在するビアを有する。第１の導電性特徴部は可撓性基板の下面に位置付けられ、第１の導電性特徴部の一部分はビアの下に位置付けられる。セラミック層は、可撓性ポリマー基板の上面に位置付けられる。任意に、アセンブリは、可撓性ポリマー基板及び可撓性基板の下面に位置付けられた第２の導電性特徴部に第２のビアを含んでもよく、第２の導電性特徴部の一部分は第２のビアの下に位置付けられる。
更に別の態様では、本明細書は、ＬＥＤアセンブリの作製方法に関する。本方法は、セラミック層を基板の表面に適用する工程であって、セラミックの適用前の基板が、露出した上面がポリマーである第１の部分と露出した上面が導電性金属である第２の部分とを備えている、工程と、前記セラミックを基板の表面の前記第２の部分から除去する工程と、前記基板の表面の前記第２の部分にある前記導電性金属に表面仕上げを施す工程と、を含む。
本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの断面図である。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの断面図である。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの断面図である。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの断面図である。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの作製方法を示すフローチャートである。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの作製方法を示すフローチャートである。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの作製方法を示すフローチャートである。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの作製方法を示すフローチャートである。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの作製方法を示すフローチャートである。 本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリの作製方法を示すフローチャートである。
図面は、必ずしも寸法通りではない。図中に用いられる同様の数字は、同様の構成要素を示す。しかしながら、所与の図面において、ある構成要素を指すのにある数字を使用することは、別の図面で同じ数字が付された構成要素を限定しようとするものではないことが理解されるであろう。
以下、本開示の様々な例示的実施形態を、特に図面を参照して記載する。本開示の例示的な実施形態は、本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変更を採用してもよい。したがって、本開示の実施形態は、以下に記述する例示的な実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲及びその任意の等価物において説明される限定によって制御されるものであることを理解されたい。
以下の記載では、その一部を形成すると共に例証を目的として示される、添付図面を参照する。他の実施形態が想到され、本開示の範囲又は趣旨から逸脱することなく実施されてもよいことを理解されたい。したがって、以下の詳細な記載は、限定的な意味で解釈されないものとする。
特段の指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される、特徴部のサイズ、量、及び物理的性質を表す全ての数字は、全ての場合において、「約」という語によって修飾されているものと理解されたい。したがって、そうでないとの指摘がない限り、上記の明細書及び添付の特許請求の範囲において説明される数値パラメータは、本明細書に開示される教示を利用して当業者が得ようとする所望の性質に応じて変動する可能性がある近似値である。
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用するとき、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、その内容が他に明確に示されない限り、複数の指示対象を有する実施形態を包含する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用するとき、「又は」という用語は、その内容が他に明確に示されない限り、「及び／又は」を含む意味で一般に用いられる。
「下部」、「上部」、「〜の下」、「下方」、「上方」、及び「〜の上」などが挙げられるがそれらに限定されない、空間に関連する用語は、本明細書で使用される場合、ある要素（複数可）の別の要素に対する空間的関係を述べる説明を容易にするために利用される。かかる空間に関連する用語は、図面に示され本明細書に記載される特定の配向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの異なる配向を包含する。例えば、図面に示される物体を反転させるか又は裏返した場合、他の要素の下方又はその下にあるものとしてそれまで記載されていた部分は、それら他の要素の上方に来る。
本明細書で使用するとき、例えば、ある要素、構成要素、若しくは層が、別の要素、構成要素、若しくは層と「一致する境界面」を形成するか、これらの「上にある」か、これらに「接続される」か、これらと「連結される」か、又はこれらと「接触する」として記載されるとき、例えば、特定の要素、構成要素、若しくは層の直接上にあるか、直接これらに接続されるか、直接これらと連結されるか、これらと直接接触している場合があり、あるいは介在する要素、構成要素、若しくは層上にあるか、これらに接続されるか、これらに連結されるか、又はこれらと接触していてもよい。例えば、ある要素、構成要素、若しくは層が、別の要素の「直接上にある」か、それに「直接接続される」か、それと「直接連結する」か、又はそれと「直接接触する」ものとして表される場合、例えば介在する要素、構成要素、又は層は存在しない。
図１は、本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリ１００の断面図を提供している。可撓性ＬＥＤアセンブリ１００は、可撓性ポリマー基板１０２を備える。可撓性ポリマー基板１０２は、好ましい一実施形態では、ポリイミドで作られてもよい。あるいは、基板１０２は、ＰＥＴ、液晶性ポリマー、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、熱可塑性ポリマー、又は別の適切な可撓性材料であってもよい。可撓性ポリマー基板１０２は、一般に、誘電性材料である。アセンブリ１００は、可撓性基板１０２内及びその表面上に位置付けられる、第１の導電性特徴部１０４を備える。例えば、第１の導電性特徴部は、基板の面内に明確に位置付けられるが、基板１０２の表面部分１０５ａ、１０５ｂ上にも位置付けられる。アセンブリ１００は、可撓性基板内及びその表面（例えば、表面部分１０７ａ、１０７ｂ）上にやはり位置付けられる、第２の導電性特徴部１０６を更に備える。
第２の導電性特徴部は、第１の導電性特徴部１０４からある距離に位置付けられ、それによって、可撓性ポリマー基板の一部分が第１及び第２の導電性特徴部１０８の間に露出する。少なくとも１つの実施形態では、第１及び第２の導電性特徴部は銅で作られてもよいが、他の導電性材料が使用されてもよい。最後に、セラミック層１１０は、第１及び第２の導電性特徴部の間の露出した可撓性ポリマー表面１０８上に位置付けられる。セラミック１１０はまた、基板の表面上で第１及び第２の導電性特徴部の対向面に位置付けられてもよく、それによって、可撓性基板１０２のあらゆる露出部分がセラミックで覆われる。特定の実施形態では、セラミック１１０は、それぞれ適切なＵＶ遮蔽能力を提供する、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、又はＢＮであってもよいが、ＵＶ遮蔽性を備えた他のセラミックが利用されてもよい。
図２は、本明細書による可撓性ＬＥＤアセンブリ２００の別の実施形態を示している。この実施形態では、可撓性ＬＥＤアセンブリは、ビア２１２が貫通して延在する、可撓性ポリマー基板２０２を備える。第１の導電性特徴部２０４は可撓性基板の下面２０５に位置付けられ、導電性特徴部２０４の一部分はビア２１２の下に位置付けられる。セラミック層２１０は、可撓性ポリマー基板の上面２０７に位置付けられる。それに加えて、可撓性ＬＥＤアセンブリ２００は、可撓性ポリマー基板に第２のビア２１４を備えてもよく、第２の導電性特徴部２０６は可撓性基板の下面２０５に位置付けられる。第２の導電性特徴部２０６の少なくとも一部分は、第２のビア２１４の下に位置付けられる。第１及び第２の導電性特徴部は、セラミック層、及び可撓性ポリマー基板（同じ名称の対応する特徴部に対して）のように、アセンブリ１００の導電性特徴部に関して記載した性質を有し得る。
当然ながら、図１及び２の構造は可撓性ＬＥＤアセンブリを例証しているが、最終的に、ＬＥＤはその構造体に搭載される。多数の適切なＬＥＤ構造体が使用されてもよい。図３は、１つのかかる構造体を示している。可撓性ＬＥＤアセンブリ３００は、第１の導電性特徴部３０４及び第２の導電性特徴部３０６の両方に搭載される、ＬＥＤ ３２０を備える。可撓性ポリマー基板３０２は、セラミック層３１０によって、ＬＥＤ ３２０から放射されるＵＶ光から遮蔽されている。この特定の構造体は、ＬＥＤ ３２０がフリップチップ又は横型ダイであるものであってもよい。ＬＥＤ ３２０がフリップチップの場合、はんだ付け技術を使用して、第１の導電性特徴部３０４及び第２の導電性特徴部３０６に結合されてもよい。あるいは、ＬＥＤは、第１及び第２の導電性特徴部に共晶接合されてもよい。
異なる実施形態では、ＬＥＤは、第１及び第２の導電性特徴部の一方又は両方にワイヤボンディングされてもよい。図４は、１つの例示的な構造体を示している。この場合、可撓性ＬＥＤアセンブリ４００は、第２の導電性特徴部４０６ではなく第１の導電性特徴部４０４に搭載されたＬＥＤ ４２０を備える。他の構造体の場合のように、可撓性ポリマー基板４０２は、セラミック層によって、ＬＥＤから放射されるＵＶ光から遮蔽される。しかしながら、ここでは、ＬＥＤは第２の導電性特徴部４０６にワイヤボンディングされる。また、第１の導電性特徴部４０４にワイアヤボンディングされてもよく、又はエポキシ樹脂結合接着剤を使用して、導電性ペースト、異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）、若しくは共晶結合を使用して、第１の導電性特徴部に取り付けられてもよい。
別の態様では、本明細書は、ＬＥＤアセンブリを作製する方法に関する。かかる方法が図５ａ〜５ｃに示されている。方法の第１の工程は、図５ａに示されるように、セラミック層５１０を基板５３０の表面５３２に適用する工程であり、基板は、セラミック５１０の適用前は、露出した上面がポリマーである第１の部分（即ち、第１の部分５２２）と、露出した上面が導電性金属５２６である第２の部分（即ち、第２の部分５２４）とを含む。一実施形態では、セラミック層５１０は、スパッタリングプロセスを使用して適用されてもよい。適用されるセラミック層５１０は、セラミック層１１０に関して記載した任意の適切な材料、例えば窒化アルミニウムであってもよい。一実施形態では、導電性金属５２６は銅であってもよい。
図５ｂに示される次の工程は、セラミック５１０を基板の表面の第２の部分５２４から除去する工程である。除去する工程は、多数の適切な手段を通して遂行されてもよい。例えば、１つの例では、粘着性のライナーが、第２の部分に対応するセラミック５１０の領域上に積層されてもよい。粘着性のライナーが除去されるとき、第２の部分５２４が覆うセラミックを剥離される。あるいは、セラミック５１０は、剛毛ブラッシング技術、（即ち研磨用基板を使用してセラミックを機械的にブラッシングする）を使用して、第２の部分の上部から除去してもよい。更に別の例では、セラミック層は、微細エッチングプロセスを使用して、第２の部分５２４の上部から除去されてもよい。
次に、本方法は、基板の表面の第２の部分５２４において、導電性金属５２６に表面仕上げを施すことを含む。図示されるように、表面仕上げは、表面の第２の部分５２４上にある種のめっきを行うことを伴ってもよい。例えば、表面仕上げは、無電解めっき、電気めっき、又は浸漬めっきを用いためっきを含んでもよい。一実施形態（図５ｃに例として示される）では、表面仕上げは、最初にニッケル層５３６をめっきし、次に金又は銀の層５３８をめっきすることを含んでもよい。
同じ種類のプロセスは、図２に示されるものに類似した可撓性ＬＥＤアセンブリにも使用されてもよい。かかるプロセスが図６ａ〜６ｃに示されている。ここで、やはり第１の工程（図６ａに示される）は、セラミック層６１０を基板６３０の表面６３２に適用する工程であり、基板は、セラミック６１０の適用前は、露出した上面がポリマーである第１の部分（即ち、第１の部分６２２）と、露出した上面が導電性金属６２６である第２の部分（即ち、第２の部分６２４）とを含む。
図６ｂに示される次の工程は、セラミック６１０を基板の表面の第２の部分６２４から除去する工程である。除去する工程は、図５ｂに関して上述したものなど、多数の適切な手段を介して遂行されてもよい。
最後に、本方法は、基板の表面の第２の部分６２４において、導電性金属６２６に表面仕上げを施すことを含む。図示されるように、表面仕上げは、表面の第２の部分６２４上にある種のめっきを行うことを伴ってもよい。例えば、表面仕上げは、無電解めっき、電気めっき、又は浸漬めっきを用いためっきを含んでもよい。一実施形態（図６ｃに例として示される）では、表面仕上げは、最初にニッケル層６３６をめっきし、次に金又は銀の層６３８をめっきすることを含んでもよい。
以下は、例示的な実施形態の一覧である。
実施形態１は、可撓性ＬＥＤアセンブリであって、
可撓性ポリマー基板と、
可撓性基板内及び可撓性基板の表面上に位置付けられた第１の導電性特徴部と、
第１の導電性特徴部から所定の距離において前記可撓性基板内及び可撓性基板の表面上に位置付けられた第２の導電性特徴部であって、前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間に前記可撓性ポリマー基板の一部分が露出されるようになっている、第２の導電性特徴部と、
前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間の前記露出した可撓性ポリマーの表面上に位置付けられる、セラミック層と、を備える、可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態２は、前記第１の導電性特徴部及び前記第２の導電性特徴部の両方に搭載されたＬＥＤを更に備え、前記可撓性ポリマー基板が、前記セラミック層によって前記ＬＥＤから放射されるＵＶ光から遮蔽される、実施形態１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態３は、前記可撓性ポリマー基板がポリイミドを含む、実施形態１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態４は、前記可撓性ポリマー基板が、ＰＥＴ、液晶性ポリマー、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、又は熱可塑性ポリマーを含む、実施形態１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態５は、前記第１の導電性特徴部及び第２の導電性特徴部が銅を含む、実施形態１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態６は、前記セラミックが、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、又はＢＮを含む、実施形態１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態７は、前記ＬＥＤがフリップチップを含む、実施形態２に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態８は、前記フリップチップがはんだ付け技術を使用して結合されている、実施形態７に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態９は、前記ＬＥＤがワイヤボンディングされたＬＥＤを含む、実施形態２に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態１０は、前記ＬＥＤが横型ダイを含む、実施形態２に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態１１は、前記ＬＥＤが前記第１の導電性特徴部及び前記第２の導電性特徴部に共晶結合されている、実施形態２に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態１２は、前記第２の導電性特徴部ではなく前記第１の導電性特徴部に搭載されたＬＥＤを更に備え、前記可撓性ポリマー基板が前記セラミック層によって、前記ＬＥＤから放射されるＵＶ光から遮蔽されている、実施形態１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態１３は、前記ＬＥＤが、エポキシ結合接着剤、導電性ペースト、異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）、又は共晶結合を使用して、前記第１の導電性特徴部に取り付けられている、実施形態１２に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態１４は、前記可撓性ポリマー基板が誘電体を含む、実施形態１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態１５は、
可撓性ポリマー基板を貫通して延在するビアを備える当該可撓性ポリマー基板と、
前記可撓性基板の下面に位置付けられた第１の導電性特徴部であって、前記第１の導電性特徴部の一部分が前記ビアの下に位置付けられている、第１の導電性特徴部と、
前記可撓性ポリマー基板の上面に位置付けられたセラミック層と、を備える、可撓性ＬＥＤアセンブリ。
実施形態１６は、前記可撓性ポリマー基板内にある第２のビアと、前記可撓性基板の下面に位置付けられた第２の導電性特徴部とを更に備え、前記第２の導電性特徴部の一部分が前記第２のビアの下に位置付けられている、実施形態１５に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリである。
実施形態１７は、ＬＥＤアセンブリを作製する方法であって、
セラミック層を基板の表面に適用する工程であって、前記基板が、前記セラミックの適用前に、露出した上面がポリマーである第１の部分と、前記露出した上面が導電性金属である第２の部分と、を備える、工程と、
前記セラミックを前記基板の表面の前記第２の部分から除去する工程と、
前記基板の表面の前記第２の部分内の前記導電性金属に表面仕上げする工程と、を含む、方法。
実施形態１８は、セラミックを基板の表面の第２の部分から除去する工程が、粘着性のライナーを第２の部分に対応するセラミックの領域上に積層する工程と、粘着性のライナーを除去することによってセラミックを第２の部分から剥離する工程とを含む、実施形態１７に記載の方法である。
実施形態１９は、前記セラミックを前記基板の表面の前記第２の部分から除去する工程が、剛毛ブラッシング技術を利用する工程を含む、実施形態１７に記載の方法である。
実施形態２０は、前記セラミックを前記基板の表面の前記第２の部分から除去する工程が、前記セラミックを微細エッチングする工程を含む、実施形態１７に記載の方法である。
実施形態２１は、前記導電性金属が銅を含む、実施形態１７に記載の方法である。
実施形態２２は、前記導電性金属を表面仕上げする工程が、無電解めっき、電気めっき、又は浸漬めっきを含む、実施形態１７に記載の方法である。
実施形態２３は、前記導電性金属を表面仕上げする工程が、最初にニッケル層をめっきし、次に金又は銀の層をめっきする工程を含む、実施形態１７に記載の方法である。
実施形態２４は、前記セラミック層がスパッタリングプロセスを使用して適用される、実施形態１７に記載の方法である。
実施形態２５は、前記セラミックが窒化アルミニウムを含む、実施形態１７に記載の方法である。

Claims (15)

  1. 可撓性ポリマー基板と、
    前記可撓性基板内及び可撓性基板の表面上に位置付けられた第１の導電性特徴部と、
    前記第１の導電性特徴部から所定の距離において前記可撓性基板内及び可撓性基板の表面上に位置付けられた第２の導電性特徴部であって、前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間に前記可撓性ポリマー基板の一部分が露出されるようになっている、第２の導電性特徴部と、
    前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間の前記露出した可撓性ポリマーの表面上に位置付けられた、セラミック層と、
    を備える、可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  2. 前記第１の導電性特徴部及び前記第２の導電性特徴部の両方に搭載されたＬＥＤを更に備え、前記可撓性ポリマー基板が、前記セラミック層によって前記ＬＥＤから放射されるＵＶ光から遮蔽されている、請求項１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  3. 前記可撓性ポリマー基板がポリイミドを含む、請求項１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  4. 前記セラミックが、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、又はＢＮを含む、請求項１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  5. 前記ＬＥＤが、前記第１の導電性特徴部及び前記第２の導電性特徴部にはんだ接合されたフリップチップを備える、請求項２に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  6. 前記ＬＥＤが前記第１の導電性特徴部及び前記第２の導電性特徴部に共晶接合されている、請求項２に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  7. 前記第２の導電性特徴部ではなく前記第１の導電性特徴部に搭載されたＬＥＤを更に備え、前記可撓性ポリマー基板が前記セラミック層によって、前記ＬＥＤから放射されるＵＶ光から遮蔽されている、請求項１に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  8. 前記ＬＥＤが、エポキシ結合接着剤、導電性ペースト、異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）、又は共晶接合を使用して、前記第１の導電性特徴部に取り付けられている、請求項７に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  9. 可撓性ポリマー基板を貫通して延在するビアを備える当該可撓性ポリマー基板と、
    前記可撓性基板の下面に位置付けられた第１の導電性特徴部であって、前記第１の導電性特徴部の一部分が前記ビアの下に位置付けられている、第１の導電性特徴部と、
    前記可撓性ポリマー基板の上面に位置付けられたセラミック層と、
    を備える、可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  10. 前記可撓性ポリマー基板内にある第２のビアと、前記可撓性基板の下面に位置付けられた第２の導電性特徴部とを更に備え、前記第２の導電性特徴部の一部分が前記第２のビアの下に位置付けられている、請求項９に記載の可撓性ＬＥＤアセンブリ。
  11. ＬＥＤアセンブリを作製する方法であって、
    セラミック層を基板の表面に適用する工程であって、前記基板が、前記セラミックの適用前に、露出した上面がポリマーである第１の部分と、前記露出した上面が導電性金属である第２の部分と、を備える、工程と、
    前記セラミックを前記基板の表面の前記第２の部分から除去する工程と、
    前記基板の表面の前記第２の部分内の前記導電性金属を表面仕上げする工程と、
    を含む、方法。
  12. 前記セラミックを前記基板の表面の前記第２の部分から除去する工程が、粘着性のライナーを前記第２の部分に対応するセラミックの領域上に積層する工程と、前記粘着性のライナーを除去することによって前記セラミックを前記第２の部分から剥離する工程とを含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記導電性金属を表面仕上げする工程が、最初にニッケル層をめっきし、次に金又は銀の層をめっきする工程を含む、請求項１１に記載の方法。
  14. 前記セラミック層がスパッタリングプロセスを使用して適用される、請求項１１に記載の方法。
  15. 前記セラミックが窒化アルミニウムを含む、請求項１１に記載の方法。
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