JP2014011263A - ボンディングヘッド - Google Patents

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Abstract

【解決手段】 ボンディングヘッド6は、ハウジング6Aに設けられてレーザ光Lを透過させるツールベース8を備えており、このツールベース8を透過させたレーザ光Lによって電子部品3を加熱して基板2に接合することができるようになっている。
上記ツールベース8の上記レーザ光が入射する表面には、放熱部材15の表面を接触させて設けてある。この放熱部材15は、上記レーザ光Lを透過させる光透過性を有するとともに、上記ツールベース8の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有している。
【効果】 ツールベース8はボンディング処理の際に加熱されるようになるが、該ツールベース8に伝達された熱は大きな熱伝導率を有している放熱部材15に速やかに逃げるようになる。したがってツールベース8が昇温されるのを常に良好に防止して、ボンディング装置のタクトアップを達成することが可能となる。
【選択図】 図1

Description

本発明はボンディングヘッドに関し、より詳しくは、ハウジングに設けられてレーザ光を透過させるツールベースを備え、このツールベースを透過させたレーザ光により電子部品を加熱して基板に接合するようにしたボンディングヘッドに関する。
従来、この種のボンディングヘッドとして、ツールベースを透過させたレーザ光により直接電子部品を加熱するようにしたものが知られている(特許文献1)。このボンディングヘッドは、電子部品にレーザ光吸収性と耐久性がある場合に用いられており、電子部品はツールベースの下面で直接保持されて、ツールベースを透過したレーザ光により加熱されるようになっている。
また従来、ツールベースを透過させたレーザ光によりボンディングツールを加熱し、このボンディングツールを介してこれに吸着保持した電子部品を加熱するようにしたボンディングヘッドも知られている(特許文献2)。このボンディングヘッドは、電子部品にレーザ光吸収性と耐久性がない場合に用いられており、この場合には光吸収性を有するボンディングツールをツールベースの下面に装着し、ボンディングツールの下面で電子部品を保持するようにしている。
上記特許文献1、2におけるボンディングヘッドにおけるツールベースは、いずれも石英で製造されている。石英は光透過性を有するためレーザ光によっては昇温されず、また熱伝導率が小さいため、レーザ光によって加熱された電子部品、又はボンディングツールからの伝熱が伝わりにくく、それ自体が昇温されにくくなっている。
特開2009−182162号公報 特開2010−129890号公報
しかしながら、電子部品を基板に接合するボンディング処理を行えば、ツールベースには加熱された電子部品又はボンディングツールからの熱が伝わるため、温度が上昇するようになる。
電子部品を基板に接合した後、次の電子部品をピックアップする際には、ツールベースは所定温度以下となっていなければならないが、上述したようにツールベースを構成する石英は熱伝導率が小さいため、これが昇温されると逆に冷却に時間がかかることになる。特にボンディングツールを用いたボンディングヘッドにおいては、ボンディングツールを冷却してもそれに伴なってツールベースからボンディングツールに熱が戻ってきてしまうため、冷却時間の短縮が困難であった。
そして特に熱硬化性樹脂を接着剤に用いたボンディングにおいては、電子部品をピックアップする際には、ツールベースの温度を熱硬化性樹脂が硬化しない室温付近まで降下させる必要があるため、ボンディング装置のタクトアップのためには冷却時間の短縮は必須の課題であった。
本発明はそのような事情に鑑み、より迅速にツールベースを冷却することが可能なボンディングヘッドを提供するものである。
すなわち本発明は、ハウジングに設けられてレーザ光を透過させるツールベースを備え、このツールベースを透過させたレーザ光により電子部品を加熱して基板に接合するようにしたボンディングヘッドにおいて、
上記ツールベースの上記レーザ光が入射する表面に、放熱部材の表面を接触させて設け、この放熱部材は、上記レーザ光を透過させる光透過性を有するとともに、上記ツールベースの熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有することを特徴とするものである。
上述したようにツールベースは、電子部品を基板に接合する際に加熱されて温度が上昇するようになる。しかるに本発明においては、ツールベースのレーザ光が入射する表面に放熱部材を接触させて設けてあり、この放熱部材は上記ツールベースの熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有しているので、電子部品からツールベースに逃げてこれに蓄熱されようとする熱は、上記大きな熱伝導率を有する放熱部材に速やかに逃げるようになる。
したがってツールベースが昇温されるのを常に良好に防止することができるので、ボンディング装置のタクトアップを達成することが可能となる。
本発明の一実施例を示す構成図。
以下、図示実施例について本発明を説明すると、図1において、1は基板2に電子部品3を接合するボンディング装置であって、該ボンディング装置1は、上記基板2を支持して水平面内でX−Y方向に移動させる基板ステージ4を備えている。上記基板ステージ4の上方側にボンディングヘッド6を配置してあり、このボンディングヘッド6は昇降加圧機構7によって昇降させることができるようにしてある。
上記ボンディングヘッド6は筒状に形成したハウジング6Aを備えており、このハウジング6Aの下端部にリング状の取付部材6Bを介してツールベース8を水平に固定し、後に詳述するように該ツールベース8の下面にボンディングツール9を着脱自在に吸着保持すると同時に、該ボンディングツール9の下面に上記電子部品3を着脱自在に吸着保持できるようにしてある。
上記ハウジング6Aの側面上部には可撓性を有する光ファイバー11の一端部を水平方向となるように接続してあり、この光ファイバー11の他端はレーザ発振器12に接続してある。
上記レーザ発振器12から発振されたレーザ光Lは、光ファイバー11を介して上記一端部からハウジング6Aの中心に向けて水平に照射されるとともに、集光レンズ13によって所要の大きさに集光されるようになっている。
そして水平方向に照射されたレーザ光Lは、ハウジング6Aの内部上方中央部に設けた反射ミラー14により鉛直下方に反射され、ツールベース8の上記レーザ光Lが入射する側の表面に積層密着させて設けた光透過性を有する放熱部材15および上記ツールベース8を透過してボンディングツール9に照射されて、該ボンディングツール9を加熱することができるようになっている。
上記放熱部材15はツールベース8の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有しており、この放熱部材15の上面に、該放熱部材15の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する冷却部材16を接触させて設けてある。この冷却部材16は、その中心部を上記レーザ光が通過できるように筒状に形成してあり、したがって放熱部材15の周囲に配置されてその上面に接触している。また該放熱部材15の外周面は、ハウジング6Aの内周面に密着させてある。
本実施例においては上記ツールベース8の厚さを薄く設定すると同時に、上記放熱部材15の厚さをツールベース8の厚さよりも大きく設定している。これによりツールベース8に蓄熱される熱量を可及的に少なくすることができ、またツールベース8の厚さを薄く設定してもその強度を放熱部材15によって補強することができる。
上記ツールベース8は例えば強度が高く、かつ熱伝導率が小さな石英によって薄板状に形成してある。石英の熱伝導率は1.5W/m・Kである。上記放熱部材15は例えば熱伝導率が大きなサファイヤによって薄板状に形成してある。サファイアの熱伝導率は40W/m・Kである。また冷却部材16やハウジング6Aはアルミニウムによって製造してあり、アルミニウムの熱伝導率はサファイヤよりも大きく、236W/m・Kである。なお、ボンディングツール9はシリコンカーバイド製の薄い部材から構成してあり、シリコンカーバイドの熱伝導率は80W/m・Kである。
上記放熱部材15の材料としてはサファイヤのほか、レーザ透過性を有し、かつ熱伝導率の大きなダイヤモンドやルビーを用いることができる。また冷却部材16やハウジング6Aとしてはアルミニウムのほかに、熱伝導率の大きな金属材料を用いることができる。特にこの冷却部材16やハウジング6Aの内部に、例えば冷却水を流通させる冷却通路を設けて、冷却部材16とハウジング6Aとの少なくともいずれか一方を冷却するようにすることが望ましい。
上記基板ステージ4、レーザ発振器12および昇降加圧機構7の作動は図示しない制御装置によって制御されるようになっており、この制御装置によってレーザ発振器12を作動させることにより、レーザ光Lをボンディングツール9に照射させてこれを加熱することができるようにしてある。
上記レーザ発振器12としては、半導体レーザ、YAGレーザ等の固体レーザ、或いはその他のレーザを用いることができる。
上記ハウジング6Aには負圧供給手段21に接続されたツール吸着用負圧ポート22と、負圧供給手段23に接続されたチップ吸着用負圧ポート24とが設けられており、ツール吸着用負圧ポート22から導入される負圧によってボンディングツール9をツールベース8の下面に吸着保持し、またチップ吸着用負圧ポート24から導入される負圧によって電子部品3をボンディングツール9の下面に吸着保持することができるようにしてある。
上記ツール吸着用負圧ポート22は、冷却部材15に形成した半径方向の連通孔26と上下方向の連通孔27、および冷却部材16の下面に形成した連通溝29を介して、放熱部材15とツールベース8とに両者を貫通させてそれぞれ形成したツール吸着孔30、31に連通させている。
これらツール吸着孔30、31はボンディングツール9と重合する位置に形成してあり、したがってツール吸着孔30、31に負圧を導入することにより、ツールベース8の下面にボンディングツール9を吸着保持することができるようになっている。
他方、上記チップ吸着用負圧ポート24は、ツールベース8の上面に形成した水平方向の連通溝33を介して、ツールベース8とボンディングツール9とに両者を貫通させてそれぞれ形成したチップ吸着孔35、36に連通させている。
そして上記チップ吸着孔35、36に負圧を導入することにより、ボンディングツール9の下面に電子部品3を吸着保持することができるようにしてある。
上記ツール吸着用負圧ポート22には常時負圧が供給されて上記ツールベース8からボンディングツール9が脱落しないようになっており、他方、チップ吸着用負圧ポート24には電子部品3を吸着保持する際に負圧が供給されるようになっている。
以上の構成において、電子部品3をボンディングツール9の下面に吸着保持した状態において、レーザ光Lが放熱部材15およびツールベース8を透過してボンディングツール9に照射されると、該ボンディングツール9がレーザ光Lによって加熱されて、電子部品3およびその下面の複数箇所に配置されたバンプ37が加熱されるようになる。
制御装置は、基板ステージ4を作動させて、ボンディングツール9に保持した電子部品3と基板2とを位置合わせした状態において、上記昇降加圧機構7によるボンディングヘッド6の下降を開始するようになっている。ボンディングヘッド6を所定の高さまで下降させ、電子部品と基板とを当接させ所要のボンディング荷重をかけた状態において、レーザ発振器12からレーザ光Lを発振させてボンディングツール9に照射させることにより、ボンディングツール9に吸着保持された電子部品3は、加熱されながら基板2へ押圧されて該基板2に接合されるようになる。
このようにしてボンディング作業が終了したら、制御装置からの指令によりチップ吸着孔35、36からの吸引が停止されるので、ボンディングツール9による電子部品3の保持状態が解除され、その後、昇降加圧機構7によりボンディングヘッド6が上昇され、次回のボンディングに移行するようになる。
上記ボンディングツール9がレーザ光Lによって加熱される際には、加熱されたボンディングツール9からこれに接触しているツールベース8に熱が逃げることになるが、ツールベース8の熱伝導率は小さく設定してあるので、ボンディングツール9からツールベース8に逃げる熱量を抑制することができる。したがってこれにより、ボンディングツール9を速やかに所要の温度まで昇温させることが可能となる。
ところでボンディング作業が行われると、熱はボンディングツール9からツールベース8に伝達されるので、それによってツールベース8の温度が上昇するようになる。しかしながらツールベース8には該ツールベース8の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する放熱部材15が接触されているので、ツールベース8に蓄熱されようとする熱は速やかに放熱部材15に逃げるようになる。これにより、ツールベース8の温度を常に低温に維持することが可能となる。
そして放熱部材15に逃げた熱は、さらに冷却部材16やハウジング6Aを介して外部に逃げるようになる。
上記ボンディングツール9に対するレーザ光Lの照射を終了した際には、このボンディングツール9は冷却されることになるが、この際には、それ以前にボンディングツール9からツールベース8に逃げた熱によって昇温されたツールベース8からボンディングツール9に熱が戻ることとなる。
しかしながら上述したように、ツールベース8に逃げた熱は放熱部材15側に逃げるので、ツールベース8からボンディングツール9に戻ろうとする熱量を従来に比較して遥かに低減させることが可能となる。
したがってこれにより、ボンディングツール9の速やかな冷却が可能となる。このように本実施例によれば、従来に比較してボンディングツール9の冷却効率を高めることができるので、ボンディング装置1のタクトアップを達成することが可能となる。
なお、上記実施例では、レーザ光Lによりボンディングツール9を加熱し、この加熱されたボンディングツール9によって電子部品3を加熱するようにしているが、ボンディングツール9を省略してツールベース8に電子部品3を吸着保持し、この電子部品3をレーザ光Lによって直接加熱するようにしてもよい。
この場合には、上記ツール吸着用負圧ポート22からツール吸着孔30、31への負圧の導入を停止させて、ツールベース8の下面に吸着保持していたボンディングツール9を離脱させるとともに、チップ吸着用負圧ポート24からチップ吸着孔35に負圧を導入して、該チップ吸着孔35によってツールベース8の下面に直接電子部品3を吸着保持すればよい。つまりこの場合には、ツールベース8がボンディングツール9として作用することになる。
このように上記実施例のボンディング装置1は、ツールベース8を透過させたレーザ光Lにより、ボンディングツール9を介して電子部品3を加熱したり、ツールベース8に吸着保持した電子部品3を直接加熱したりすることができるが、それぞれ専用機として構成することができることは勿論である。
1 ボンディング装置 2 基板
3 電子部品 6 ボンディングヘッド
6A ハウジング 8 ツールベース
9 ボンディングツール 15 放熱部材
16 冷却部材 L レーザ光

Claims (4)

  1. ハウジングに設けられてレーザ光を透過させるツールベースを備え、このツールベースを透過させたレーザ光により電子部品を加熱して基板に接合するようにしたボンディングヘッドにおいて、
    上記ツールベースの上記レーザ光が入射する表面に、放熱部材の表面を接触させて設け、この放熱部材は、上記レーザ光を透過させる光透過性を有するとともに、上記ツールベースの熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有することを特徴とするボンディングヘッド。
  2. 上記放熱部材の厚さは、ツールベースの厚さよりも大きく設定してあることを特徴とする請求項1に記載のボンディングヘッド。
  3. 上記放熱部材に、当該放熱部材の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する冷却部材を接触させて設け、この冷却部材は、その中心部を上記レーザ光が通過できるように放熱部材の周囲に配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のボンディングヘッド。
  4. 上記ツールベースと電子部品との間にボンディングツールが配置されて、該ボンディングツールはツールベースと電子部品とにそれぞれ接触するようになっており、上記ツールベースを透過したレーザ光はボンディングツールを加熱して、加熱されたボンディングツールが電子部品を加熱するようになっていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のボンディングヘッド。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6217902B2 (ja) * 2013-05-31 2017-10-25 澁谷工業株式会社 ボンディング装置
US11536956B2 (en) * 2013-11-25 2022-12-27 Preco, Llc High density galvo housing for use with multiple laser beams
CN105596092A (zh) * 2016-03-03 2016-05-25 郑洪� 一种3d牙套
KR101933101B1 (ko) * 2016-06-16 2018-12-27 주식회사 디랙스 트레드밀 및 트레드밀의 프레임 구조물
US11302666B2 (en) * 2016-11-17 2022-04-12 Shinkawa Ltd. Mounting head
TWI673805B (zh) * 2017-01-30 2019-10-01 日商新川股份有限公司 安裝裝置以及安裝系統
WO2021188042A1 (en) * 2020-03-18 2021-09-23 Airise Pte. Ltd. Bonding apparatus, system, and method of bonding
JP7177863B2 (ja) * 2020-10-23 2022-11-24 パック テック-パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー 回路基板に接続された電子部品を除去するための方法及び装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04230050A (ja) * 1990-06-22 1992-08-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 素子対の位置合せ装置及びその方法
JP2007329306A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱圧着装置
JP2010087210A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Nec Corp 部品実装ユニット、部品実装装置及び部品実装方法
JP2010129890A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Shibuya Kogyo Co Ltd ボンディングヘッド
JP2011109046A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Sony Chemical & Information Device Corp 実装装置および電子モジュールの製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4894509A (en) * 1988-12-13 1990-01-16 International Business Machines Corporation Laser assisted heater bar for multiple lead attachment
US4906812A (en) * 1988-12-22 1990-03-06 General Electric Company Fiber optic laser joining apparatus
US5565119A (en) * 1995-04-28 1996-10-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for soldering with a multiple tip and associated optical fiber heating device
JP3885388B2 (ja) * 1998-10-23 2007-02-21 セイコーエプソン株式会社 水晶振動子の製造装置
JP3788351B2 (ja) * 2002-01-21 2006-06-21 松下電器産業株式会社 電子部品のボンディング装置および電子部品のボンディングツール
JP3756168B2 (ja) * 2004-03-19 2006-03-15 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント 回路の発熱制御方法、装置およびシステム
KR100740762B1 (ko) * 2005-02-10 2007-07-19 오므론 가부시키가이샤 접합 방법 및 접합 장치
KR101113850B1 (ko) * 2005-08-11 2012-02-29 삼성테크윈 주식회사 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치
KR100899421B1 (ko) * 2007-02-28 2009-05-27 삼성테크윈 주식회사 칩 본딩 툴, 그 본딩 툴을 구비하는 플립 칩 본딩 장치 및 방법
KR101165029B1 (ko) * 2007-04-24 2012-07-13 삼성테크윈 주식회사 칩 가열장치, 이를 구비한 플립 칩 본더 및 이를 이용한플립 칩 본딩 방법
US8168920B2 (en) * 2007-09-11 2012-05-01 Shibuya Kogyo Co., Ltd. Bonding device
JP5120751B2 (ja) 2008-01-31 2013-01-16 澁谷工業株式会社 ボンディング装置
JP5126711B2 (ja) * 2007-09-11 2013-01-23 澁谷工業株式会社 ボンディング装置
JP4880561B2 (ja) * 2007-10-03 2012-02-22 新光電気工業株式会社 フリップチップ実装装置
JP5296722B2 (ja) * 2009-03-02 2013-09-25 パナソニック株式会社 ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法
TWI409124B (zh) * 2010-12-06 2013-09-21 Au Optronics Corp 熱壓接合裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04230050A (ja) * 1990-06-22 1992-08-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 素子対の位置合せ装置及びその方法
JP2007329306A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱圧着装置
JP2010087210A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Nec Corp 部品実装ユニット、部品実装装置及び部品実装方法
JP2010129890A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Shibuya Kogyo Co Ltd ボンディングヘッド
JP2011109046A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Sony Chemical & Information Device Corp 実装装置および電子モジュールの製造方法

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