JP2014010238A - マスクブランク収納ケース、マスクブランクの収納方法、及びマスクブランク収納体 - Google Patents
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Abstract
【課題】収納ケースの開閉時の発塵によるマスクブランクへのパーティクル付着を抑制できるマスクブランク収納ケースを提供する。
【解決手段】上方が開口したケース本体７と、該ケース本体７に被せる蓋体６とを備えて、ケース本体７及び蓋体６のそれぞれに嵌合部を有して嵌め合わされ、主表面が四角形状のマスクブランクを内部に縦方向に収納するケースである。上記ケース本体７の開口縁における一方の対向する２箇所に上記嵌合部を設けるとともに、他方の対向する２箇所に、上記蓋体６の開閉時におけるケース内の負圧変化を抑制する切欠き７４を設ける。
【選択図】図１
【解決手段】上方が開口したケース本体７と、該ケース本体７に被せる蓋体６とを備えて、ケース本体７及び蓋体６のそれぞれに嵌合部を有して嵌め合わされ、主表面が四角形状のマスクブランクを内部に縦方向に収納するケースである。上記ケース本体７の開口縁における一方の対向する２箇所に上記嵌合部を設けるとともに、他方の対向する２箇所に、上記蓋体６の開閉時におけるケース内の負圧変化を抑制する切欠き７４を設ける。
【選択図】図１
Description
本発明は、電子デバイスの製造に使用されるフォトマスクの製造に用いられるマスクブランクを収納する収納ケース、マスクブランクの収納方法、及びマスクブランク収納体に関するものである。
近年の電子デバイス、特に半導体素子や液晶モニター用のカラーフィルター或いはＴＦＴ素子等は、ＩＴ技術の急速な発達に伴い、一層の微細化が要求されている。このような微細加工技術を支える技術の一つが、転写用マスクと呼ばれるフォトマスクを用いたリソグラフィー技術である。このリソグラフィー技術においては、露光用光源の電磁波を転写用マスクを通じてレジスト膜付きシリコンウエハーに露光することにより、シリコンウエハー上に微細なパターンを形成している。この転写用マスクは通常、ガラス基板等の表面に遮光膜等の薄膜を形成したマスクブランクにリソグラフィー技術を用いて転写パターン（マスクパターン）となるパターンを形成して製造される。ところで、マスクブランクの表面にパーティクル等の異物があると、形成されるパターンの欠陥の原因となるので、マスクブランクの表面には異物等が付着しないように清浄に保管される必要がある。
このようなマスクブランクを収納保管し運搬するためのケースとしては、従来では例えば下記特許文献１に開示されているようなマスク運搬用ケースが知られている。すなわち、従来のマスクブランクを収納保管するケースは、キャリアなどと呼ばれている内ケースにマスクブランクを数枚乃至数十枚並べて保持させ、このマスクブランクを保持した内ケースを外箱（ケース本体）内に収容し、さらに外箱上に蓋を被せて、マスクブランクを収納する構造となっていた。
図４乃至図６は、特許文献１に開示されたものと同様の構造の収納ケースを示すもので、図４は収納ケースの蓋を示す斜視図、図５はマスクブランクを中ケースに収納する状態を示す斜視図、図６は収納ケースのケース本体（外ケース）を示す斜視図である。
この収納ケースは、マスクブランク１を中ケース２に収納し、この中ケース２をケース本体３に収納し、このケース本体３の開口部側に蓋４を被せる構造である。
この収納ケースは、マスクブランク１を中ケース２に収納し、この中ケース２をケース本体３に収納し、このケース本体３の開口部側に蓋４を被せる構造である。
上記中ケース２は、開口部側（上方）から底面側（下方）に向けて複数の溝２１，２２を一方の互いに対向する内側面に所定間隔をおいて一対をなして形成し、その溝２１，２２の底面側の底部と中ケース底面にはそれぞれ開口窓（図示せず）と開口部２７が設けられ、さらに中ケース底面側には基板支持部２６が形成され、この基板支持部２６でマスクブランク１の下方端面を支持している（図５）。そして、この中ケース２をケース本体３に収納して固定するための凹面部２８，２９がそれぞれ中ケースの他方の互いに対向する外側面に底面側から開口部側の途中まで形成されている。数枚のマスクブランク１を中ケース２の一対の溝２１，２２に沿って入れると、これらのマスクブランクは所定間隔をおいて互いに平行に並べられて収納される。
上記ケース本体３は、上述した中ケース２の凹面部２８，２９と当接するに適合した突出部３１，３２を、互いに対向する内側面に形成し、その突出部３１，３２の底部はケース本体３底面とも接合している（図６）。また、一方の対向する外側面の開口部側には凸部３３，３４が形成されている。そして、ケース本体３の開口縁３５のやや下方の位置に続く外周面３６と上記凸部３３，３４の凸面とは略同一面に形成されている。
また上記蓋４は、その一方の対向する下方縁４７（ケース本体へ差し込む開口部側の縁であって、図４では上方へ向いている）の中央から延びた係合片４１，４２に凹部４３，４４を形成している。これにより、蓋４をケース本体３に被せたときに、上記凹部４３，４４が前記ケース本体３の凸部３３，３４とそれぞれ嵌合することで、蓋４とケース本体３とが固定される構造となっている。また、中ケース２の開口部側上端面２５と当接して中ケース２を垂直方向において支持固定するストッパー４５，４６を一方の内側面に互いに対向させて形成している。
近年の電子デバイスの高性能化に伴って、転写用マスクに形成されるパターンも一段と微細化が要求されており、このような微細パターンを形成するためにもマスクブランクの清浄度は極めて高いものでないと許容できなくなってきている。従って、マスクブランクに異物等が付着するのを出来るだけ抑制することにより、特にレジスト膜を有するマスクブランクの保管中は出来るだけ高い清浄度に維持する必要がある。
しかしながら、従来構造の収納ケースは、上述したように、蓋４をケース本体３に被せると、前記蓋４の凹部４３，４４が前記ケース本体３の凸部３３，３４とそれぞれ嵌合することで、蓋４とケース本体３とが固定されるようになっており、また上記蓋４やケース本体３はポリプロピレン等の樹脂で形成されているため、蓋を開閉する際に、前記蓋４の凹部４３，４４と前記ケース本体３の凸部３３，３４との擦れによるパーティクルが発生する。そして、発生したパーティクルは、たとえば蓋４を開けた際にケース内が一時的に負圧になることにより生じるケースの外から内への気流の変化の影響を受けて、ケース内に吸込まれるように進入してマスクブランクの膜表面に付着して、異物欠陥となるおそれが極めて高かった。
また、上記のように蓋４の凹部４３，４４とケース本体３の凸部３３，３４とをそれぞれ嵌合させる構造を設けるかわりに、たとえば蓋４をケース本体３に被せたときのケース本体３の開口縁部の外周面３６と蓋４の下縁部の外周面４８との接合部（合わせ部）に例えば断面コ字状の固定フックを嵌めて固定する構造も知られている。しかしながら、このような固定フックをケースの端から固定位置（通常は中央の位置）まで着脱の度にいちいちスライドさせる必要があるため、固定フックをスライドさせる時のパーティクル発生による発塵が極めて大きく、この場合もたとえば蓋４を開けた際にケース内が一時的に負圧になることによりパーティクルがケース内に進入してマスクブランクの膜表面に付着するおそれがあった。
そこで、本発明は、上記従来の問題点を解消し、収納ケースの開閉時の負圧変化を抑制することにより、ケース内に進入するパーティクルを抑制し、さらにマスクブランク、詳しくは転写用パターン形成用の薄膜が形成されている側のマスクブランク膜表面へのパーティクル付着を抑制できるようにしたマスクブランクの収納ケース、マスクブランクの収納方法、及びマスクブランク収納体を提供することを目的とする。
本発明者は、前記課題を解決するため鋭意検討した結果、蓋の開閉時の負圧変化によって生じるケースの外から内への空気の流れを出来るだけ小さくするようにすることで、マスクブランクへのパーティクル付着を効果的に抑制できることを見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
すなわち、本発明は以下の構成を有するものである。
（構成１）
上方が開口したケース本体と、該ケース本体に被せて嵌め合わされる蓋体とを備え、マスクブランクを内部に縦方向に収納するマスクブランク収納ケースであって、前記ケース本体の開口縁又は前記蓋体の開口縁に、前記蓋体の開閉時における前記ケース内の負圧変化を抑制する切欠きを設けることを特徴とするマスクブランク収納ケースである。
（構成１）
上方が開口したケース本体と、該ケース本体に被せて嵌め合わされる蓋体とを備え、マスクブランクを内部に縦方向に収納するマスクブランク収納ケースであって、前記ケース本体の開口縁又は前記蓋体の開口縁に、前記蓋体の開閉時における前記ケース内の負圧変化を抑制する切欠きを設けることを特徴とするマスクブランク収納ケースである。
構成１のように、マスクブランク収納ケースを構成するケース本体と蓋体のいずれかの開口縁に、上記蓋体の開閉時における上記ケース内の負圧変化を抑制する切欠きを設けることにより、蓋の開閉時に生じるケースの外から内への空気の流れ（気流）を小さくして、蓋の開閉時の発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを抑制することができる。特に小さな（例えば粒径が０．１μｍ程度以下の）パーティクルほど、蓋の開閉時におけるケース内への気流の変化の影響を受けて、ケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着し易い。構成１のマスクブランク収納ケースによれば、蓋の開閉時におけるケース内の負圧変化によるケース内への気流の変化を小さくできるので、特に小さな粒径のパーティクル付着を効果的に抑制することができる。
（構成２）
前記ケース本体の開口縁における対向する２箇所に前記切欠きを設けることを特徴とする構成１に記載のマスクブランク収納ケースである。
構成２にあるように、前記ケース本体の開口縁における対向する２箇所に前記切欠きを設けることにより、蓋の開閉時のケース内の負圧変化によって生じるケース内への気流の変化を特に小さくできるので、マスクブランクへのパーティクル付着を抑制する効果が大きい。
前記ケース本体の開口縁における対向する２箇所に前記切欠きを設けることを特徴とする構成１に記載のマスクブランク収納ケースである。
構成２にあるように、前記ケース本体の開口縁における対向する２箇所に前記切欠きを設けることにより、蓋の開閉時のケース内の負圧変化によって生じるケース内への気流の変化を特に小さくできるので、マスクブランクへのパーティクル付着を抑制する効果が大きい。
（構成３）
前記ケース本体及び前記蓋体はそれぞれに嵌合部を有して嵌め合わされ、前記ケース本体の開口縁における一方の対向する２箇所に前記嵌合部を設けるとともに、他方の対向する２箇所に前記切欠きを設けることを特徴とする構成２に記載のマスクブランク収納ケースである。
構成３のように、前記ケース本体及び前記蓋体はそれぞれに嵌合部を有して嵌め合わされ、前記ケース本体の開口縁における一方の対向する２箇所に前記嵌合部を設けるとともに、他方の対向する２箇所に前記切欠きを設けることにより、蓋の開閉操作に伴う上記嵌合部における発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを効果的に抑制することができる。
前記ケース本体及び前記蓋体はそれぞれに嵌合部を有して嵌め合わされ、前記ケース本体の開口縁における一方の対向する２箇所に前記嵌合部を設けるとともに、他方の対向する２箇所に前記切欠きを設けることを特徴とする構成２に記載のマスクブランク収納ケースである。
構成３のように、前記ケース本体及び前記蓋体はそれぞれに嵌合部を有して嵌め合わされ、前記ケース本体の開口縁における一方の対向する２箇所に前記嵌合部を設けるとともに、他方の対向する２箇所に前記切欠きを設けることにより、蓋の開閉操作に伴う上記嵌合部における発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを効果的に抑制することができる。
（構成４）
前記切欠きは、該切欠きを設ける前記開口縁の一辺の長さの１／４よりも幅広であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク収納ケースである。
構成４にあるように、前記切欠きは、該切欠きを設ける前記開口縁の一辺の長さの１／４よりも幅広とすることにより、蓋の開閉時に生じるケース内の負圧変化によるケース内への気流の変化を小さくする効果が大きくなるため、マスクブランクへのパーティクル付着を抑制する効果が大きい。
前記切欠きは、該切欠きを設ける前記開口縁の一辺の長さの１／４よりも幅広であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク収納ケースである。
構成４にあるように、前記切欠きは、該切欠きを設ける前記開口縁の一辺の長さの１／４よりも幅広とすることにより、蓋の開閉時に生じるケース内の負圧変化によるケース内への気流の変化を小さくする効果が大きくなるため、マスクブランクへのパーティクル付着を抑制する効果が大きい。
（構成５）
一方の主表面上に転写パターン形成用の薄膜を有する複数枚のマスクブランクを構成１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク収納ケースに収納する際、前記切欠きに近い位置に収納するマスクブランクは、前記薄膜表面と反対側の主表面を前記切欠き側に向けて収納することを特徴とするマスクブランクの収納方法である。
一方の主表面上に転写パターン形成用の薄膜を有する複数枚のマスクブランクを構成１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク収納ケースに収納する際、前記切欠きに近い位置に収納するマスクブランクは、前記薄膜表面と反対側の主表面を前記切欠き側に向けて収納することを特徴とするマスクブランクの収納方法である。
構成５にあるように、複数枚のマスクブランクを構成１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク収納ケースに収納する際、前記切欠きに近い位置に収納するマスクブランクは、前記薄膜表面と反対側の主表面を前記切欠き側に向けて収納することによって、上記切欠きより気流の流れと一緒にパーティクルがケース内に入ったとしても、転写パターンに影響の少ない上記薄膜表面と反対側の主表面に付着することになるので、上記マスクブランクを使用して転写用マスクを作製したとしてもほとんど影響はない。収納された複数枚のマスクブランク全体のパーティクル付着を抑制することができ、とりわけ各マスクブランクの転写パターン形成用の薄膜へのパーティクル付着を効果的に抑制することができる。
（構成６）
構成５に記載のマスクブランクの収納方法によりマスクブランクが収納されたことを特徴とするマスクブランク収納体である。
構成５に記載のマスクブランクの収納方法によりマスクブランクが収納されたマスクブランク収納体は、蓋の開閉時の負圧変化によって生じるケース内への気流の変化が小さいので、蓋の開閉時の発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを抑制することができる。
構成５に記載のマスクブランクの収納方法によりマスクブランクが収納されたことを特徴とするマスクブランク収納体である。
構成５に記載のマスクブランクの収納方法によりマスクブランクが収納されたマスクブランク収納体は、蓋の開閉時の負圧変化によって生じるケース内への気流の変化が小さいので、蓋の開閉時の発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを抑制することができる。
本発明によれば、マスクブランク収納ケースを構成するケース本体と蓋体のいずれかの開口縁に、上記蓋体の開閉時における上記ケース内の負圧変化を抑制する切欠きを設けることにより、蓋の開閉時に生じるケースの外から内への気流の変化を小さくできるので、蓋の開閉時の発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを効果的に抑制することができる。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。
図１および図２は、本発明に係る収納ケースの一実施の形態を示すものであり、図１の（ａ）は、本発明に係る収納ケースの蓋体をケース本体に被せる前の状態の正面図、同図（ｂ）はその側面図であり、図２の（ａ）は、本発明に係る収納ケースの蓋体をケース本体に被せた状態の正面図、同図（ｂ）はその側面図である。
図１および図２は、本発明に係る収納ケースの一実施の形態を示すものであり、図１の（ａ）は、本発明に係る収納ケースの蓋体をケース本体に被せる前の状態の正面図、同図（ｂ）はその側面図であり、図２の（ａ）は、本発明に係る収納ケースの蓋体をケース本体に被せた状態の正面図、同図（ｂ）はその側面図である。
本実施の形態に係るマスクブランク収納ケースは、上方が開口したケース本体７と、該ケース本体７に被せる蓋体６とを備えて、内部にマスクブランクを収納するマスクブランクの収納ケースである。上記蓋体６及びケース本体７は、その全体的な形状は、従来構造の収納ケース（すなわち図４に示す蓋４及び図６に示すケース本体３）と同様の形状を有している。また、図１および図２には示していないが、前述の従来構造の収納ケースのようにマスクブランクを複数枚保持するための中ケース２（図５参照）を用いる構成とすることができる。上記中ケースを使用せずに、マスクブランクをケース本体７に直接溝等を設けて収納する形態とすることもできるが、中ケースを使用すると、数枚乃至数十枚のマスクブランクをまとめて中ケースに入れた状態で取り扱えるので便利である。
本実施の形態の収納ケースは、主表面が四角形状（例えば矩形状、正方形状）のガラス基板の一主表面上にクロム膜等の遮光性薄膜を成膜し、さらにその上にレジスト膜を形成したレジスト膜付きマスクブランクを従来構造と同様の中ケースに収納し、この中ケースをケース本体７に収納し、このケース本体７の開口部側に蓋体６を被せる構造である（図２（ａ）、（ｂ）参照）。ケース本体７の上から蓋体６を被せると、蓋体６の下方縁に続くやや外方に拡開した側壁部６１とケース本体７の開口縁７１とが前後に重なり合うと同時に、蓋体６の下方縁の側壁部６１とケース本体７の開口縁７１の下方に形成されたやや外方に拡開した側壁部７２とが同一面上に重なり合って蓋体６とケース本体７とが接合される。
また、上記ケース本体７は、その一方の対向する外周面の開口縁７１側には凸部７３が形成されている。そして、ケース本体７の開口縁７１のやや下方の位置に形成された上記側壁部７２と上記凸部７３の凸面とは略同一面に形成されている。
また上記蓋体６は、その一方の対向する上記側壁部６１の中央から延びた係合片６２の内側に凹部６３を形成している。これにより、蓋体６をケース本体７に被せたときに、その一方の対向する２箇所において、上記係合片６２の凹部６３がケース本体７の上記凸部７３とそれぞれ嵌合することで、蓋体６とケース本体７とが閉じた状態で固定される構造となっている（図２（ａ）参照）。なお、図１（ａ）においては、蓋体６の上記係合片６２及び凹部６３と、ケース本体７の上記凸部７３のいずれも一方が示されているが、これと対向する反対側にも蓋体６に上記係合片６２及び凹部６３が、ケース本体７に上記凸部７３がそれぞれ形成されている。
また、本実施の形態の収納ケースにおいては、上記のとおり上記ケース本体７の外周面の開口縁７１側における一方の対向する２箇所に上記凸部７３が設けられているが、上記開口縁７１における他方の対向する２箇所には切欠き７４が形成されている（図１（ｂ）参照）。なお、図１（ｂ）においては一方の上記切欠き７４が示されているが、これと対向する反対側にも開口縁７１に切欠き７４が形成されている。また、上記したように、ケース本体７の上から蓋体６を被せると、蓋体６の側壁部６１とケース本体７の開口縁７１とが前後に重なり合うと同時に、蓋体６の側壁部６１とケース本体７の側壁部７２とが同一面上に重なり合って蓋体６とケース本体７とが接合されるため、ケース本体７に蓋体６を被せた状態では、ケース本体７の開口縁７１に設けた上記切欠き７４は外からは見えない（図２（ｂ）参照）。
本実施の形態に係るマスクブランク収納ケースは、以上説明したように、ケース本体７の開口縁７１に、上記蓋体６の開閉時における上記収納ケース内の負圧変化を抑制する大きさの上記切欠き７４を設けている。これにより、蓋の開閉時に、ケース本体の開口縁付近で生じるケースの外から内への空気の流れ（気流）を小さくして、ゆっくりとした空気の流れを生じさせるようにして、蓋の開閉時の発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを抑制することができる。例えば粒径がサブミクロン（０．１μｍ程度以上０．５μｍ以下）のパーティクルについては、蓋の開閉時におけるケース内への気流の変化の影響を受けて、ケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着しやすくなるが、本実施の形態のマスクブランク収納ケースによれば、蓋の開閉時におけるケース内への気流の変化を小さくできるので、粒径がサブミクロンのパーティクル付着を効果的に抑制することができる。
本実施の形態においては、ケース本体７の開口縁７１における対向する２箇所に前記切欠き７４を設けている。少なくとも１箇所に上記切欠きを設けることにより上記作用効果が得られるが、ケース本体７の開口縁７１における対向する２箇所に切欠き７４を設けることにより、蓋の開閉時に生じるケース内への気流の変化を特に小さくすることができ、しかもケースのいずれの位置においても気流の変化を均一にできるので、マスクブランクへのパーティクル付着を抑制する効果が大きく好適である。
また、本実施の形態においては、上記のとおり、ケース本体７の開口縁７１における一方の対向する２箇所に蓋体６との嵌合部（凸部７３）を設けるとともに、他方の対向する２箇所に前記切欠き７４を設けることにより、蓋の開閉操作に伴う上記嵌合部における発塵によるパーティクルがケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着するのを効果的に抑制することができる。
なお、上記切欠き７４は、該切欠きを設ける上記ケース本体の開口縁７１の一辺の長さの１／４よりも幅広とすることにより、蓋の開閉時に生じるケース内の負圧変化によるケース内への気流の変化を小さくする効果が大きくなるため、マスクブランクへのパーティクル付着を抑制する効果が大きい。また、上記切欠き７４の幅があまり広いと、該切欠きを設ける上記ケース本体の開口縁７１での強度が低下するおそれがあるので、該切欠きを設ける上記ケース本体の開口縁７１の一辺の長さの９／１０よりも幅狭とすることが望ましい。上記切欠き７４は、好ましくは、該切欠きを設ける上記ケース本体の開口縁７１の一辺の長さの１／４よりも幅広で、３／４よりも幅狭とすることが望ましい。
また、一方の主表面上に転写パターン形成用の薄膜を有する複数枚のマスクブランクを上記マスクブランク収納ケースに収納する際、前記切欠き７４に近い位置に収納するマスクブランクは、上記薄膜形成膜面と反対側の主表面を前記切欠き７４側に向けて収納することが好ましい。図３は、複数枚のマスクブランクを中ケース５に入れて、さらにケース本体７に収納した状態を示す平面図である。ここでは、一例として５枚のマスクブランク１を収納した場合を示しており、符号Ｆは各マスクブランク１の薄膜形成面を、符号Ｇはガラス面を示す。なお、マスクブランクは、上記転写パターン形成用の薄膜上に、レジスト膜を形成したレジスト膜付マスクブランクであっても良い。
図３に示すように、複数枚のマスクブランク１を本実施の形態のマスクブランク収納ケースに収納する際、前記ケース本体７の切欠き７４に近い位置に収納するマスクブランク１は、上記薄膜形成面Ｆと反対側の主表面のガラス面Ｇを前記切欠き７４側に向けて収納することにより、収納された複数枚のマスクブランク全体のパーティクル付着を抑制することができ、とりわけ各マスクブランクの薄膜形成面Ｆへのパーティクル付着を効果的に抑制することができる。
上記切欠き７４より、気流の流れと一緒にパーティクルが収納ケース内に入ったとしても、転写パターンに影響の少ない上記薄膜表面と反対側の主表面に付着することになるので、上記マスクブランクを使用して転写用マスクを作製したとしてもほとんど影響はない。
上記切欠き７４より、気流の流れと一緒にパーティクルが収納ケース内に入ったとしても、転写パターンに影響の少ない上記薄膜表面と反対側の主表面に付着することになるので、上記マスクブランクを使用して転写用マスクを作製したとしてもほとんど影響はない。
なお、本実施の形態の収納ケースは、蓋体６を閉じる際、上記本体ケース７の開口縁７１と蓋体６の側壁部６１とが嵌め合わされるが、蓋体６を閉じた収納ケースの密閉性を高めるために、蓋体６を閉じた際にケース本体７の開口縁７１に嵌め込まれるような適当な大きさの環状の弾性部材（図示せず）を蓋体６の側壁部６１の内側に取り付けてもよい。この弾性部材としては、雰囲気の温度、気圧等の変動があっても化学成分ガスの放出が少ない材料が好ましく、例えば、ポリオレフィンエラストマー、ポリエステルエラストマーが挙げられる。
また、上述のケース本体７及び蓋体６の材質は、樹脂材料で形成されるが、例えばポリプロピレン、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチルサルファイト、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）等の樹脂から適宜選択されることが好ましい。これらの中でも、雰囲気の温度、気圧等の変動があっても化学成分ガスの放出が少ない材料が特に好ましく、例えばポリカーボネート、ポリエステル、ポリブチレンテレフタレート、シフロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）が好ましい。なお、マスクブランクの保管中にチャージが溜まると、マスク製造過程において放電破壊を起こし、パターン欠陥となる場合があるので、たとえばケース本体７の構成樹脂にカーボン等を混ぜ込んで導電性を付与するようにしてもよい。
なお、上記の実施の形態では、ケース本体７の開口縁７１に上記切欠き７４を設ける構成としたが、本発明はこれに限らず、例えば蓋体６の下方に開口縁を形成し、この開口縁に切欠きを設ける構成としてもよい。また、本発明のマスクブランク収納ケースは、蓋体及びケース本体の外観に関しては、上記図１及び図２に示すものには限定されない。また、中ケースに関しても、図５に示すような従来構造のものを適用することができる。
本発明に係る収納ケースに収納されるマスクブランクの一構成例は、基板の主表面上に転写パターンとなる薄膜（転写パターン形成用の薄膜）を形成してなるもの、あるいはさらに該薄膜の表面にレジスト膜を形成してなるものである。
上記基板としては、マスクブランクがバイナリマスクブランクや位相シフト型マスクブランク等の透過型マスクブランクの場合、露光光に対して透光性を有する基板材料を使用し、例えば合成石英ガラス基板が使用される。また、マスクブランクがＥＵＶ露光用等の反射型マスクブランクの場合、低熱膨張の特性を有する基板材料を使用し、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス（２元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２）及び３元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２等））や、例えばＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系の結晶化ガラスの基板が使用される。また、マスクブランクがナノインプリントプレート用マスクブランクの場合、例えば合成石英ガラス基板が使用される。また、基板及びマスクブランク１の形状は、矩形状、円形状何でもよい。
上記基板としては、マスクブランクがバイナリマスクブランクや位相シフト型マスクブランク等の透過型マスクブランクの場合、露光光に対して透光性を有する基板材料を使用し、例えば合成石英ガラス基板が使用される。また、マスクブランクがＥＵＶ露光用等の反射型マスクブランクの場合、低熱膨張の特性を有する基板材料を使用し、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス（２元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２）及び３元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２等））や、例えばＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系の結晶化ガラスの基板が使用される。また、マスクブランクがナノインプリントプレート用マスクブランクの場合、例えば合成石英ガラス基板が使用される。また、基板及びマスクブランク１の形状は、矩形状、円形状何でもよい。
上記透過型マスクブランクは、上記基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜として遮光膜を形成することによりバイナリマスクブランクが得られる。また、上記基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜として位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を形成することにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。また、基板彫り込み型のレベンソン位相シフト型マスクブランクにおいては、基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜として遮光膜を形成することにより得られる。また、クロムレスタイプの位相シフト型マスクブランクや、ナノインプリントプレート用マスクブランクにおいては、基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜としてエッチングマスク膜を形成することにより得られる。
上記遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜、エッチングマスク膜、吸収体膜についても、単層でも複数層としてもよい。
上記遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜、エッチングマスク膜、吸収体膜についても、単層でも複数層としてもよい。
透過型マスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。
さらに上記バイナリマスクブランクや位相シフト型マスクブランクにおいて、遮光膜上に、エッチングマスク膜を備えても構わない。エッチングマスク膜の材料は、遮光膜をパターニングする際に使用するエッチャントに対して耐性を有する材料から選択される。遮光膜の材料がクロム（Ｃｒ）を含有する材料の場合、エッチングマスク膜の材料としては、例えば上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料が選択される。また、遮光膜の材料がケイ素（Ｓｉ）を含有する材料や、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料の場合、エッチングマスク膜の材料としては、例えば上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料が選択される。
また、反射型マスクブランクとしては、基板上に、ＥＵＶ光に対して反射する多層反射膜、さらに、転写用マスクの製造工程におけるドライエッチングやウェット洗浄から多層反射膜を保護するため、保護膜が形成された多層反射膜付き基板として、上記多層反射膜や保護膜上に、転写パターン形成用の薄膜として吸収体膜を備える反射型マスクブランクが挙げられる。
ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜としては、Ｍｏ／Ｓｉ周期多層膜のほかに、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜が挙げられる。
また、上記保護膜の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ−（Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｏ）、Ｓｉ−（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｂ）、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｂ等の材料から選択される。これらのうち、Ｒｕを含む材料を適用すると、多層反射膜の反射率特性がより良好となる。
また、上記保護膜の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ−（Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｏ）、Ｓｉ−（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｂ）、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｂ等の材料から選択される。これらのうち、Ｒｕを含む材料を適用すると、多層反射膜の反射率特性がより良好となる。
また、上記吸収体膜の材料としては、例えば、Ｔａ単体、Ｔａを主成分とする材料が用いられる。Ｔａを主成分とする材料は、通常、Ｔａの合金である。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。Ｔａを主成分とする材料としては、例えば、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料などを用いることができる。また例えば、ＴａにＢ、Ｓｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス構造が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。さらに、ＴａにＮ、Ｏを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができる。
なお、以上は、基板上に転写パターン形成用の薄膜を有するマスクブランク、あるいは前記薄膜上にさらにレジスト膜を有するマスクブランクを収納する収納ケースについて説明したが、本発明に係る収納ケースは、マスクブランク用基板や、上記マスクブランクを用いて製造された転写用マスクの収納ケースとしても好ましく用いることができる。
以下、具体的な実施例により本発明を説明する。
（実施例１）
合成石英基板（６インチ×６インチの大きさ）上にスパッタ法で、表層に反射防止機能を有するクロム膜（遮光膜）を形成し、その上にスピンコート法でポジ型の化学増幅型レジストである電子線描画用レジスト膜を形成してレジスト膜付きマスクブランクを製造した。
（実施例１）
合成石英基板（６インチ×６インチの大きさ）上にスパッタ法で、表層に反射防止機能を有するクロム膜（遮光膜）を形成し、その上にスピンコート法でポジ型の化学増幅型レジストである電子線描画用レジスト膜を形成してレジスト膜付きマスクブランクを製造した。
このようにして製造した５枚のレジスト膜付きマスクブランクを１ケースに収納した。収納ケースとして、前述の図１及び図２に示す実施の形態に係る収納ケースを用いた。なお、前述の図３に示すように、ケース本体の開口縁に設けた２箇所の切欠き７４に近い位置のマスクブランクについては、そのレジスト膜面とは反対側のガラス面を切欠き７４に向けて収納した。また、蓋体の材質は、ポリカーボネート、ケース本体の材質はポリカーボネート、中ケースの材質はポリプロピレンを用いた。収納作業は所定の清浄度に調節されたクリーンルーム内で行った。
そして、同じくクリーンルーム内で、蓋体を開け、再び蓋体を閉じるという蓋の開閉動作を連続して２０回行った。
そして、このような蓋の開閉動作を行った後、収納ケースからマスクブランクを取り出し、欠陥検査装置（レーザーテック社製：Ｍ２３５０）を用いて、マスクブランクのレジスト膜上の付着異物による欠陥（０．１μｍ以上の大きさの欠陥）個数を測定した。なお、評価は、収納ケースに収納する前の欠陥個数を予め上記と同様に測定しておき、これに対する蓋の開閉動作後の欠陥個数の増加個数で行った。その結果、本実施例では、増加欠陥個数は、平均（５枚の平均）して０．１個であり、蓋体の開閉動作によるマスクブランクへのパーティクル付着を効果的に抑制することが可能であることが確認できた。
そして、このような蓋の開閉動作を行った後、収納ケースからマスクブランクを取り出し、欠陥検査装置（レーザーテック社製：Ｍ２３５０）を用いて、マスクブランクのレジスト膜上の付着異物による欠陥（０．１μｍ以上の大きさの欠陥）個数を測定した。なお、評価は、収納ケースに収納する前の欠陥個数を予め上記と同様に測定しておき、これに対する蓋の開閉動作後の欠陥個数の増加個数で行った。その結果、本実施例では、増加欠陥個数は、平均（５枚の平均）して０．１個であり、蓋体の開閉動作によるマスクブランクへのパーティクル付着を効果的に抑制することが可能であることが確認できた。
（比較例）
実施例１と同様に製造したレジスト膜付きマスクブランクを収納するケースとして、前述の図４乃至図６に示す従来構造の収納ケースを用いたこと以外は実施例１と同様にしてマスクブランクの収納を行った。但し、実施例１とは異なり、５枚とも、そのレジスト膜面を同じ方向に向けて収納した。なお、蓋の材質は、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）、ケース本体の材質はポリプロピレン、中ケースの材質はポリプロピレンを用いた。
そして、実施例１と同様にクリーンルーム内で、蓋体を開け、再び蓋体を閉じるという蓋の開閉動作を連続して２０回行った。
実施例１と同様に製造したレジスト膜付きマスクブランクを収納するケースとして、前述の図４乃至図６に示す従来構造の収納ケースを用いたこと以外は実施例１と同様にしてマスクブランクの収納を行った。但し、実施例１とは異なり、５枚とも、そのレジスト膜面を同じ方向に向けて収納した。なお、蓋の材質は、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）、ケース本体の材質はポリプロピレン、中ケースの材質はポリプロピレンを用いた。
そして、実施例１と同様にクリーンルーム内で、蓋体を開け、再び蓋体を閉じるという蓋の開閉動作を連続して２０回行った。
そして、このような蓋の開閉動作を行った後、実施例１と同様に、マスクブランクのレジスト膜に関し、収納ケースに収納する前の欠陥個数に対する蓋の開閉動作後の欠陥個数の増加個数を測定した。その結果、本比較例では、増加欠陥個数は、平均（５枚の平均）して７．５個と非常に多く、蓋体の開閉動作によるマスクブランクへのパーティクル付着を抑制することができない。特に、蓋４の凹部４３，４４とケース本体３の凸部３３，３４との嵌合部の近傍であるケースの略中央に収納されたマスクブランクの増加欠陥個数が多かった。
これは、従来構造の収納ケースの場合、ケース本体の開口縁には切欠きは設けられておらず、蓋の開閉動作に伴う発塵によるパーティクル（特に小粒径のパーティクル）が、蓋の開閉時の気流の変化の影響を受けてケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着し易いことが要因であると考えられる。
これは、従来構造の収納ケースの場合、ケース本体の開口縁には切欠きは設けられておらず、蓋の開閉動作に伴う発塵によるパーティクル（特に小粒径のパーティクル）が、蓋の開閉時の気流の変化の影響を受けてケース内部に吸込まれてマスクブランク表面に付着し易いことが要因であると考えられる。
１ マスクブランク
２ 中ケース
３ ケース本体
４ 蓋
５ 中ケース
６ 蓋体
７ ケース本体
７４ 切欠き
２ 中ケース
３ ケース本体
４ 蓋
５ 中ケース
６ 蓋体
７ ケース本体
７４ 切欠き
Claims (6)
- 上方が開口したケース本体と、該ケース本体に被せて嵌め合わされる蓋体とを備え、マスクブランクを内部に縦方向に収納するマスクブランク収納ケースであって、
前記ケース本体の開口縁又は前記蓋体の開口縁に、前記蓋体の開閉時における前記ケース内の負圧変化を抑制する切欠きを設けることを特徴とするマスクブランク収納ケース。 - 前記ケース本体の開口縁における対向する２箇所に前記切欠きを設けることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク収納ケース。
- 前記ケース本体及び前記蓋体はそれぞれに嵌合部を有して嵌め合わされ、前記ケース本体の開口縁における一方の対向する２箇所に前記嵌合部を設けるとともに、他方の対向する２箇所に前記切欠きを設けることを特徴とする請求項２に記載のマスクブランク収納ケース。
- 前記切欠きは、該切欠きを設ける前記開口縁の一辺の長さの１／４よりも幅広であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク収納ケース。
- 一方の主表面上に転写パターン形成用の薄膜を有する複数枚のマスクブランクを請求項１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク収納ケースに収納する際、前記切欠きに近い位置に収納するマスクブランクは、前記薄膜表面と反対側の主表面を前記切欠き側に向けて収納することを特徴とするマスクブランクの収納方法。
- 請求項５に記載のマスクブランクの収納方法によりマスクブランクが収納されたことを特徴とするマスクブランク収納体。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH1124239A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-01-29 | Asahi Kasei Denshi Kk | ペリクルの収納ケース |
| JP2000243824A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Mitsumi Electric Co Ltd | ウエハーケース |
| JP2007210655A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Fujitsu Ltd | 収納ケース |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH1124239A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-01-29 | Asahi Kasei Denshi Kk | ペリクルの収納ケース |
| JP2000243824A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Mitsumi Electric Co Ltd | ウエハーケース |
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