JP2014009272A - コーティング剤、電気・電子機器、および電気・電子機器の金属部の保護方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基を有するオルガノポリシロキサンを含有するコーティング剤、該コーティング剤の硬化物で被覆されてなる電気・電子機器、および腐食性物質に曝される電気・電子機器の金属部に、上記のコーティング剤を塗布した後、該コーティング剤を硬化する、電気・電子機器の金属部の保護方法。
【選択図】 なし
Description
本発明のコーティング剤は、縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基を有するオルガノポリシロキサンを含有する硬化性シリコーン組成物からなる。このオルガノポリシロキサンは縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基を有するものであれば特にその分子構造は限定されない。この縮合多環芳香族基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらの縮合多環芳香族基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示され、好ましくは、ナフチル基である。また、縮合多環芳香族基含有基としては、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基等の縮合多環芳香族基含有アルキル基、およびこれらの縮合多環芳香族基中の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示され、好ましくは、縮合多環芳香族基含有アルキル基であり、特に好ましくは、ナフチルエチル基である。特に、縮合多環芳香族基含有アルキル基を有するオルガノポリシロキサンは、その粘度が比較的低く、本コーティング剤の粘度を低くできるという特徴がある。
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d
で表されるものが好ましい。式中、R1は、アルキル基、アルケニル基、フェニル基、または水素原子である。R1のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が例示され、好ましくは、メチル基である。R1のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。
R3SiX3
で表されるシラン化合物(I)、一般式:
R4 3SiOSiR4 3
で表されるジシロキサン(II)および/または一般式:
R4 3SiX
で表されるシラン化合物(III)を、酸もしくはアルカリの存在下、加水分解・縮合反応させる方法が挙げられる。
R3SiX3
で表されるシラン化合物(I)は、得られるオルガノポリシロキサンに縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基を導入するための原料である。式中、R3は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基である。R3の縮合多環芳香族基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらの縮合多環芳香族基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示され、好ましくは、ナフチル基である。また、R3の縮合多環芳香族基含有基としては、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基等の縮合多環芳香族基含有アルキル基、およびこれらの縮合多環芳香族基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示され、好ましくは、縮合多環芳香族基含有アルキル基であり、特に好ましくは、ナフチルエチル基である。また、式中、Xはアルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン原子、または水酸基である。Xのアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が例示される。また、Xのアシロキシ基としては、アセトキシ基が例示される。また、Xのハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子が例示される。
R4 3SiOSiR4 3
で表されるジシロキサン(II)は、得られるオルガノポリシロキサンにM単位のシロキサンを導入するための原料である。式中、R4は、アルキル基、アルケニル基、またはフェニル基である。R4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、R4のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。
R4 3SiX
で表されるシラン化合物(III)も、得られるオルガノポリシロキサンにM単位のシロキサンを導入するための原料である。式中、R4は前記と同様の基である。また、式中、Xも前記と同様の基である。
R4 (4−n)SiXn
で表されるシラン化合物(IV)を反応させることができる。式中、R4は前記と同様の基である。また、式中、Xも前記と同様の基である。また、式中、nは2〜4の整数である。
(R4 3SiO1/2)a(R4 2SiO2/2)b(R5SiO3/2)c(SiO4/2)d
で表されるようになる量である。すなわち、式中、R4は前記と同様の基であり、R5は前記R3で表される基または前記R4で表される基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR4またはR5はアルケニル基であり、一分子中の少なくとも1個のR5は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基である。また、式中、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数であり、好ましくは、0.05≦a≦0.7、0≦b≦0.4、0.3≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数であり、特に好ましくは、0.1≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.4≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。
R3SiX3
で表されるシラン化合物(I)と一般式:
R6 3SiOSiR6 3
で表されるジシロキサン(V)および/または一般式:
R6 3SiX
で表されるシラン化合物(VI)を、酸の存在下、加水分解・縮合反応させることを特徴とする。
R3SiX3
で表されるシラン化合物(I)は、得られるオルガノポリシロキサンに縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基を導入するための原料である。式中、R3は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、前記と同様の基が例示される。また、Xはアルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン原子、または水酸基であり、前記と同様の基が例示される。このようなシラン化合物(I)としては、前記と同様の化合物が例示される。
R6 3SiOSiR6 3
で表されるジシロキサン(V)は、得られるオルガノポリシロキサン中にM単位のシロキサンを導入するための原料である。式中、R6は、アルキル基、フェニル基、または水素原子である。R6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示される。
R6 3SiX
で表されるシラン化合物(VI)も、得られるオルガノポリシロキサンにM単位のシロキサンを導入するための原料である。式中、R6は前記と同様の基である。また、式中、Xも前記と同様の基である。
R6 (4−n)SiXn
で表されるシラン化合物(VII)を反応させることができる。式中、R6は前記と同様の基である。また、式中、Xも前記と同様の基である。また、式中、nは2〜4の整数である。
(R6 3SiO1/2)a(R6 2SiO2/2)b(R7SiO3/2)c(SiO4/2)d
で表されるようになる量である。すなわち、式中、R6は前記と同様の基であり、R7は前記R3で表される基または前記R6で表される基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR6またはR7は水素原子であり、一分子中の少なくとも1個のR7は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基である、また、式中、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数であり、好ましくは、0.05≦a≦0.7、0≦b≦0.4、0.3≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数であり、特に好ましくは、0.1≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.4≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。
(A)平均単位式:
(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d
(式中、R11は、アルキル基、アルケニル基、またはフェニル基であり、R21は前記R11で表される基、または縮合多環芳香族基もしくは縮合多環芳香族基含有基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR11またはR21はアルケニル基であり、一分子中の少なくとも1個のR21は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなるコーティング剤が挙げられる。
(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d
で表される。式中、R11は、アルキル基、アルケニル基、またはフェニル基である。R11のアルキル基としては、前記R1と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。R11のアルケニル基としては、前記R1と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。
(D)平均単位式:
(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d
(式中、R12は、アルキル基、フェニル基、または水素原子であり、R22は前記R12で表される基、または縮合多環芳香族基もしくは縮合多環芳香族基含有基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR12またはR22は水素原子であり、一分子中の少なくとも1個のR22は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン
(E)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなるコーティング剤が挙げられる。
(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d
で表される。式中、R12は、アルキル基、フェニル基、または水素原子である。R12のアルキル基としては、前記R1と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。
本発明の電気・電子機器は、上記のコーティング剤の硬化物で被覆されていることを特徴とし、特に、電気・電子機器の金属部が上記のコーティング剤の硬化物で被覆されていることを特徴とする。このような電気・電子機器としては、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、LEDが例示される。このような電気・電子機器における金属部としては、例えば、電極、回路基板上の電気回路、LEDの反射板が挙げられる。このような腐食性物質による腐食が懸念される金属部の金属としては、銀、銅、アルミニウム、またはそれらの合金が例示される。
本発明の方法は、腐食性物質に曝される電気・電子機器の金属部に、上記のコーティング剤を塗布した後、硬化することにより、前記金属部の腐食性物質による腐食を抑制する方法である。この電気・電子機器としては、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、LEDが例示される。これらの電気・電子機器の金属部としては、電極、回路基板上の電気回路、LEDの反射板が例示される。このような腐食性物質による腐食が懸念される金属部の金属としては、銀、銅、アルミニウム、またはそれらの合金が例示される。
表面をサンドペーパーで磨き、アセトンで洗浄した銅板の表面にコーティング剤を1mm厚で塗布した後、150℃オーブンで60分間加熱して硬化させて試験体を作製した。この試験体を硫黄0.3±0.03gの入った450mlの密栓できるガラス容器に入れ、80℃、51時間放置した後、ガラス容器から取り出し、キシレンで硬化皮膜を除去して、試験体の銅板の腐食状況を観察した。腐食試験後の銅板の変色度合いを目視により観察し、変色がない場合を○、少し変色している場合を△、激しく変色している場合を×として評価した。
ポリフタルアミド(PPA)樹脂ケースによって周囲を囲まれた一辺5mm×5mmのI−Chiun Precision Industry社製のTTI−5074のLEDリードフレームの中央ダイ搭載部に、BridgeLux社製のMKO4545Cの1辺1mm×1mmのLEDチップを搭載し、次いで、LEDチップとインナーリードを1.5mil太さの金ボンディングワイヤにより電気的に接続してLEDを作製した。
反応容器に、1−ナフチルトリメトキシシラン 10g(40.3mmol)、メチルジフェニルシラノール 1.2g(5.6mmol)、1,3−ジビニル−1,3−ジフェニルジメチルジシロキサン 3.3g(10.6mmol)、およびトルエン 20gを投入し、予め混合した後、水 2.2g(122.1mmol)、およびメタノール 10gを投入し、撹拌下、トリフルオロメタンスルホン酸 0.069g(0.46mmol)を投入し、2時間加熱還流を行った。その後、85℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で1時間反応させた。次いで、水酸化カリウム 0.06g(1.1mmol)を投入し、反応温度が120℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で1時間反応させた。室温まで冷却し、酢酸 0.07g(1.2mmol)を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 10.0g(収率:85.5%)を得た。
(MePh2SiO1/2)0.08(MePhViSiO1/2)0.32(NaphSiO3/2)0.60
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの重量平均分子量(Mw)は1,000であり、分散度(Mw/Mn)は1.11であり、屈折率は1.623であった。
反応容器に、1−ナフチルトリメトキシシラン 50g(201.3mmol)、1,3−ジビニル−1,3−ジフェニルジメチルジシロキサン 20.9g(67.3mmol)、およびトルエン 100gを投入し、予め混合した後、水 12.0g(666.1mmol)、およびメタノール 50gを投入し、撹拌下、トリフルオロメタンスルホン酸 0.345g(2.3mmol)を投入し、2時間加熱還流を行った。その後、85℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で1時間反応させた。次いで、水酸化カリウム 0.30g(5.4mmol)を投入し、反応温度が120℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で1時間反応させた。室温まで冷却し、酢酸 0.40g(6.7mmol)を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明な粘稠液体 56.7g(収率:99.3%)を得た。
(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの重量平均分子量(Mw)は1,100であり、分散度(Mw/Mn)は1.12であり、屈折率は1.622であった。
反応容器に、1−ナフチルトリメトキシシラン 50g(201mmol)を投入し、加熱溶融させた後、トリフルオロメタンスルホン酸 0.06g(0.4mmol)を添加した。45〜50℃に加熱しながら、酢酸 9.3g(154.9mmol)を滴下した。滴下終了後、50℃で30分間加熱撹拌した。反応温度が80℃になるまで低沸点物を加熱常圧留去した。その後、室温まで冷却し、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン 24.4g(181.6mmol)を滴下し、反応温度が45℃になるまで加熱した。次いで、酢酸 18gを45℃〜50℃で滴下した。滴下終了後、50℃で30分間加熱撹拌した。空冷または水冷にて60℃以下を保ちながら、無水酢酸 15.5g(151.8mmol)を滴下し、滴下終了後、50℃で30分間加熱撹拌を行った。次に、トルエンと水を投入し、撹拌、静置及び下層抜き出しを繰り返し、水洗を行った。下層のpHが7であることを確認した後、上層であるトルエン層から低沸点物を加熱減圧留去し、無色透明な液体 43g(収率76.0%)を得た。
(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの重量平均分子量(Mw)は660であり、分散度(Mw/Mn)は1.05であり、屈折率は1.548であった。
参考例1で調製した、平均単位式:
(MePh2SiO1/2)0.08(MePhViSiO1/2)0.32(NaphSiO3/2)0.60
で表されるオルガノポリシロキサン 4.01g、平均式:
HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H
で表されるオルガノポリシロキサン 1.77g、参考例3で調製した、平均単位式:
(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41
で表されるオルガノポリシロキサン 0.33g、環状メチルビニルシロキサン 0.038g、および白金の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液(本組成物中に白金が重量単位で2ppmとなる量)を均一に混合してコーティング剤を調製した。
参考例2で調製した、平均単位式:
(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60
で表されるオルガノポリシロキサン 12g、平均式:
HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H
で表されるオルガノポリシロキサン 5.34g、参考例3で調製した、平均単位式:
(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41
で表されるオルガノポリシロキサン 1.8g、環状メチルビニルシロキサン 0.06g、および白金の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液(本組成物中に白金が重量単位で2ppmとなる量)を均一に混合してコーティング剤を調製した。
平均式:
ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi
で表されるオルガノポリシロキサン 9g、参考例3で調製した、平均単位式:
(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41
で表されるオルガノポリシロキサン 1.02g、環状メチルビニルシロキサン 0.06g、および白金の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液(本組成物中に白金が重量単位で2ppmとなる量)を均一に混合してコーティング剤を調製した。
平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75
で表されるオルガノポリシロキサン 4.9g、平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.75
で表されるオルガノポリシロキサン 0.65g、平均式:
HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H
で表されるオルガノポリシロキサン 1.5g、平均単位式:
(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン 0.16g、環状メチルビニルシロキサン 0.02g、および白金の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液(本組成物中に白金が重量単位で2ppmとなる量)を均一に混合してコーティング剤を調製した。
銅板の腐食試験において、比較のため、表面をサンドペーパーで磨き、アセトンで洗浄した銅板を上記と同様に試験した。腐食試験前の試験体の写真を図1の(A)で示し、腐食試験後の試験体の写真を図2の(A)で示した。また、LEDの腐食試験において、比較のため、コーティング剤を塗布しないLEDを上記と同様に試験した。その結果を表1に示した。
Claims (13)
- 縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基を有するオルガノポリシロキサンを含有する硬化性シリコーン組成物からなるコーティング剤。
- オルガノポリシロキサンが、平均単位式:
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d
(式中、R1は、アルキル基、アルケニル基、フェニル基、または水素原子であり、R2は前記R1で表される基、または縮合多環芳香族基もしくは縮合多環芳香族基含有基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR1もしくはR2はアルケニル基または水素原子であり、一分子中の少なくとも1個のR2は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。)
で表される、請求項1記載のコーティング剤。 - 一分子中、R2の少なくとも50モル%が縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基である、請求項2記載のコーティング剤。
- 縮合多環芳香族基がナフチル基である、請求項1乃至3のいずれか1項記載のコーティング剤。
- 硬化性シリコーン組成物がヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項1記載のコーティング剤。
- ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、
(A)平均単位式:
(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d
(式中、R11は、アルキル基、アルケニル基、またはフェニル基であり、R21は前記R11で表される基、または縮合多環芳香族基もしくは縮合多環芳香族基含有基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR11またはR21はアルケニル基であり、一分子中の少なくとも1個のR21は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなる、請求項5記載のコーティング剤。 - ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、
(D)平均単位式:
(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d
(式中、R12は、アルキル基、フェニル基、または水素原子であり、R22は前記R12で表される基、または縮合多環芳香族基もしくは縮合多環芳香族基含有基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR12またはR22は水素原子であり、一分子中の少なくとも1個のR22は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(E)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなる、請求項5記載のコーティング剤。 - ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、
(A)平均単位式:
(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d
(式中、R11は、アルキル基、アルケニル基、またはフェニル基であり、R21は前記R11で表される基、または縮合多環芳香族基もしくは縮合多環芳香族基含有基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR11またはR21はアルケニル基であり、一分子中の少なくとも1個のR21は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(D)平均単位式:
(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d
(式中、R12は、アルキル基、フェニル基、または水素原子であり、R22は前記R12で表される基、または縮合多環芳香族基もしくは縮合多環芳香族基含有基であり、ただし、一分子中の少なくとも1個のR12またはR22は水素原子であり、一分子中の少なくとも1個のR22は縮合多環芳香族基または縮合多環芳香族基含有基であり、a、b、c、およびdは、それぞれ、0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2、かつ、a+b+c+d=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなる、請求項5記載のコーティング剤。 - 請求項1乃至8のいずれか1項記載のコーティング剤の硬化物で被覆されてなる電気・電子機器。
- 電気・電子機器が金属部を有する、請求項9記載の電気・電子機器。
- 金属部が銀、銅、アルミニウム、またはそれらの合金により形成されている、請求項10記載の電気・電子機器。
- 腐食性物質や湿気に曝される電気・電子機器の金属部に、請求項1乃至8のいずれか1項記載のコーティング剤を塗布した後、該コーティング剤を硬化する、電気・電子機器の金属部の保護方法。
- 金属部が銀、銅、アルミニウム、またはそれらの合金により形成されている、請求項12記載の保護方法。
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