JP2014003329A - 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス - Google Patents
応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014003329A JP2014003329A JP2013185111A JP2013185111A JP2014003329A JP 2014003329 A JP2014003329 A JP 2014003329A JP 2013185111 A JP2013185111 A JP 2013185111A JP 2013185111 A JP2013185111 A JP 2013185111A JP 2014003329 A JP2014003329 A JP 2014003329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sublayer
- electron blocking
- semiconductor device
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体デバイスは、活性層350およびクラッド層370を備える。電子ブロッキング層380が、活性層350とクラッド層370との間の領域内に少なくとも部分的に配設され、活性層350からクラッド層370に向かう電子の流れに対する電位障壁を形成するように構成される。電子ブロッキング層380は、周期表のIII族の2つの元素、および周期表のV族の1つの元素を含む。周期表のIII族の2つの元素の一方が、活性層350から離れてクラッド層に向かう方向に濃度が次第に増加する第1の部分382、および第1の部分とクラッド層との間で濃度が次第に減少する第2の部分384を有する濃度プロファイルを有する。
【選択図】図4
Description
関連特許出願は、本明細書と共に本願の譲受人に譲渡され、参照により本明細書に組み込む、「Gallium Nitride Based Semiconductor Device with Electron Blocking Layer」という名称の米国特許出願第11/419,592号である。
例えば、トリメチルガリウムまたはトリメチルアルミニウムなどの金属有機化合物を、アンモニアなどの反応物と組み合わせて利用することができる。このプロセスは、前駆体を、キャリア・ガスによって成長室内の高温ゾーンに輸送することからなる。こうした前駆体は、解離し、または別の化合物と反応して、薄膜をもたらす。ドープ膜を形成するために、ドーパント反応物を追加することができる。
Claims (10)
- 活性層と、
クラッド層と、
前記活性層と前記クラッド層との間の領域内に少なくとも部分的に配設され、前記活性層から前記クラッド層に向かう電子の流れに対する電位障壁を形成するように構成される、電子ブロッキング層と
を備え、
前記電子ブロッキング層が、周期表のIII族の2つの元素、および周期表のV族の1つの元素を含み、周期表のIII族の前記2つの元素の一方が、前記活性層から離れて前記クラッド層に向かう方向に濃度が次第に増加する第1の部分、および前記第1の部分と前記クラッド層との間で濃度が次第に減少する第2の部分を有する濃度プロファイルを有し、
前記電子ブロッキング層が、導波路層の第1副層と導波路層の第2副層との間に配設され、
少なくとも前記導波路層の第1副層および第2副層が、同じ組成であり、
少なくとも前記導波路層の第1副層および第2副層が、前記活性層と前記クラッド層との間に配設され、
前記導波路層の第1副層および第2副層は非ドープである
半導体デバイス。 - 前記電位障壁が、少なくとも約50ミリ電子ボルトの障壁高さを有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記濃度プロファイルの前記第1および第2の部分の少なくとも一方が、約10ナノメートル以上の厚さを有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記濃度プロファイルの前記第1および第2の部分がそれぞれ、約10ナノメートル以上の厚さを有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の部分および前記第2の部分を有する、周期表のIII族の前記2つの元素の前記一方の前記濃度プロファイルがさらに、前記濃度プロファイルの第3の部分を有し、前記第3の部分が、前記2つの元素の前記一方の、実質的に一定の濃度を有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記濃度プロファイルの前記第1および第2の部分が互いに当接し、その結果、前記濃度プロファイル内に変曲点をもたらす、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の部分および前記第2の部分を有する前記濃度プロファイルを有する、周期表のIII族の前記2つの元素の前記一方が、アルミニウムを含む、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記電子ブロッキング層がマグネシウムでドープされる、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 活性層を形成するステップと、
クラッド層を形成するステップと、
前記活性層と前記クラッド層との間の領域内に少なくとも部分的に配設され、前記活性層から前記クラッド層に向かう電子の流れに対する電位障壁を形成するように構成される電子ブロッキング層を形成するステップと
を含み、
前記電子ブロッキング層が、周期表のIII族の2つの元素、および周期表のV族の1つの元素を含み、周期表のIII族の前記2つの元素の一方が、前記活性層から離れて前記クラッド層に向かう方向に濃度が次第に増加する第1の部分、および前記第1の部分と前記クラッド層との間で濃度が次第に減少する第2の部分を有する濃度プロファイルを有し、
前記電子ブロッキング層が、導波路層の第1副層と導波路層の第2副層との間に配設され、
少なくとも前記導波路層の第1副層および第2副層が、同じ組成であり、
少なくとも前記導波路層の第1副層および第2副層が、前記活性層と前記クラッド層との間に配設され、
前記導波路層の第1副層および第2副層は非ドープである
半導体デバイスを形成する方法。 - 半導体デバイスであって、
活性層、
クラッド層、
前記活性層と前記クラッド層との間の領域内に少なくとも部分的に配設され、前記活性層から前記クラッド層に向かう電子の流れに対する電位障壁を形成するように構成される、電子ブロッキング層
を備え、
前記電子ブロッキング層が、周期表のIII族の2つの元素、および周期表のV族の1つの元素を含み、周期表のIII族の前記2つの元素の一方が、前記活性層から離れて前記クラッド層に向かう方向に濃度が次第に増加する第1の部分、および前記第1の部分と前記クラッド層との間で濃度が次第に減少する第2の部分を有する濃度プロファイルを有する
半導体デバイスと、
前記半導体デバイスを制御するように動作する制御回路と
を含み、
前記電子ブロッキング層が、導波路層の第1副層と導波路層の第2副層との間に配設され、
少なくとも前記導波路層の第1副層および第2副層が、同じ組成であり、
少なくとも前記導波路層の第1副層および第2副層が、前記活性層と前記クラッド層との間に配設され、
前記導波路層の第1副層および第2副層は非ドープである
装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/609,372 US20080137701A1 (en) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | Gallium Nitride Based Semiconductor Device with Reduced Stress Electron Blocking Layer |
US11/609,372 | 2006-12-12 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009541427A Division JP2010512666A (ja) | 2006-12-12 | 2007-07-17 | 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014003329A true JP2014003329A (ja) | 2014-01-09 |
Family
ID=38926427
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009541427A Pending JP2010512666A (ja) | 2006-12-12 | 2007-07-17 | 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス |
JP2013185111A Pending JP2014003329A (ja) | 2006-12-12 | 2013-09-06 | 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009541427A Pending JP2010512666A (ja) | 2006-12-12 | 2007-07-17 | 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080137701A1 (ja) |
JP (2) | JP2010512666A (ja) |
KR (2) | KR20140007970A (ja) |
WO (1) | WO2008073525A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10680414B2 (en) | 2016-05-13 | 2020-06-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride-based light-emitting device |
US11070028B2 (en) | 2018-03-30 | 2021-07-20 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor light emitting element |
US11909172B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-02-20 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing optical device and optical device |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8144743B2 (en) * | 2008-03-05 | 2012-03-27 | Rohm Co., Ltd. | Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same |
JP4917585B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2012-04-18 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物系半導体光素子を製造する方法、及びエピタキシャルウエハを製造する方法 |
KR101025971B1 (ko) | 2008-12-10 | 2011-03-30 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
JP2010177651A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
DE102009039248B4 (de) | 2009-08-28 | 2018-07-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser |
US8451874B2 (en) * | 2009-12-02 | 2013-05-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Very large mode slab-coupled optical waveguide laser and amplifier |
KR101709991B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2017-02-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이의 제조방법 |
JP5060637B1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-10-31 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びウェーハ |
US8648384B2 (en) * | 2011-07-25 | 2014-02-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
CN102570308A (zh) * | 2012-01-16 | 2012-07-11 | 苏州纳睿光电有限公司 | 一种氮化物半导体激光器 |
DE102012220911A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser mit verbesserter Stromführung |
CN102931306B (zh) * | 2012-11-06 | 2016-02-17 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管外延片 |
US10256368B2 (en) * | 2012-12-18 | 2019-04-09 | Sk Siltron Co., Ltd. | Semiconductor substrate for controlling a strain |
US20150179881A1 (en) * | 2013-12-24 | 2015-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride led structure with double graded electron blocking layer |
TWI568016B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-01-21 | 錼創科技股份有限公司 | 半導體發光元件 |
CN105679900B (zh) * | 2016-01-20 | 2018-01-09 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
CN109417276B (zh) * | 2016-06-30 | 2021-10-15 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统 |
CN107331746A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-11-07 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管的外延片及制备方法 |
KR102438767B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2022-08-31 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체소자 및 반도체소자 패키지 |
TWI786248B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-12-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
CN112447868B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-05-20 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340580A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 |
JP2000091705A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nec Corp | 窒化ガリウム系半導体発光素子 |
US6298077B1 (en) * | 1999-02-16 | 2001-10-02 | Opto Power Corporation | GaInAsP/AIGaInP laser diodes with AIGaAs type II carrier blocking layer in the waveguide |
US6434178B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-08-13 | Nippon Sanso Corporation | Semiconductor laser |
JP2004228212A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
JP2004349600A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006229248A (ja) * | 2000-12-28 | 2006-08-31 | Sony Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2006324690A (ja) * | 1997-07-30 | 2006-11-30 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5073805A (en) * | 1989-02-06 | 1991-12-17 | Optoelectronics Technology Research Corporation | Semiconductor light emitting device including a hole barrier contiguous to an active layer |
US4995045A (en) * | 1990-02-01 | 1991-02-19 | Northern Telecom Limited | Laser control circuit |
CA2106562C (en) * | 1992-02-05 | 1999-05-04 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser element and laser device using the same element |
CA2138912C (en) * | 1993-12-24 | 1999-05-04 | Shoji Ishizaka | Semiconductor laser device |
JPH0870162A (ja) * | 1994-02-25 | 1996-03-12 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
US5448585A (en) * | 1994-06-29 | 1995-09-05 | At&T Ipm Corp. | Article comprising a quantum well laser |
JPH0992936A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-04-04 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
AU738480C (en) * | 1997-01-09 | 2002-08-22 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
JP3045104B2 (ja) * | 1997-05-21 | 2000-05-29 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
US6555403B1 (en) * | 1997-07-30 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser, semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same |
US7193246B1 (en) * | 1998-03-12 | 2007-03-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
JP3459003B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2003-10-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002076519A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP3876649B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2007-02-07 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
JP3548735B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2004-07-28 | 士郎 酒井 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
US6535534B1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-18 | Agere Systems Inc. | Optical source driver with bias circuit for controlling output overshoot |
US7005685B2 (en) * | 2002-02-28 | 2006-02-28 | Shiro Sakai | Gallium-nitride-based compound semiconductor device |
US20050201439A1 (en) * | 2002-09-06 | 2005-09-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device module |
JP4601950B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-12-22 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2005302784A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-12-12 US US11/609,372 patent/US20080137701A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-07-17 WO PCT/US2007/073672 patent/WO2008073525A1/en active Application Filing
- 2007-07-17 KR KR1020137034413A patent/KR20140007970A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-07-17 JP JP2009541427A patent/JP2010512666A/ja active Pending
- 2007-07-17 KR KR1020097012066A patent/KR20090094091A/ko active Application Filing
-
2013
- 2013-09-06 JP JP2013185111A patent/JP2014003329A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340580A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 |
JP2006324690A (ja) * | 1997-07-30 | 2006-11-30 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 |
US6434178B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-08-13 | Nippon Sanso Corporation | Semiconductor laser |
JP2000091705A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nec Corp | 窒化ガリウム系半導体発光素子 |
US6298077B1 (en) * | 1999-02-16 | 2001-10-02 | Opto Power Corporation | GaInAsP/AIGaInP laser diodes with AIGaAs type II carrier blocking layer in the waveguide |
JP2006229248A (ja) * | 2000-12-28 | 2006-08-31 | Sony Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2004228212A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
JP2004349600A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10680414B2 (en) | 2016-05-13 | 2020-06-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride-based light-emitting device |
US11070028B2 (en) | 2018-03-30 | 2021-07-20 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor light emitting element |
US11909172B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-02-20 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing optical device and optical device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008073525A1 (en) | 2008-06-19 |
JP2010512666A (ja) | 2010-04-22 |
KR20090094091A (ko) | 2009-09-03 |
KR20140007970A (ko) | 2014-01-20 |
US20080137701A1 (en) | 2008-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014003329A (ja) | 応力低減電子ブロッキング層を有する窒化ガリウム・ベース半導体デバイス | |
US7804869B2 (en) | Gallium nitride based semiconductor device with electron blocking layer | |
JP4246242B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101083872B1 (ko) | GaN계 Ⅲ-V족 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 | |
US7282745B2 (en) | Nitride based semiconductor light-emitting device | |
JP3636976B2 (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
US5889805A (en) | Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region | |
CA2354420A1 (en) | Semiconductor laser device having lower threshold current | |
US6898224B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JP2009545865A (ja) | Led半導体基体 | |
US7622749B2 (en) | Semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same | |
JP2009038408A (ja) | 半導体発光素子 | |
US7693199B2 (en) | Laser diode | |
JP2000277862A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
WO2002069466A1 (fr) | Element et substrat semi-conducteurs en nitrure du groupe iii | |
CN113490996B (zh) | 用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件 | |
US20230178965A1 (en) | Semiconductor stack and light-emitting device | |
Watanabe et al. | High-temperature operation (70/spl deg/C, 50 mW) of 660-nm-band InGaAlP Zn-diffused window lasers fabricated using highly Zn-doped GaAs layers | |
JP2003163420A (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
JP2004221428A (ja) | 光半導体素子およびその製造方法 | |
Lochner et al. | DARPA CMUVT Contract FA2386-10-1-4152 Final Report Phase II |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140729 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20140805 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150818 |