JP2014001259A - スルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
スルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014001259A JP2014001259A JP2012135462A JP2012135462A JP2014001259A JP 2014001259 A JP2014001259 A JP 2014001259A JP 2012135462 A JP2012135462 A JP 2012135462A JP 2012135462 A JP2012135462 A JP 2012135462A JP 2014001259 A JP2014001259 A JP 2014001259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist material
- carbon atoms
- acid
- sulfonium salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 c1ccc([*+](c2ccccc2)c2ccccc2)cc1 Chemical compound c1ccc([*+](c2ccccc2)c2ccccc2)cc1 0.000 description 32
- SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N Ic1ccccc1 Chemical compound Ic1ccccc1 SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GJGPSHCGJSTGAN-UHFFFAOYSA-N CC(C1[IH]N1)(C(OC(C(C1)NC2C1[S+](=O)=O)C2N)=O)I Chemical compound CC(C1[IH]N1)(C(OC(C(C1)NC2C1[S+](=O)=O)C2N)=O)I GJGPSHCGJSTGAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOGSJTWXINDBMI-UHFFFAOYSA-N CC(C1[IH]N1)(C(OC(C(CC12)CC1[S+](=O)=O)C2N)=O)I Chemical compound CC(C1[IH]N1)(C(OC(C(CC12)CC1[S+](=O)=O)C2N)=O)I YOGSJTWXINDBMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGHUBQBPKJAWIM-UHFFFAOYSA-N CC(CC(C1O2)OC(C)C1OC2=N)OC(C(C)(CI)I)=O Chemical compound CC(CC(C1O2)OC(C)C1OC2=N)OC(C(C)(CI)I)=O BGHUBQBPKJAWIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSAWOXMBRIPZSH-UHFFFAOYSA-N CCCC(C)(C(OC(CC(C1)C2)(CC1(C1)OC(C)=N)CC21OC(C)=N)=O)I Chemical compound CCCC(C)(C(OC(CC(C1)C2)(CC1(C1)OC(C)=N)CC21OC(C)=N)=O)I LSAWOXMBRIPZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/52—Esters of acyclic unsaturated carboxylic acids having the esterified carboxyl group bound to an acyclic carbon atom
- C07C69/533—Monocarboxylic acid esters having only one carbon-to-carbon double bond
- C07C69/54—Acrylic acid esters; Methacrylic acid esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C321/00—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides
- C07C321/02—Thiols having mercapto groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C321/10—Thiols having mercapto groups bound to acyclic carbon atoms of an unsaturated carbon skeleton containing rings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
【効果】本発明のスルホニウム塩をベース樹脂として用いたレジスト材料は、解像性に優れ、レジスト材料として精密な微細加工、特にArF液浸リソグラフィーや電子線リソグラフィー、EUVリソグラフィーにおいて極めて有効である。
【選択図】なし
Description
これら酸発生剤のアウトガス低減に関し、例えば、特許文献7(特開2009−37057号公報)などで種々の検討が行われている。
〔1〕
同一分子内に、(a)、重合性置換基、(b)スルホニウムカチオン、(c)スルホネートアニオンを有する、高エネルギー線又は熱に感応し、スルホン酸を発生することを特徴とするスルホニウム塩。
〔2〕
下記一般式(1A)、(1B)、(1C)のいずれかで示されることを特徴とする〔1〕に記載のスルホニウム塩。
〔3〕
更に、下記一般式(2A)、(2B)、(2C)のいずれかで示されることを特徴とする〔2〕に記載のスルホニウム塩。
〔4〕
下記一般式(3A)、(3B)、(3C)のいずれかで示される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。
〔5〕
下記一般式(4A)、(4B)、(4C)のいずれかで示される繰り返し単位を有することを特徴とする〔4〕に記載の高分子化合物。
〔6〕
更に、下記一般式(5)又は(6)で表される繰り返し単位のいずれか1種以上を含有することを特徴とする〔4〕又は〔5〕に記載の高分子化合物。
〔7〕
〔4〕〜〔6〕のいずれかに記載の高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。
〔8〕
〔4〕〜〔6〕のいずれかに記載の高分子化合物と、上記一般式(3A)、(3B)、(3C)、(4A)、(4B)、(4C)のいずれの繰り返し単位をも含まない高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。
〔9〕
塩基性化合物及び有機溶剤を含有することを特徴とする〔7〕又は〔8〕に記載のレジスト材料。
〔10〕
非高分子化合物の酸発生剤を含有することを特徴とする〔7〕〜〔9〕のいずれかに記載の化学増幅型レジスト材料。
〔11〕
水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を含むことを特徴とする〔7〕〜〔10〕のいずれかに記載の化学増幅型レジスト材料。
〔12〕
〔7〕〜〔11〕のいずれかに記載の化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔13〕
前記露光を、屈折率1.0以上の液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光にて行うことを特徴とする〔12〕に記載のパターン形成方法。
〔14〕
前記レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、該保護膜と投影レンズとの間に前記液体を介在させて液浸露光を行うことを特徴とする〔13〕に記載のパターン形成方法。
〔15〕
露光する高エネルギー線が、電子ビーム、又は波長3〜15nmの範囲の軟X線であることを特徴とする〔12〕に記載のパターン形成方法。
本発明のスルホニウム塩は、下記一般式(1A)、(1B)、(1C)のいずれかで示されるものである。
pは0〜5の整数を示し、好ましくは0〜2である。qは0〜4の整数を示し、好ましくは0〜2である。rは0〜3の整数を示し、好ましくは0か1である。
上記一般式(1A)又は(2A)で示されるスルホニウム塩の合成は、例えば下記(Scheme 1)に示されるように、スルホ基含有ベンゼンとジアリールスルホキシドの酸触媒存在下の反応が挙げられる。
また、(Scheme 1)と同様に重合性官能基の導入は上記の反応前後どちらでも構わない。
一方、特開2012−048075号公報にはカチオン性繰り返し単位及びアニオン性繰り返し単位を有する感放射線性樹脂組成物が記載されており、これも光酸発生剤単位がカチオン・アニオン共に高分子鎖に組み込まれているのでアウトガスは低減すると思われるが、これは重合時に、カチオン部位とアニオン部位が重合時別の高分子鎖と結合して架橋様の反応が起こる可能性もあり、分子量制御が難しい。結果としてこの重合体を用いたレジスト材料は欠陥を引き起こしたり所望の性能が発現しない、再現性に乏しいなどの懸念がある。
これに対して本発明は、スルホニウム塩単位一つに対して重合性置換基が一つなので、上記のような架橋反応は起こらず、目的の分子量に調整することも容易である。従って再現性にも優れる。
また、式(L1)において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものあるいは炭素原子間に酸素原子が介在されたものを挙げることができる。具体的な直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が例示できる。具体的な置換アルキル基としては、下記のものが例示できる。
前記一般式(L4−1)〜(L4−4)には、エナンチオ異性体(enantiomer)やジアステレオ異性体(diastereomer)が存在し得るが、前記一般式(L4−1)〜(L4−4)は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
なお、式(L4−1)〜(L4−4)、(L4−3−1)、(L4−3−2)、及び式(L4−4−1)〜(L4−4−4)の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される(特開2000−336121号公報参照)。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する3級exo−アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式(L4−1−endo)〜(L4−4−endo)で示されるendo−アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50モル%以上であることが好ましく、exo比率が80モル%以上であることが更に好ましい。
(I)上記一般式(3A)、(3B)、(3C)、(4A)、(4B)、又は(4C)のいずれかで示される繰り返し単位を0.2〜20モル%、好ましくは0.5〜15モル%含有し、
(II)上記式(5)で示される構成単位の1種又は2種以上を1〜50モル%、好ましくは5〜40モル%、より好ましくは10〜30モル%含有し、
(III)上記式(6)で示される構成単位の1種又は2種以上を30〜98.8モル%、好ましくは45〜94.5モル%、より好ましくは69.5〜89.5モル%含有し、必要に応じ、
(IV)その他の単量体に基づく構成単位の1種又は2種以上を0〜80モル%、好ましくは0〜70モル%、より好ましくは0〜50モル%含有することができる。
(B)露光により酸を発生する光酸発生剤、
(C)クエンチャー、
(D)有機溶剤、
更に必要により
(E)水不溶又は難溶でアルカリ現像液可溶な界面活性剤、及び/又は水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤(疎水性樹脂)、
更に必要により
(F)有機酸誘導体及び/又はフッ素置換アルコール等を含有することができる。
光酸発生剤(B)を添加する場合は、紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等の高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N−スルホニルオキシジカルボキシイミド、O−アリ−ルスルホニルオキシム、O−アルキルスルホニルオキシム等の光酸発生剤等がある。これらは単独あるいは2種以上を混合して用いることができる。
S+(R33R44R55) (8)
(式中、R33、R44及びR55は、それぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示す。R33、R44及びR55のうちのいずれか2つは、相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)
中でも好ましく用いられるその他の酸発生剤としてはトリフェニルスルホニウム ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、トリフェニルスルホニウム パーフルオロ(1,3−プロピレンビススルホニル)イミド、トリフェニルスルホニウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド、N−ノナフルオロブタンスルホニルオキシ−1,8−ナフタレンジカルボキシイミド、2−(2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)ブチル)フルオレン、2−(2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)ペンチル)フルオレン等が挙げられる。
より具体的に好ましい光酸発生剤を例示する。
ここで強酸を発生する光酸発生剤がオニウム塩である場合には上記のように高エネルギー線照射により生じた強酸が弱酸に交換することはできるが、高エネルギー線照射により生じた弱酸は未反応の強酸を発生するオニウム塩と衝突して塩交換を行うことはできない。これらはオニウムカチオンがより強酸のアニオンとイオン対を形成し易いという現象に起因する。
(C)成分のクエンチャーは、光酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適しており、このようなクエンチャーの配合により、レジスト感度の調整が容易となることに加え、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上させることができる。
また、これらクエンチャーを添加することで基板密着性を向上させることもできる。
この場合、これらの中で、エーテル、カルボニル、エステル、アルコール等の極性官能基を有する三級アミン類、アミンオキシド類、ベンズイミダゾール類、アニリン類などが好ましく用いられる。
本発明で使用される(D)成分の有機溶剤としては、高分子化合物、光酸発生剤、クエンチャー、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノtert−ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。
有機溶剤の使用量は、ベース樹脂100質量部に対して200〜5,000質量部、特に400〜3,000質量部が好適である。
本発明のレジスト材料中には界面活性剤(E)成分を添加することができ、特開2010−215608号公報や特開2011−16746号公報に記載の(S)定義成分を参照することができる。
水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤としては、上記公報記載の界面活性剤の中でもFC−4430、サーフロンS−381、サーフィノールE1004、KH−20、KH−30、及び下記構造式(surf−1)にて示したオキセタン開環重合物が好適である。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。
より具体的に上記単位を示す。
本発明のレジスト材料に、酸により分解し酸を発生する化合物(酸増殖化合物)を添加してもよい。これらの化合物については、特開2009−269953号公報又は特開2010−215608号公報を参照できる。
本発明のレジスト材料における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂100質量部に対し2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。添加量が多すぎる場合は拡散の制御が難しく、解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる。
更に、有機酸誘導体、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する重量平均分子量3,000以下の化合物(溶解阻止剤)の添加は任意であるが、上記各成分と同様に特開2009−269953号公報又は特開2010−215608号公報に記載の化合物を参照できる。
本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えば、集積回路製造用の基板(Si,SiO2,SiN,SiON,TiN,WSi,BPSG,SOG,有機反射防止膜等)、あるいはマスク回路製造用の基板(Cr,CrO,CrON,MoSi等)にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05〜2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60〜150℃、1〜10分間、好ましくは80〜140℃、1〜5分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギー線又は電子線を露光量1〜200mJ/cm2、好ましくは10〜100mJ/cm2となるように照射する。あるいは、パターン形成のためのマスクを介さずに電子線を直接描画する。露光は通常の露光法の他、場合によってはマスクとレジスト膜の間を液浸するImmersion法を用いることも可能である。その場合には水に不溶な保護膜を用いることも可能である。次いで、ホットプレート上で、60〜150℃、1〜5分間、好ましくは80〜140℃、1〜3分間ポストエクスポージャーベーク(PEB)する。更に、0.1〜5質量%、好ましくは2〜3質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、浸漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレー(spray)法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも190〜250nmの遠紫外線又はエキシマレーザー、X線及び電子線による微細パターニングに最適である。また、上記範囲が上限又は下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることができない場合がある。
後者は特に水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶剤に溶解させた材料が好ましい。
上述した水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤に溶解させた材料とすることもできる。
また、パターン形成方法の手段として、フォトレジスト膜形成後に、純水リンス(ポストソーク)を行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンス(ポストソーク)を行ってもよい。
上記に示した高分子化合物、更に光酸発生剤、アミンクエンチャー及びアルカリ可溶型界面活性剤(F−1)を表5に示す組成で下記界面活性剤(F−2)(オムノバ社製)0.01質量%を含む溶剤中に溶解してレジスト材料を調合し、更にレジスト材料を0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過することにより、レジスト液をそれぞれ調製した。
なお、表5において光酸発生剤、溶剤、アミンクエンチャー、アルカリ可溶型界面活性剤(F−1)、界面活性剤(F−2)は下記の通りである。
(PAG−4):トリフェニルスルホニウム 2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート(特開2007−145797号公報に記載の化合物)
(PAG−5):トリフェニルスルホニウム カンファースルホネート
[有機溶剤]
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
GBL:γ−ブチロラクトン
CyHO:シクロヘキサノン
[アミンクエンチャー]
(Q−1):2,6−ジイソプロピルアニリン
[界面活性剤]
(F−1):下記ポリマー1(特開2008−122932号公報に記載の化合物)
ポリ(メタクリル酸=3,3,3−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−1,1−ジメチル−2−トリフルオロメチルプロピル・メタクリル酸=1,1,1−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−6−メチル−2−トリフルオロメチルヘプタ−4−イル)
重量平均分子量(Mw)=7,300、分散度(Mw/Mn)=1.86
[実施例2−1〜2−3、比較例2−1,2−2]
シリコン基板上に反射防止膜溶液(日産化学工業(株)製、ARC−29A)を塗布し、200℃で60秒間ベークして作製した反射防止膜(78nm膜厚)基板上に、本発明のレジスト材料(R−05〜R−07)及び比較用のレジスト材料(R−14、R−15)をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、100nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製、NSR−S307E、NA=0.85、4/5輪帯照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて露光し、100℃で60秒間ベーク(PEB:post exposure bake)を施し、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。
[実施例3−1〜3−8、比較例3−1〜3−3]
電子線描画評価では、上記表5で調製したレジスト材料を直径6インチ(150mm)のヘキサメチルジシラザン(HMDS)ベーパープライム処理したSi基板上に、クリーントラックMark 5(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコートし、ホットプレート上で110℃で60秒間プリベークして100nmのレジスト膜を作製した。これに、(株)日立製作所製HL−800Dを用いてHV電圧50keVで真空チャンバー内描画を行った。
描画後、直ちにクリーントラックMark 5(東京エレクトロン(株)製)を用いてホットプレート上で、95℃で60秒間ポストエクスポージャベーク(PEB)を行い、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行いポジ型のパターンを得た。得られたレジストパターンを次のように評価した。
100nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量をレジストの感度、この時の露光量における最小の寸法を解像力とし、100nmLSのラフネス(LWR)をSEMで測定した。
レジスト組成と、電子線露光における感度、解像度、及びラフネス(LWR)の結果を表7に示す。
[実施例4−1〜4−8、比較例4−1〜4−3]
EUV露光評価では、上記表5で調製したレジスト材料を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料を調製した。
得られたポジ型レジスト材料をヘキサメチルジシラザン(HMDS)ベーパープライム処理した直径4インチ(100mm)のSi基板上にスピンコートし、ホットプレート上で105℃で60秒間プリベークして50nmのレジスト膜を作製した。これに、NA0.3、ダイポール照明でEUV露光を行った。
露光後直ちにホットプレート上で60秒間ポストエクスポージャベーク(PEB)を行い2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。
得られたレジストパターンを次のように評価した。
35nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量をレジストの感度、この時の露光量における最小の寸法を解像力とし、35nmLSのラフネス(LWR)をSEMで測定した。
レジスト組成と、EUV露光における感度、解像度、及びラフネス(LWR)の結果を表8に示す。
[実施例5−1〜5−3及び比較例5−1,5−2]
上記表5で調製したレジスト材料を、シリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボンの含有量が80質量%)を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB−A940(珪素の含有量が43質量%)を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベーク(PAB)し、レジスト膜の厚みを90nmにした。
これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製、NSR−610C、NA1.30、σ0.98/0.74、ダイポール開口90度、s偏光照明)を用い、露光量を変化させながら露光を行い、その後任意の温度にて60秒間ベーク(PEB)し、その後酢酸ブチルを現像液として30秒間現像し、その後ジイソアミルエーテルでリンスした。
レジストの評価は、バイナリーマスク上のデザインが45nmライン/90nmピッチ(1/4倍縮小投影露光のためマスク上実寸法は4倍)のパターンについて、光透過部に形成されたラインパターンを電子顕微鏡にて観察した。ライン寸法幅が45nmとなる露光量を最適露光量(Eop、mJ/cm2)とし、最適露光量におけるパターン断面形状を電子顕微鏡にて観察し、以下の基準により良否を判別した。
良好:パターン側壁の垂直性が高い。好ましい形状。
不良:表層部が閉塞気味(T−トップ形状)又はパターン側壁が傾斜した逆テーパー
形状(表層部に近いほどライン幅大)。好ましくない形状。
また、露光量を小さくすることでライン寸法を細らせた場合に、ラインが倒れずに解像する最小寸法を求め、倒れ限界(nm)とした。数値が小さいほど倒れ耐性が高く好ましい。
(評価結果)
上記表5に示した本発明のレジスト材料及び比較レジスト材料の評価結果を下記表9に示す。
Claims (15)
- 同一分子内に、(a)重合性置換基、(b)スルホニウムカチオン、(c)スルホネートアニオンを有する、高エネルギー線又は熱に感応し、スルホン酸を発生することを特徴とするスルホニウム塩。
- 下記一般式(1A)、(1B)、(1C)のいずれかで示されることを特徴とする請求項1に記載のスルホニウム塩。
- 更に、下記一般式(5)又は(6)で表される繰り返し単位のいずれか1種以上を含有することを特徴とする請求項4又は5に記載の高分子化合物。
- 請求項4乃至6のいずれか1項に記載の高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。
- 請求項4乃至6のいずれか1項に記載の高分子化合物と、上記一般式(3A)、(3B)、(3C)、(4A)、(4B)、(4C)のいずれの繰り返し単位をも含まない高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。
- 塩基性化合物及び有機溶剤を含有することを特徴とする請求項7又は8に記載のレジスト材料。
- 非高分子化合物の酸発生剤を含有することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の化学増幅型レジスト材料。
- 水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を含むことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の化学増幅型レジスト材料。
- 請求項7乃至11のいずれか1項に記載の化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 前記露光を、屈折率1.0以上の液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光にて行うことを特徴とする請求項12に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、該保護膜と投影レンズとの間に前記液体を介在させて液浸露光を行うことを特徴とする請求項13に記載のパターン形成方法。
- 露光する高エネルギー線が、電子ビーム、又は波長3〜15nmの範囲の軟X線であることを特徴とする請求項12に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012135462A JP5783137B2 (ja) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | スルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US13/905,756 US9162967B2 (en) | 2012-06-15 | 2013-05-30 | Sulfonium salt, polymer, resist composition, and patterning process |
TW102120754A TWI476173B (zh) | 2012-06-15 | 2013-06-11 | 鋶鹽、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 |
KR1020130067780A KR101785758B1 (ko) | 2012-06-15 | 2013-06-13 | 술포늄염, 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012135462A JP5783137B2 (ja) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | スルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014001259A true JP2014001259A (ja) | 2014-01-09 |
JP5783137B2 JP5783137B2 (ja) | 2015-09-24 |
Family
ID=49756209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012135462A Active JP5783137B2 (ja) | 2012-06-15 | 2012-06-15 | スルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9162967B2 (ja) |
JP (1) | JP5783137B2 (ja) |
KR (1) | KR101785758B1 (ja) |
TW (1) | TWI476173B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014102334A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2017104355A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、レジスト膜、マスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
EP3184561A1 (en) | 2015-12-25 | 2017-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition, pattern forming process, polymer, and monomer |
EP3205640A1 (en) | 2016-02-10 | 2017-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
US9897916B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound, polymer compound, resist composition, and patterning process |
US10754248B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
WO2021039252A1 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、樹脂 |
US11340527B2 (en) | 2019-11-07 | 2022-05-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US11579526B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-02-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
WO2024014462A1 (ja) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び高分子化合物 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5740375B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
JP6206311B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2017-10-04 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP6125468B2 (ja) * | 2014-07-04 | 2017-05-10 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
US9606434B2 (en) | 2014-10-10 | 2017-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials, Llc | Polymer comprising repeat units with photoacid-generating functionality and base-solubility-enhancing functionality, and associated photoresist composition and electronic device forming method |
US9551930B2 (en) * | 2014-10-10 | 2017-01-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist composition and associated method of forming an electronic device |
US9527936B2 (en) * | 2014-10-10 | 2016-12-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polymer comprising repeat units with photoacid-generating functionality and base-solubility-enhancing functionality, and associated photoresist composition and electronic device forming method |
US9557642B2 (en) * | 2014-10-10 | 2017-01-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist composition and associated method of forming an electronic device |
JP6673105B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-03-25 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法 |
CN112159341A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-01 | 华衍化学(上海)有限公司 | 一种光刻胶树脂单体 |
CN113429324A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-24 | 徐州博康信息化学品有限公司 | 一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011022348A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物及びそれに用いられる重合体 |
JP2011141332A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP2011157313A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4130543A (en) * | 1976-04-05 | 1978-12-19 | The Dow Chemical Company | Ar-cyclic sulfonium arenethiol salts and their zwitterions |
US4477640A (en) * | 1980-06-30 | 1984-10-16 | The Dow Chemical Company | Addition polymerizable aromatic sulfonium salts and polymers thereof |
US4885355A (en) * | 1982-12-09 | 1989-12-05 | The Dow Chemical Company | Water-insoluble polymers from cyclic sulfonium compounds |
US4839203A (en) * | 1985-04-03 | 1989-06-13 | The Dow Chemical Company | Semi-permeable membranes prepared via reaction of cationic groups with nucleophilic groups |
EP0473547A1 (de) | 1990-08-27 | 1992-03-04 | Ciba-Geigy Ag | Olefinisch ungesättigte Oniumsalze |
JPH0545778A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | ゼラチンの硬化方法 |
US5807977A (en) | 1992-07-10 | 1998-09-15 | Aerojet General Corporation | Polymers and prepolymers from mono-substituted fluorinated oxetane monomers |
JP2875479B2 (ja) * | 1994-09-08 | 1999-03-31 | 日本ペルノックス株式会社 | 半導体の封止方法 |
JP3613491B2 (ja) | 1996-06-04 | 2005-01-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
US6312867B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-11-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process |
JP2000336121A (ja) | 1998-11-02 | 2000-12-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
US6313246B1 (en) * | 1999-07-07 | 2001-11-06 | Nalco Chemical Company | High molecular weight zwitterionic polymers |
US6352576B1 (en) * | 2000-03-30 | 2002-03-05 | The Regents Of The University Of California | Methods of selectively separating CO2 from a multicomponent gaseous stream using CO2 hydrate promoters |
US20020015826A1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-02-07 | Darryl Desmarteau | Zwitterionic iodonium compounds and methods of application |
KR100636068B1 (ko) | 2001-06-15 | 2006-10-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
JP4013044B2 (ja) | 2001-06-15 | 2007-11-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP4244755B2 (ja) | 2003-09-09 | 2009-03-25 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP4240223B2 (ja) | 2004-03-22 | 2009-03-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4579811B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2010-11-10 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
TWI332122B (en) | 2005-04-06 | 2010-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process |
JP4816921B2 (ja) | 2005-04-06 | 2011-11-16 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5061612B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-10-31 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物用酸発生樹脂 |
US7932334B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-04-26 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin suitable for an acid generator |
JP5054929B2 (ja) | 2006-04-27 | 2012-10-24 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
KR101035742B1 (ko) | 2006-09-28 | 2011-05-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규 광산 발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴형성 방법 |
JP5083528B2 (ja) | 2006-09-28 | 2012-11-28 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4849267B2 (ja) | 2006-10-17 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
KR101242332B1 (ko) | 2006-10-17 | 2013-03-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
US7569326B2 (en) | 2006-10-27 | 2009-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt having polymerizable anion, polymer, resist composition, and patterning process |
JP4893580B2 (ja) | 2006-10-27 | 2012-03-07 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
EP2080774B1 (en) | 2006-11-10 | 2014-01-15 | JSR Corporation | Polymerizable sulfonic acid onium salt and resin |
WO2008099869A1 (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Central Glass Company, Limited | 光酸発生剤用化合物及びそれを用いたレジスト組成物、パターン形成方法 |
JP5066405B2 (ja) | 2007-08-02 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4993138B2 (ja) | 2007-09-26 | 2012-08-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5131461B2 (ja) | 2008-02-14 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP5071658B2 (ja) | 2008-02-14 | 2012-11-14 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 |
JP5245956B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4569786B2 (ja) | 2008-05-01 | 2010-10-27 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4650644B2 (ja) | 2008-05-12 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5125832B2 (ja) | 2008-07-14 | 2013-01-23 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5201363B2 (ja) | 2008-08-28 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI424994B (zh) | 2008-10-30 | 2014-02-01 | Shinetsu Chemical Co | 具有環狀縮醛構造之含氟單體、高分子化合物、光阻保護膜材料、光阻材料、圖型之形成方法 |
JP4666190B2 (ja) | 2008-10-30 | 2011-04-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4748331B2 (ja) | 2008-12-02 | 2011-08-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5368270B2 (ja) | 2009-02-19 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5170456B2 (ja) | 2009-04-16 | 2013-03-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5387181B2 (ja) | 2009-07-08 | 2014-01-15 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5510176B2 (ja) | 2010-08-17 | 2014-06-04 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5578994B2 (ja) | 2010-08-27 | 2014-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法 |
US9164384B2 (en) * | 2013-04-26 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist composition |
-
2012
- 2012-06-15 JP JP2012135462A patent/JP5783137B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-30 US US13/905,756 patent/US9162967B2/en active Active
- 2013-06-11 TW TW102120754A patent/TWI476173B/zh active
- 2013-06-13 KR KR1020130067780A patent/KR101785758B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011022348A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物及びそれに用いられる重合体 |
JP2011141332A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP2011157313A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014102334A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US9897916B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound, polymer compound, resist composition, and patterning process |
WO2017104355A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、レジスト膜、マスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JPWO2017104355A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2018-09-20 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、レジスト膜、マスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
EP3184561A1 (en) | 2015-12-25 | 2017-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition, pattern forming process, polymer, and monomer |
EP3205640A1 (en) | 2016-02-10 | 2017-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
US10754248B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
US11579526B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-02-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
WO2021039252A1 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、樹脂 |
US11340527B2 (en) | 2019-11-07 | 2022-05-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US11693314B2 (en) | 2019-11-07 | 2023-07-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
WO2024014462A1 (ja) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び高分子化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201404769A (zh) | 2014-02-01 |
KR20130141383A (ko) | 2013-12-26 |
US20130337378A1 (en) | 2013-12-19 |
TWI476173B (zh) | 2015-03-11 |
JP5783137B2 (ja) | 2015-09-24 |
KR101785758B1 (ko) | 2017-10-16 |
US9162967B2 (en) | 2015-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5783137B2 (ja) | スルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5812030B2 (ja) | スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP6651965B2 (ja) | 単量体、高分子化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP6583136B2 (ja) | 新規スルホニウム化合物及びその製造方法、レジスト組成物、並びにパターン形成方法 | |
JP6237428B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6206311B2 (ja) | 光酸発生剤、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP6673105B2 (ja) | スルホニウム化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP5815575B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5678864B2 (ja) | ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5699943B2 (ja) | パターン形成方法及びレジスト材料 | |
JP6020347B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5790631B2 (ja) | スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法、並びに該高分子化合物の製造方法 | |
JP6658204B2 (ja) | 光酸発生剤、レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP6217561B2 (ja) | 新規オニウム塩化合物及びレジスト組成物並びにパターン形成方法 | |
JP2020111564A (ja) | 新規オニウム塩、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 | |
JP2013173855A (ja) | 高分子化合物の製造方法、該製造方法によって製造された高分子化合物及びそれを含んだレジスト材料並びにパターン形成方法 | |
JP5815576B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2020055797A (ja) | オニウム塩、レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2019191569A (ja) | 光酸発生剤、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
KR20220044423A (ko) | 술포늄염, 화학 증폭 레지스트 조성물, 및 패턴 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150706 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5783137 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |