JP2013544413A5 - - Google Patents

Description

本発明のある態様によれば、デバイスのコールドブートとウォームブートとを区別する方法が提供され、このデバイスは、ブートタイプを示すために使用されるフラグを包含する揮発性メモリを備え、この方法は、そのフラグを読み取ることによってブートタイプを判定するステップを備え、この方法は、電源異常が生じたことを示すメッセージを検出すると、デバイスがブートタイプをウォームブートと判定しないように揮発性メモリのデータを設定することをさらに備える。

本発明の別の態様によれば、コールドブートとウォームブートとを区別するデバイスが提供される。このデバイスは、ブートタイプを示すために使用されるフラグを包含する揮発性メモリ３０２と、電源異常が生じたことを示すメッセージを捕捉する電源異常捕捉モジュール３０１と、そのフラグを読み取ることによってブートタイプを判定するため、および電源異常が生じたことを示すメッセージが電源異常捕捉モジュール３０１によって捕捉されたことに応答して、プロセッサ３０３がブートタイプをウォームブートと判定しないように揮発性メモリ３０２のデータを設定するプロセッサ３０３とを備える。

ステップ２０２で、デバイスが、プロゾーンのＣＲＣチェックサムを破損させる。この目的は、ＣＲＣチェックサムを無効にすることである。例えば、このチェックサムを破損させるために、電源断通知ハンドラが、プロゾーンのＣＲＣチェックサムを１だけ増加させる。すると、ゲートウェイに電源が投入された際、プロゾーンのＣＲＣチェックサムは、無効と確認され、さらにデバイスが、プロゾーンを初期化するように構成され、さらにこの初期化の際に、ｓｅｌｆｔｅｓｔ＿ｆｌａｇが、ゲートウェイがコールドブートしたことを意味する１に設定される。

ゲートウェイが起動した後、ｓｎｍｐモジュールが、ｓｅｌｆｔｅｓｔ＿ｆｌａｇを読み取り、このフラグが１に設定されている場合、ｓｎｍｐは、ターゲットｐｃにコールドスタートトラップを送出する。すると、ターゲットｐｃは、ゲートウェイが電源投入時に起動したことを知る。

いくつかの実施形態を説明してきた。それでも、様々な変形が行われ得ることが理解されよう。例えば、様々な実施形態の要素が、他の実施形態をもたらすように組み合わされる、補足される、変形される、または取り除かれることが可能である。さらに、他の構造およびプロセスが、開示される構造およびプロセスに代用されることが可能であり、さらにもたらされる実施形態は、開示される実施形態と同一の結果を少なくとも実質的に実現するように、少なくとも実質的に同一の方法で、少なくとも実質的に同一の機能を実行することが当業者には理解されよう。したがって、これら、およびその他の実施形態は、本発明の範囲に含まれるものとする。
本発明は以下の態様を含む。
（付記１）
ブートタイプを示すために使用されるフラグを包含する揮発性メモリを備えるデバイスのコールドブートとウォームブートとを区別する方法であって、
前記フラグを読み取ることによってブートタイプを判定するステップを備え、
電源異常が生じたことを示すメッセージを検出すると、前記デバイスが前記ブートタイプをウォームブートと判定しないように前記揮発性メモリのデータを変更するステップをさらに備える、前記方法。
（付記２）
前記変更するステップは、前記フラグの前記データを、コールドブートを示す値に変更するステップをさらに備える、付記１に記載の方法。
（付記３）
前記フラグを読み取ることに失敗した場合、前記フラグを作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するステップをさらに備える、付記２に記載の方法。
（付記４）
前記揮発性メモリは、前記フラグを備える第１の部分と、前記第１の部分の前記データの前記ＣＲＣチェックサムである第２の部分とから成るデータ領域を包含し、前記変更するステップは、
前記データ領域のＣＲＣを無効にするように前記データ領域の前記データを変更するステップをさらに備える、付記１に記載の方法。
（付記５）
前記データの前記ＣＲＣが無効と確認されると、前記フラグを含む前記データ領域を作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するステップを備える、付記４に記載の方法。
（付記６）
コールドブートとウォームブートとを区別するデバイスであって、
ブートタイプを示すために使用されるフラグを包含する揮発性メモリ３０２と、
電源異常が生じたことを示すメッセージを捕捉する電源異常捕捉モジュール３０１と、
前記フラグを読み取ることによってブートタイプを判定するため、および、前記電源異常捕捉モジュール３０１によって電源異常が生じたことを示す前記メッセージが捕捉されたことに応答して、プロセッサ３０３が前記ブートタイプをウォームブートと判定しないように前記揮発性メモリ３０２のデータを変更するプロセッサ３０３と、
を備える、前記デバイス。
（付記７）
変更するステップは、前記フラグの前記データを、コールドブートを示す値に変更するステップをさらに備える、付記６に記載のデバイス。
（付記８）
前記プロセッサ３０３は、前記フラグを読み取ることに失敗した場合、前記フラグを作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するようにさらに構成される、付記７に記載のデバイス。
（付記９）
前記揮発性メモリ３０２は、前記フラグを備える第１の部分と、前記第１の部分の前記データの前記ＣＲＣチェックサムである第２の部分とから成るデータ領域を包含し、前記変更するステップは、
前記データ領域のＣＲＣを無効にするように前記データ領域の前記データを変更するステップをさらに備える、付記６に記載のデバイス。
（付記１０）
前記プロセッサ３０３は、前記データの前記ＣＲＣが無効と確認されると、前記フラグを含む前記データ領域を作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するようにさらに構成される、付記９に記載のデバイス。

Claims (10)

1. ブートタイプを示すために使用されるフラグを含む揮発性メモリを備えるデバイスのコールドブートとウォームブートとを区別する方法であって、
   前記フラグを読み取ることによってブートタイプを判定するステップを備え、
   電源異常が生じたことを示すメッセージを検出すると、前記デバイスが前記ブートタイプをウォームブートと判定しないように前記揮発性メモリのデータを設定するステップをさらに備える、前記方法。
2. 前記設定するステップは、前記フラグの前記データを、コールドブートを示す値に設定するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
3. 前記フラグを読み取ることに失敗した場合、前記フラグを作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するステップをさらに備える、請求項２に記載の方法。
4. 前記揮発性メモリは、前記フラグを備える第１の部分と、前記第１の部分のデータのＣＲＣチェックサムである第２の部分とから成るデータ領域を含み、前記設定するステップは、
   前記データ領域のＣＲＣを無効にするように前記データ領域の前記データを設定するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
5. 前記データの前記ＣＲＣが無効と確認されると、前記フラグを含む前記データ領域を作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するステップを備える、請求項４に記載の方法。
6. コールドブートとウォームブートとを区別するデバイスであって、
   ブートタイプを示すために使用されるフラグを含む揮発性メモリと、
   電源異常が生じたことを示すメッセージを捕捉する電源異常捕捉モジュールと、
   前記フラグを読み取ることによってブートタイプを判定するプロセッサであって、前記電源異常捕捉モジュールによって電源異常が生じたことを示す前記メッセージが捕捉されたことに応答して、前記プロセッサが前記ブートタイプをウォームブートと判定しないように前記揮発性メモリのデータを設定する、前記プロセッサと、
   を備える、前記デバイス。
7. 設定するステップは、前記フラグの前記データを、コールドブートを示す値に設定するステップをさらに備える、請求項６に記載のデバイス。
8. 前記プロセッサは、前記フラグを読み取ることに失敗した場合、前記フラグを作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するようにさらに構成される、請求項７に記載のデバイス。
9. 前記揮発性メモリは、前記フラグを備える第１の部分と、前記第１の部分のデータのＣＲＣチェックサムである第２の部分とから成るデータ領域を含み、前記設定するステップは、
   前記データ領域のＣＲＣを無効にするように前記データ領域の前記データを設定するステップをさらに備える、請求項６に記載のデバイス。
10. 前記プロセッサは、前記データの前記ＣＲＣが無効と確認されると、前記フラグを含む前記データ領域を作成し、前記フラグを、コールドブートを示す値に設定するようにさらに構成される、請求項９に記載のデバイス。