JP2013530390A5 - Ａｆｍ先端を被膜するための方法 - Google Patents
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Description
好ましい実施形態では、イオンクラスタ源技術は、第１の室の真空状態又は超高真空状態で、及び被覆されるべきＡＦＭ先端が配置されるイオンクラスタ源に接続された付属室で実行される。
ＩＣＳの使用により、真空又はＵＨＶプロセスであるので、クラスタの化学的な純度が保証される。さらに、その使用により、任意の種類の表面（任意の市販の先端又は任意の当業者に公知の先端）における任意の種類の材料から制御されたサイズを有するクラスタの製造が可能である。他の製造方法と異なり、その使用は、蒸着プロセスの間のナノ粒子の適度な運動エネルギーの吸収、ソフトランディングの結果として元の先端を損傷することを防止する技術である。
ナノ粒子製造プロセスの精密な制御は、この技術により、ナノ粒子サイズ分布及び被覆されるべき表面（ＡＦＭ先端）の被覆密度の精密な制御と共に、制御を決定する異なる変数（ガス流量、マグネトロンパワー、クラスタ距離、時間．．．）を調整することによって達成される。この方法によって製造されたナノ粒子は、ＡＦＭ先端の小さな表面上で均質にかつランダムに分散される。
Claims (1)
- 少なくとも１つのＡＦＭ先端を被膜するための方法であって、
球形状のナノ粒子によってＡＦＭ先端を被膜するためのイオンクラスタ源技術によって、ＡＦＭ先端を材料で被膜するステップを含み、
イオンクラスタの化学的な純度を保証するため、被膜するステップは真空中で行われ、
前記ナノ粒子はクラスタの形態で蒸着され、
前記ナノ粒子は、ＡＦＭ先端の表面上で均質にかつランダムに分散することを特徴とする、
少なくとも１つのＡＦＭ先端を被膜するための方法。
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