RU2568069C2 - Модификация зондов для атомно-силовой микроскопии посредством напыления наночастиц источником ионных кластеров - Google Patents

Модификация зондов для атомно-силовой микроскопии посредством напыления наночастиц источником ионных кластеров Download PDF

Info

Publication number
RU2568069C2
RU2568069C2 RU2012149415/28A RU2012149415A RU2568069C2 RU 2568069 C2 RU2568069 C2 RU 2568069C2 RU 2012149415/28 A RU2012149415/28 A RU 2012149415/28A RU 2012149415 A RU2012149415 A RU 2012149415A RU 2568069 C2 RU2568069 C2 RU 2568069C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nanoparticles
probes
probe
afm
coating
Prior art date
Application number
RU2012149415/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012149415A (ru
Inventor
ГАРСИЯ Элиса Леонор РОМАН
ОРЕЛЛАНА Лидия МАРТИНЕС
ЛАГОС Мерседес ДИАС
Ив УТТЕЛЬ
Original Assignee
Высший Совет По Научным Исследованиям (Ксис)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Высший Совет По Научным Исследованиям (Ксис) filed Critical Высший Совет По Научным Исследованиям (Ксис)
Publication of RU2012149415A publication Critical patent/RU2012149415A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2568069C2 publication Critical patent/RU2568069C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
    • G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
    • G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
    • G01Q60/42—Functionalisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/50—MFM [Magnetic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. MFM probes
    • G01Q60/54—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
    • G01Q60/56—Probes with magnetic coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на зонды для атомно-силовой микроскопии (АСМ). Способ включает нанесение покрытия по меньшей мере на один АСМ-зонд посредством источника ионных кластеров. Нанесение покрытия осуществляют материалом в форме сферических наночастиц контролируемого размера. Технический результат - улучшение геометрических свойств зонда, уменьшение исходного радиуса кривизны острия зонда. 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к способу нанесения покрытия на зонды для АСМ (атомно-силовой микроскопии) посредством напыления материала в форме наночастиц источником ионных кластеров.
Существующий уровень техники
Предел разрешающей способности существующего атомно-силового микроскопа (АСМ) обусловлен геометрией зондов, используемых для измерения. Обычно можно видеть топографию нанообъектов, таких как, например, наночастицы кобальта, напыленные на плоскую кремниевую поверхность, где профиль, составленный из упомянутых сферических наночастиц, открывает ширину, которая намного больше чем высота. Этот факт хорошо известен пользователям сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) и вызван конволюцией формы зонда с морфологией объектов, в данном случае частиц, характеристики которых необходимо измерить. Зонды с более высоким отношением аспектов (разницей между длиной и радиусом зонда) позволяют помещать зонд ближе для сканирования отверстий и трещин, что повышает разрешающую способность СЗМ-измерений. Обычно АСМ-зонды являются пирамидами с квадратным основанием при среднем радиусе 7 нм. Зонды с высоким отношением аспектов, имеющие меньшие радиусы кривизны, также имеются в продаже, хотя их индивидуализированный процесс производства, в котором используют способ ионного травления, приводит к очень высокой стоимости в дополнение к их собственной хрупкости, которая приводит к более короткому сроку службы, чем у более традиционных зондов.
Модификация зонда довольно широко распространена среди продвинутых пользователей СЗМ, так что коммерческие зонды модифицируют для использования в магнитно-силовой микроскопии (МСМ), для измерений пьезоотклика и т.д. Эта функционализация не пытается модифицировать отношение аспектов зонда, а направлена на достижение конкретных свойств (магнитные свойства, пьезоэлектрические свойства и т.д.) посредством модификации его химического состава [G. Macedo, D. Ananias, P.S. Andre, R.A. Sa Ferreira, A.L. Kholkin, L.D. Carlos and J. Rocha, Nanotechnology, 19 5 (2008) 295702]. Кроме того, используемые производственные процессы иногда включают уменьшение отношения аспектов, как сказано в статье А. Гейсслера и др. [А. Geissler, M. - F. Vallat, L. Vidal, J. - C. Voegel, J. Hemmerle, P. Schaaf, and V. Roucoules, Langmuir 24 (2008) 4874-4880] и в статье Кьюй К. Онга и др. [Quy К. Ong, Igor Sokolov, Journal of Colloid and Interface Science, 310 (2007) 385-390].
С другой стороны, достижения в улучшении отношения аспектов направлены на повышение функциональности зондов углеродными нанотрубками, как сказано в статье С.С. Вонга и др. [S.S. Wong, A.T. Woolley, E. Joselevich, C.M. Lieber, Chemical Physics Letters, 306 (1999) 219-225] (дорогостоящий зонд, недавно появившийся на рынке). Следует подчеркнуть, что такая модификация не позволяет модифицировать химию зонда простым образом для конкретных применений.
Описание изобретения
Настоящее изобретение предлагает способ нанесения покрытия на зонды для атомно-силовой микроскопии (АСМ) посредством напыления наночастиц источником ионных кластеров (ИИК).
Первый аспект настоящего изобретения относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере на один АСМ-зонд посредством источника ионных кластеров, причем материал для покрытия имеет форму наночастиц.
В одном предпочтительном варианте осуществления материал, используемый для нанесения покрытия на АСМ-зонд, выбирают из списка, включающего: металлический материал, магнитный материал, пьезоэлектрический материал, проводящий материал, изолирующий материал, диэлектрический материал и любые их сочетания. В одном более предпочтительном варианте осуществления материал выбирают из металлического материала, магнитного материала или полупроводникового материала. Такой материал расположен в первой камере, называемой источником ионных кластеров.
В одном предпочтительном варианте осуществления способ источника ионных кластеров выполняют в условиях вакуума или сверхвысокого вакуума в первой камере и в прикрепленной камере, соединенной с источником ионных кластеров, где расположен АСМ-зонд для нанесения покрытия.
Способ настоящего изобретения предлагает модификацию отношения аспектов АСМ-зонда посредством напыления наночастиц управляемого размера. Это кроме того влечет возможность напыления наночастиц желательного конкретного материала (металлический материал, магнитный материал, пьезоэлектрический материал, проводящий материал, изолирующий материал,…), так что, если получено улучшение отношения аспектов, будет получена модификация химического состава зонда, другими словами, будут получены АСМ-зонды, которые позволяют достигнуть улучшенной разрешающей способности и функциональны.
Способ согласно настоящему изобретению осуществляют посредством методики применения источника ионных кластеров, заключающейся в напылении посредством источника ионных кластеров в условиях вакуума и сверхвысокого вакуума. Работа этого оборудования состоит в генерации плазмы ионов желательного материала в газонапорной атмосфере. Упомянутый газ предпочтительно выбирают из аргона, гелия, азота, кислорода или любых их сочетаний, и более предпочтительно аргона или гелия, с учетом того, что они благоприятствуют кластеризации ионов материала для создания наночастиц.
С помощью такого ИИК достигается точный контроль размера и плотности покрытия из наночастиц.
Использование ИИК обеспечивает химическую чистоту кластеров, поскольку это происходит в условиях вакуума или сверхвысокого вакуума. Кроме того, это позволяет создавать кластеры контролируемых размеров из любого типа материала на любом типе поверхности (любой зонд, имеющийся в продаже или известный специалисту в данной области). В отличие от других способов получения, этот способ предотвращает повреждение исходного зонда в результате умеренной адсорбции кинетической энергии и мягкого падения наночастиц во время напыления.
Точный контроль процесса получения наночастиц достигается этим способом посредством регулировки определяющих его разных переменных (поток газа, мощность магнетрона, расстояние образования кластеров, время…) вместе с точным контролем распределения размеров наночастиц и плотности покрытия поверхности (АСМ-зонда). Наночастицы, полученные посредством этого способа, однородно и произвольно распределены на небольшой поверхности АСМ-зонда.
Рабочими условиями в общем являются: время нанесения покрытия, расстояние образования кластеров, мощность магнетрона и потоки газа, причем все они являются взаимозависимыми параметрами и переменными согласно типу используемого материала.
Во втором аспекте настоящее изобретение относится к АСМ-зонду с покрытием, который может быть получен способом настоящего изобретения.
Важно отметить, что способ модификации АСМ-зондов настоящего изобретения легко реализовать в промышленном масштабе, поскольку способы напыления в вакуумных камерах уже широко используются в промышленности. Продолжение модификации АСМ-зондов станет возможным путем объединения ИИК с этими уже существующими камерами.
Третий аспект настоящего изобретения относится к использованию АСМ-зонда, который описан выше, для получения морфологических характеристик поверхности, определения магнитных или пьезоэлектрических свойств объектов и напыления наночастиц. С другой стороны, повышение функциональности АСМ-зондов посредством напыления наночастиц контролируемого химического состава позволит характеризовать нанообъекты с точки зрения их физико-химических свойств. Например, АСМ-зонды могут быть покрыты наночастицами пьезоэлектрических или магнитных материалов, чтобы исследовать пьезоэлектрические или магнитные свойства нанообъектов.
В описании и формуле изобретения слово ”включает” и его варианты не предназначены для исключения других технических признаков, дополнений, компонентов или этапов. Для специалистов в данной области другие объекты, преимущества и признаки изобретения будут отчасти подразумеваться из описания и отчасти из осуществления изобретения на практике. Следующие примеры и чертежи представлены для иллюстрации и не предназначены для ограничения настоящего изобретения.
Описание чертежей
Фиг.1 - изображение слева показывает топографию, полученную посредством АСМ, профиля наночастиц кобальта (справа). На профиле из упомянутых сферических наночастиц видно, что ширина значительно больше, чем высота.
Фиг.2 показывает примеры СЭМ-изображений (СЭМ = сканирующая электронная микроскопия) коммерческих зондов (нанодатчиков), полученных путем ионного травления.
Фиг.3 показывает: a) АСМ-изображение наночастиц диаметром 2-3 нм на кремниевой подложке (100); b) профиль наночастиц; c) схему АСМ-зонда с наночастицами.
Фиг.4 - слева: АСМ-изображение немодифицированного коммерческого зонда; справа: изображение того же образца, полученное с помощью коммерческого зонда, модифицированного посредством напыления наночастиц; внизу: профили в специфических областях верхних изображений.
На фигурах пространственные оси обозначены X, Y и Z.
Примеры
Ниже изобретение будет проиллюстрировано посредством нескольких тестов, выполненных авторами изобретения, которые четко показывают специфичность и эффективность способа настоящего изобретения для нанесения покрытия или модификации поверхности АСМ-зондов.
Выполненные тесты были направлены на сравнение АСМ-изображений, полученных с помощью немодифицированных коммерческих АСМ-зондов и коммерческих зондов, модифицированных посредством напыления наночастиц, созданных источником ионных кластеров.
Напыления были выполнены в условиях сверхвысокого вакуума с использованием источника ионных кластеров, изготовленного компанией Oxford Applied Research, и заготовки из сплава Co95Au5.
Процесс создания наночастиц был оптимизирован, так что сферические наночастицы диаметром 2-3 нм получали с помощью ИИК. В этом отношении соответствующими параметрами были: мощность, прилагаемая к магнетрону: 20 Вт; длина кластеризации: 50 нм; расход аргона: 60 стандартных куб. см в минуту; расход гелия: 50 стандартных куб. см в минуту; расстояние между источником ионных кластеров и АСМ-зондами: 190 мм; время напыления: 2 минуты. На Фиг.3 a-b показан пример напыления этих наночастиц диаметром приблизительно 2-3 нм; на Фиг.3 a-b наночастицы напылены на плоскую кремниевую подложку. Напыление этих наночастиц на коммерческие АСМ-зонды приводит к получению зондов с улучшенным отношением аспектов и контролируемым химическим составом (Фиг.3,c).
Стандартный образец был измерен немодифицированными коммерческими АСМ-зондами и модифицированными коммерческими АСМ-зондами с напылением наночастиц диаметром 2-3 нм. На Фиг.4 показано сравнение измерений, выполненных с помощью обоих зондов в точно той же области стандартного образца. Эти изображения соответствуют области 450×450 нм2. Серию структур, которые не видны на изображении, зарегистрированном коммерческим зондом, можно четко видеть на изображении, зарегистрированном модифицированным АСМ-зондом. Это потому, что зонд, модифицированный наночастицами, имеет более хорошую разрешающую способность, чем коммерческие зонды, поскольку он имеет меньшую степень неопределенности, что позволяет отображать структуры с более высокой разрешающей способностью. Профили, показанные в нижней части Фиг.4, более точно иллюстрируют повышенную разрешающую способность модифицированного зонда. На этих профилях можно видеть систематическое уменьшение в измеренной структуре (максимальная ширина) из-за более хорошей разрешающей способности.
На Фиг.4 показан морфологический эффект напыления наночастиц на коммерческий зонд. Этот морфологический эффект в каждом случае должен быть объединен с химическим эффектом, так как, например, напыление магнитного материала позволит использовать эти зонды для МСМ-измерений (магнитно-силовая микроскопия).

Claims (10)

1. Способ нанесения покрытия по меньшей мере на один АСМ-зонд, включающий этап нанесения покрытия по меньшей мере на один АСМ-зонд посредством источника ионных кластеров, причем нанесение покрытия осуществляют материалом в форме сферических наночастиц контролируемого размера.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что материал выбирают из списка, включающего: металлический материал, магнитный материал, пьезоэлектрический материал, проводящий материал, изолирующий материал, диэлектрический материал, полупроводниковый материал и любые их сочетания.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что материал выбирают из металлического материала, магнитного материала или полупроводникового материала.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что газ, который выбирают из гелия, аргона, кислорода, азота или любых их сочетаний, используют в области образования кластеров источника ионных кластеров.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что газ выбирают из аргона или гелия.
6. Способ по любому из пп. 1-3, 5, отличающийся тем, что способ выполняют в условиях вакуума или сверхвысокого вакуума в камере, прикрепленной к области образования кластеров источника ионных кластеров.
7. АСМ-зонд с покрытием, который может быть получен способом по любому из пп. 1-6.
8. Использование АСМ-зонда по п. 7 для определения морфологических характеристик поверхности.
9. Использование АСМ-зонда по п. 7 для определения магнитных свойств объектов на поверхности.
10. Использование АСМ-зонда по п. 7 для определения пьезоэлектрических свойств объектов на поверхности.
RU2012149415/28A 2010-05-13 2011-05-04 Модификация зондов для атомно-силовой микроскопии посредством напыления наночастиц источником ионных кластеров RU2568069C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ESP201030712 2010-05-13
ES201030712A ES2369943B1 (es) 2010-05-13 2010-05-13 Modificación de puntas de microscopía de fuerzas atómicas mediante depósito de nanopartículas con una fuente de agregados.
PCT/ES2011/070319 WO2011141602A1 (es) 2010-05-13 2011-05-04 Modificación de puntas de microscopía de fuerzas atómicas mediante depósito de nanopartículas con una fuente de agregados

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012149415A RU2012149415A (ru) 2014-06-20
RU2568069C2 true RU2568069C2 (ru) 2015-11-10

Family

ID=44913989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012149415/28A RU2568069C2 (ru) 2010-05-13 2011-05-04 Модификация зондов для атомно-силовой микроскопии посредством напыления наночастиц источником ионных кластеров

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9015861B2 (ru)
EP (1) EP2570815B1 (ru)
JP (1) JP6044786B2 (ru)
KR (1) KR101806389B1 (ru)
CN (1) CN102893165A (ru)
ES (1) ES2369943B1 (ru)
RU (1) RU2568069C2 (ru)
WO (1) WO2011141602A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102407818B1 (ko) 2016-01-26 2022-06-10 삼성전자주식회사 원자힘 현미경용 캔틸레버 세트, 이를 포함하는 기판 표면 검사 장치, 이를 이용한 반도체 기판의 표면 분석 방법 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법
RU2631529C2 (ru) * 2016-03-18 2017-09-25 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Башкирский государственный университет" Способ исследования поверхности на атомно-силовом микроскопе с помощью флуоресцентных квантовых точек
WO2021233817A2 (en) 2020-05-18 2021-11-25 Next-Tip, S.L. Scanning probe microscope (spm) tip

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4217855A (en) * 1974-10-23 1980-08-19 Futaba Denshi Kogyo K.K. Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device
JPH04120270A (ja) * 1990-09-10 1992-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置
JPH05325274A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Canon Inc 圧電変位素子、微小プローブ、及びこれらの製造方法、及びこれらを用いた走査型トンネル顕微鏡並びに情報処理装置
DE19752202C1 (de) * 1997-11-25 1999-04-15 Hans Dr Hofsaes Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Vorrichtung
JP2002162337A (ja) * 2000-11-26 2002-06-07 Yoshikazu Nakayama 集束イオンビーム加工による走査型顕微鏡用プローブ
US7282710B1 (en) * 2002-01-02 2007-10-16 International Business Machines Corporation Scanning probe microscopy tips composed of nanoparticles and methods to form same
US7528947B2 (en) 2003-07-10 2009-05-05 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Nanoparticles functionalized probes and methods for preparing such probes
WO2005024390A1 (ja) * 2003-09-03 2005-03-17 Hitachi Kenki Fine Tech Co., Ltd プローブの製造方法、プローブおよび走査型プローブ顕微鏡
WO2007078316A2 (en) * 2005-05-10 2007-07-12 The Regents Of The University Of California Tapered probe structures and fabrication
US8273407B2 (en) * 2006-01-30 2012-09-25 Bergendahl Albert S Systems and methods for forming magnetic nanocomposite materials

Also Published As

Publication number Publication date
JP6044786B2 (ja) 2016-12-14
KR101806389B1 (ko) 2017-12-07
EP2570815B1 (en) 2021-02-17
ES2369943B1 (es) 2012-10-15
EP2570815A4 (en) 2015-04-01
WO2011141602A1 (es) 2011-11-17
ES2369943A1 (es) 2011-12-09
US9015861B2 (en) 2015-04-21
JP2013530390A (ja) 2013-07-25
CN102893165A (zh) 2013-01-23
EP2570815A1 (en) 2013-03-20
US20130111637A1 (en) 2013-05-02
KR20130079430A (ko) 2013-07-10
RU2012149415A (ru) 2014-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104347335B (zh) 铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置
CN1894157B (zh) 有序波形纳米结构形成方法
CN110709959B (zh) 用于冷场电子发射的阴极结构及其制备方法
CN102918605B (zh) 经涂覆之石墨物件及石墨物件之反应性离子蚀刻制造及整修
CN103589999A (zh) 一种自支撑类金刚石纳米薄膜制备装置及薄膜制备方法
RU2568069C2 (ru) Модификация зондов для атомно-силовой микроскопии посредством напыления наночастиц источником ионных кластеров
JP2014526784A (ja) 制御されたプロファイルを備えたナノチップの製造方法
Schubert et al. Nanostructure fabrication by glancing angle ion beam assisted deposition of silicon
Choi et al. Pressure effect of growing with electron beam‐induced deposition with tungsten hexafluoride and tetraethylorthosilicate precursor
Baer et al. Challenges in applying surface analysis methods to nanoparticles and nanostructured materials
Kosolobov et al. Atomic force microscopy of silicon stepped surface
Bizyaev et al. Creation of lithographic masks using a scanning probe microscope
Hlawacek Ion Microscopy
Scheier et al. Films of silicon nanoparticles grown by gas aggregation
Swenson et al. Study of gas cluster ion beam surface treatments for mitigating RF breakdown
Zhang et al. Deposition and corrosion behavior of< 110>-oriented vanadium thick films by direct current magnetron sputtering
Chumak et al. Fabrication and complex investigation of LAFE based on CNT by PECVD with island catalyst
Asai et al. Fabrication of Pt-and Au-coated W Nano Tip with Electroplated Films as a Noble-metal Source toward Viable Application for Long-life Electron Source
JP7141701B2 (ja) 金属材料の表面観察方法を用いた金属材料の化成処理性評価方法
Siviero et al. In situ investigation of the first stages of growth of cluster-assembled carbon films by scanning tunnelling microscopy
Tashlykov et al. Surface Morphological Properties of Mo-Based Thin Films on Glass
Potocnik et al. Structural, Chemical and Magnetic Properties of Nickel Vertical Posts Obtained by Glancing Angle Deposition Technique
Hsiao et al. Angstrom-scale ultra smooth IBAD Au thin films by in-situ ion figuring: A top down way
Kreuzpaintner Preparation and characterisation of magnetic nanostructured samples for inelastic neutron scattering experiments
Pahlovy et al. Changes of Ripple Morphology of Cleaved Si Surface by Low-Energy Ar+ Ion Beam Sputtering