JP2013528251A - Large area vapor deposition equipment for gas mixing prevention - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、ガス混合防止用大面積蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかるガス混合防止用大面積蒸着装置は、多重チューブ構造の噴射ノズルが適用され、各々のガスが互いに異なる噴射ノズルに供給されるため、ガスがチャンバから噴射されるとき、均一に混合されてチャンバの内部に均一に噴射される。すなわち、簡単な構造でガスがチャンバの内部に流入する前に混合されることを防止することができ、ガスを均一に混合してチャンバの内部に均一に噴射することができるため、コストが節減されるという効果がある。また、噴射ノズルが左右に振動しながらガスを噴射するため、ガスがより均一に混合されてより均一にチャンバ内の基板に噴射されるため、基板に蒸着された膜のクオリティが向上するという効果がある。さらに、各々の噴射ノズルごとに分離して修理または洗浄することができるため、メンテナンス作業が簡便であるという効果がある。
【選択図】図2The present invention provides a large-area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing.
In the large area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing according to the present invention, an injection nozzle having a multi-tube structure is applied, and each gas is supplied to different injection nozzles. , Uniformly mixed and sprayed uniformly into the chamber. That is, the gas can be prevented from being mixed before flowing into the chamber with a simple structure, and the gas can be uniformly mixed and injected into the chamber uniformly, thereby reducing cost. There is an effect that. In addition, since the gas is injected while the injection nozzle vibrates from side to side, the gas is mixed more uniformly and injected more uniformly onto the substrate in the chamber, so that the quality of the film deposited on the substrate is improved. There is. Furthermore, since each spray nozzle can be repaired or cleaned separately, there is an effect that the maintenance work is simple.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、ガス混合防止用大面積蒸着装置に関し、ガスがチャンバの内部に流入する前に互いに混合されることを防止するとともに、ガスが互いに均一に混合されてチャンバの内部に均一に噴射されるようにしたガス混合防止用大面積蒸着装置に関する。 The present invention relates to a large-area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing, and prevents the gases from being mixed with each other before flowing into the chamber, and the gases are uniformly mixed with each other and uniformly injected into the chamber. The present invention relates to a large area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing.
化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition;CVD)による薄膜蒸着技術は、半導体素子の絶縁層や能動層、液晶表示素子の透明電極、発光表示素子の発光層や保護層などの様々な応用分野において非常に重要である。 Thin film deposition technology by chemical vapor deposition (CVD) is used in various application fields such as insulating layers and active layers of semiconductor devices, transparent electrodes of liquid crystal display devices, light emitting layers and protective layers of light emitting display devices. Very important.
一般的に、CVDによって蒸着された薄膜の物性は、蒸着圧力、蒸着温度、蒸着時間などの工程条件に非常に敏感な影響を受ける。例えば、蒸着圧力の変化により、蒸着される薄膜の組成、密度、接着力、および蒸着速度などが変化することがある。 Generally, the physical properties of a thin film deposited by CVD are very sensitively influenced by process conditions such as deposition pressure, deposition temperature, and deposition time. For example, the composition, density, adhesive strength, and deposition rate of the deposited thin film may change due to changes in the deposition pressure.
化学気相蒸着法は、LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)、APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)、LTCVD(Low Temperature Chemical Vapor Deposition)、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)などに分けられる。 Chemical vapor deposition methods are LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), LTCVD (Low Temperature Chemical Vapor Deposition), PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). ) Etc.
このうち、MOCVDは、前駆体(precursor)として金属有機化合物(metal organic compound)を用いるものであって、チャンバ内で加熱された基板の表面に蒸気圧が高い金属有機化合物の蒸気を送ることにより、所望の薄膜を成長させる技術である。 Among them, MOCVD uses a metal organic compound as a precursor, and sends a vapor of a metal organic compound having a high vapor pressure to the surface of a substrate heated in a chamber. This is a technique for growing a desired thin film.
MOCVDは、ステップカバレッジ(step coverage)に優れ、基板や結晶の表面に損傷がないため、高純度および高品質の薄膜を成長させることができる。そして、比較的蒸着速度が速く、工程時間を短縮させることができるため、生産性にも優れている。 MOCVD is excellent in step coverage and has no damage to the surface of the substrate or crystal, so that a high-purity and high-quality thin film can be grown. And, since the deposition rate is relatively fast and the process time can be shortened, the productivity is also excellent.
従来のMOCVD装置は、ガスの均一な噴射のために、多くの微細孔が形成されたシャワーヘッドが必要になるため、コストが上昇するという問題があった。 The conventional MOCVD apparatus has a problem that the cost is increased because a shower head in which many fine holes are formed is required for uniform gas injection.
特に、従来のMOCVD装置は、薄膜の蒸着時に使用される2種以上のガスが噴射前に混合されて所望しない所で蒸着が行われることを防止するために、シャワーヘッドをより複雑な形状に加工しなければならない。これにより、MOCVD装置のコストがさらに上昇するという問題があった。 In particular, the conventional MOCVD apparatus has a more complicated shape for the shower head in order to prevent two or more kinds of gases used in the deposition of the thin film from being mixed before injection and performing deposition in an undesired place. Must be processed. As a result, there is a problem that the cost of the MOCVD apparatus further increases.
また、従来のMOCVD装置は、シャワーヘッドのガス噴射孔が詰まって修理または洗浄をしなければならないとき、シャワーヘッド全体を分離しなければならないため、メンテナンスが不便であるという問題があった。 In addition, the conventional MOCVD apparatus has a problem that maintenance is inconvenient because the entire shower head must be separated when the gas injection hole of the shower head is clogged and repair or cleaning is required.
本発明は、上記の従来技術の問題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、簡単な構造でガスがチャンバに流入する前に互いに混合されることを防止することができるとともに、ガスが均一に混合されてチャンバの内部に均一に噴射されるようにすることにより、コストを節減することができるガス混合防止用大面積蒸着装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the object of the present invention is to prevent the gases from being mixed with each other before flowing into the chamber with a simple structure. Another object of the present invention is to provide a large-area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing by allowing gas to be uniformly mixed and uniformly injected into a chamber so as to reduce costs.
本発明の他の目的は、メンテナンスが簡便なガス混合防止用大面積蒸着装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a large-area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing that is easy to maintain.
上記の目的を達成するための本発明にかかるガス混合防止用大面積蒸着装置は、基板上に所定の物質を蒸着するための蒸着空間を提供するチャンバと、前記チャンバの一側に設けられ、前記チャンバの内部にガスを供給する複数の供給ポートと、前記チャンバの内部に配置され、前記各供給ポートに接続された複数の供給ラインと、前記チャンバに投入された前記基板の上方に配置され、前記各供給ラインに沿って接続され、互いに交互に配置され、それぞれ異なるガスを交互に前記基板の上面に噴射する複数の噴射ノズルとを含むことを特徴とする。 A large-area deposition apparatus for preventing gas mixing according to the present invention for achieving the above object is provided in a chamber for providing a deposition space for depositing a predetermined substance on a substrate, and provided on one side of the chamber. A plurality of supply ports for supplying gas into the chamber; a plurality of supply lines disposed in the chamber; connected to the supply ports; and disposed above the substrate put into the chamber. And a plurality of injection nozzles that are connected along the supply lines and are alternately arranged to inject different gases onto the upper surface of the substrate alternately.
本発明にかかるガス混合防止用大面積蒸着装置は、多重チューブ構造の噴射ノズルが適用され、各々のガスが互いに異なる噴射ノズルに供給されるため、ガスがチャンバから噴射されるとき、均一に混合されてチャンバの内部に均一に噴射される。すなわち、簡単な構造でガスがチャンバの内部に流入する前に混合されることを防止することができ、ガスを均一に混合してチャンバの内部に均一に噴射することができるため、コストが節減されるという効果がある。 The large area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing according to the present invention uses a multi-tube structure injection nozzle, and each gas is supplied to different injection nozzles. Therefore, when the gases are injected from the chamber, they are mixed uniformly. And sprayed uniformly into the chamber. That is, the gas can be prevented from being mixed before flowing into the chamber with a simple structure, and the gas can be uniformly mixed and injected into the chamber uniformly, thereby reducing cost. There is an effect that.
また、噴射ノズルが左右に振動しながらガスを噴射するため、ガスがより均一に混合されてより均一にチャンバ内の基板に噴射されるため、基板に蒸着された膜のクオリティが向上するという効果がある。 In addition, since the gas is injected while the injection nozzle vibrates from side to side, the gas is mixed more uniformly and injected more uniformly onto the substrate in the chamber, so that the quality of the film deposited on the substrate is improved. There is.
さらに、各々の噴射ノズルごとに分離して修理または洗浄することができるため、メンテナンス作業が簡便であるという効果がある。 Furthermore, since each spray nozzle can be repaired or cleaned separately, there is an effect that the maintenance work is simple.
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施可能な特定の実施形態を例示する添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、それぞれ異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造、および特性は実施形態に関連し、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は限定的な意味ではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等のすべての範囲とともに添付した請求項によってのみ限定される。図面に示された実施形態の長さ、面積、厚さ、および形態は、便宜上、誇張されて表現されることもある。 The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention can be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, the specific shapes, specific structures, and characteristics described herein are associated with the embodiments and can be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. It should also be understood that the location or arrangement of the individual components in each disclosed embodiment can be changed without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is limited only by the appended claims, if properly described, along with the full scope of claims that the claims claim. The The length, area, thickness, and form of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.
以下、添付した図面を参照して本発明の構成を詳細に説明する。 Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1と図2を参照すると、本発明の一実施形態にかかるガス混合防止用大面積蒸着装置は、チャンバCと、チャンバCの内部に設けられ、基板Aを加熱するヒータの機能を果たすサセプタ(susceptor)Sと、チャンバCの一側に設けられ、基板Aの出入を許容するゲートバルブGと、チャンバCの外部に設けられ、チャンバC内の空気を排気する真空ポンプ(図示せず)とを含む。 Referring to FIGS. 1 and 2, a large-area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing according to an embodiment of the present invention is a susceptor that functions as a chamber C and a heater that is provided in the chamber C and heats the substrate A. (Susceptor) S, a gate valve G provided on one side of the chamber C and allowing the substrate A to enter and exit, and a vacuum pump (not shown) provided outside the chamber C and exhausting the air in the chamber C Including.
基板Aの出入のためにゲートバルブGが開放された場合を除いて、チャンバCは、基板Aに所定の物質を蒸着するための密閉された空間を提供する。基板Aは、複数のピンP上に載置されて蒸着される。 The chamber C provides a sealed space for depositing a predetermined material on the substrate A, except when the gate valve G is opened for entering and exiting the substrate A. The substrate A is placed on a plurality of pins P and deposited.
チャンバC内の上側部位には、ガスを供給する複数の供給ポート100が設けられ、チャンバCの内部には、各供給ポート100に接続され、蒸着ガスが供給される複数の供給ライン110が配置される。供給ライン110は、ガスまたは蒸気などが流れて移動できる管路である。
A plurality of
複数の供給ライン110の下方には、複数の噴射ノズル120が設けられる。噴射ノズル120は、供給ライン110の内部を移動するガスを外部に噴射することができるように、噴射孔が形成された管路である。噴射ノズル120は、チャンバCの内部で基板Aの上方に配置される。複数の噴射ノズル120は、各供給ライン110に沿って供給ライン毎に互い違いになるように配置され、供給ライン毎に互いに異なるガスを基板Aの上面に供給する。
A plurality of
噴射ノズル120は、基板Aの上方に一列に密に配置され、大面積に相当する基板Aに均一に蒸着ガスを噴射する。複数の噴射ノズル120から噴射される、ライン毎に互いに異なるガスは、噴射領域が重なり合うように噴射され互いに混合される。そして、大面積の基板A上に均一な厚さに蒸着される。
The
図1〜図4を参照すると、チャンバCの上面部には、噴射ノズル120を大面積の基板A上で一定に振動させ、基板Aに互いに異なるガスを混合して蒸着させる効率を高めるための振動用エアシリンダ130が配置される。エアシリンダ130は、噴射ノズル120を振動させることができるように、機構的に噴射ノズル120に接続される。
Referring to FIGS. 1 to 4, an
すなわち、エアシリンダ130には、エアシリンダ130が提供するストロークだけ線状に移動するシャフトロッド135と、シャフトロッド135に交差して結合され、シャフトロッド135の振動変位を噴射ノズル120に伝達するノズルブラケット140が接続される。エアシリンダ130は、電気的に振動可能なシャフトを有する振動モータに代替できる。また、エアシリンダ130は、モータの回転運動を機構的に往復運動可能な往復機構に代替できる。すなわち、エアシリンダ130は、噴射ノズル120の振動のための往復運動を提供する駆動体である。
That is, a
このとき、シャフトロッド135は、チャンバC上に複数個が設置可能である。図示のように、シャフトロッド135は、チャンバCの上面に3つが設置可能である。3つのシャフトロッド135のうち、左側の2つは、エアシリンダ130と下方にあるノズルブラケット140とに接続され、右側の1つは、下方にあるノズルブラケット140にのみ接続される。シャフトロッド135およびノズルブラケット140は、チャンバCに吊るされた形態で設けられた噴射ノズル120の重量を支えることができ、噴射ノズル120の振動時にバランスを保つことができるように、個数は多様に変更可能である。すなわち、図示した例は、噴射ノズル120の3つの部分を支持しているが、安定性を高めるために、両側の2つの部分を支持する4部分の支持構造として作製してもよく、さらに5または6部分の支持構造として作製してもよい。
At this time, a plurality of
一方、エアシリンダ130のシリンダロッド131には、スライド移動可能な移動台136が結合され、移動台136の両側には、2つのシャフトロッド135が結合される。また、移動台136の両側には、スライド管137が設けられ、スライド管137は、スライド管137の移動を案内するガイドバー138に挟まれる。このとき、ガイドバー138の両側端部は固定台139に結合され、チャンバC上に固定される。
On the other hand, a movable table 136 that can slide is coupled to the
2つのシャフトロッド135は、移動台136を介してエアシリンダ130のシリンダロッド131に接続され、シリンダロッド131によってともに運動する。ガイドバー138とスライド管137は、エアシリンダ131の直線運動を伝達するための他のスライド機構に代替することができる。スライド管137とガイドバー138を採用したのは、スライド運動時において、スライド管137に対するガイドバー138の拘束力がよいからである。
The two
図2を参照すると、チャンバCの左側および右側には、シャフトロッド135が設けられる。左側のシャフトロッド135は、エアシリンダ130の駆動力が伝達され、右側のシャフトロッド135は、噴射ノズル120の他の部位に接続され、噴射ノズル120の移動を案内する機能を果たす。ノズルブラケット140は、チャンバCの上部から下方に延び、上端部はシャフトロッド135に結合され、下端部は噴射ノズル120に接続される。
Referring to FIG. 2,
エアシリンダ130は、一列に配置された複数の噴射ノズル120が互いに隣接する噴射ノズル120と噴射ノズル120との間で振動するようにする。例えば、複数の噴射ノズル120がそれぞれ20mmの間隔で配置され、互いに異なる2種のガスが交互に噴射されるとしたら、任意の噴射ノズル120の振動変位は最大40mmである。
The
図2、図3および図4を参照すると、チャンバCの左側上面部には、エアシリンダ130のシリンダロッド131とシャフトロッド135との軸線誤差を低減させ振動を減衰させるためのフローティングジョイント141が設けられる。
Referring to FIGS. 2, 3, and 4, a floating joint 141 for reducing an axial error between the
通常、チャンバCの上面部にエアシリンダ130のシリンダロッド131とシャフトロッド135の移動経路を正確に一致させて取り付けることは難しい。仮に、エアシリンダ130のシリンダロッド131とシャフトロッド135の移動経路が直線に一致しない状態で、シリンダロッド131と接続したシャフトロッド135が外れた軸力を繰り返し受けた場合、エアシリンダ130とシャフトロッド135の耐久性が低下する。この場合、フローティングジョイント141は、シリンダロッド131とシャフトロッド135との間の動力伝達軸線が外れた場合、緩衝的な動力伝達を行う。
In general, it is difficult to attach the
チャンバCの左右側の上面部には、シャフトロッド135が通過する密閉された空間が提供され、シャフトロッド135の両側端部が移動可能に設けられるシャフトハウジング145が設けられる。シャフトハウジング145は、シャフトロッド135の移動経路を密閉する機能を果たすものであって、シャフトハウジング145の両側に突出したシャフトロッド135を取り囲んで閉鎖する密閉ガイド146がシャフトハウジング145に設けられる。
A sealed space through which the
密閉ガイド146とシャフトハウジング145との間には、気密を維持するための各種の密閉手段として、金属材質のOリング(図示せず)やゴムリング(図示せず)などがともに設置可能である。シャフトハウジング145の右側に設けられた密閉ガイド146には、エアシリンダ130でシャフトロッド135から伝達される衝撃を緩衝させるベローズ147が設けられる。
Between the sealing
ベローズ147は、シャフトロッド135が挿入される通路の形成された蛇腹管である。また、左右密閉ガイド146には、シャフトロッド135が挿入されるボールブッシュ148が固定されて設けられる。ボールブッシュ148は、シャフトロッド135の直線運動を案内し、密閉ガイド146の外部に対する気密機能も果たす。
The bellows 147 is a bellows tube in which a passage into which the
図3〜図5を参照すると、供給ライン110は、支持体150の周りに固定される。支持体150は、基板A上に位置し、シャフトロッド135に結合されたノズルブラケット140によってチャンバCの内部に吊るされた形態で設けられる。
3 to 5, the
支持体150は、四角形の枠体(フレーム)であり、噴射ノズル120は、支持体150の下面側に一列に配置され、支持体150の内側空間をほとんど閉鎖している。
The
供給ライン110は、固定ブロック151によって支持体150に固定される。固定ブロック151の両側部分には、断面が円形である供給ライン110の半分が挿入されて拘束可能な半円形の溝152が形成される。固定ブロック151は、ねじまたはボルトのような締結手段によって支持体150上に固定される。固定ブロック151は、四角形の支持体150上に配置された供給ライン110に沿って所定の間隔で配設される。
The
図5を参照すると、支持体150の上面側に供給ライン110が設けられ、支持体150の下面側に噴射ノズル120が一列に配置される。各噴射ノズル120は、支持体150の長手方向に相当する横方向と交差する縦方向に設けられる。つまり、複数の噴射ノズル120は基板Aの長手方向に沿って配置され、四角形の基板Aに対応する四角形を形成する。第5.5世代基板Aの場合、噴射ノズル120は、長方形で1500mm×1300mmに対応する面積を提供する。もちろん、噴射ノズル120は、支持体150の長さが短い縦方向に交差して設けられてもよい。図6には、供給ライン110と噴射ノズル120との接続関係が示されている。すなわち、供給ライン110の底面には、第1の接続管161が結合され、噴射ノズル120の上面には、第1の接続管161に対応して第2の接続管162が結合され、第1の接続管161と第2の接続管162とは、コネクタ163を介して互いに接続される。このとき、第1の接続管161は、支持体150(図5を参照)を貫通してコネクタ163に結合される。コネクタ163は、フィッティング手段である。
Referring to FIG. 5, the
図7を参照すると、複数の供給ポート100と供給ライン110との間には、ベローズ管164が設けられている。ベローズ管164は、供給ポート100と供給ライン110とを接続し、供給ポート100に対して供給ライン110の左右流動を許容できるように伸縮する。ベローズ管164は、直接供給ライン110に接続されるのではなく、フィッティング接続された他の供給用ポートを介して供給ライン110に接続される。
Referring to FIG. 7, a
図8と図9を参照すると、噴射ノズル120は、同心をなす二重チューブで構成される。すなわち、噴射ノズル120は、供給ライン110に接続され、供給ライン110からガスの供給を受けて上方にガスを噴射する第1の噴射孔171aが形成された第1のチューブ171と、第1のチューブ171を取り囲み、下方にガスを噴射する第2の噴射孔172aが形成された第2のチューブ172とから構成される。
Referring to FIGS. 8 and 9, the
第1のチューブ171の第1の噴射孔171aは、第2のチューブ172の噴射孔に比べて噴射孔間の間隔が大きく形成される。大体、第1のチューブ171の2つの第1の噴射孔171aは、第2のチューブ172の5つの第2の噴射孔172aに対応して蒸着ガスを供給することができる。第1のチューブ171の第1の噴射孔171aから噴射された蒸着ガスは、第2のチューブ172に沿って移動して均一に広がった状態で下方に流動し、第2のチューブ172の第2の噴射孔172aから下方に均一に噴射される。
The first injection holes 171 a of the
一方、噴射ノズル120は、三重以上の多重チューブ構造としても作製が可能である。このとき、チューブごとに、ガスを噴射する噴射孔の方向を互いに逆向きにすることが、最終的にガスの均一な噴射に有利である。
On the other hand, the
図10は、図5の平面図であって、図1と図7の2つの供給ポート100に供給された蒸着ガスの流動方向が示されている。参考として、図6および図9に示す矢印は、1つの噴射ノズル120から噴射される蒸着ガスの流動方向を示したものである。
FIG. 10 is a plan view of FIG. 5, in which the flow direction of the vapor deposition gas supplied to the two
図2とともに、図5〜図10を参照して、本発明の一実施形態にかかるガス混合防止用大面積蒸着装置のガス混合と流動および蒸着過程を説明する。 With reference to FIG. 2 and FIG. 5 to FIG. 10, the gas mixing, flow, and vapor deposition process of the large area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing according to an embodiment of the present invention will be described.
図2に示す2つの各供給ポート100を介して流入する蒸着ガスのソース原料は、例えば、ZnとO2である。基板AがサセプタSで一定温度に加熱された後、各供給ポート100にはZnとO2のソース原料が流入する。Znのソース原料は、Zn有機化合物のDEZ(diethylzinc)が使用され、O2のソース原料はO2が使用可能である。このとき、DEZは、常温で気体状態ではないため、温度を、例えば100℃程度上昇させて、DEZを固体や液体状態から気体状態に変化させた後、1つの供給ポート100に供給する。O2のソース原料であるO2は、常温で気体状態であるため、他の供給ポート100にそのまま供給する。
Source materials for the vapor deposition gas flowing in through the two
各ソース原料の蒸着ガスは、各供給ポート100に接続された各供給ライン110に供給され、四角形を形成するように配置された供給ライン110を満たすようになる。その後、各蒸着ガスは、長手方向に延びる各供給ライン110と交差するように配置された噴射ノズル120を介して下方に噴射される。このとき、噴射ノズル120は、二重チューブで構成されているが、第1のチューブ171の第1の噴射孔171aを介して上方に流動し、第2のチューブ172に沿って広がった蒸着ガスは、第2のチューブ172の第2の噴射孔172aを介して下方にある基板Aに噴射される。
The vapor deposition gas of each source material is supplied to each
一方、エアシリンダ130のシリンダロッド131は往復運動し、シリンダロッド131は、シャフトハウジング145に設けられたシャフトロッド135を往復運動させる。シャフトロッド135は、予め設定されたシリンダロッド131のストロークだけ運動しながら、この往復運動によって支持体150に結合されたノズルブラケット140を振動させる。ノズルブラケット140が振動すると、ノズルブラケット140の下部に設けられた噴射ノズル120は両側に往復運動しながら振動する。このとき、複数の噴射ノズル120のうち、任意の噴射ノズル120の振動範囲は、任意の噴射ノズル120と最も隣接する噴射ノズル120間の間隔内で設定可能である。例えば、本実施形態では、複数の噴射ノズル120は、交互するDEZガス噴射ノズル120とO2ガス噴射ノズル120とから構成されるが、任意のDEZガス噴射ノズル120の振動範囲は、任意のDEZガス噴射ノズル120と、それに最も隣接するO2ガス噴射ノズル120との間隔の2倍であり得る。
On the other hand, the
このように、エアシリンダ130の振動により、各噴射ノズル120は往復運動しながら互いに異なる蒸着ガスを噴射し、噴射された蒸着ガスは、上方から下方にジグザグの波形を形成しながら基板A側に到達する。このとき、蒸着ガスのDEZガスとO2ガスは、噴射ノズル120の振動によってより容易に混合されて基板Aに噴射され、酸化/還元などの化学反応により基板A上に一定の厚さのZnOで蒸着される。
In this way, the vibration of the
上記のように記述された本発明の実施形態に関する図面は、詳細な輪郭ラインを省略し、本発明の技術思想に属する部分を容易に知ることができるように概略的に示したものである。また、上記の実施形態は、本発明の技術思想を限定する基準になることはなく、本発明の請求の範囲に含まれた技術事項を理解するための参照的な事項にすぎない。 The drawings relating to the embodiments of the present invention described above are schematically shown so that detailed contour lines are omitted and portions belonging to the technical idea of the present invention can be easily known. Further, the above-described embodiment does not become a standard for limiting the technical idea of the present invention, and is merely a reference matter for understanding the technical matters included in the claims of the present invention.
100:供給ポート
110:供給ライン
120:噴射ノズル
130:振動用エアシリンダ
140:ノズルブラケット
150:支持体
A:基板
C:チャンバ
G:ゲートバルブ
S:サセプタ
100: supply port 110: supply line 120: injection nozzle 130: vibration cylinder 140: nozzle bracket 150: support A: substrate C: chamber G: gate valve S: susceptor
Claims (20)
前記チャンバの一側に設けられ、前記チャンバの内部にガスを供給する複数の供給ポートと、
前記チャンバの内部に配置され、前記各供給ポートに接続された複数の供給ラインと、
前記複数の供給ラインにそれぞれ接続され、前記チャンバに収容された前記基板の上方に前記複数の供給ラインに沿って前記供給ライン毎に互い違いになるように配置され、かつ前記基板の上面に前記供給ライン毎に互いに異なるガスを噴射する複数の噴射ノズルとを含むことを特徴とするガス混合防止用大面積蒸着装置。 A chamber providing a deposition space for depositing a predetermined material on the substrate;
A plurality of supply ports provided on one side of the chamber for supplying gas into the chamber;
A plurality of supply lines disposed inside the chamber and connected to the supply ports;
The supply lines are respectively connected to the plurality of supply lines, and are arranged so as to be staggered for each of the supply lines along the plurality of supply lines above the substrate accommodated in the chamber, and the supply is provided on an upper surface of the substrate. A large-area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing, comprising a plurality of injection nozzles that inject different gases for each line.
前記チャンバの内部に設けられ、一方の端部が前記シャフトロッドに結合され、他方の端部が前記噴射ノズルに結合された複数のノズルブラケットとをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のガス混合防止用大面積蒸着装置。 A plurality of shaft rods provided outside the chamber and moving in conjunction with a cylinder rod of the air cylinder;
3. The apparatus according to claim 2, further comprising a plurality of nozzle brackets provided in the chamber, wherein one end is coupled to the shaft rod and the other end is coupled to the injection nozzle. Large area deposition equipment for preventing gas mixing.
前記3つのシャフトロッドのうちの2つのシャフトロッドが、前記エアシリンダに接続されており、
残りの1つシャフトロッドが、反対側で前記複数のノズルブラケットのうちの1つに接続されていることを特徴とする請求項3に記載のガス混合防止用大面積蒸着装置。 Three shaft rods are provided on the upper surface of the chamber,
Two shaft rods of the three shaft rods are connected to the air cylinder,
4. The large area deposition apparatus for preventing gas mixing according to claim 3, wherein the remaining one shaft rod is connected to one of the plurality of nozzle brackets on the opposite side.
前記移動台の両側に、前記エアシリンダに接続された前記2つのシャフトロッドが結合されていることを特徴とする請求項4に記載のガス混合防止用大面積蒸着装置。 A movable table that can slide is connected to the cylinder rod of the air cylinder,
The large-area vapor deposition apparatus for gas mixing prevention according to claim 4, wherein the two shaft rods connected to the air cylinder are coupled to both sides of the moving table.
前記スライド管は、前記スライド管の移動を案内するガイドバーに挟まれていることを特徴とする請求項5に記載のガス混合防止用大面積蒸着装置。 Slide tubes are provided on both sides of the moving table,
The large-area vapor deposition apparatus for gas mixing prevention according to claim 5, wherein the slide tube is sandwiched between guide bars for guiding the movement of the slide tube.
前記噴射ノズルの上面に前記第1の接続管に対応する第2の接続管が結合されており、
前記第1及び第2の接続管がコネクタを介して互いに接続されていることを特徴とする請求項1に記載のガス混合防止用大面積蒸着装置。 A first connecting pipe is coupled to the bottom surface of the supply line;
A second connection pipe corresponding to the first connection pipe is coupled to the upper surface of the injection nozzle;
2. The large-area vapor deposition apparatus for preventing gas mixing according to claim 1, wherein the first and second connecting pipes are connected to each other through a connector.
前記第1のチューブを取り囲み、かつ前記第1の噴射孔から噴射されたガスを下方に噴射する第2の噴射孔が形成された第2のチューブとを有することを特徴とする請求項18に記載のガス混合防止用大面積蒸着装置。 A first tube in which the injection nozzle is connected to the supply line and has a first injection hole for injecting the gas supplied from the supply line upward;
The first tube according to claim 18, further comprising a second tube surrounding the first tube and having a second injection hole formed to inject the gas injected from the first injection hole downward. The large area vapor deposition apparatus for gas mixing prevention of description.
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