JP2013522871A - 透明ledウエハモジュール及びその製造方法 - Google Patents
透明ledウエハモジュール及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013522871A JP2013522871A JP2012556961A JP2012556961A JP2013522871A JP 2013522871 A JP2013522871 A JP 2013522871A JP 2012556961 A JP2012556961 A JP 2012556961A JP 2012556961 A JP2012556961 A JP 2012556961A JP 2013522871 A JP2013522871 A JP 2013522871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- transparent
- allngap
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 22
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 42
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 18
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 101100240461 Dictyostelium discoideum ngap gene Proteins 0.000 description 22
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 17
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 14
- 101100240462 Homo sapiens RASAL2 gene Proteins 0.000 description 10
- 102100035410 Ras GTPase-activating protein nGAP Human genes 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 2
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000034655 secondary growth Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 239000011717 all-trans-retinol Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【選択図】図3
Description
Emitting Diode)エピタキシャルを一定間隔成長させ、多数の積層構造を作って、それぞれのエピタキシャルに印加される電流量が非常に小さくても多数のエピタキシャルが積層された構造を有しているので、低い電圧を印加しても光量を高めることができる透明LEDウエハモジュール及びその製造方法に関するものである。
epitaxy)、MBE(molecular beam epitaxy)により成長するステップで実施することができる。
200 下部透明電極
300 エピタキシャル膜
310 n−電極
320 AlGalnNバッファ
330 n−AlGalnN膜
340 AlGalnN活性層
350 p−AlGalnNクラッド膜
360 p−コンタクト層
370 p−電極
400 上部透明電極
500 上部透明基板
600 透明不導体
100a GaAs基板
100b p−AllnGaPクラッディ層
100c 活性層
100d n−AllnGAPクラッディ層
100e n−GAP層
100f 金属電気接触部
100g 金属電気接触部
200a n−AllnGaP層
200b AllnGaP活性層
200c p−AllnGaP層
200d p−Gap層
【発明の名称】透明LEDウエハモジュール及びその製造方法
【技術分野】
【0001】
本発明は透明LEDウエハモジュール及びその製造方法に関するものであって、より詳しくは、透明素材基板に多数のLED(Light
Emitting Diode)エピタキシャルを一定間隔成長させ、多数の積層構造を作って、それぞれのエピタキシャルに印加される電流量が非常に小さくても多数のエピタキシャルが積層された構造を有しているので、低い電圧を印加しても光量を高めることができる透明LEDウエハモジュール及びその製造方法に関するものである。
【0002】
即ち、本願発明は透明ウエハに多数のエピタキシャルを設置し、積層構造を通じて高い光量を確保することができるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法に関するものであって、特に高い電圧をそれぞれのLED素子に与えず、光集光層(light
condenser layer)を提供することによって、従来のLED素子の作動電圧を増加させる方法でない、透明ウエハに設置された多数のエピタキシャルの積層構造を通じてLEDモジュールの光量を確保することができるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0003】
一般に、LEDを作ることに使われて、LEDの色相を決定する化合物には、ガリウムアーセナイド(GaAs)、ガリウムアーセナイドホスフィド(GaAsP)、ガリウムホスフィド(GaP)、ガリウムナイトライド(GaN)などがある。
【0004】
波長の短いインジウムガリウムナイトライド(InGaN)は、ブルーとグリーンLEDの製造に使われて、ホワイトLED製造に使われる技術としてインゲンという用語は、幾つの元素の初めの字を取ったものであるが、インジウム(indium)、ガリウム(gallium)、そしてナイトロジェン(nitrogen)の材料を使用する。
【0005】
そして、波長の長いアルミニウムガリウムアーセナイド(AlInGaP)は、赤い、オレンジ、黄色スペクトルに適用されるが、アリンギャップと称するこの技術は、アルミニウム(aluminum)、インジウム(indium)、ガリウム(gallium)、ホスフィド(phosphide)を使用する。
【0006】
一般に、AlInGaP(aluminum
indium gallium phosphide)は、要求されるバンドギャップ(bandgap)及びガリウムアーセナイド(GaAs)成長基板との格子マッチングのような多様な公知の要因によってAlとInとの割合(percentages)を変化させる。
【0007】
ガリウムアーセナイド(GaAs)は、可視光を吸収し、よく成長工程の終結時にガリウムアーセナイド(GaAs)基板を除去し、透明なガリウムホスフィド(0%のAl及びIn)基板に取り替える。
【0008】
GaP−基盤の材料は比較的高い屈折率(約3.5)を有する。
【0009】
そのような状況で、スネルの法則(Snell's Law)によれば、光線が略法線の17度(臨界角)内でLEDの壁面に衝突しなければ、光線はLED内で内部に反射される。
【0010】
LEDチップが実質的に直線型であるので、反射された光は数回の反射後にも自身の入射角に繰り返して反射することによって、内部の光は弱くなるという問題点がある。
【0011】
また、一般的に多数のLEDチップをモジュール化して照明灯の他のさまざまな分野に使用するが、このような過程は多くの作業工程とLED特性を考慮して見る時、表面積当たり発熱の問題、即ち、多数のLEDチップを1個所に密集させる構造によって高い発熱が発生し、それによってLED寿命が短縮されることがあるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【特許文献1】大韓民国特許10−2008−0074899号公報
【特許文献2】米国特許2008−0191220号公報
【特許文献3】大韓民国特許10−2009−0013218号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
したがって、本発明は前述した問題点を解決するために、エピタキシャル過程で透明素材ウエハに成長させ、かつ両面全体を透明素材に成長させた後、積層構造を作って光量を確保し、エピタキシャルステップでLEDモジュールを完成し、工程過程を減らすことは勿論であり、実際的に高い光量を確保することができるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法を提供するものである。
【0014】
本発明はLEDチップ素子で多数のエピタキシ(epitaxy)を透明ガラス基板に成長させ、かつエピタキシから出る熱がガラス基板で放熱できるように最小のエピタキシのみを成長させ、2次に、またガラス基板に最小のエピタキシを成長させて放熱問題がガラス基板で解決されるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法を提供するものである。
【0015】
そして、本発明はガラス基板の積層時、透明基板(エピタキシは両側n極p極全て透明ガラス基時の内にある)の間に空間を作って1次成長されたガラス基板にある最小限のエピタキシの発熱が2次成長されたガラス基板に熱伝導されないようにし、多数枚の透明基板に搭載されたエピタキシの発熱がそれぞれのガラス基板のみに影響を与えるようにして、ウエハとウエハの垂直積層構造を通じて360度の高い光量を確保することができるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0016】
前述した目的を達成するために、透光性を有する下部透明基板、下部透明基板にコーティングされて電源の印加を受けた下部透明電極、下部透明電極に所定間隔だけ離隔するように積層される複数のエピタキシャル層、エピタキシャル層が形成されることによって形成されるn−電極とp−電極との間に極性を遮断するためにエピタキシャル層の離隔した空間の間に介される透明不導体、p−電極と接触する上部透明電極、及び上部透明電極に積層される上部透明基板を含むことを特徴とする透明LEDウエハモジュールを提供し、
【0017】
底面の下部透明基板に下部透明電極をコーティングさせるステップ、透明電極のためにエピタキシャル層を形成させるステップ、エピタキシャル層が形成されることによって形成されるn−電極とp−電極との間に極性を遮断するための透明不導体を詰めるステップ、及びp−電極の上に上部透明電極を積層させ、その上に上部透明基板を積層させるステップを含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール製造方法を提供する。
【発明の効果】
【0018】
前述した本発明は、半導体LED素子エピタキシャル過程で透明素材ウエハに成長させ、かつ両面全体を透明素材に成長させた後、また透明ガラス基板を積層させることによって、高い光量を確保することができる効果がある。
【0019】
本発明は、多数のエピタキシャル成長過程を通じてそれぞれのエピウエハに低い電流を印加し、多数のチップ素子が発光し、また積層構造を成して光量を高める効果がある。
【0020】
本願発明は、透明ガラス素材を使用することによって、透光効果を向上させることができるだけでなく、厚い石英ガラス基板の両面にn、p電極が当たるようにすることによって、放熱効果を同期に有するようにすることができる効果がある。
【0021】
即ち、本願発明のガラスからなる基板は放熱個数が金属より高くないが、1つのウエハに印加される電流量が非常に低いため、非常に低い熱が発生して熱伝導を透明電極がコーティングされたガラス基板を通じて放熱することができるので、半導体LED素子を高電流動作に容易に適用できる効果がある。
【0022】
本願発明は、ガラス基板の間をあけて置く構造で透明ガラス基板を積層させながら付着することによって、高輝度ledモジュールを生産できる効果があり、エピタキシャル成長ステップでLEDモジュールを完成し、工程過程を減らすことは勿論であり、実際的に高い光量を確保することができる効果がある。
【0023】
本願発明は、透明基板の上に水平方向に多数のエピタキシャルを成長させ、併せて、垂直方向に多数のエピタキシャルが成長されるように積層させることによって、高い光を放射させることができる効果がある。
【0024】
そして、本発明はパッケージのボリュームを最小化することができ、エポキシモールディング樹脂でチップをモールディングすることを排除する構造を有することによって、UVを使用する半導体LED素子を容易に具現することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本発明に係る透明LEDモジュールの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図2】透明LEDモジュールが形成される過程を説明するための図である。
【図3】本発明に係るエピタキシャル層を形成させるステップの具体的なフローチャートである。
【図4】本発明に係る透明LEDモジュールの構造を示す図である。
【図5】本発明に係る透明LEDウエハモジュールのエピタキシャル層が水平方向に複数個が形成されたものを示す図である。
【図6】複数のエピタキシャル層が形成された透明LEDウエハモジュールが垂直方向に積層されるものを示す図である。
【図7】本発明に係る複数のエピタキシャル層が横及び縦方向に行と列を成しながら配列された図である。
【図8】本発明に係る透明LEDモジュールの他の実施形態を示す図である。
【図9】本発明に係る透明LEDモジュールの他の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は、通常的または辞典的な意味に限定解釈されず、発明者は自分の発明を最も最善の方法により説明するために、用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づいて本発明の技術的事象に符合する意味と概念として解釈されなければならない。
【0027】
以下、添付した図面を参照して本発明に従う透明LEDモジュールについて詳細に説明する。
【0028】
本発明に係る透明LEDモジュールは、図4に示すように、下部透明基板100、下部透明電極200、n−電極310、p−電極370、エピタキシャル層300、透明不導体600、上部透明電極400、及び上部透明基板500を含む。
【0029】
下部透明基板100は、透光性に優れる石英ガラスからなっており、光の発光時に発生する熱を放熱させる。
【0030】
下部透明電極200はやはり透光性に優れる構成要素であって、下部透明基板100にコーティングされるが、この際、下部透明電極200は抵抗値が大きな方であるので、該当抵抗値を減らすために厚くコーティングされる。
【0031】
n−電極310は、下部透明電極200にメタルが蒸着された後、エッチングされて形成されるが、n−電極310の下端は下部透明電極200に所定深さ位収容されて形成され、上端はエピタキシャル層300のn−AlGaInN層330と接触するように露出して形成される。
【0032】
エピタキシャル層300は複数の層からなってn−電極310の上に蒸着された後、エッチングされて形成され、電源印加時に光を発光させる。
【0033】
p−電極370はエピタキシャル層300を構成する複数の層のうち、最上端に形成されるp−コンタクト層360の上にメタルが蒸着され、エッチングされることによって形成される。
【0034】
透明不導体600は、n−電極310とp−電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間に詰められて、電源印加時に発生するポジティブとネガティブ極性を遮断する。
【0035】
上部透明電極400は、印加される電源がエピタキシャル層300に伝達できるようにp−電極370と接触するように積層され、上部透明基板500は前述した下部透明基板200と同様に透光性に優れる石英ガラスからなっており、光の発光時に発生する熱を放熱させる。
【0036】
一方、エピタキシャル層300は、AlGaInNバッファ320、n−AlGaInN層330、AlGaInN活性層340、p−AlGaInNクラッド層350、及びp−コンタクト層360を含む。
【0037】
AlGaInNバッファ320は、n−電極310の上端と同一な高さにn−電極310の一側に、そして下部透明電極200に蒸着された後、エッチングされて積層される。
【0038】
n−AlGaInN層330は、n−電極310とAlGaInNバッファ320の上に積層される。
【0039】
AlGaInN活性層340は、n−AlGaInN層330に積層されて形成され、電源の印加を受けて光を発光させる。
【0040】
p−AlGaInNクラッド層350は、AlGaInN活性層340に積層されて形成され、p−コンタクト層<p-ohmic
contact layer>360はAlGaInN活性層340に積層されて形成される。
【0041】
更に他の実施形態として、n−電極310はn−AlInGaP層200aに、エピタキシャル層300のn−AlGaInN層330もn−AlInGaP層200aに、AlGaInN活性層340はAlInGaP活性層200bに、p−AlGaInNクラッド層350とp−コンタクト層360はp−AlInGaP層200cに、そしてp−電極370はp−GaP層200dに実施することができる。
【0042】
前述したような実施は、結果的にp−GaP層200dの実施のためのものであって、p−GaP層200dへの実施は電流の拡散に優秀性を適用するためである。
【0043】
そして、更に他の実施形態として、図9に示すように、GaAs基板100aの上に1つ以上のp−AlInGaPクラッド層100bが成長し、p−AlInGaPクラッド層100bの上に活性層100c、n−AlInGaPクラッド層100d、及び最上端にGaP層100eが成長する。
【0044】
この際、活性層100cから放出される光はp−AlInGaPクラッド層100bとn−GaP層100eを通じて直ちに放出されるか、LEDダイの内部表面のうちの1つ以上に反射された後に放出される。
【0045】
上記において、p−AlInGaPクラッド層100bは光が最上端を通じて抜け出るようにするために形成される。
【0046】
p−AlInGaPクラッド層100bと接触しているGaAs基板100aが除去され、p−AlInGaPクラッド層100bに金属電気接触部100fを形成させる。
【0047】
以後、下部透明電極200がコーティングされた下部透明ガラス基板100の上にp−AlInGaPクラッド層100b、p−AlInGaPクラッド層100b、活性層100c、n−AlInGaPクラッド層100d、及び最上端にn−GaP層100eが積層されてなされたLEDダイが実装される。
【0048】
そして、最上端のn−GaP層100eに金属電気接触部100gが形成され、次に透明不導体600がウィンドウを形成して詰められて、最後に上部透明電極400が実装され、次に上部透明基板500が実装される。
【0049】
以下、添付した図面を参照して本発明に係る透明LEDモジュール製造方法について詳細に説明する。
【0050】
図1は本発明に係る透明LEDモジュールの製造方法を説明するためのフローチャートであり、図2は透明LEDモジュールが形成される過程を説明するための図である。
【0051】
一定の面積を成して、石英ガラスからなって、光の透過が容易な透光性の透明基板100に下部透明電極200をコーティングさせるステップを遂行する(S810)。
【0052】
ステップS810でコーティングされた下部透明電極200の上にメタルを蒸着させ、エッチングしてn−電極310を形成させるステップを遂行する(S820)。
【0053】
ステップS820で、n−電極310の下部は下部透明電極200に所定深さ位収容されるように蒸着されてエッチングされ、n−電極310の上部は後述するエピタキシャル層300のn−AlGaInN層330と接触できるように露出して形成される。
【0054】
ステップS820の以後に、複数の層からなるエピタキシャル層300を蒸着とエッチング工程を通じて形成させるステップを遂行する(S830)。
【0055】
ステップS830で形成されたエピタキシャル層300のp−コンタクト層360にn−電極310を形成する‘S820’のような工程によりメタルを蒸着させ、エッチングしてp−電極370を形成させるステップを遂行する(S840)。
【0056】
電源印加時、ステップS820とステップS840で各々形成されたn−電極310とp−電極370との間のポジティブとネガティブ極性を遮断するためにn−電極310とp−電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間に透明不導体600を詰めるステップを遂行する(S850)。
【0057】
前述したステップS840で蒸着後、エッチングされることによって形成されたp−電極の上に上部透明電極400を積層させ、その上に上部透明基板500を成長させるステップを遂行する(S860)。
【0058】
光の透過性及び放熱などを考慮して、下部透明基板100と上部透明基板500とに下部透明電極200と上部透明電極400とを各々コーティングし、かつ下部透明基板100と上部透明基板500との上にコーティングされる下部透明電極200と上部透明電極400とは抵抗値が大きな方であるので、抵抗値を減らすために厚さを厚くコーティングする。
【0059】
一方、エピタキシャル層を形成させる前述したステップS820について図3を参照してより詳細に説明する。
【0060】
図3は、本発明に係るエピタキシャル層を形成させるステップの具体的なフローチャートである。
【0061】
即ち、前述したステップS830はステップS820で下部透明基板100にコーティングされた下部透明電極200に蒸着され、エッチングされて形成されたn−電極310の露出した上部と同一な高さに、一側にMOCVD(metal organic
chemical vapor deposition)を用いて5nm乃至500nmのAlGaInNバッファ320を成長後、エッチングさせるステップが遂行される(S821)。
【0062】
ステップS821の以後、n−電極310とAlGaInNバッファ320の上にMOCVD(metal organic
chemical vapor deposition)を用いて1um乃至10umのn−AlGaInN層330が蒸着とエッチング工程を経て積層され(S822)、その上に多数個の量子ウェル(Qumntum Well)から構成されて、前述したステップS820とステップS840で各々形成されたn−電極310とp−電極370を通じて印加される電源を通じて光を発光するAlGaInN活性層340が積層されるステップが遂行される(S823)。
【0063】
ステップS824でのAlGaInN活性層340の上にMOCVD(metal organic
chemical vapor deposition)を用いて5nm乃至500nmのp−AlGaInNクラッド層350を積層させ(S824)、その上にMOCVD(metal organic
chemical vapor deposition)を用いて5nm乃至500nmのp−コンタクト層<p-ohmic
contact layer>360を積層させるステップが遂行される(S825)。
【0064】
参考に、ここで前述した工程が進行される上・下部ガラス基板100、500は、一定の面積を有する個別モジュールに分割されている基板に多数のエピタキシャルを蒸着させる。
【0065】
この際、n−電極310とp−電極370は各々ラッピング(Lapping)とポリシング(Polishign)からなる下部透明電極200と上部透明電極400の面と接触するように積層される。
【0066】
前述したように製造された透明LEDウエハモジュールは、上・下部透明電極400、200に電流が供給されれば、活性層340で発光する光を上・下部透明ガラス基板500、100を通じて直接両面に放出されるようにする。
【0067】
参考に、前述した上・下部透明基板100、500は全体工程が完了した後、ソーイング(Sawing)工程を経ることによって一定の面積を有する。
【0068】
一方、本発明に係る透明LEDウエハモジュールのエピタキシャル層が水平方向に複数個が形成されたものを示す図5と、複数のエピタキシャル層が形成された透明LEDウエハモジュールが垂直方向に積層されるものを示す図6に示すように、前述した複数のエピタキシャル層300は透明電極200がコーティングされたガラス基板100に水平に成長することができ、垂直方向に積層構造を有する複数の成長がなされて、電流が供給されれば積層構造で成長されたエピタキシャル活性層340で発光する光がガラス基板100、500を通じて放出される。
【0069】
前述したようにエピタキシャル層300が水平及び垂直方向に形成されて、図7に示すように、複数のエピタキシャル層300が横及び縦方向に行と列を成しながら配列されることによって、エピタキシャル層300に含まれて供給される電流の印加を受けて光を発光する活性層340から高い光量を確保することができ、この際、複数のエピタキシャル層300から出る発熱量は上・下部のガラス基板100で吸収されて放熱される。
【0070】
更に他の実施形態として、図8に示すように、n−電極310とn−AlGaInN層形成ステップは、1.5ミクロン厚さのn−AlInGaP層200aを成長するステップ、活性層形成ステップは0.5ミクロン厚さのAlInGaP活性層200bを成長するステップ、p−電極形成ステップ及びクラッド層形成ステップは1.0ミクロン厚さのp−AlInGaP層200cをAlInGaP活性層200bの上に成長させるステップ、そしてp−電極形成ステップは30ミクロン厚さのp−GaP層200dをVPE(vapor phase
epitaxy)により、またはLPE(liquid phase
epitaxy)、MBE(molecular beam
epitaxy)により成長するステップで実施することができる。
【0071】
特に、p−GaP層を相対的に厚い厚さで成長させることは電流の拡散を向上させるためである。
【0072】
前述した全ての層の成長はMOCVD(metal organic
chemical vapor deposition)を用いてなされる。
【0073】
監禁層(confiniglayer)またはクラッド層と呼ばれる各層は応力(stress)を低減させ、バンドギャップを変更して電流の拡散を目的とする。
【0074】
更に他の実施形態として、図9に示すように、GaAs基板100aの上に1つ以上のp−AlInGaPクラッド層100bが成長し、p−AlInGaPクラッド層100bの上に活性層100c、n−AlInGaPクラッド層100d、及び最上端にn−GaP層100eが成長する。
【0075】
この際、活性層100cから放出される光はp−AlInGaPクラッド層100bとn−GaP層100eを通じて直ちに放出されるか、LEDダイの内部表面のうちの1つ以上に反射された後に放出される。
【0076】
上記において、p−AlInGaPクラッド層100bは光が最上端を通じて抜け出るようにするために形成される。
【0077】
p−AlInGaPクラッド層100bと接触しているGaAs基板100aが除去され、p−AlInGaPクラッド層100bに金属電気接触部100fを形成させる。
【0078】
以後、下部透明電極200がコーティングされた下部透明ガラス基板100の上に、p−AlInGaPクラッド層100b、p−AlInGaPクラッド層100b、活性層100c、n−AlInGaPクラッド層100d、及び最上端にn−GaP層100eが積層されてなされたLEDダイが実装される。
【0079】
そして、最上端のn−GaP層100eに金属電気接触部100gが形成され、次に、透明不導体600がウィンドウを形成して詰められて、最後に上部透明電極400が実装され、次に、上部透明基板500が実装される。
【0080】
n−GaP層100eの上、金属電気接触部100gは光を放出するようにしながら活性層100cのために適した電流拡散を提供することができる他の形態であることがあり、上・下部透明電極200、400はLEDダイに対する電力供給源に連結されて電源の印加を受けてLEDチップに流すが、この際、電流量は上・下部透明電極200、400とチップが当たる比表面積にどれ位の電流を流すことができるかによる。
【0081】
例えば、電流量が1mAの場合、最小限のチップサイズが出て、比表面積(チップが若干含浸される)が分かることは勿論である。ここに該当する電流を計算して電流の不足現象が表れる場合、1mAより小さくしなければならず、電流が充分であれば1mAより大きくしなければならない。
【0082】
そして、チップ間隔は最終商品の光源の明るさとサイズを設定した後、その明るさをチップ個数で割って算定される。
【0083】
即ち、ビームプロジェクトが強烈な光源を必要として5重でバックライトを構成する場合、チップ個数はバックライト口径面積に5を掛けた後、チップ間隔で割れればチップ個数を決定することができる。
【0084】
以上、本発明は実施形態として記載された具体的な例に対してのみ詳細に説明されたが、当業者が本発明の技術事象の範囲内で多様な変形と修正が可能であることは明白であり、このような変形と修正やはり添付した特許請求範囲に属することは当然である。
【産業上の利用可能性】
【符号の説明】
【0085】
100 下部透明基板
200 下部透明電極
300 エピタキシャル層
310 n−電極
320 AlGaInNバッファ
330 n−AlGaInN層
340 AlGaInN活性層
350 p−AlGaInNクラッド層
360 p−コンタクト層
370 p−電極
400 上部透明電極
500 上部透明基板
600 透明不導体
100a GaAs基板
100b p−AlInGaPクラッド層
100c 活性層
100d n−AlInGaPクラッド層
100e n−GaP層
100f 金属電気接触部
100g 金属電気接触部
200a n−AlInGaP層
200b AlInGaP活性層
200c p−AlInGaP層
200d p−GaP層
Claims (10)
- 透光性を有する下部透明基板100と、
前記下部透明基板100にコーティングされて電源の印加を受ける下部透明電極200と、
メタルが蒸着され、エッチングされた後、下端が前記下部透明電極200に所定の深さ位収容されて形成されたn−電極310と、
複数の層で構成され、前記n−電極310の上に蒸着された後エッチングされて、電源印加時に光を発光させるエピタキシャル膜300と、
前記エピタキシャル膜300を構成する複数の層のうち、最上端に形成されるp−コンタクト層360の上にメタルが蒸着されてエッチングされることによって形成されたp−電極370と、
前記n−電極310と前記p−電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間に詰められて、電源印加時に発生するポジティブとネガティブ極性を遮断する透明不導体600と、
前記透明不導体600と前記p−電極370の上に積層される上部透明電極400と、
透光性を有し、前記上部透明電極400の上に積層される上部透明基板500と、
を含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール。 - 前記エピタキシャル膜300は、
前記下部透明電極200に蒸着された後、エッチングされて形成され、かつ前記n−電極310の上端と同一な高さに前記n−電極310の一側に成長するAlGalnN<アルミニウム−ガリウム−インジウム燐化物>バッファ320と、
前記n−電極310と前記AlGalnNバッファ320の上に積層されるn−AlGalnN膜330と、
前記n−AlGalnN膜330の上に積層され、多数個の量子ウェル(Qumntum Well)で構成が電源が可視光を発光するAlGalnN活性層340と、
前記AlGalnN活性層340の上に積層されるp−AIGalnNクラッド膜350と、
前記p−AIGalnNクラッド膜350に積層されるp−コンタクト層<p-ohmic contact layer>360と、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDウエハモジュール。 - 前記n−電極310と前記p−電極370を各々n−AllnGaP<アルミニウム−ガリウム−アーセナイド>層200aとp−Gap<ガリウムホスフィド>層200dに成長させ、かつ、
前記エピタキシャル膜300は、
前記n−AllnGaP<アルミニウム−ガリウム−アーセナイド>層200aに成長された前記n−電極310の上に積層されるn−AlGalnN膜330をn−AllnGaP<アルミニウム−ガリウム−アーセナイド>層200aに成長させ、
前記AlGalnN膜330の上のAlGalnN活性層340をAllnGaP活性層200cに成長させ、
前記AlGalnN活性層340の上に順次に積層されるp−AlGalnNクラッド膜350とp−コンタクト層360をp−AllnGaP層200cに成長させることを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDウエハモジュール。 - 前記n−電極310と前記p−電極370を各々金属電気接触部100f、100gに成長させ、かつ、
前記エピタキシャル膜300は、
前記金属電気接触部100fの上に成長された1つ以上のp−AllnGaPクラッディング層100bと、
前記p−AllnGaPクラッディング層100bの上に成長されたAllnGaP活性層100cと、
前記AllnGaP活性層100cの上に成長されたn−AllnGaPクラッディング層100dと、
前記n−AllnGaPクラッディング層100dの上に成長されたn−Gap層100eと、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。 - 前記上・下部透明電極400、200を通じて電源が印加されて前記AlGalnN活性層340から発生される熱が前記上・下部透明基板500、100を通じて放熱されることを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDモジュール製造方法。
- (a)透光性の下部透明基板100に下部透明電極200をコーティングさせるステップと、
(b)前記(a)ステップでコーティングされた下部透明電極200の上にメタルを蒸着させ、エッチングしてn−電極310を形成させるステップと、
(c)複数の層からなって前記n−電極310の上に蒸着された後、エッチングされて形成され、電源印加時に光を発光させるエピタキシャル膜300と、
(d)前記エピタキシャル膜300の最上端に形成されるp−コンタクト層360の上にメタルを蒸着させ、エッチングしてp−電極370を形成させるステップと、
(e)電源印加時、前記(b)ステップと前記(d)ステップで形成されたn−電極310とp−電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間にポジティブとネガティブ極性を遮断するために透明不導体600を詰めるステップと、
(f)前記p−電極370と前記透明不導体の上に上部透明電極400を積層させ、その上に上部透明基板500を積層させるステップと、
を含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール製造方法。 - 前記(c)ステップは、
(c−1)前記(b)ステップで形成された前記n−電極310の露出した上端の高さと同一な高さに一側にAlGalnNバッファ320を蒸着及びエッチングして成長させるステップと、
(c−2)ステップS821の以後、n−電極310とAlGalnNバッファ320の上にn−AlGalnN膜330が蒸着とエッチング工程を通じて積層され(S822)、その上に複数の量子ウェル(Qumntum Well)で構成されて、前記(a)ステップと(f)ステップで各々形成された下部透明電極200と上部透明電極400を通じて電源の印加を受けて光を発光するAlGalnN活性層340が積層されるステップと、
(c−3)前記AlGalnN活性層340の上にp−AIGalnNクラッド膜350を積層させ(S824)、p−コンタクト層<p-ohmic contact layer>360を積層させるステップと、
を含むことを特徴とする、請求項6に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。 - 前記(b)ステップと前記(d)ステップにおいて、
前記n−電極310と前記p−電極370を各々n−AllnGaP<アルミニウム−ガリウム−アーセナイド>層200aとp−Gap<ガリウムホスフィド>層200dに成長させ、かつ、
前記(c)ステップは、
(c−4)前記n−AllnGaP<アルミニウム−ガリウム−アーセナイド>層200aに成長された前記n−電極310の上に積層されるn−AlGalnN膜330をn−AllnGaP<アルミニウム−ガリウム−アーセナイド>層200aに成長させるステップと、
(c−5)前記AlGalnN膜330の上のAlGalnN活性層340をAllnGaP活性層200cに成長させるステップと、
(c−6)前記AlGalnN活性層340の上に順次に積層されるp−AlGalnNクラッド膜350とp−コンタクト層360をp−AllnGaP層200cに成長させるステップと、
を含むことを特徴とする、請求項6に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。 - 前記上・下部透明電極400、200を通じて電源が印加されて前記AlGalnN活性層340から発生する熱は前記上・下部透明基板500、100を通じて放熱されることを特徴とする、請求項6に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。
- (a’)GaAs<ガリウムアーセナイド>基板100aの上に1つ以上のp−AllnGaPクラッディング層100bを成長させるステップと、
(b’)前記p−AllnGaPクラッディング層100bの上にAllnGaP活性層100cを成長させるステップと、
(c’)前記活性層100cの上にn−AllnGAPクラッディング層100dを成長させるステップと、
(d’)前記n−AllnGAPクラッディング層100dの上にn−GAP層100eを成長させるステップと、
(e’)前記GaAs基板100aを除去し、p−AllnGaPクラッディング層100bに金属電気接触部100fを成長させて下部透明基板100にコーティングされた下部透明電極200に積層させるステップと、
(f’)前記n−GAP層100eの上に金属電気接触部100gを成長させ、前記金属電気接触部100gに上部透明電極400と上部透明基板500を順次に積層させるステップと、
を含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0020997 | 2010-03-09 | ||
KR1020100020997A KR101159782B1 (ko) | 2010-02-05 | 2010-03-09 | 투명 엘이디 웨이퍼 모듈 및 그 제조방법 |
PCT/KR2011/001354 WO2011111937A2 (ko) | 2010-03-09 | 2011-02-25 | 투명 엘이디 웨이퍼 모듈 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013522871A true JP2013522871A (ja) | 2013-06-13 |
Family
ID=44563958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012556961A Pending JP2013522871A (ja) | 2010-03-09 | 2011-02-25 | 透明ledウエハモジュール及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013522871A (ja) |
CN (1) | CN102792469A (ja) |
WO (1) | WO2011111937A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022516285A (ja) * | 2018-12-31 | 2022-02-25 | ナノエックス | 両面発光ledチップ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105513502B (zh) * | 2014-09-22 | 2018-12-21 | 无锡极目科技有限公司 | 一种单色磊晶led显示模组的复合玻璃基板的制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026438A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JP2007103934A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造発光ダイオードの製造方法 |
JP2009512977A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-26 | サン−ゴバン グラス フランス | 少なくとも1つのエレクトロルミネセントダイオードを有する発光構造、その製造及びその応用 |
JP2009231560A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI230473B (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-01 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
US7259030B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-08-21 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
KR100624448B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-09-18 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102006033502A1 (de) * | 2006-05-03 | 2007-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit Trägersubstrat und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
-
2011
- 2011-02-25 CN CN2011800129163A patent/CN102792469A/zh active Pending
- 2011-02-25 JP JP2012556961A patent/JP2013522871A/ja active Pending
- 2011-02-25 WO PCT/KR2011/001354 patent/WO2011111937A2/ko active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026438A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JP2007103934A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造発光ダイオードの製造方法 |
JP2009512977A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-26 | サン−ゴバン グラス フランス | 少なくとも1つのエレクトロルミネセントダイオードを有する発光構造、その製造及びその応用 |
JP2009231560A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022516285A (ja) * | 2018-12-31 | 2022-02-25 | ナノエックス | 両面発光ledチップ |
JP7466933B2 (ja) | 2018-12-31 | 2024-04-15 | ナノエックス | 両面発光ledチップ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102792469A (zh) | 2012-11-21 |
WO2011111937A2 (ko) | 2011-09-15 |
WO2011111937A3 (ko) | 2012-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10991861B2 (en) | Low optical loss flip chip solid state lighting device | |
CN101017869B (zh) | 氮化物基半导体发光器件及其制造方法 | |
JP4687109B2 (ja) | 集積型発光ダイオードの製造方法 | |
CN102130285B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
JP6248431B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
CN107210341B (zh) | Led以及制造方法 | |
JP6574090B2 (ja) | 大きな角度で光を発する半導体発光素子ランプ | |
US8399906B2 (en) | AlGaInP-based light-emitting diode with double reflective layers and fabrication method thereof | |
KR100999800B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2019016821A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR101420214B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 | |
KR101159782B1 (ko) | 투명 엘이디 웨이퍼 모듈 및 그 제조방법 | |
CN102130252B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
US11557698B2 (en) | Conversion element and radiation-emitting semiconductor device comprising a conversion element of said type | |
JP2013522871A (ja) | 透明ledウエハモジュール及びその製造方法 | |
CN102130242A (zh) | 单色led芯片及其形成方法 | |
CN102064253A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
US20070096120A1 (en) | Lateral current GaN flip chip LED with shaped transparent substrate | |
JP6432654B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2006147679A (ja) | 集積型発光ダイオード、集積型発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードディスプレイおよび発光ダイオード照明装置 | |
TW201533933A (zh) | 具成型基板之半導體發光裝置 | |
KR101363432B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법 | |
KR102542229B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 | |
TW202339302A (zh) | 用於電流注入之led晶片的接觸結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140212 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140220 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140527 |