JP2013516764A5 - - Google Patents
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Description
本発明について、それらの様々な実施形態に関連して示し説明してきたが、当業者であれば、形状及び細部における様々な他の変更が、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、その分野においてなされ得ることが理解されよう。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について列挙する。
［実施形態１］
基板の第１の主表面上に所定のパターンを備えた転写層を有する基板を形成する方法であって、
前記第１の主表面上に前記転写層を有する前記基板を用意する工程と、
本体と複数の接触部分とを有する構造化成形型を用意する工程であって、前記接触部分は、約０．５ＧＰａ〜約３０ＧＰａのヤング率を有する、工程と、
前記構造化成形型か又は前記基板のいずれかを加熱する工程と、
前記転写層を前記構造化成形型と接触させる工程と、
前記転写層を冷却する工程と、
前記転写層の各部分が前記構造化成形型と共に分離するように、前記構造化成形型を前記転写層から引き離し、前記転写層を完全に貫いて前記基板まで延びる開口部を前記転写層内に残し、前記所定のパターンを備えた前記転写層を形成する、工程と、を含む、方法。
［実施形態２］
前記転写層は、約５０ナノメートル〜約５マイクロメートルの厚さを有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態３］
前記複数の接触部分は、代表高さを有し、該代表高さは、前記転写層の前記厚さの少なくとも２倍〜１０倍高いものである、実施形態１に記載の方法。
［実施形態４］
前記複数の接触部分は三角形の横断面を備え、少なくとも１２マイクロメートルの前記代表高さを有する、実施形態３に記載の方法。
［実施形態５］
前記構造化成形型は、微細複製される、実施形態１に記載の方法。
［実施形態６］
前記構造化成形型は、成形型ロールである、実施形態５に記載の方法。
［実施形態７］
前記接触させる工程は、前記成形型ロールと支持ロールとの間で実施される、実施形態６に記載の方法。
［実施形態８］
前記接触させる工程は、長さの不定な材料のストリップである前記基板が、ロールツーロールプロセスにおいてニップを通じて前進されている間に実施される、実施形態１に記載の方法。
［実施形態９］
前記転写層は蝋を含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１０］
前記開口部は、２０マイクロメートル未満の幅を有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１１］
前記所定のパターンは、前記第１の主表面全体にわたって延びる縞を含む、実施形態１０に記載の方法。
［実施形態１２］
導電層を前記基板上に堆積して、第２の所定のパターンを形成する工程を更に含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１３］
前記導電層は、インジウムスズ酸化物を含む、実施形態１２に記載の方法。
［実施形態１４］
前記導電層は、無電解めっきされた金属層を含む、実施形態１２に記載の方法。
［実施形態１５］
前記導電層は、スパッタ堆積されたパラジウム層の上の無電解めっきされた銅層を含む、実施形態１４に記載の方法。
［実施形態１６］
前記第１の主表面は金属層を含み、前記基板はエッチングされて、前記所定のパターン内の前記開口部から前記金属層を除去する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１７］
前記構造化成形型を前記転写層から引き離す工程の後に、前記構造化成形型を受容フィルムに対して接触させて、前記転写層のうちの前記構造化成形型と共に分離した各部分を、前記所定のパターンのネガ像として前記受容フィルム上へと熱転写する工程を更に含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１８］
前記受容フィルム上に導電層を堆積する工程を更に含む、実施形態１７に記載の方法。
［実施形態１９］
前記接触部分は、約３ＧＰａ〜約７ＧＰａのヤング率を有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態２０］
前記接触部分は、三角形の横断面を備える、実施形態１９に記載の方法。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について列挙する。
［実施形態１］
基板の第１の主表面上に所定のパターンを備えた転写層を有する基板を形成する方法であって、
前記第１の主表面上に前記転写層を有する前記基板を用意する工程と、
本体と複数の接触部分とを有する構造化成形型を用意する工程であって、前記接触部分は、約０．５ＧＰａ〜約３０ＧＰａのヤング率を有する、工程と、
前記構造化成形型か又は前記基板のいずれかを加熱する工程と、
前記転写層を前記構造化成形型と接触させる工程と、
前記転写層を冷却する工程と、
前記転写層の各部分が前記構造化成形型と共に分離するように、前記構造化成形型を前記転写層から引き離し、前記転写層を完全に貫いて前記基板まで延びる開口部を前記転写層内に残し、前記所定のパターンを備えた前記転写層を形成する、工程と、を含む、方法。
［実施形態２］
前記転写層は、約５０ナノメートル〜約５マイクロメートルの厚さを有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態３］
前記複数の接触部分は、代表高さを有し、該代表高さは、前記転写層の前記厚さの少なくとも２倍〜１０倍高いものである、実施形態１に記載の方法。
［実施形態４］
前記複数の接触部分は三角形の横断面を備え、少なくとも１２マイクロメートルの前記代表高さを有する、実施形態３に記載の方法。
［実施形態５］
前記構造化成形型は、微細複製される、実施形態１に記載の方法。
［実施形態６］
前記構造化成形型は、成形型ロールである、実施形態５に記載の方法。
［実施形態７］
前記接触させる工程は、前記成形型ロールと支持ロールとの間で実施される、実施形態６に記載の方法。
［実施形態８］
前記接触させる工程は、長さの不定な材料のストリップである前記基板が、ロールツーロールプロセスにおいてニップを通じて前進されている間に実施される、実施形態１に記載の方法。
［実施形態９］
前記転写層は蝋を含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１０］
前記開口部は、２０マイクロメートル未満の幅を有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１１］
前記所定のパターンは、前記第１の主表面全体にわたって延びる縞を含む、実施形態１０に記載の方法。
［実施形態１２］
導電層を前記基板上に堆積して、第２の所定のパターンを形成する工程を更に含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１３］
前記導電層は、インジウムスズ酸化物を含む、実施形態１２に記載の方法。
［実施形態１４］
前記導電層は、無電解めっきされた金属層を含む、実施形態１２に記載の方法。
［実施形態１５］
前記導電層は、スパッタ堆積されたパラジウム層の上の無電解めっきされた銅層を含む、実施形態１４に記載の方法。
［実施形態１６］
前記第１の主表面は金属層を含み、前記基板はエッチングされて、前記所定のパターン内の前記開口部から前記金属層を除去する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１７］
前記構造化成形型を前記転写層から引き離す工程の後に、前記構造化成形型を受容フィルムに対して接触させて、前記転写層のうちの前記構造化成形型と共に分離した各部分を、前記所定のパターンのネガ像として前記受容フィルム上へと熱転写する工程を更に含む、実施形態１に記載の方法。
［実施形態１８］
前記受容フィルム上に導電層を堆積する工程を更に含む、実施形態１７に記載の方法。
［実施形態１９］
前記接触部分は、約３ＧＰａ〜約７ＧＰａのヤング率を有する、実施形態１に記載の方法。
［実施形態２０］
前記接触部分は、三角形の横断面を備える、実施形態１９に記載の方法。
Claims (1)
- 基板の第１の主表面上に所定のパターンを備えた転写層を有する基板を形成する方法であって、
前記第１の主表面上に前記転写層を有する前記基板を用意する工程と、
本体と複数の接触部分とを有する構造化成形型を用意する工程であって、前記接触部分は、０．５ＧＰａ〜３０ＧＰａのヤング率を有する、工程と、
前記構造化成形型か又は前記基板のいずれかを加熱する工程と、
前記転写層を前記構造化成形型と接触させる工程と、
前記転写層を冷却する工程と、
前記転写層の各部分が前記構造化成形型と共に分離するように、前記構造化成形型を前記転写層から引き離し、前記転写層を完全に貫いて前記基板まで延びる開口部を前記転写層内に残し、前記所定のパターンを備えた前記転写層を形成する、工程と、を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
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