JP2013505574A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
本発明は、半導体発光素子に係り、半導体発光素子は、基板と;電圧の引加時に電子を提供するn型半導体層と;電圧の引加時に正孔を提供するp型半導体層と;前記n型半導体層に電圧を引加するための導電性のn型電極と;前記p型半導体層に電圧を引加するための導電性のp型電極と;前記n型電極と前記p型半導体層との間に設けられて、電子と正孔の結合が活性化されるように量子井戸構造を有する活性層と; 前記p型半導体層と前記p型電極との間に設けられて、前記p型電極と前記p型半導体層との間の電流の拡散および正孔の注入のためn型不純物およびp型不純物が共にドーピングされた電流拡散および正孔注入層と;を含む。従って、半導体発光素子の電極と半導体層との間の接触抵抗を減り、電流の流れを改善し、電流の拡散をさらに均一にするだけでなく、正孔の注入も共に改善させることによって、素子の効率を極大化することができる。
【選択図】図2
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体発光素子に係り、さらに詳しくは、電極と半導体層との間の電流の拡散および正孔の注入を向上させることができる半導体発光素子に関する。
LCDバックライト、照明、ディスプレイなど多様な分野に利用され、”LED”と広く知られた半導体発光素子は、p−n接合半導体に純方向バイアス電圧が引加される時、伝導帯と仮電子帯のエネルギーギャップに該当するだけの波長帯の光を放出する現象を利用して発光する。
このような半導体発光素子は、量子効率、光子追い出し効率、パッケージング、信頼性などの色々な設計指標においてその向上が要求される。このような指標のなかで、特に、電極と、半導体層間の電流の拡散と、正孔の注入は、設計において主要な指標となる。
図1は、従来技術による半導体発光素子の断面を図示する。従来技術による半導体発光素子1は、基板101上にバッファー層102が設けられ、その上部にn型半導体層103が積層され、その上部に活性層105およびp型半導体層106が積層される。また、半導体発光素子1は、n型半導体層103とp型半導体層106に電圧をそれぞれ引加するためのn型電極104とp型電極108をさらに備える。
半導体発光素子1は、p型電極108とp型半導体層106との間に透明電極107をさらに備える。透明電極107は、伝導性を有する透明または半透明の層として、p型不純物またはn型不純物の中でいずれか一つが添加されたZnO系化合物で具現されることができる。さらに詳しくは、電流の拡散を向上させるため、透明電極107にn型不純物をドーピングし、正孔の注入を向上させるため、透明電極107にp型不純物をドーピングする方法が利用された。このように、透明電極107にn型不純物またはp型不純物の中でいずれか一つをドーピングすることによって、電流の拡散を円滑にしたり、正孔の注入を向上させて、素子のオーミックコンタクト特性を向上させた。
ところで、従来技術による透明電極107には、p型不純物およびn型不純物の中でいずれか一つだけがドーピングされる。例えば、図1に示すように、p型半導体層106に接触された透明電極107には、正孔の注入のためのp型不純物がドーピングされる方法が利用された。
しかし、従来の技術のように、p型不純物またはn型不純物の中でいずれか一つだけが添加された透明電極107は、電流の拡散あるいは正孔の注入の中でいずれか一つに対して改善することはできるが、これら二つに対する改善を期待することはできなかった。例えば、GaN系半導体層にZnOを利用して、透明電極107を具現する場合、p型不純物だけをドーピングすれば、正孔の濃度を高めて正孔の注入をある程度まで向上させることができるが、電流の流れと拡散は、大きく改善するのが困難な問題があった。
従って、本発明の目的は、電極と半導体層との間の電流の流れを改善し、拡散をさらに均一にするだけでなく、正孔の注入も向上させることによって、効率を極大化することができる半導体発光素子を提供することである。
本発明の目的は、半導体発光素子において、基板と;電圧の引加時に電子を提供するn型半導体層と;電圧の引加時に正孔を提供するp型半導体層と;前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられて、電子と正孔の結合が活性化されるように量子井戸構造を有する活性層と;前記n型半導体層に電圧を引加するための導電性のn型電極と;前記p型半導体層に電圧を引加するための導電性のp型電極と;前記p型半導体層と前記p型電極との間に設けられて、前記p型電極と前記p型半導体層との間の電流の拡散および正孔の注入のためのn型不純物およびp型不純物が共にドーピングされた電流拡散および正孔注入層と;を含むことを特徴とする半導体発光素子によって達成される。
前記電流拡散および正孔注入層は、電子および正孔の結合による光の少なくとも一部を透過させることができる。
前記電流拡散および正孔注入層は、ZnO化合物を含むことができる。
前記n型半導体層および前記p型半導体層の中で少なくとも一つは、GaN系化合物を含むことができる。
前記電流拡散および正孔注入層は、分子ビーム蒸着法(MBE、Molecular Beam Epitaxy Method)により形成されることができる。前記基板と前記n型半導体層との間に設けられるバッファー層をさらに含むことができる。
本発明の目的は、半導体発光素子において、基板と;電圧の引加時に電子を提供するn型半導体層と;電圧の引加時に正孔を提供するp型半導体層と;前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられて、電子と正孔の結合が活性化されるように量子井戸構造を有する活性層と;前記n型半導体層に電圧を引加するための導電性のn型電極と;前記p型半導体層に電圧を引加するための導電性のp型電極と;前記n型電極と前記n型半導体層との間に設けられて、前記n型電極と前記n型半導体層との間の電流の拡散および正孔の注入のためのn型不純物およびp型不純物が共にドーピングされた電流拡散および正孔注入層と;を含むことを特徴とする半導体発光素子によっても達成される。
前記のように、本発明によると、電流の流れを改善し、電流の拡散をさらに均一にするだけでなく、正孔の注入も向上させることによって、素子の効率を極大化させることができる。
以下、本発明の一実施形態に対して、詳細に説明する。図2は、本発明の一実施形態による半導体発光素子を示す断面図である。図2に示すように、半導体発光素子2は、例えば、”LED”のような発光素子を含む。
本発明の一実施形態による半導体発光素子2は、図2に示すように、半導体発光素子2に純方向のバイアス電圧が引加される場合、光が発光されることができる。本発明の一実施形態による半導体発光素子2の発光方向は、制限されず、その構造や、用途により多様な方向に発光されることができる。
本実施形態による半導体発光素子2は、図2に示すように、基板201と、バッファー層202と、n型半導体層203と、活性層205と、p型半導体層206と、電流拡散および正孔注入層207と、n型電極204と、p型電極208と、を含むことができる。
本実施形態による基板201は、半導体層を成長させるためのこととして、サファイアのような素材で具現することができる。他の実施形態として、本発明の一実施形態による基板は、半導体層との格子常数の一致を考慮してSiC、GaN、ZnOなどで具現されることもできる。
本実施形態のバッファー層202は、基板201上に積層される。本実施形態のバッファー層202は、基板201と、n型半導体層203の格子常数および熱膨脹係数の不一致による結晶欠陥(crystal defect)を最小化させる。
本実施形態のn型半導体層203は、バッファー層202上に積層されて形成される。n型半導体層203は、純方向バイアス電圧が引加される時に電子を提供する。本実施形態のn型半導体層203は、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;有機金属化学蒸着法)方法で化合物半導体を成長させて形成することができる。本実施形態のn型半導体層203は、例えば、青色あるいは紫外線(UV)LEDの場合、n型不純物がドーピングされたGaN系化合物で具現されることができる。本実施形態のn型不純物は、Siであることができる。
本実施形態のn型半導体層203の上には、活性層205が積層されて形成されることができる。本実施形態の活性層205は、量子井戸(quantum well)構造を有し、n型半導体層203の電子とp型半導体層206の正孔の結合をさらに活性化させることができる。
本実施形態の活性層205の井戸(well)ではInGaN層を、壁層(barrier layer)では(Al)GaN層を成長させることができる。他の実施形態として、青色LEDの場合には、InGaN/GaN多重量子井戸構造を、UV LEDの場合には、GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN、InGaN/AlGaNなどの多重量子井戸構造を使用することもできる。本実施形態の活性層205において、InまたはAlの造成比率を変化させることによって、光の波長を調節したり、活性層205内の量子井戸の深さ、活性層の数、厚さなどを変化させることによって、LEDの内部量子効率を向上させることができる。また、他の実施形態として、活性層205を中心として、上下にキャリア拘束効果(Carrier Confinement)を増加させるために、n型またはp型AlGaN/GaN超格子層(superlattice)を挿入することもできる。
本実施形態のp型半導体層206は,活性層205の上部に積層されて形成される。p型半導体層206は,純方向バイアス電圧が引加される時に正孔を提供する。本実施形態のp型半導体層206もMOCVD方法で化合物半導体を成長させて、形成することができる。本実施形態のp型半導体層206は、例えば、青色あるいはUV LEDの場合、p型不純物がドーピングされたGaN系化合物で具現されることができる。本実施形態のp型不純物は、Mg、Znなどであることができる。
本実施形態のp型半導体層206の上部には、電流拡散および正孔注入層207が形成される。電流拡散および正孔注入層207は、p型電極208とp型半導体層206との間の電流の拡散を円滑にする導電性の物質で具現される。また、本実施形態の電流拡散および正孔注入層207は、電子と正孔の結合によって、活性層205で発生した光の少なくとも一部を透過させることができる透明または半透明の物質でありうる。例えば、本実施形態の電流拡散および正孔注入層207は、ZnOでありうる。
本実施形態の電流拡散および正孔注入層207には、n型およびp型の2種類の不純物が共にドーピングされる。本実施形態の電流拡散および正孔注入層207のn型不純物は電子を提供し、p型不純物は正孔を提供する。これによって、電流拡散および正孔注入層207は、p型電極208とp型半導体層206との間の電流の拡散をさらに円滑にする。本実施形態の電流拡散および正孔注入層207にドーピングされるn型不純物はGaのような3族元素、p型不純物はAsのような5族元素でありうる。
図3は、本発明の一実施形態による半導体発光素子2の電流拡散および正孔注入層207の工程過程を示すフローチャートである。本実施形態による電流拡散および正孔注入層207の工程過程は、いわゆる、分子ビーム蒸着法(MBE、Molecular Beam Epitaxy Method)により具現されることができる。本実施形態で、電流拡散および正孔注入層207は、ZnO層であり、ドーピングされるn型およびp型の不純物は、それぞれGaのような3族元素およびAsのような5族元素を利用することにする。
図3に示すように、先に、基板201を適正の熱処理温度まで上げてから、所定の成長温度まで下げて準備する(301)。過程301で、本実施形態の基板201の熱処理温度は、約500 ̄700℃ 程度でありうる。一方、過程301と同時に、電流拡散および正孔注入層207の各材料も温度を上げて、成長に備えて、適正温度を維持させる(302)。過程302で、各材料の温度は、工程過程ごとに少しずつ変ることができるし、成長程度によって変ることもできる。また、各材料が設けられるセル(あるいは、ルツボ)の温度は、セルに含まれた材料の量、セルの構造などにより変わることができる。
例えば、Znの場合に約300ないし600℃でありうるし、Gaの場合に約500ないし800℃ 程度、Asの場合に約200ないし300℃ 程度でありうる。ただし、本明細書に開始された温度は、一つの実施形態に過ぎず、該当温度は、使用装備などによって多様に変わることができる。
過程301および302のように準備された状態で、基板201の温度が決まれば、基板201を回転させる(303)。次に、回転する基板201および各材料が設けられたルツボ(あるいは、セル)のシャッターを開けて(304、305)、ルツボから各材料の蒸発による分子および原子が基板201に至るようにする。過程304および305のように、基板201を回転させながら、基板201と、各ルツボのシャッターを開ければ、ルツボから各材料の分子および原子が飛び出して基板201にくっつくことになり、これによって電流拡散および正孔注入層207の薄膜が形成される(306)。
過程304ないし306で、大部分のZnは、酸素Oと結合して酸化亜鉛ZnOの単結晶を作り、Gaも酸素と合って、電子を発生させる。酸素の場合、一般的に存在する酸素は、分子状態で存在するので、これを分解して原子状態に作るために、例えばRF Plasma source装置などを利用することができる。一方、正孔の生成は、ZnがAsと合って正孔を発生させ、これによって、一つの薄膜内に電子と正孔が共に存在することになる。
次に、電流拡散および正孔注入層207の成長がある程度まで進行された場合、各材料のルツボ シャッターを閉じることによって、電流拡散および正孔注入層207の成長を完了する(307)。
図4は、本発明の一実施形態による半導体発光素子に動作電圧を引加した場合の動作を説明するための図である。図示の便宜のため、基板201およびバッファー層202の図示は省略する。本実施形態の電流拡散および正孔注入層207には、n型およびp型の2種類の不純物によって、電子(−)と、正孔(+)が共に存在する。電流拡散および正孔注入層207の電子(−)は、p型電極208とp型半導体層206との間の接触抵抗を減少させて、電流の流れを改善し、電流をさらに均一に拡散させる。一方、電流拡散および正孔注入層207の正孔(+)は、p型半導体層206への正孔の流入を助けて、より均一でさらに多い電流が流れるようにする。これによって、本実施形態の半導体発光素子2の動作電圧を減少させ、発光効率を高めて、素子の効率を極大化させる。
本実施形態のn型電極204とp型電極208は、各々n型半導体層203とp型半導体層206に電圧が引加されるようにする。本実施形態のn型電極204は、n型半導体層203に接触して設けられ、p型電極208は、電流拡散および正孔注入層207に接触されるように設けられる。n型電極204は、電流拡散および正孔注入層207まで積層された後、活性層205、p型半導体層206および電流拡散および正孔注入層207の一部を蝕刻して形成することができる。n型電極204と、p型電極208は、Ti、AuまたはAlなどの金属素材で具現されることができる。
本実施形態のn型電極204は、p型電極208と同じ方向で水平的に設けられるが、これは一つの実施形態に過ぎず、他の実施形態として、n型電極204は、活性層205を中心としてp型電極208と対向するように垂直的に設けられることもできる。
以上、好ましい実施形態を通じて、本発明に対して詳しく説明したが、本発明はこれに限られず、特許請求範囲内で多様に実施されることができる。
例えば、前記実施形態では、電流拡散および正孔注入層207がp型半導体層206に対応して設けられることを説明したが、これは一つの例示に過ぎず、本発明の一実施形態による電流拡散および正孔注入層は、n型半導体層に対応して設けられることもできる。
また、前記と異なる実施形態として、半導体発光素子は、設計上の必要によって、バッファー層202を備えないこともできる。
Claims (7)
- 半導体発光素子において、
基板と;
電圧の引加時に電子を提供するn型半導体層と;
電圧の引加時に正孔を提供するp型半導体層と;
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられて、電子と正孔の結合が活性化されるように量子井戸構造を有する活性層と;
前記n型半導体層に電圧を引加するための導電性のn型電極と;
前記p型半導体層に電圧を引加するための導電性のp型電極と;
前記p型半導体層と前記p型電極との間に設けられて、前記p型電極と前記p型半導体層との間の電流の拡散および正孔の注入のためのn型不純物およびp型不純物が共にドーピングされた電流拡散および正孔注入層と;
を含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記電流拡散および正孔注入層は、電子および正孔の結合による光の少なくとも一部を透過させることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記電流拡散および正孔注入層は、ZnO化合物を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記n型半導体層および前記p型半導体層の中で少なくとも一つは、GaN系化合物を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項3の中でいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記電流拡散および正孔注入層は、分子ビーム蒸着法(MBE、Molecular Beam Epitaxy Method)により形成されることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記基板と前記n型半導体層との間に設けられるバッファー層をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
- 半導体発光素子において、
基板と;
電圧の引加時に電子を提供するn型半導体層と;
電圧の引加時に正孔を提供するp型半導体層と;
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられて、電子と正孔の結合が活性化されるように量子井戸構造を有する活性層と;
前記n型半導体層に電圧を引加するための導電性のn型電極と;
前記p型半導体層に電圧を引加するための導電性のp型電極と;
前記n型電極と前記n型半導体層との間に設けられて、前記n型電極と前記n型半導体層との間の電流の拡散および正孔の注入のためのn型不純物およびp型不純物が共にドーピングされた電流拡散および正孔注入層と;
を含むことを特徴とする半導体発光素子。
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