JP2013501374A - 誘電体コーティングを用いる高出力led装置アーキテクチャおよび製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記のアーキテクチャを用いる例示的な装置が、試験用に製造された。多層誘電体光学コーティング26を2インチ直径のサファイア基板24の裏面全体に直接均一に施した装置が、図4に示すように製造されたが、このサファイア基板24において、その上面に個別のLED多層半導体素子22がエピタキシャルに成長された(個別ダイサイズは約1.0mm平方未満だった)。光学コーティング26は、カプセル化デバイス30が施される前に施された。ハイブリッドスパッタリング光学コーティングプロセスを用いて、結果として得られる所望のスペクトル性能(選択された可視波長帯域440nm〜460nm内の最大光学反射および750nm〜1200nm領域における最大熱伝達)を最適化するために選択された物理的厚さを有する、交互になった高および低屈折率薄膜を堆積した。より具体的には、耐熱金属酸化物の酸化チタン合金が、高屈折率材料用に用いられ、二酸化ケイ素が、低屈折率材料として用いられた。代表的な多層光学コーティングは、以下のとおりである(この場合には、サファイア基板が用いられた)。
ここで記号LおよびHは、L(低屈折率)およびH(高屈折率)薄膜の物理的厚さを(nmで)示す。代表的な反射性能スペクトルを図8および図10に示す。
本明細書で説明するアーキテクチャを用いる例示的な装置が、試験用に製造された。この実施形態において、図4に示すように、多層誘電体光学コーティング26が、2インチ直径のサファイア基板24の裏面全体に直接均一に施されたが、このサファイア基板24において、その上面に個別のLED多層半導体素子22がエピタキシャルに成長された(個別ダイサイズは約1.0mm平方未満だった)。この場合に、LEDは、波長領域440nm〜460nm内の青色光を放射する。光学コーティング26は、カプセル化デバイス30が施される前に施された。結果として得られる所望のスペクトル性能(選択された可視波長帯域440nm〜460nm内の最大光学反射)を最適化するために選択された物理的厚さを有する、交互になった高および低屈折率薄膜が堆積された。この特定の場合に、酸化チタン合金が、高屈折率材料用に用いられ、二酸化ケイ素が、低屈折率材料として用いられた。代表的な多層光学コーティングは以下のとおりである。
ここで記号LおよびHは、L(低屈折率)およびH(高屈折率)薄膜の物理的厚さを(nmで)を示す。角度に応じた代表的な反射性能スペクトルは、図12(440nm)、図13(450nm)および図14(460nm)に示す。
Claims (42)
- 改善されたLED装置であって、
エネルギ源と通じた、かつ第1の波長領域内の第1の電磁信号、および少なくとも第2の波長領域内の少なくとも第2の電磁信号を放射するように構成された少なくとも1つの活性層と、
前記活性層を支持するように構成された基板と、
前記基板の表面に施された少なくとも1つのコーティング層であって、前記第1の波長領域における前記第1の電磁信号の少なくとも95%を反射し、かつ前記第2の波長領域における前記第2の電磁信号の少なくとも95%を透過させるように構成されたコーティング層と、
前記活性層をカプセル化するために配置されたカプセル化デバイスと、
を含む装置。 - 前記活性層が、多重量子井戸デバイスを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記基板がサファイアを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記基板がシリカを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記基板が炭化ケイ素を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記コーティング層が、高屈折率を有する材料および低屈折率を有する材料の交互層を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記高屈折率材料が、Ta2O5、HfO2、TiO2およびNb2O5からなる群から選択される、請求項6に記載の装置。
- 前記低屈折率材料がSiO2を含む、請求項6に記載の装置。
- 前記低屈折率材料がAl2O3を含む、請求項6に記載の装置。
- 前記コーティング層が、TiO2およびSiO2の交互層を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の波長領域が、約430nm〜約500nmである、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の波長が約500nmより大きい、請求項1に記載の装置。
- 前記活性層と前記基板との間に配置された第1のコーティング層と、
前記基板の反対面に施された少なくとも第2のコーティング層と、
前記第2のコーティング層に施された金属層と、
をさらに含む、請求項1に記載の装置。 - 前記コーティング層に施された金属層をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記金属層がアルミニウムを含む、請求項14に記載の装置。
- 前記金属層が銅を含む、請求項14に記載の装置。
- 前記コーティング層と、前記LED装置を材料構造に結合するように構成された支持構造との間に配置された結合材料をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記カプセル化デバイスが、その中に少なくとも1つのドーパントを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記ドーパントが、前記第1の波長領域内の前記第1の電磁信号で照らされた場合に蛍光発光するように構成される、請求項18に記載の装置。
- 前記ドーパントが蛍光体を含む、請求項18に記載の装置。
- 改善されたLED装置であって、
エネルギ源と通じた、かつ第1の波長領域内の第1の電磁信号、および少なくとも第2の波長領域内の少なくとも第2の電磁信号を放射するように構成された少なくとも1つの活性層と、
前記活性層を支持するように構成された基板と、
前記基板の表面に施された少なくとも1つのコーティング層であって、約0度〜約90度の全ての角度において、前記第1の波長領域における前記第1の電磁信号の少なくとも95%を反射し、かつ前記第2の波長領域における前記第2の電磁信号の少なくとも95%を透過させるように構成されたコーティング層と、
前記コーティング層に施された、かつそれを通して、前記第2の波長における前記第2の電磁信号を透過させるように構成された少なくとも1つの金属層と、
前記活性層をカプセル化するために配置されたカプセル化デバイスと、
を含む装置。 - 前記活性層が多重量子井戸デバイスを含む、請求項21に記載の装置。
- 前記基板がサファイアを含む、請求項21に記載の装置。
- 前記基板がシリカを含む、請求項21に記載の装置。
- 前記コーティング層が、高屈折率を有する材料および低屈折率を有する材料の交互層を含む、請求項21に記載の装置。
- 前記高屈折率材料が、Ta2O5、HfO2、TiO2およびNb2O5からなる群から選択される、請求項25に記載の装置。
- 前記低屈折率材料がSiO2を含む、請求項25に記載の装置。
- 前記低屈折率材料がAl2O3を含む、請求項25に記載の装置。
- 前記コーティング層が、TiO2およびSiO2の交互層を含む、請求項21に記載の装置。
- 前記第1の波長領域が、約430nm〜約500nmである、請求項21に記載の装置。
- 前記第2の波長が約500nmより大きい、請求項21に記載の装置。
- 前記活性層と前記基板との間に配置された第1のコーティング層、および基板と前記金属層との間に配置された少なくとも第2のコーティング層をさらに含む、請求項21に記載の装置。
- 前記金属層がアルミニウムを含む、請求項21に記載の装置。
- 前記金属層が銅を含む、請求項21に記載の装置。
- 前記カプセル化デバイスが、その中に少なくとも1つのドーパントを含む、請求項21に記載の装置。
- 前記ドーパントが、前記第1の波長領域内の前記第1の電磁信号で照らされた場合に蛍光発光するように構成される、請求項35に記載の装置。
- 前記ドーパントが蛍光体を含む、請求項35に記載の装置。
- LED装置の製造方法であって、
電荷にさらされた場合に、第1の波長領域内の電磁放射線、および少なくとも第2の波長領域内の少なくとも第2の電磁放射線を放射できるエピタキシャル層を基板上に成長させることと、
前記第1の波長領域における前記第1の電磁信号の少なくとも95%を反射し、かつ前記第2の波長領域における前記第2の電磁信号の少なくとも95%を透過させるように構成された少なくとも1つのコーティング層を前記基板の表面に施すことと、
少なくとも前記活性層をカプセル化デバイス内にカプセル化することと、
を含む方法。 - 高屈折率材料および低屈折率材料の交互層を前記基板に施すことによって、前記コーティング層を形成することをさらに含む、請求項38に記載の方法。
- LED装置の製造方法であって、
電荷にさらされた場合に、第1の波長領域内の電磁放射線、および少なくとも第2の波長領域内の少なくとも第2の電磁放射線を放射できるエピタキシャル層を基板上に成長させることと、
前記第1の波長領域における前記第1の電磁信号の少なくとも95%を反射し、かつ前記第2の波長領域における前記第2の電磁信号の少なくとも95%を透過させるように構成された少なくとも1つのコーティング層を前記基板の表面に施すことと、
少なくとも1つの金属層を前記コーティング層に施すことと、
少なくとも前記活性層をカプセル化デバイス内にカプセル化することと、
を含む方法。 - 高屈折率材料および低屈折率材料の交互層を前記基板に施すことによって、前記コーティング層を形成することをさらに含む、請求項40に記載の方法。
- 前記基板上に第1のコーティング層を施し、その後その上に前記エピタキシャル層を成長させることと、前記金属層を受ける前記基板の反対面に第2のコーティング層を施すことと、をさらに含む、請求項43に記載の方法。
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