JP2013254848A - コンデンサ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 76
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 43
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 358
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/302—Stacked capacitors obtained by injection of metal in cavities formed in a ceramic body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態に係るコンデンサ10は、誘電体層110と、第1の外部電極層121と、第2の外部電極層122と、第1の内部電極部131と、第2の内部電極部132と、密着層150とを具備する。誘電体層110は、複数の貫通孔113を有する。第1の内部電極部131は、第1の貫通孔部113aに設けられ、一端が第1の外部電極層121と接続され、他端が第2の外部電極層122から絶縁される。第2の内部電極部132は、第2の貫通孔部113bに設けられ、一端が第2の外部電極層122と接続され、他端が第1の外部電極層121から絶縁される。密着部150は、第3の貫通孔部113cに設けられ、第1及び第2の外部電極層121,122の少なくとも何れか一方を誘電体層110に密着させる。
【選択図】図3
Description
上記誘電体層は、第1の面と、上記第1の面と対向する第2の面と、上記第1の面と上記第2の面との間を連絡する複数の貫通孔と、を有する。
上記第1の外部電極層は、上記第1の面に配置される。
上記第2の外部電極層は、上記第2の面に配置される。
上記第1の内部電極部は、上記複数の貫通孔の一部である第1の貫通孔部に設けられ、一端が上記第1の外部電極層と接続され、他端が上記第2の外部電極層から絶縁される。
上記第2の内部電極部は、上記複数の貫通孔の他の一部である第2の貫通孔部に設けられ、一端が上記第2の外部電極層と接続され、他端が上記第1の外部電極層から絶縁される。
上記密着部は、上記複数の貫通孔の残部である第3の貫通孔部に設けられ、上記第1及び第2の外部電極層の少なくとも何れか一方を上記誘電体層に密着させる。
上記誘電体層は、第1の面と、上記第1の面と対向する第2の面と、上記第1の面と上記第2の面との間を連絡する複数の貫通孔と、を有する。
上記第1の外部電極層は、上記第1の面に配置される。
上記第2の外部電極層は、上記第2の面に配置される。
上記第1の内部電極部は、上記複数の貫通孔の一部である第1の貫通孔部に設けられ、一端が上記第1の外部電極層と接続され、他端が上記第2の外部電極層から絶縁される。
上記第2の内部電極部は、上記複数の貫通孔の他の一部である第2の貫通孔部に設けられ、一端が上記第2の外部電極層と接続され、他端が上記第1の外部電極層から絶縁される。
上記密着部は、上記複数の貫通孔の残部である第3の貫通孔部に設けられ、上記第1及び第2の外部電極層の少なくとも何れか一方を上記誘電体層に密着させる。
これにより第1及び第2の外部電極層を誘電体層の第1及び第2の面にそれぞれ密着させることができる。
このような構成によっても第1,第2の外部電極層と誘電体層の密着性を高めることができる。
この場合、上記密着部は、複数列の樹脂材料層と、複数列の金属材料層とを含む。上記複数列の樹脂材料層は、上記第2の領域内における上記第3の貫通孔部に設けられ、上記第1及び第2の外部電極層にそれぞれ接続される。
上記複数列の金属材料層は、上記第3の領域内における上記第3の貫通孔部に設けられ、上記第1及び第2の外部電極層のいずれか一方に接続される。
図1〜図3は、本発明の一実施形態に係るコンデンサの構造を示しており、図1は全体の概略斜視図、図2はその部分破断平面図、図3は図2における[A]−[A]線方向の断面図である。図中、X,Y及びZ軸方向は、相互に直交する3軸方向を示している。
本実施形態のコンデンサ10は、コンデンサ本体100と、第1の外部端子101と、第2の外部端子102とを有する。
誘電体層110は、第1の面111(図4において下面又は裏面)と、第1の面111に対向する第2の面112(図4において上面又は表面)とを有する所定厚みの矩形の誘電体材料で構成される。第1の面111には、第1の外部電極層121が配置されるとともに、第1の外部電極層121を被覆するように第1の保護層141が設けられる。第2の面112には、第2の外部電極層122が配置されるとともに、第2の外部電極層122を被覆するように第2の保護層142が設けられる。
第1の外部電極層121は、誘電体層110の第1の面111に配置され、かつ、第1の面111に密着している。第2の外部電極層122は、誘電体層110の第2の面112に配置され、かつ、第2の面112に密着している。第1の外部電極層121は、コンデンサ本体100の第1の端面11に臨み、第1の外部端子101と電気的に接続される引出し端部121aを有する。第2の外部電極層122は、コンデンサ本体100の第2の端面12に臨み、第2の外部端子102と電気的に接続される引出し端部122aを有する。
第1の内部電極部131は、複数の貫通孔113の一部である複数の第1の貫通孔部113aにそれぞれ配置され、かつ、第1の貫通孔部113aの内面に密着している。図4に示すように、第1の内部電極部131の一端131aは、誘電体層110の第1の面111に到達し、かつ、第1の外部電極層121に接続されている。第1の内部電極部131の他端131bは、誘電体層110の第2の面112には到達しておらず、第2の外部電極層122から絶縁されている。第1の内部電極部131の他端131bと第2の外部電極層122との間には、空間又は絶縁材料からなる絶縁層162が形成されている。
実施形態のコンデンサ10は、密着部150をさらに有する。密着部150は、複数の貫通孔113の残部である第3の貫通孔部113cに設けられ、第1の外部電極層121及び第2の外部電極層122と密着する樹脂材料層151を有する。
次に、本実施形態のコンデンサ10の製造方法について説明する。図6〜図11は、コンデンサ10の製造方法を説明する要部の工程断面図である。
図13は、本発明の第2の実施形態に係るコンデンサの構成を示す概略断面図である。以下、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
次に、本実施形態のコンデンサ20の製造方法について説明する。図15及び図16は、コンデンサ20の製造方法を説明する要部の工程断面図である。ここで、図15に示す工程までは上述の第1の実施形態と同様であるため(図6(A)〜(C)、図7(A)〜(C)、図8(A)参照)、ここでは説明を省略する。なお第1の実施形態と同様のその他の工程においても具体的な手法、寸法、材質などは、第1の実施形態に記載した内容と同一であるため、これらの説明を省略する。
図17は、本発明の第3の実施形態に係るコンデンサの構成を示す概略断面図である。以下、第1及び第2の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
次に、本実施形態のコンデンサ30の製造方法について説明する。図18及び図19は、コンデンサ20の製造方法を説明する要部の工程断面図である。ここで、図18に示す工程までは上述の第1の実施形態と同様であるため(図6(A),(B)参照)、ここでは説明を省略する。
図20及び図21は、本発明の第4の実施形態に係るコンデンサの構成を示す概略断面図である。以下、第1及び第2の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
110…誘電体層
121…第1の外部電極層
122…第2の外部電極層
131…第1の内部電極部
132…第2の内部電極部
150,250,255,256,257…密着部
151,251…樹脂材料層
252,253…金属材料層
Claims (5)
- 第1の面と、前記第1の面と対向する第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間を連絡する複数の貫通孔と、を有する誘電体層と、
前記第1の面に配置された第1の外部電極層と、
前記第2の面に配置された第2の外部電極層と、
前記複数の貫通孔の一部である第1の貫通孔部に設けられ、一端が前記第1の外部電極層と接続され、他端が前記第2の外部電極層から絶縁される第1の内部電極部と、
前記複数の貫通孔の他の一部である第2の貫通孔部に設けられ、一端が前記第2の外部電極層と接続され、他端が前記第1の外部電極層から絶縁される第2の内部電極部と、
前記複数の貫通孔の残部である第3の貫通孔部に設けられ、前記第1及び第2の外部電極層の少なくとも何れか一方を前記誘電体層に密着させる密着部と
を具備するコンデンサ。 - 請求項1に記載のコンデンサであって、
前記密着部は、前記第1及び第2の外部電極層にそれぞれ接続され前記第3の貫通孔部に充填された樹脂材料層を含む
コンデンサ。 - 請求項1又は請求項2に記載のコンデンサであって、
前記第3の貫通孔部は、前記誘電体層の周縁部に設けられる
コンデンサ。 - 請求項1から請求項3の何れか1項に記載のコンデンサであって、
前記密着部は、前記第1及び第2の外部電極層のいずれか一方に接続され前記誘電体層の周縁部に配列された複数列の金属材料層を含む
コンデンサ。 - 請求項1に記載のコンデンサであって、
前記誘電体層は、
前記第1及び第2の貫通孔部を含む第1の領域と、
前記第1の領域の外周側に設けられ前記第3の貫通孔部の一部を含む第2の領域と、
前記第1の領域と前記第2の領域との間に設けられ前記第3の貫通孔部の残部を含む第3の領域と、を有し、
前記密着部は、
前記第2の領域内における前記第3の貫通孔部に設けられ、前記第1及び第2の外部電極層にそれぞれ接続された複数列の樹脂材料層と、
前記第3の領域内における前記第3の貫通孔部に設けられ、前記第1及び第2の外部電極層のいずれか一方に接続された複数列の金属材料層と、を有する
コンデンサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012129573A JP5931594B2 (ja) | 2012-06-07 | 2012-06-07 | コンデンサ |
KR1020130061697A KR101582375B1 (ko) | 2012-06-07 | 2013-05-30 | 콘덴서 |
US13/910,314 US9214277B2 (en) | 2012-06-07 | 2013-06-05 | Capacitor having a plurality of minute internal electrode portions filled by a dielectric layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012129573A JP5931594B2 (ja) | 2012-06-07 | 2012-06-07 | コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013254848A true JP2013254848A (ja) | 2013-12-19 |
JP5931594B2 JP5931594B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=49715127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012129573A Active JP5931594B2 (ja) | 2012-06-07 | 2012-06-07 | コンデンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9214277B2 (ja) |
JP (1) | JP5931594B2 (ja) |
KR (1) | KR101582375B1 (ja) |
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---|---|
KR101582375B1 (ko) | 2016-01-04 |
KR20130137535A (ko) | 2013-12-17 |
JP5931594B2 (ja) | 2016-06-08 |
US20130329337A1 (en) | 2013-12-12 |
US9214277B2 (en) | 2015-12-15 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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