JP6218558B2

JP6218558B2 - コンデンサ

Info

Publication number: JP6218558B2
Application number: JP2013225173A
Authority: JP
Inventors: 秀俊増田
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2013-10-30
Filing date: 2013-10-30
Publication date: 2017-10-25
Anticipated expiration: 2033-10-30
Also published as: WO2015064200A1; JP2015088582A; US9818537B2; US20160233025A1

Description

本発明は、ポーラスコンデンサに関する。

近年、新しいタイプのコンデンサとしてポーラスコンデンサが開発されている。ポーラスコンデンサは、アルミニウム等の金属表面に形成される金属酸化物がポーラス（細孔の貫通孔）構造を形成する性質を利用してポーラス内に内部電極を形成し、金属酸化物を誘電体としてコンデンサとしたものである。

誘電体の表面及び裏面にはそれぞれ外部導電体が積層され、ポーラス内に形成される内部電極は表面の外部導電体と裏面の外部導電体のいずれか一方に接続される。内部電極と接続されない側の外部導電体との間は、空隙又は絶縁性材料によって絶縁される。これにより内部電極は、誘電体を介して対向する対向電極（正極又は負極）として機能する。

例えば、特許文献１には、このような構成を有するポーラスコンデンサが開示されている。誘電体層に設けれられた第１の孔及び第２の孔の孔内には、それぞれ第１電極及び第２電極が形成されており、第１電極及び第２電極は誘電体層の表裏両面に積層された導電体層のいずれかに接続されている。

特許４４９３６８６号公報特開２００９−７６８５０号公報

特許文献１に記載のようなポーラスコンデンサは、実装基板に実装されて利用されることが想定される。ここで、ＭＬＣＣ（Multi-Layered Ceramic Capacito：積層セラミックコンデンサ）等のチップ部品は、チップの表裏面のみならず側面も導体で被覆された構造を有し、当該導体を接続端子として実装基板に実装される。このため、ポーラスコンデンサにおいても、ＭＬＣＣ等のチップ部品と同様の接続端子を設けることにより、これらと同様の実装方法で実装基板に実装することが可能となる。

しかしながら、このような接続端子を備えるポーラスコンデンサを形成することは困難であった。ポーラスコンデンサはその構造上、多数のポーラスコンデンサを含む構造体を製造し、これを個片化することによって製造される。このため、ポーラスコンデンサの側面に接続端子となる導体を形成するためには、個々のポーラスコンデンサを切り離し、側面を露出させた上で個々のポーラスコンデンサの方向や位置を備える必要がある。接続端子となる導体層は、精確に配置する必要があり、多数のポーラスコンデンサを高精度に整列させるには、非常に困難である。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、実装対象物への実装に適した端子配置を有するコンデンサを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコンデンサは、誘電体層と、第１の導体層と、第２の導体層と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１の外電用電極層と、第２の外電用電極層と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを具備する。
上記誘電体層は、誘電性材料からなり、第１の主面と、上記第１の主面と反対側の第２の主面と、側面とを有し、上記第１の主面と上記第２の主面に連通する複数の貫通孔とを備える。
上記第１の導体層は、導電性材料からなり、上記第１の主面に配設されている。
上記第２の導体層は、導電性材料からなり、上記第２の主面に配設されている。
上記第１の内部電極は、導電性材料からなり、上記複数の貫通孔内に形成され、上記第１の導体層に接続されている。
上記第２の内部電極は、導電性材料からなり、上記複数の貫通孔内に形成され、上記第２の導体層に接続されている。
上記第１の外電用電極層は、導電性材料からなり、上記第１の主面に配設され、上記第１の導体層に接続されている。
上記第２の外電用電極層は、導電性材料からなり、上記第２の主面に配設され、上記第２の導体層に接続されている。
上記第１の外部電極は、金属メッキからなり、上記第１の外電用電極層上及び上記誘電体層の側面に配設されている。
上記第２の外部電極は、金属メッキからなり、上記第２の外電用電極層上及び上記誘電体層の側面に配設されている。

本発明に係るコンデンサの斜視図である。同コンデンサの断面図である。同コンデンサが備える誘電体層の斜視図である。同コンデンサが備える誘電体層の断面図である。同コンデンサが備える誘電体層の平面図である。同コンデンサが備える誘電体層の斜視図である。同コンデンサの構成の一部を示す断面図である。同コンデンサの構成の一部を示す斜視図である。同コンデンサの構成の一部を示す斜視図である。同コンデンサの構成の一部を示す断面図である。同コンデンサの構成の一部を示す斜視図である。同コンデンサの構成の一部を示す斜視図である。同コンデンサの構成の一部を示す断面図である。同コンデンサの構成の一部を示す斜視図である。同コンデンサの構成の一部を示す斜視図である。同コンデンサの拡大斜視図である。同コンデンサの斜視断面図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサの製造プロセスを示す模式図である。同コンデンサが生成されるコンデンサ構造体の製造プロセスを示す斜視図である。同コンデンサが生成されるコンデンサ構造体の製造プロセスを示す斜視図である。本発明の変形例に係るコンデンサが備える誘電体層の平面図である。

本発明の一実施形態に係るコンデンサは、上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコンデンサは、誘電体層と、第１の導体層と、第２の導体層と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１の外電用電極層と、第２の外電用電極層と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを具備する。
上記誘電体層は、誘電性材料からなり、第１の主面と、上記第１の主面と反対側の第２の主面と、側面とを有し、上記第１の主面と上記第２の主面に連通する複数の貫通孔とを備える。
上記第１の導体層は、導電性材料からなり、上記第１の主面に配設されている。
上記第２の導体層は、導電性材料からなり、上記第２の主面に配設されている。
上記第１の内部電極は、導電性材料からなり、上記複数の貫通孔内に形成され、上記第１の導体層に接続されている。
上記第２の内部電極は、導電性材料からなり、上記複数の貫通孔内に形成され、上記第２の導体層に接続されている。
上記第１の外電用電極層は、導電性材料からなり、上記第１の主面に配設され、上記第１の導体層に接続されている。
上記第２の外電用電極層は、導電性材料からなり、上記第２の主面に配設され、上記第２の導体層に接続されている。
上記第１の外部電極は、金属メッキからなり、上記第１の外電用電極層上及び上記誘電体層の側面に配設されている。
上記第２の外部電極は、金属メッキからなり、上記第２の外電用電極層上及び上記誘電体層の側面に配設されている。

この構成によれば、誘電体層の側面に第１の外部電極及び第２の外部電極が配設されているため、ＭＬＣＣ等のチップ部品と同様の実装方法で実装基板等に実装することが可能である。また、第１の外部電極及び第２の外部電極は金属メッキからなるため、これらが導電性ペーストからなる場合に比べ、コンデンサの外形形状が安定する。即ち、上記構成を有するコンデンサは、実装対象物への実装に適している。

上記誘電体層は、上記複数の貫通孔の一部を含み上記側面から離間する容量領域と、上記複数の貫通孔の一部を含み上記側面を含む導通領域とを備え、
上記第１の内部電極は、上記容量領域において上記複数の貫通孔内に形成され、
上記第２の内部電極は、上記容量領域において上記複数の貫通孔内に形成され、
上記コンデンサは、導電性材料からなり、上記導通領域において上記複数の貫通孔内に形成され、上記誘電体層の側面において一部が露出する貫通導電部をさらに含んでもよい。

この構成によれば、誘電体層の側面において一部が露出する貫通導電部を、第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する際のメッキ給電体として利用することが可能である。貫通導電部は、第１の内部電極及び第２の内部電極を貫通孔内に形成する製造工程において、これらと同時に作成することが可能であるため、上記構成を備えるコンデンサは、側面に外電用電極としての貫通導電部が設けられていないコンデンサと同等の製造工程数で製造することが可能である。

上記誘電体層は、上記容量領域と上記導通領域の間に設けられ、上記複数の貫通孔の一部を含む絶縁領域をさらに備え、
上記コンデンサは、上記絶縁領域において上記複数の貫通孔に形成された、空隙又は絶縁性材料からなる絶縁部
をさらに具備してもよい。

この構成によれば、第１の導体層及び第２の導体層を誘電体層上に配設する際に、絶縁領域をパターニングの余地領域として利用することができる。容量領域と導通領域の間に絶縁領域を設けない場合、容量領域と導通領域が隣接するため、第１の導体層及び第２の導体層のパターニング精度が低いと、これらが導通領域にはみ出し、貫通導電部と接触して短絡するおそれがある。ここで、上記構成によれば、絶縁領域によってこの短絡を防止することが可能である。即ち、上記構成を有するコンデンサは、高い絶縁信頼性を有する。

上記コンデンサは、
導電性材料からなり、上記第１の主面に配設され、上記貫通導電部を介して上記第２の外電用電極層に電気的に接続された第３の外電用電極層と、
導電性材料からなり、上記第２の主面に配設され、上記貫通導電部を介して上記第１の外電用電極層に電気的に接続された第４の外電用電極層と
をさらに具備してもよい。

この構成によれば、第１の内部電極と接続された外電用電極層（第１の外部電極層及び第４の外部電極層）と、第２の内部電極と接続された外電用電極層（第２の外部電極層及び第３の外部電極層）のいずれもコンデンサの表裏両面に形成されるため、第１の内部電極と接続された外部電極（第１の外部電極）と第２の内部電極と接続された外部電極（第２の外部電極）を表裏両面に備えたコンデンサとすることが可能である。即ち、このコンデンサを実装対象物に実装する際、コンデンサの表裏両面を考慮することなく実装が可能となる。

上記誘電体層は、酸化アルミニウムからなり、
上記コンデンサは、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂のいずれかの材料を含み、上記第１の導体層を被覆する第１の保護層と、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂のいずれかの材料を含み、上記第２の導体層を被覆する第２の保護層と
をさらに具備してもよい。

誘電体層を構成する酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）は、高湿度環境下において水和反応が進行し、ベーマイト等の水和物が生成する性質を有する。この水和物は、絶縁性に劣り、コンデンサの短絡故障を引き起こすおそれがある。第１の保護層及び第２の保護層を上記の耐湿性に優れた材料を含むものとすることにより、酸化アルミニウムの水和反応を防止し、コンデンサの短絡故障を防止することが可能となる。

本発明の実施形態に係るコンデンサについて説明する。

[コンデンサの構造]
図１は、本実施形態に係るコンデンサ１００の斜視図である。これらの図に示すように、コンデンサ１００は、第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５を備える。第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５はそれぞれ、コンデンサ１００の正極又は負極に電気的に接続されており、コンデンサ１００を実装対称物（実装基板等）に実装する際に端子として機能する。

第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５は図１に示すように、コンデンサ１００の表裏両面のみならず側面にも形成されており、コンデンサ１００の実装対象物への容易な実装を可能とする。以下、このような第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５を備えるコンデンサ１００の構造について説明する。

図２は、コンデンサ１００の断面図である。同図に示すようにコンデンサ１００は、誘電体層１０１、第１内部電極１０２、第２内部電極１０３、第１導体層１０４、第２導体層１０５、絶縁部１０６、第１保護層１０７、第２保護層１０８、貫通導電部１０９、第１外電用電極層１１０、第２外電用電極層１１１、第３外電用電極層１１２、第４外電用電極層１１３、第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５を具備する。

誘電体層１０１は、コンデンサ１００の誘電体として機能する。図３は、誘電体層１０１の斜視図であり、図４は誘電体層１０１の断面図である。誘電体層１０１は、誘電性材料であって、自己組織化によってポーラス（細孔）を形成する材料を利用することができる。このような材料としては、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を挙げることができる。誘電体層１０１の厚みは特に限定されないが、例えば数μｍ〜数百μｍとすることができる。

図３及び図４に示すように、誘電体層１０１には、複数の貫通孔１０１ａが形成されている。誘電体層１０１の層面方向に平行な表面を第１の主面１０１ｂとし、その反対側の面を第２の主面１０１ｃとすると、貫通孔１０１ａは第１の主面１０１ｂ及び第２の主面１０１ｃに垂直な方向（誘電体層１０１の厚み方向）に沿って形成され、第１の主面１０１ｂ及び第２の主面１０１ｃに連通するように形成されている。なお、図３等に示す貫通孔１０１ａの数や大きさは便宜的なものであり、実際のものはより小さく、多数である。また、貫通孔１０１ａは分岐を有してもよく、隣接する貫通孔１０１ａと合流していてもよい。また、誘電体層１０１において第１の主面１０１ｂ及び第２の主面１０１ｃに対する側面を側面１０１ｄとする。

図５は誘電体層１０１の平面図であり、図６は誘電体層１０１の斜視図である。なお、図５において貫通孔１０１ａは一部のみ図示し、図６において貫通孔１０１ａは図示を省略する。図４乃至図６に示すように、誘電体層１０１は、容量領域１０１ｅ、絶縁領域１０１ｆ及び導通領域１０１ｇを有する。容量領域１０１ｅは、側面１０１ｄから離間し、誘電体層１０１の大部分を占める領域である。導通領域１０１ｇは誘電体層１０１の側面１０１ｄを含み、図５及び図６に示すように、分離した２領域からなる。絶縁領域１０１ｆは、容量領域１０１ｅと絶縁領域１０１ｆの間に位置し、両領域を離間させる。

図５に示すように、各領域はそれぞれ複数の貫通孔１０１ａを含む領域である。各領域においては貫通孔１０１ａ内に形成される構造が異なり、それについては後述する。

第１内部電極１０２は、コンデンサ１００の一方の対向電極として機能する。図７は、コンデンサ１００の一部の構成を示す断面図である。同図に示すように第１内部電極１０２は、容量領域１０１ｅに含まれる貫通孔１０１ａの内部に形成されている。第１内部電極１０２は導電性材料、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ等の純金属やこれらの合金からなるものとすることができる。

第１内部電極１０２は、第１導体層１０４に接続され、第２導体層１０５とは離間して形成されている。第１内部電極１０２と第２導体層１０５の間には、図７に示すように絶縁性材料からなる絶縁部１０２ａが形成されている。また、絶縁部１０２ａは第１内部電極１０２と第２導体層１０５の間に設けられた空隙であってもよい。

第２内部電極１０３は、コンデンサ１００の他方の対向電極として機能する。図７に示すように第２内部電極１０３は、容量領域１０１ｅに含まれる貫通孔１０１ａの内部に形成されている。第２内部電極１０３は導電性材料、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ等の純金属やこれらの合金からなるものとすることができる。

第２内部電極１０３は、第２導体層１０５に接続され、第１導体層１０４とは離間して形成されている。第２内部電極１０３と第１導体層１０４の間には、図７に示すように絶縁性材料からなる絶縁部１０３ａが形成されている。また、絶縁部１０３ａは、第２内部電極１０３と第１導体層１０４の間に設けられた空隙であってもよい。

第１内部電極１０２と第２内部電極１０３は、図７では交互に配列するように表されているが、必ずしも交互でなくてもよく、ランダムに配列されてもよい。第１内部電極１０２と第２内部電極１０３が誘電体層１０１を介して対向配置されていれば、コンデンサが構成されるためである。第１内部電極１０２と第２内部電極１０３の数は同等でなくてもよいが、同等のほうがコンデンサ容量が大きくなり、好適である。

第１導体層１０４は、第１内部電極１０２と第１外電用電極層１１０を電気的に接続する（図２参照）。図８は、第１導体層１０４を示す斜視図である。第１導体層１０４は図７及び図８に示すように、容量領域１０１ｅにおいて第１の主面１０１ｂ上に配設されている。なお、第１導体層１０４は、少なくとも容量領域１０１ｅ上に配設されていればよく、一部が絶縁領域１０１ｆ上に配設されていてもよい。

第１導体層１０４は導電性材料、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｔｉ等の純金属やこれらの合金であるものとすることができる。第１導体層１０４の厚さは例えば数十ｎｍ〜数μｍであるものとすることができる。また、第１導体層１０４は、複数層の導電性材料が積層されたものとすることも可能である。

第２導体層１０５は、第２内部電極１０３と第２外電用電極層１１１を電気的に接続する（図２参照）。図９は、第２導体層１０５を示す斜視図である。第２導体層１０５は、図７及び図９に示すように、容量領域１０１ｅにおいて第２の主面１０１ｃ上に配設されている。なお、第２導体層１０５は、少なくとも容量領域１０１ｅ上に配設されていればよく、一部が絶縁領域１０１ｆ上に配設されていてもよい。

第２導体層１０５は、第１導体層１０４と同様の導電性材料からなるものとすることができ、その厚さは例えば数ｎｍ〜数μｍであるものとすることができる。第２導体層１０５の構成材料は第１導体層１０４の構成材料と同一でもよく異なっていてもよい。また、第２導体層１０５は、複数層の導電性材料が積層されたものとすることも可能である。

絶縁部１０６は、絶縁領域１０１ｆを形成する。図１０は、コンデンサ１００の一部の構成を示す断面図である。同図に示すように絶縁部１０６は、絶縁領域１０１ｆに含まれる貫通孔１０１ａの内部に形成されている。絶縁部１０６は、合成樹脂等の絶縁性材料からなるものとすることができる。また絶縁部１０６は貫通孔１０１ａ内に何も充填されることなく形成された空隙であってもよい。

第１保護層１０７は、第１導体層１０４を被覆し、第１導体層１０４と第３外電用電極層１１２とを絶縁する（図２参照）。図１１は、第１保護層１０７を示す斜視図である。第１保護層１０７は、絶縁領域１０１ｆの一部及び導通領域１０１ｇの一部において第１の主面１０１ｂ上に配設され、さらに第１導体層１０４上に配設されている。第１保護層１０７には、図１０及び図１１に示すように、第１導体層１０４上において開口１０７ａが形成され、開口１０７ａから第１導体層１０４が露出するように構成されている。開口１０７ａの形状や大きさ、数は特に限定されない。

第２保護層１０８は、第２導体層１０５を被覆し、第２導体層１０５と第４外電用電極層１１３とを絶縁する（図２参照）。図１２は、第２保護層１０８を示す斜視図である。第２保護層１０８は、絶縁領域１０１ｆの一部及び導通領域１０１ｇの一部において第２の主面１０１ｃ上に配設され、さらに第２導体層１０５上に配設されている。第２保護層１０８には、図１０及び図１２に示すように、第２導体層１０５上において開口１０８ａが形成され、開口１０８ａから第２導体層１０５が露出するように構成されている。開口１０８ａの形状や大きさ、数は特に限定されない。

第１保護層１０７及び第２保護層１０８は、絶縁性材料からなり、特に耐湿性に優れた材料が好適である。耐湿性の指標として、吸湿性が２％以下、透湿性が１μｍ厚さあたり１ｍｇ／ｍｍ^２以下であるものが好適である。このような材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂又はポリオレフィン樹脂を挙げることができる。第１保護層１０７及び第２保護層１０８を耐湿性が優れた材料からなるものとすることにより、外部環境からの水分が第１保護層１０７及び第２保護層１０８によって遮蔽される。

誘電体層１０１を構成する酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）は、高湿度環境下において水和反応が進行し、ベーマイト等の水和物が生成する性質を有する。この水和物は、絶縁性に劣り、コンデンサ１００の短絡故障を引き起こすおそれがある。第１保護層１０７及び第２保護層１０８を耐湿性に優れた材料からなるものとすることにより、酸化アルミニウムの水和反応を防止し、コンデンサ１００の短絡故障を防止することが可能となる。

貫通導電部１０９は、導通領域１０１ｇを形成する。図１３は、コンデンサ１００の一部の構成を示す断面図である。同図に示すように貫通導電部１０９は、導通領域１０１ｇに含まれる貫通孔１０１ａの内部に形成されている。

貫通導電部１０９の一部は、第１外電用電極層１１０及び第４外電用電極層１１３に接続され、両者を電気的に接続する。貫通導電部１０９の他の一部は、第２外電用電極層１１１及び第３外電用電極層１１２に接続され、両者を電気的に接続する。貫通導電部１０９は導電性材料、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ等の純金属やこれらの合金からなるものとすることができる。

第１外電用電極層１１０は、第１導体層１０４と第１外部電極１１４とを電気的に接続する（図２参照）。図１４は、第１外電用電極層１１０を示す斜視図である。第１外電用電極層１１０は、図１３及び図１４に示すように、第１の主面１０１ｂに配設され、さらに第１保護層１０７上に配設されている。第１外電用電極層１１０は、第１保護層１０７に設けられた開口１０７ａを介して第１導体層１０４に接続されている。

第１外電用電極層１１０は導電性材料、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｔｉ等の純金属やこれらの合金であるものとすることができる。第１外電用電極層１１０の厚さは例えば数十ｎｍ〜数μｍであるものとすることができる。また、第１外電用電極層１１０は、複数層の導電性材料が積層されたものとすることも可能である。

第２外電用電極層１１１は、第２導体層１０５と第２外部電極１１５とを電気的に接続する（図２参照）。図１５は、第２外電用電極層１１１を示す斜視図である。第２外電用電極層１１１は、図１３及び図１５に示すように、第２の主面１０１ｃに配設され、さらに第２保護層１０８上に配設されている。第２外電用電極層１１１は、第２保護層１０８に設けられた開口１０８ａを介して第２導体層１０５に接続されている。

第２外電用電極層１１１は導電性材料、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｔｉ等の純金属やこれらの合金であるものとすることができる。第２外電用電極層１１１の厚さは例えば数十ｎｍ〜数μｍであるものとすることができる。また、第２外電用電極層１１１は、複数層の導電性材料が積層されたものとすることも可能である。

第３外電用電極層１１２は、貫通導電部１０９と第２外部電極１１５とを電気的に接続する（図２参照）。第３外電用電極層１１２は、図１３及び図１４に示すように、第１の主面１０１ｂに配設され、さらに第１保護層１０７上に配設されている。第３外電用電極層１１２は、第１保護層１０７によって第１導体層１０４及び第１外電用電極層１１０と絶縁されている。

第３外電用電極層１１２は導電性材料、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｔｉ等の純金属やこれらの合金であるものとすることができる。第３外電用電極層１１２の厚さは例えば数十ｎｍ〜数μｍであるものとすることができる。また、第３外電用電極層１１２は、複数層の導電性材料が積層されたものとすることも可能である。

第４外電用電極層１１３は、貫通導電部１０９と第１外部電極１１４とを電気的に接続する（図２参照）。第４外電用電極層１１３は、図１３及び図１５に示すように、第２の主面１０１ｃに配設され、さらに第２保護層１０８上に配設されている。第４外電用電極層１１３は、第２保護層１０８によって第２導体層１０５及び第２外電用電極層１１１と絶縁されている。

第４外電用電極層１１３は導電性材料、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｔｉ等の純金属やこれらの合金であるものとすることができる。第４外電用電極層１１３の厚さは例えば数十ｎｍ〜数μｍであるものとすることができる。また、第４外電用電極層１１３は、複数層の導電性材料が積層されたものとすることも可能である。

上述のように、第１外電用電極層１１０と第４外電用電極層１１３は貫通導電部１０９によって電気的に接続され、第２外電用電極層１１１と第３外電用電極層１１３は貫通導電部１０９によって電気的に接続されている。ここで、貫通導電部１０９が形成される導通領域１０１ｇは、上述のように誘電体層１０１の側面１０１ｄを含む。このため、誘電体層１０１の最外周に位置する一部の貫通導電部１０９は側面１０１ｄに露出する。

図１６は、側面１０１ｄに露出する貫通導電部１０９を示す断面図であり、図１４の拡大図である。同図に示すように、貫通導電部１０９は、側面１０１ｄのうち導通領域１０１ｇ（図５参照）に含まれる領域において露出する。また、側面１０１ｄのうち絶縁領域１０１ｆに含まれる領域においては、絶縁部１０６が露出する。ただし、絶縁部１０６は必ずしも側面１０１ｄに露出していなくてもよい。

第１外部電極１１４は、コンデンサ１００の正極又は負極（第１内部電極１０２又は第２内部電極１０３）のうち一方の端子として機能する。第１外部電極１１４は、図１及び図２に示すように、第１外電用電極層１１０及び第４外電用電極層１１３上に配設され、かつ、第１外電用電極層１１０と第４外電用電極層１１３の間における側面１０１ｄ上に配設されている。第１外部電極１１４は、第１外電用電極層１１０及び第１導体層１０４を介して第１内部電極１０２と電気的に接続されており、即ち、第１内部電極１０２と外部とを接続する端子として機能する。

第１外部電極１１４は、金属メッキからなるものとすることができ、第１外電用電極層１１０、第４外電用電極層１１３、及び側面１０１ｄに一部が露出する貫通導電部１０９（図１６参照）をメッキ給電体とする電解メッキにより形成することが可能である。上述のように、側面１０１ｄに貫通導電部１０９が露出していることによって、側面１０１ｄ上に第１外部電極１１４を配設することが可能となっている。

第２外部電極１１５は、コンデンサ１００の正極又は負極のうち他方の端子として機能する。第２外部電極１１５は、図１及び図２に示すように、第２外電用電極層１１１及び第３外電用電極層１１２上に配設され、かつ、第２外電用電極層１１１と第３外電用電極層１１２の間における側面１０１ｄ上に配設されている。第２外部電極１１５は、第２外電用電極層１１１及び第２導体層１０５を介して第２内部電極１０３と電気的に接続されており、即ち、第２内部電極１０３と外部とを接続する端子として機能する。

第２外部電極１１５は、金属メッキからなるものとすることができ、第２外電用電極層１１１、第３外電用電極層１１２、及び側面１０１ｄに一部が露出する貫通導電部１０９（図１６参照）をメッキ給電体とする電解メッキにより形成することが可能である。上述のように、側面１０１ｄに貫通導電部１０９が露出していることによって、側面１０１ｄ上に第２外部電極１１５を配設することが可能となっている。

コンデンサ１００は以上のような構成を有する。図１７は、コンデンサ１００の斜視断面図である。図１及び図１７に示すうように、コンデンサ１００においては、誘電体層１０１の側面１０１ｄ上にも第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５が配設されている。このような外部電極（端子）の配置は、ＭＬＣＣ（Multi-Layered Ceramic Capacitor：積層セラミックコンデンサ）等のチップ部品の端子配置と同様であるため、コンデンサ１００はこれらのチップ部品と同様の実装方法で実装基板等に実装することが可能である。

また、第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５は、金属メッキからなるため、コンデンサ１００の外形形状が安定する。従来はポーラスコンデンサの外電用電極（端子）は導電性ペーストからなるものが一般的であったが、導電性ペーストの塗布の際や硬化の際に厚みが不均一となる。これに対し、コンデンサ１００では第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５が金属メッキからなるため、これらの厚みを均一とすることが可能である。さらにコンデンサ１００は、次に説明する製造方法により、ハンドリング等の困難性なく製造することが可能である。

[コンデンサの製造方法]
コンデンサ１００の製造方法について説明する。なおコンデンサ１００は、複数のコンデンサ１００を含む構造体（以下、コンデンサ構造体）を作製し、それを各コンデンサ１００に分割することによって製造することが可能である。図１８〜図２８は、コンデンサ構造体のうち一つのコンデンサ１００に相等する部分の製造プロセスを示す断面図である。図２９〜図３０は、コンデンサ構造体の製造プロセスを示す斜視図であり、四つのコンデンサ１００が生成される構造体を示す。実際には、一つのコンデンサ構造体からは数個から数万個のコンデンサ１００を生成することが可能である。

図１８（ａ）は、誘電体層１０１の元となる基材３０１を示す。基材３０１は、誘電体層１０１となる金属酸化物の酸化前の金属であり、金属酸化物を酸化アルミニウムとする場合、基材３０１は金属アルミニウムとすることができる。

基材３０１に陽極酸化を施すと、図１８（ｂ）に示すように、基材３０１が酸化され、金属酸化物３０２が形成される。この際、金属酸化物３０２の自己組織化作用によって、金属酸化物３０２に孔Ｈが形成される。孔Ｈは酸化の進行方向、即ち基材３０１の厚み方向に向かって成長する。陽極酸化は、例えば１５℃〜２０℃に調整されたシュウ酸（０．１ｍｏｌ／ｌ）溶液中で、基材３０１を陽極として電圧を印加することにより行うことが可能である。印加電圧は数Ｖ〜数１００Ｖ、処理時間は数分〜数日とすることができる。例えば、印加電圧を４０Ｖとすると、孔径が１００ｎｍの孔Ｈが形成される。

なお、陽極酸化の前に基材３０１に規則的なピット（凹部）を形成しておき、このピットを基点として孔Ｈを成長させてもよい。このピットの配置により孔Ｈの配列を制御することが可能となる。ピットは、例えば基材３０１にモールド（型）を押圧することによって形成することが可能である。

上記陽極酸化がある程度進行した段階で、基材３０１への印加電圧を大きくすると、図１８（ｃ）に示すように、一部の孔Ｈのピッチ（孔径及び孔間距離）が拡大するように自己組織化が進行する。一方で、孔Ｈのピッチが拡大したことによって、他の孔Ｈについては孔の形成が停止する。以下、孔の形成が停止した孔Ｈを孔Ｈ１とし、孔の形成が継続した（孔径が拡大した）孔Ｈを孔Ｈ２とする。

このときの印加電圧は上記電圧の数倍、処理時間は数分〜数十分とすることができる。例えば、印加電圧を８０Ｖとすると、孔径Ｈ２の孔径が２００ｎｍに拡大される。図１８（ｂ）に示す１段階目の陽極酸化における印加電圧と、図１８（ｃ）に示す２段階目の陽極酸化における印加電圧を上述した範囲内とすることにより、孔Ｈ１と孔Ｈ２の数を概ね同等とすることが可能である。また、２段階目の電圧印加の処理時間を上述の範囲内とすることにより、孔Ｈ２のピッチ変換が十分に完了しつつ、２段階目の電圧印加によって底部に形成される金属酸化物３０２の厚さを小さくすることができる。２段階目の電圧印加で形成される金属酸化物３０２は、後の工程で除去されるため、できるだけ薄いことが好ましい。

続いて、図１９（ａ）に示すように、酸化されていない基材３０１を除去する。基材３０１の除去は、例えばウェットエッチングによってすることができる。以降、金属酸化物３０２の孔Ｈが形成された側の面を表面３０２ａとし、その反対側の面を裏面３０２ｂとする。

続いて、図１９（ｂ）に示すように、表面３０２ａに導電性材料からなる第１導体層３０３を配設する。第１導体層３０３は、スパッタ法、真空蒸着法等の各種成膜方法によって配設することが可能である。

続いて、図１９（ｃ）に示すように、裏面３０２ｂの一部領域にエッチングレジストＲ１を配設する。エッチングレジストＲ１は、例えばフォトリソグラフィによってパターニングすることが可能である。

エッチングレジストＲ１の配設領域が、上述した誘電体層１０１の容量領域１０１ｅ及び絶縁領域１０１ｆとなる。図２９（ａ）は、コンデンサ構造体における、誘電体層１０１上の領域分布を示す。容量領域１０１ｅ及び絶縁領域１０１ｆは、同図に示すように、部分的に導通領域１０１ｇによって区分されており、図１９（ｃ）においてエッチングレジストＲ１が配設されない領域が導通領域１０１ｇとなる

続いて、図２０（ａ）に示すように、裏面３０２ｂ側から金属酸化物３０２を所定の厚さで除去する。これは例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）によってすることができる。裏面３０２ｂのうちエッチングレジストＲ１によって被覆されている領域の金属酸化物３０２は除去されない。除去の厚さは、孔Ｈ１が裏面３０２ｂに連通する程度の厚さとする。

続いて、図２０（ｂ）に示すように、エッチングレジストＲ１をさらにパターニングし、エッチングレジストＲ２を形成する。このパターニングは、例えばフォトリソグラフィによってすることができる。エッチングレジストＲ２の配設領域は、上述した誘電体層１０１の絶縁領域１０１ｆとなる（図２９（ａ）参照）。

続いて、図２０（ｃ）に示すように、再度、裏面３０２ｂ側から金属酸化物３０２を所定の厚さで除去する。これは例えばＲＩＥによってすることができる。裏面３０２ｂのうちエッチングレジストＲ２によって被覆されている領域の金属酸化物３０２は除去されない。除去の厚さは、未開口のまま残存する孔Ｈ２が裏面３０２ｂに連通する程度の厚さとする。

続いて、図２１（ａ）に示すように、裏面３０２ｂに連通した孔Ｈ１及び孔Ｈ２内に第１メッキ導体Ｍ１及び第２メッキ導体Ｍ２を配設する。第１メッキ導体Ｍ１及び第２メッキ導体Ｍ２は、導電性材料からなり、第１導体層３０３をメッキ給電体として金属酸化物３０２に電解メッキを施すことによって配設することが可能である。裏面３０２ｂに連通していない孔Ｈ１及び孔Ｈ２内にはメッキ液が侵入しないため、これらの孔内にはメッキ導体が形成されない。

続いて、図２１（ｂ）に示すように、再度、裏面３０２ｂ側から金属酸化物３０２を所定の厚さで除去する。これは例えばＲＩＥによってすることができる。裏面３０２ｂのうちエッチングレジストＲ２によって被覆されている領域の金属酸化物３０２は除去されない。除去の厚さは、未開口のまま残存する孔Ｈ１が裏面３０２ｂに連通する程度の厚さとする。

続いて、図２１（ｃ）に示すように、孔Ｈ１及び孔Ｈ２内に第３メッキ導体Ｍ３、第４メッキ導体Ｍ４及び第５メッキ導体Ｍ５を配設する。第３メッキ導体Ｍ３、第４メッキ導体Ｍ４及び第５メッキ導体Ｍ５は、導電性材料からなり、第１導体層３０３をメッキ給電体として金属酸化物３０２に電解メッキを施すことによって配設することが可能である。

第３メッキ導体Ｍ３は、第１メッキ導体Ｍ１上に形成され、第４メッキ導体Ｍ４は第２メッキ導体Ｍ２上に形成される。第５メッキ導体Ｍ５は、第１導体層３０３上に形成される。このため、第３メッキ導体Ｍ３と第４メッキ導体Ｍ４の先端は同等の位置となり、第５メッキ導体Ｍ５の先端は、これらより第１導体層３０３に近接した位置となる。裏面３０２ｂに連通していない孔Ｈ１及び孔Ｈ２内にはメッキ液が侵入しないため、これらの孔内にはメッキ導体が形成されない。

なお、以降の説明において、第５メッキ導体Ｍ５を第１内部導体３０４とし、第１メッキ導体Ｍ１と第３メッキ導体Ｍ３を合わせて第２内部導体３０５とする。また、第２メッキ導体Ｍ２と第４メッキ導体Ｍ４を合わせて第３内部導体３０６とする。さらに、第１内部導体３０４、第２内部導体３０５及び第３内部導体３０６を合わせて内部導体等と表す。

続いて、図２２（ａ）に示すように、エッチングレジストＲ２を除去する。エッチングレジストＲ２の除去は、例えばウェットエッチングによってすることができる。

続いて、図２２（ｂ）に示すように、裏面３０２ｂ側から金属酸化物３０２を所定の厚さで除去する。これは例えばＲＩＥによってすることができる。除去の厚さは、未開口のまま残存する孔Ｈ１が裏面３０２ｂに連通する程度の厚さとする。

続いて、図２２（ｃ）に示すように、孔Ｈ１及び孔Ｈ２の空隙に絶縁性材料Ｚを充填する。孔Ｈ１及び孔Ｈ２の一部には、予め内部電極等が形成されているため、絶縁性材料Ｚは内部電極等から孔Ｈ１又は孔Ｈ２の開口まで充填される。内部電極等が形成されていない孔Ｈ１及び孔Ｈ２については、孔全体に絶縁性材料Ｚが充填される。絶縁性材料Ｚは例えば、孔Ｈ１及び孔Ｈ２の開口に充分な量をスクリーン印刷で供給すれば、毛細管現象によって容易に孔Ｈ１及び孔Ｈ２に充填することができる。

続いて、図２３（ａ）に示すように、金属酸化物３０２を裏面３０２ｂから所定の厚さで再度除去する。この除去は、例えばＣＭＰ（chemical mechanical polishing）によってすることができる。この際、第２内部導体３０５が裏面３０２ｂに露出し、第１内部導体３０４が裏面３０２ｂに露出しない程度の厚さで金属酸化物３０２を除去する。第２内部導体３０５上に充填されていた絶縁性材料Ｚはこれにより除去される。一方、第１内部導体３０４上に充填されていた絶縁性材料Ｚは残存する。

続いて、図２３（ｂ）に示すように、裏面３０２ｂに導電性材料からなる第２導体層３０７を配設する。第２導体層３０７は、スパッタ法、真空蒸着法等の各種成膜方法によって配設することが可能である。

続いて、図２３（ｃ）に示すように、第１導体層３０３を除去する。第１導体層３０３の除去は、例えばＣＭＰによってすることができる。

続いて、図２４（ａ）に示すように、表面３０２ａのうち第３内部導体３０６が形成されている領域にエッチングレジストＲ３を配設する。エッチングレジストＲ３は、例えばフォトリソグラフィによってパターニングすることが可能である。

続いて、第２導体層３０７を利用して、表面３０２ａ側から金属酸化物３０２に電解エッチングを施す。これにより図２４（ｂ）に示すように、第２内部導体３０５の表層部分が除去される。第１内部導体３０４は、絶縁性材料Ｚによって第２導体層３０７と絶縁されているため、電解エッチングによって除去されない。第３内部導体３０６は、エッチングレジストＲ３によって保護されているため、電解エッチングによって除去されない。

続いて、図２４（ｃ）に示すように、孔Ｈ２の空隙に絶縁性材料Ｚを充填する。絶縁性材料Ｚは第３内部導体３０５の先端から孔Ｈ２の開口まで充填される。また、ウェットエッチング等によってエッチングレジストＲ３を除去する。

続いて、図２５（ａ）に示すように、表面３０２ａに導電性材料からなる第３導体層３０８を配設する。第３導体層３０８は、スパッタ法、真空蒸着法等の各種成膜方法によって配設することが可能である。

続いて、図２５（ｂ）に示すように、第２導体層３０７及び第３導体層３０８のうち、第１内部導体３０４及び第２内部導体３０５が形成されている領域にエッチングレジストＲ４を配設する。エッチングレジストＲ４は、例えばフォトリソグラフィによってパターニングすることが可能である。

続いて、図２５（ｃ）に示すように、エッチングレジストＲ４を利用して、第２導体層３０７及び第３導体層３０８をパターニングする。パターニングは、ウェットエッチング、ドライエッチング、イオンミリング、ＣＭＰ等の各種パターニング方法によってすることができる。

続いて、図２６（ａ）に示すように、エッチングレジストＲ４を除去する。エッチングレジストＲ４の除去は、例えばウェットエッチングによってすることができる。

図２９（ｂ）は、コンデンサ構造体における、第３導体層３０８の配置を示す斜視図である。同図に示すように、第３導体層３０８は、コンデンサ１００毎に分離して配置される。第２導体層３０７の配置も第３導体層３０８と同様である。

続いて、図２６（ｂ）に示すように、第３導体層３０８上に第１保護層３０９を配設し、第２導体層３０７上に第２保護層３１０を配設する。第１保護層３０９及び第２保護層３１０は、第３導体層３０８上及び第２導体層３０７上に樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィ等によってパターニングすることにより形成することが可能である。パターニングの際に第１保護層３０９に第３導体層３０８が露出する開口部３０９ａを形成し、第２保護層３１０に第２導体層３０７が露出する開口部３１０ａを形成する。

図２９（ｃ）は、コンデンサ構造体における、第１保護層３０９の配置を示す斜視図である。同図に示すように、第１保護層３０９は、コンデンサ１００毎に第３導体層３０８を被覆するように配置され、隣接するコンデンサ１００用の第１保護層３０９とは離間して形成されている。第２保護層３１０の配置も第１保護層３０９と同様である。これらの保護層の材料としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂のいずれかの材料を含むように選択すれば、湿度に対する絶縁信頼性を向上することができる。

続いて、図２６（ｃ）に示すように、表面３０２ａ側の全面上に第４導体層３１１を配設し、裏面３０２ｂ側の全面上に第５導体層３１２を配設する。第４導体層３１１及び第５導体層３１２は、スパッタ法、真空蒸着法等の各種成膜方法よって配設することが可能である。

続いて、図２７（ａ）に示すように、第４導体層３１１及び第５導体層３１２上にエッチングレジストＲ５を配設する。エッチングレジストＲ５は、例えばフォトリソグラフィによってパターニングすることが可能である。

続いて、図２７（ｂ）に示すように、エッチングレジストＲ５を利用して、第４導体層３１１及び第５導体層３１２をパターニングする。これにより、第４導体層３１１は中央部に第１保護層３０９が露出するように加工されて第６導体層３１３及び第７導体層３１４が形成され、第５導体層３１２は中央部に第２保護層３１０が露出するように加工されて第８導体層３１５及び第９導体層３１６が形成される。なお、第４導体層３１１から形成された導体層のうち、第６導体層３１３は第３導体層３０８に接続された導体層であり、第７導体層３１４は第３導体層３０８に接続されない導体層である。また、第５導体層３１２から形成された導体層のうち、第８導体層３１５は第２導体層３０７に接続された導体層であり、第９導体層３１６は第２導体層３０７に接続されない導体層である。パターニングは、ウェットエッチング、ドライエッチング、イオンミリング、ＣＭＰ等の各種パターニング方法によってすることができる。

続いて、図２７（ｃ）に示すように、エッチングレジストＲ５を除去する。エッチングレジストＲ５の除去は、例えばウェットエッチングによってすることができる。

図３０（ａ）は、コンデンサ構造体における、各導体層の配置を示す斜視図である。同図に示すように、第６導体層３１３は隣接するコンデンサ１００の第６導体層３１３と連続して形成され、第７導体層３１４は隣接するコンデンサ１００の第７導体層３１４と連続して形成されるものとすることができる。また、隣接するコンデンサ１００の間で第６導体層３１３と第７導体層３１４は連続して形成されるものとすることができる。第８導体層３１５及び第９導体層３１６の配置も第６導体層３１３及び第７導体層３１４と同様である。

続いて、図２８（ａ）、図３０（ａ）及び図３０（ｂ）に示すように、コンデンサ構造体をコンデンサ１００毎に分割する。分割は例えばダイシングやレーザースクライブによってすることができる。この分割によって分割断面に第３内部導体３０６が露出する（図１６参照）。図３０（ｂ）は、四つに分割されたコンデンサ構造体を示す斜視図である。同図に示すように、金属酸化物３０２、第６導体層３１３、第７導体層３１４、第８導体層３１５及び第９導体層３１６が切断され、構造体が分割されるものとすることができる。

続いて、図２８（ｂ）に示すように、第１外部電極３１７及び第２外部電極３１８を配設する。第１外部電極３１７及び第２外部電極３１８は、構造体に電解メッキを施すことにより形成することが可能である。具体的には、第６導体層３１３、第９導体層３１６及びこれらを接続する第３内部導体３０６を電解メッキの給電体として、第１外部電極３１７が形成され、第７導体層３１４、第８導体層３１５及びこれらを接続する第３内部導体３０６を電解メッキの給電体として、第２外部電極３１８が形成される。

上述した分割工程における分割断面に第３内部導体３０６が露出しているため、この露出する第３内部導体３０６を電解メッキの給電体として利用することにより、当該分割断面にも第１外部電極３１７及び第２外部電極３１８を配設することが可能である。

コンデンサ１００は以上のようにして製造することが可能である。なお、金属酸化物３０２は誘電体層１０１に、第１内部導体３０４は第１内部電極１０２に、第２内部導体３０５は第２内部電極１０３にそれぞれ対応する。第３導体層３０８は第１導体層１０４に、第２導体層３０７は第２導体層１０５に、第１保護層３０９は第１保護層１０７に、第２保護層３１０は第２保護層１０８にそれぞれ対応する。

また、第６導体層３１３は第１外電用電極層１１０に、第８導体層３１５は第２外電用電極層１１１に、第７導体層３１４は第３外電用電極層１１２に、第９導体層３１６は第４外電用電極層１１３にそれぞれ対応する。第１外部電極３１７は第１外部電極１１４に、第２外部電極３１８は第２外部電極１１５にそれぞれ対応する。貫通穴全体に充填された絶縁性材料Ｚは絶縁部１０６に、第１内部導体３０４又は第２内部導体３０５と共に貫通孔に充填された絶縁性材料Ｚは絶縁部１０２ａ又は絶縁部１０３ａにそれぞれ対応する。

上述したコンデンサ１００の製造工程のうち、コンデンサ構造体の分割後に必要な工程は、電解メッキ工程のみであり、電解メッキ工程においては構造体の表裏面のいずれかが給電端子に接触していればよいため、構造体の位置合わせが不要である。即ち、この製造方法によれば、個片化したコンデンサの位置合わせ等の困難性の伴なう工程を要することなく、コンデンサ１００を製造することが可能である。さらに、電解メッキを利用することにより、第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５をスパッタにより形成する場合に比較して工程数の削減が可能である。

[変形例]
誘電体層１０１における、容量領域１０１ｅ、絶縁領域１０１ｆ及び導通領域１０１ｇの配置は上述のものに限られない。図３１は、変形例に係る各領域の配置を示す誘電体層１０１の平面図である。同図に示すように、容量領域１０１ｅと導通領域１０１ｇの間には絶縁領域１０１ｆが設けられないものとすることも可能である。

一方で、容量領域１０１ｅと導通領域１０１ｇの間に絶縁領域１０１ｆを設けない場合、容量領域１０１ｅと導通領域１０１ｇが隣接するため、第１導体層１０４と第２導体層１０５を高精度に配設する必要がある。第１導体層１０４及び第２導体層１０５のパターニング精度が低いと、これらが導通領域１０１ｇにはみ出し、貫通導電部１０９と接触して短絡するおそれがある。このため、容量領域１０１ｅと導通領域１０１ｇの間に絶縁領域１０１ｆを設けた方が、絶縁信頼性を向上させる上で好適である。

また、貫通導電部１０９は、第１外電用電極層１１０及び第４外電用電極層１１３又は第２外電用電極層１１１及び第３外電用電極層１１２に接続されるものとしたが、貫通導電部１０９の全てがこれらの外電用電極層に接続されていなくてもよい。貫通導電部１０９のうち、少なくとも誘電体層１０１の側面１０１ｄに露出するものが外電用電極層に接続されていれば、電解メッキによる第１外部電極１１４及び第２外部電極１１５の形成が可能だからである。

また、外部電極は図２に示すように外電用電極層の全面に形成される必要はなく、外電用電極層の一部に外部電極が形成されていてもよい。

１００…コンデンサ
１０１…誘電体層
１０２…第１内部電極
１０３…第２内部電極
１０４…第１導体層
１０５…第２導体層
１０６…絶縁部
１０７…第１保護層
１０８…第２保護層
１０９…貫通導電部
１１０…第１外電用電極層
１１１…第２外電用電極層
１１２…第３外電用電極層
１１３…第４外電用電極層
１１４…第１外部電極
１１５…第２外部電極

Claims

誘電性材料からなり、第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面と、側面とを有し、前記第１の主面と前記第２の主面に連通する複数の貫通孔とを備え、前記複数の貫通孔の一部を含み前記側面から離間する容量領域と、前記複数の貫通孔の一部を含み前記側面を含む導通領域とを有する誘電体層と、
導電性材料からなり、前記第１の主面に配設された第１の導体層と、
導電性材料からなり、前記第２の主面に配設された第２の導体層と、
導電性材料からなり、前記容量領域において前記複数の貫通孔内に形成され、前記第１の導体層に接続された第１の内部電極と、
導電性材料からなり、前記容量領域において前記複数の貫通孔内に形成され、前記第２の導体層に接続された第２の内部電極と、
導電性材料からなり、前記第１の主面に配設され、前記第１の導体層に接続された第１の外電用電極層と、
導電性材料からなり、前記第２の主面に配設され、前記第２の導体層に接続された第２の外電用電極層と、
金属メッキからなり、前記第１の外電用電極層上及び前記誘電体層の側面に配設された第１の外部電極と、
金属メッキからなり、前記第２の外電用電極層上及び前記誘電体層の側面に配設された第２の外部電極と、
導電性材料からなり、前記導通領域において前記複数の貫通孔内に形成され、前記誘電体層の側面において一部が露出する貫通導電部と
を具備するコンデンサ。
請求項１に記載のコンデンサであって、
前記誘電体層は、前記容量領域と前記導通領域の間に設けられ、前記複数の貫通孔の一部を含む絶縁領域をさらに備え、
前記コンデンサは、前記絶縁領域において前記複数の貫通孔に形成された、空隙又は絶縁性材料からなる絶縁部
をさらに具備するコンデンサ。
請求項１に記載のコンデンサであって、
導電性材料からなり、前記第１の主面に配設され、前記貫通導電部を介して前記第２の外電用電極層に電気的に接続された第３の外電用電極層と、
導電性材料からなり、前記第２の主面に配設され、前記貫通導電部を介して前記第１の外電用電極層に電気的に接続された第４の外電用電極層と
をさらに具備するコンデンサ。
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコンデンサであって、
前記誘電体層は、酸化アルミニウムからなり、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂のいずれかの材料を含み、前記第１の導体層を被覆する第１の保護層と、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂のいずれかの材料を含み、前記第２の導体層を被覆する第２の保護層と
をさらに具備するコンデンサ。