JP2013251869A - 入力バッファ回路及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
入力信号をゲートで受けるトランジスタ11は、ドレインまたはソースがバックゲートに接続されている。電圧変更部16は、トランジスタ11のゲートと、ドレインまたはソース間の電位差が、トランジスタ11の耐圧電圧以下になるように、ドレインまたはソースに印加される電圧を、入力信号の電位レベルの変化に応じて変更する。
【選択図】図1
Description
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態の入力バッファ回路の一例を示す図である。
図1に示されている入力バッファ回路10の例では、トランジスタ11〜13は、nチャネル型MOSFETである。
また、トランジスタ12のゲートにはゲート電圧として、たとえば、電源電圧VDD2が印加される。トランジスタ13のゲートにはゲート電圧として、バイアス電圧BIASが印加される。これらのゲート電圧により、トランジスタ12,13はオン状態となる。
インバータ回路14,15は、それぞれ、pチャネル型MOSFETであるトランジスタ14a,15aと、nチャネル型MOSFETであるトランジスタ14b,15bを有しており、CMOS(Complementary MOS)構造となっている。インバータ回路14,15は電源電圧VDD1で駆動される。図1の例では、後段のインバータ回路15が出力端子OUTに接続されている。
図2は、第2の実施の形態の入力バッファ回路の一例を示す図である。
図1に示した入力バッファ回路10と同様の要素については同一符号を付している。
図2の電圧変更部20の例では、トランジスタ21は、nチャネル型MOSFETであり、トランジスタ22は、pチャネル型MOSFETである。
Vn2=Vin−Vthn1(ただし、Vn2≦Vn1(ノードn1の電圧)) (1)
また、トランジスタ21の閾値電圧をVthn2、トランジスタ22の閾値電圧をVthp1とすると、ノードn1の電圧Vn1は、以下の式で表せる。
VDD2−Vthp1≧Vn2のとき、Vn1=VDD2 (2)
VDD2−Vthp1<Vn2のとき、Vn1=VDD3−Vthn2 (3)
また、Vthp≒Vthn1とすると、Vin≦VDD2のとき、電圧Vn1,Vn2は以下のようになる。
Vn1=VDD2 (4)
Vn2=Vin−Vthn1(≦VDD2) (5)
Vin>VDD2のとき、電圧Vn1,Vn2は以下のようになる。
Vn1=VDD3−Vthn2 (6)
Vn2=Vn1−Vthn1 (7)
そのため、VDD2−Vthn1≦Vn2≦VDD3−Vthn2となる。
回路内のトランジスタ11〜13,14a,14b,15a,15b,21,22,31は、1.8Vトランジスタ(耐圧電圧が2Vまで)であるものとする。また、電源電圧VDD1=1.0V、電源電圧VDD2=1.8V、電源電圧VDD3=3.3Vとする。また、トランジスタ22のサイズは、トランジスタ21のサイズよりも十分大きいものとする。また、各トランジスタの閾値電圧は、たとえば、0.1V程度などとする。
図3では、入力バッファ回路50の入力信号の電圧Vinとノードn1,n2の電圧Vn1,Vn2の電圧波形が示されている。図4では、電圧Vinとノードn3(トランジスタ12のソースとトランジスタ13のドレイン間のノード)の電圧Vn3の電圧波形が示されている。
上記のような入力バッファ回路は、たとえば、以下のような半導体装置に適用される。
図5は、半導体装置の一例を示す図である。
入力バッファ回路62は、図1や図2に示したような回路である。
以上、実施の形態に基づき、本発明の入力バッファ回路及び半導体装置の一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。
11〜13,14a,14b,15a,15b トランジスタ
14,15 インバータ回路
16 電圧変更部
GND 基準電源線
IN 入力端子
OUT 出力端子
Claims (10)
- 入力信号を第1のゲートで受け、第1のドレインまたは第1のソースが第1のバックゲートに接続された第1のトランジスタと、
前記第1のゲートと前記第1のドレインまたは前記第1のソース間の電位差が、前記第1のトランジスタの耐圧電圧以下になるように、前記第1のドレインまたは前記第1のソースに印加される電圧を、前記入力信号の電位レベルの変化に応じて変更する電圧変更部と、
を有する入力バッファ回路。 - 前記第1のトランジスタは、nチャネル型であり、
前記第1のソースに第2のドレインが接続され、第2のバックゲートが第2のソースに接続されたnチャネル型の第2のトランジスタと、
前記第2のソースに第3のドレインが接続され、第3のソース及び第3のバックゲートに基準電源線が接続された第3のトランジスタと、を更に有し、
前記第2のトランジスタの第2のゲート及び前記第3のトランジスタの第3のゲートには、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタの耐圧電圧以下で、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタをオン状態にする電圧が印加され、
前記第2のソースと前記第3のドレイン間のノードが、後段の回路部に接続されている、請求項1記載の入力バッファ回路。 - 前記電圧変更部は、nチャネル型の第4のトランジスタと、pチャネル型の第5のトランジスタを有し、
前記第4のトランジスタにおいて、第4のドレイン及び第4のゲートには、前記第4のトランジスタをオン状態にする第1の電圧が印加され、第4のソースは第4のバックゲート及び前記第1のドレインに接続され、
前記第5のトランジスタにおいて、第5のソース及び第5のバックゲートには、前記第1の電圧よりも小さい第2の電圧が印加され、第5のゲートは前記第1のバックゲート及び前記第1のソースに接続され、第5のドレインは前記第1のドレインに接続されている、
請求項2記載の入力バッファ回路。 - 前記第5のトランジスタのサイズは、前記第4のトランジスタのサイズよりも大きい、請求項3記載の入力バッファ回路。
- 前記第4のトランジスタと前記第5のトランジスタの両方がオンしたとき、前記第1のドレインの電位が前記第2の電圧に相当する電位に等しくなる、請求項3または4記載の入力バッファ回路。
- 内部回路と、
前記内部回路に対して外部から入力される入力信号を第1のゲートで受け、第1のドレインまたは第1のソースが第1のバックゲートに接続された第1のトランジスタと、前記第1のゲートと前記第1のドレインまたは前記第1のソース間の電位差が、前記第1のトランジスタの耐圧電圧以下になるように、前記第1のドレインまたは前記第1のソースに印加される電圧を、前記入力信号の電位レベルの変化に応じて変更する電圧変更部と、を有する入力バッファ回路と、
を有する半導体装置。 - 前記第1のトランジスタは、nチャネル型であり、
前記第1のソースに第2のドレインが接続され、第2のバックゲートが第2のソースに接続されたnチャネル型の第2のトランジスタと、
前記第2のソースに第3のドレインが接続され、第3のソース及び第3のバックゲートに基準電源線が接続された第3のトランジスタと、を更に有し、
前記第2のトランジスタの第2のゲート及び前記第3のトランジスタの第3のゲートには、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタの耐圧電圧以下で、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタをオン状態にする電圧が印加され、
前記第2のソースと前記第3のドレイン間のノードが、後段の回路部に接続されている、請求項6記載の半導体装置。 - 前記電圧変更部は、nチャネル型の第4のトランジスタと、pチャネル型の第5のトランジスタを有し、
前記第4のトランジスタにおいて、第4のドレイン及び第4のゲートには、前記第4のトランジスタをオン状態にする第1の電圧が印加され、第4のソースは第4のバックゲート及び前記第1のドレインに接続され、
前記第5のトランジスタにおいて、第5のソース及び第5のバックゲートには、前記第1の電圧よりも小さい第2の電圧が印加され、第5のゲートは前記第1のバックゲート及び前記第1のソースに接続され、第5のドレインは前記第1のドレインに接続されている、
請求項7記載の半導体装置。 - 前記第5のトランジスタのサイズは、前記第4のトランジスタのサイズよりも大きい、請求項8記載の半導体装置。
- 前記第4のトランジスタと前記第5のトランジスタの両方がオンしたとき、前記第1のドレインの電位が前記第2の電圧に相当する電位に等しくなる、請求項8または9記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012127316A JP2013251869A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 入力バッファ回路及び半導体装置 |
US13/904,833 US20130321060A1 (en) | 2012-06-04 | 2013-05-29 | Input buffer circuit and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012127316A JP2013251869A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 入力バッファ回路及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013251869A true JP2013251869A (ja) | 2013-12-12 |
JP2013251869A5 JP2013251869A5 (ja) | 2015-04-09 |
Family
ID=49669471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012127316A Pending JP2013251869A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 入力バッファ回路及び半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130321060A1 (ja) |
JP (1) | JP2013251869A (ja) |
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2012
- 2012-06-04 JP JP2012127316A patent/JP2013251869A/ja active Pending
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2013
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20130321060A1 (en) | 2013-12-05 |
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