JP2013247367A - パターン化界面を有する発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】かかる発光素子は、複数の互いに異なる所定パターン構造からなるパターン化界面を含み;前記複数の所定パターン構造の各々は、重複して出現し、任意の二つの隣接する所定パターン構造は、互いに異なる。かかる製造方法は、基材を提供し;シミュレーションにより、ランダムパターン配列を生成し;前記ランダムパターン配列を有するマスクを前記基材に形成し;及び、一部の前記基材を除去し、前記基材の表面に前記ランダムパターン配列を持たせるステップを含む。
【選択図】図2A
Description
10、100、101:成長用基板;
1011、1012、2032:パターン化表面;
102、202:非ドープ型半導体層;
103、203:第一接触層;
104、204:第一クラッド層(第一束縛層);
105、205:活性層;
106、206:第二クラッド層(第二束縛層);
107、207:第二接触層;
108:電流拡散層;
109:第一電極;
110:第二電極;
20:パターン化フォトレジスト層;
208:反射層;
209:第一接合層;
301:キャリア;
302:第二接合層;
A(1、1)〜A(3、3)、A(x、y):パターン化領域;
ai:第一グループのパターン構造;
bi:第二グループのパターン構造;
BB’:切断線;
D:二つのパターン構造の幾何学的中心間の距離;
S:二つのパターン構造の境界間の最短距離。
Claims (20)
- 複数の互いに異なる所定パターン構造からなるパターン化界面を含む発光素子であって、
前記複数の所定パターン構造の各々は、重複して出現し、任意の二つの隣接する所定パターン構造は、互いに異なる、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記複数の互いに異なる所定パターン構造は、上面図における形状が同じ、特徴サイズが互いに異なる、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記複数の互いに異なる所定パターン構造の各々は、上面図における形状が正多角形又は円形である、発光素子。 - 請求項2に記載の発光素子であって、
前記上面図における形状の特徴サイズは、0.5μm乃至10μmの間にある、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
任意の二つの隣接する前記複数の互いに異なる所定パターン構造の幾何学的中心から幾何学的中心までの距離はほぼ同じであり、該二つの隣接するパターン構造の特徴サイズは互いに異なる、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記複数の互いに異なる所定パターン構造は、ほぼ円錐又は角錐である、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記パターン化界面は、第一領域と、該第一領域と隣接し且つそれと区別できる第二領域とを含み、前記第一領域は、一部の前記複数の互いに異なる所定パターン構造を含み、前記第二領域は、他の部分の前記複数の互いに異なる所定パターン構造を含む、発光素子。 - 請求項8に記載の発光素子であって、
前記パターン化界面は、交錯配列の複数の前記第一領域及び複数の前記第二領域を含み、前記複数の所定パターン構造は、前記複数の第一領域の各々及び/又は前記複数の第二領域の各々における配列が互いに異なる、発光素子。 - 請求項9に記載の発光素子であって、
前記複数の所定パターン構造は、前記複数の第一領域の各々及び/又は前記複数の第二領域の各々における配列が二次元アレーである、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
基板及びエピタキシャルスタック層を更に含み、
前記パターン化界面は、前記基板と前記エピタキシャルスタック層との間に形成される、発光素子。 - 請求項11に記載の発光素子であって、
前記基板及び前記エピタキシャルスタック層は、単結晶構造である、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
基板及びエピタキシャルスタック層を更に含み、
前記パターン化界面は、前記エピタキシャルスタック層の、前記基板から離れる表面に形成される、発光素子。 - 請求項13に記載の発光素子であって、
前記基板と前記エピタキシャルスタック層との間における接着層を更に含む、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記パターン化界面は、該パターン化界面において形成されている、高低が0.5μm以下である微細構造を更に含む、発光素子。 - 発光素子の製造方法であって、
基材を提供し;
シミュレーションにより、ランダムパターン配列を生成し;
前記ランダムパターン配列を有するマスクを前記基材に形成し;及び
一部の前記基材を除去し、前記基材の表面に前記ランダムパターン配列を持たせるステップを含む、製造方法。 - 請求項16に記載の製造方法であって、
前記シミュレーションは、モンテカルロ・シミュレーション(Monte-Carlo Simulation)を含む、製造方法。 - 請求項16に記載の製造方法であって、
前記マスクを除去するステップを更に含む、製造方法。 - 請求項16に記載の製造方法であって、
エピタキシャル成長により、エピタキシャルスタック層を前記基材に形成するステップを更に含む、製造方法。 - 請求項16に記載の製造方法であって、
前記ランダムパターン配列は、複数の互いに異なる所定パターン構造からなり、
前記複数の所定パターン構造の各々は、重複して出現し、任意の二つの隣接する所定パターン構造は、互いに異なる、製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101119052 | 2012-05-28 | ||
TW101119052A TWI539624B (zh) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | 具有圖形化界面之發光元件及其製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013247367A true JP2013247367A (ja) | 2013-12-09 |
JP2013247367A5 JP2013247367A5 (ja) | 2016-06-30 |
JP6161955B2 JP6161955B2 (ja) | 2017-07-12 |
Family
ID=49547145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013110474A Active JP6161955B2 (ja) | 2012-05-28 | 2013-05-27 | パターン化界面を有する発光素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9012942B2 (ja) |
JP (1) | JP6161955B2 (ja) |
KR (1) | KR101863714B1 (ja) |
CN (1) | CN103456854B (ja) |
DE (1) | DE102013105480B4 (ja) |
TW (1) | TWI539624B (ja) |
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- 2012-05-28 TW TW101119052A patent/TWI539624B/zh active
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- 2013-05-27 JP JP2013110474A patent/JP6161955B2/ja active Active
- 2013-05-28 US US13/903,169 patent/US9012942B2/en active Active
- 2013-05-28 KR KR1020130060298A patent/KR101863714B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-28 CN CN201310202914.1A patent/CN103456854B/zh active Active
- 2013-05-28 DE DE102013105480.3A patent/DE102013105480B4/de active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI539624B (zh) | 2016-06-21 |
US9012942B2 (en) | 2015-04-21 |
US20130313596A1 (en) | 2013-11-28 |
KR101863714B1 (ko) | 2018-06-01 |
DE102013105480B4 (de) | 2021-11-04 |
KR20130133142A (ko) | 2013-12-06 |
JP6161955B2 (ja) | 2017-07-12 |
CN103456854A (zh) | 2013-12-18 |
CN103456854B (zh) | 2018-06-29 |
DE102013105480A1 (de) | 2013-11-28 |
TW201349565A (zh) | 2013-12-01 |
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