JP2013246857A - 半導体記憶装置、車載機器、車両 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置10は、複数のメモリセルを含むメモリバンク11と、メモリバンク11からデータを読み出す際にアクセス対象のメモリセルMC1に流れる読出電流Imemと所定の参照電流Irefとを比較して出力データ信号DOUT1を生成するリード/ライトアンプ14と、を有し、リード/ライトアンプ14は、常時非選択状態のダミーメモリセル142cに流れるダミー寄生リーク電流Idmに応じて参照電流Irefの可変制御を行う。
【選択図】図6
Description
図1は、半導体記憶装置の一構成例を示すブロック図である。本構成例の半導体記憶装置10は、メモリバンク11と、メモリコントローラ12と、データレジスタ13と、リード/ライトアンプ14と、アドレスレジスタ15と、アドレスデコーダ16と、電源電圧検出部17と、高電圧生成部18とを有するSPI[serial peripheral interface]方式のシリアルEEPROMチップである。
[概略構成]
図2は、メモリバンク11及びリード/ライトアンプ14の概略構成を示すブロック図である。メモリバンク11は、x本のワードラインWL1〜WLxとy本のセンスラインSL1〜SLyを有し、(x×y)通りのアドレスADR(1,1)〜ADR(x,y)毎に任意のデータ(1バイト(=8ビット))を格納することができる。なお、シリアルデータ通信方式としてマイクロワイヤ方式を採用する場合には、1アドレスに2バイトのデータを格納する構成が主流である。
次に、メモリバンク11の内部構成について、詳細な説明を行う。図3は、メモリバンク11の一構成例を示す回路図である。図3に示すように、メモリバンク11には、ワードラインWL、センスラインSL、ビットラインBL、及び、共通ソースラインASGが張り巡らされており、これらの制御ラインには、メモリセルトランジスタMTとビット選択トランジスタSTから成るメモリセルMCが複数接続されている。
図6は、リード/ライトアンプ14の一構成例を示す回路図であり、特に、ビットラインBL1及びデータラインDL1に接続される構成要素が代表的に描写されている。先述した通り、リード/ライトアンプ14は、メモリバンク11からデータを読み出すためのセンスアンプシステムとして、プリチャージ電流生成部141と、参照電流生成部142と、センスアンプ部143と、スイッチ部144と、マルチプレクサ部145とを含む。
図10は半導体記憶装置10を搭載した車載機器の一構成例を示すブロック図である。本構成例の車載機器1は、半導体記憶装置10と、マイコン20と、表示部30と、ヒューマンインタフェイス部40と、電源部50と、を有する。
図11は、車載機器1を搭載した車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Xは、車載機器X11〜X17と、これらの車載機器X11〜X17に電力を供給するバッテリ(図11では不図示)と、を搭載している。
なお、上記の実施形態では、高温動作保証が要求される車載用の不揮発性メモリICに本発明を適用した構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、大容量化が要求される汎用の不揮発性メモリICなどにも広く適用することが可能である。
2 バッテリ
10 半導体記憶装置
11 メモリバンク
12 メモリコントローラ
13 データレジスタ
14 リード/ライトアンプ
141 プリチャージ電流生成部
141a Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
142 参照電流生成部
142a 定電流源
142b 可変電流源
142c ダミーメモリセル
143 センスアンプ部
143a センスアンプ
144 スイッチ部
144a、144b Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
144c インバータ
145(1H/1L、2H/2L、…、yH/yL) マルチプレクサ部
145a、145b Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
15 アドレスレジスタ
16 アドレスデコーダ
17 電源電圧検出部
18 高電圧生成部
20 マイコン
30 表示部
40 ヒューマンインタフェイス部
50 電源部
VCC 電源端子
SCK クロック端子
CSB チップセレクト端子(ローアクティブ)
SI データ入力端子
SO データ出力端子
GND 接地端子
WL ワードライン
CL コントロールライン
SL、DSL センスライン
BL、DBL ビットライン
ASG 共通ソースライン
MC、DMC メモリセル
ST、DST ビット選択トランジスタ
MT、DMT メモリセルトランジスタ
BT、DBT バイト選択トランジスタ
CT 共通トランジスタ
DS、DM ドレイン
SS、SM ソース
G ゲート
CG コントロールゲート
FG フローティングゲート
X 車両
X11〜X17 車載機器
Claims (11)
- 複数のメモリセルを含むメモリバンクと、
前記メモリバンクからデータを読み出す際にアクセス対象のメモリセルに流れる読出電流と所定の参照電流とを比較して出力データ信号を生成するリード/ライトアンプと、
を有し、
前記リード/ライトアンプは、常時非選択状態のダミーメモリセルに流れるダミー寄生リーク電流に応じて前記参照電流の可変制御を行うことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記リード/ライトアンプは、
アクセス対象のメモリセルが選択される前に当該メモリセルが接続されるビットラインにプリチャージ電流を供給するプリチャージ電流生成部と、
前記ダミー寄生リーク電流に応じて前記参照電流の可変制御を行う参照電流生成部と、
アクセス対象のメモリセルに流れる前記読出電流と可変制御済みの前記参照電流とを比較して前記出力データ信号を生成するセンスアンプ部と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記参照電流生成部は、
一定値の第1参照電流を生成する定電流源と、
前記ダミー寄生電流に応じた第2参照電流を生成する可変電流源と、
を含み、前記第1参照電流と前記第2参照電流の和を前記参照電流として出力することを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記可変電流源は、前記ダミー寄生電流をミラーして前記第2参照電流を生成するカレントミラーを含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記ダミーメモリセルは、前記メモリバンクのメモリセルと同一の構造を有することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記ダミーメモリセルは、前記メモリバンクのメモリセルに隣接して配置されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 前記リード/ライトアンプは、前記メモリバンクに複数設けられたビットラインの一つを選択して前記センスアンプ部に繋がるデータラインに接続するマルチプレクサをさらに含むことを特徴とする請求項2〜請求項6のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記リード/ライトアンプは、前記センスアンプ部と前記データラインとの間を導通/遮断するスイッチ部をさらに有することを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置。
- 前記データラインは、複数設けられており、
前記センスアンプ部は、前記複数のデータライン毎に前記出力データ信号を生成して並列に出力することを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 車載機器の動作を統括的に制御するマイコンと、
前記マイコンで実行される各種プログラムの格納領域や作業領域として利用される請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載の半導体記憶装置と、
前記マイコンによって制御される被制御機器と、
バッテリの供給電圧から電源電圧を生成して前記車載機器の各部に供給する電源部と、
を有することを特徴とする車載機器。 - 請求項10に記載の車載機器と、
前記車載機器に電力を供給するバッテリと、
を有することを特徴とする車両。
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JP2013214342A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Rohm Co Ltd | 半導体記憶装置、車載機器、車両 |
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