JP2013242216A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 試料を荷電粒子で走査し、試料から生じる二次荷電粒子または反射荷電粒子を検出することで検出画像を作成し、検出画像に撮像されたパターンを計測するパターン計測装置であって、
   試料の略同一場所で互いに撮像条件が異なる複数の検出画像を取得する画像取得部と、
   前記複数の検出画像から複数のパターン輪郭を抽出する輪郭抽出部と、
   前記複数のパターン輪郭を組み合わせて計測対象輪郭を再構成する輪郭再構成部と、
   前記再構成した計測対象輪郭を用いて計測を行う輪郭計測部と、
   を備えることを特徴とするパターン計測装置。
2. 請求項１に記載のパターン計測装置において、
   前記複数の検出画像に共通して撮像されたパターンを用いて撮像位置ずれを検出する位置ずれ検出部を備え、
   前記輪郭再構成部は、前記撮像位置ずれを反映させて計測対象輪郭を再構成することを特徴とするパターン計測装置。
3. 請求項２に記載のパターン計測装置において、
   前記位置ずれ検出部では、撮像位置ずれの検出に計測対象パターンとは異なるパターンを用いることを特徴とするパターン計測装置。
4. 請求項１に記載のパターン計測装置において、
   前記複数の検出画像の撮像位置ずれを補正した複数の画像を一つの画像データとして保存することを特徴とするパターン計測装置。
5. 請求項１に記載のパターン計測装置において、
   計測対象試料が複数の層で構成され、
   計測対象パターンが複数であって、互いに異なる層に属するパターンを少なくとも一つ含むことを特徴とするパターン計測装置。
6. 請求項１に記載のパターン計測装置において、
   前記輪郭再構成部は、少なくとも一つの画像から抽出したパターン輪郭には複数のパターン輪郭が含まれていることを特徴とするパターン計測装置。
7. 請求項１に記載のパターン計測装置において、
   前記試料の略同一場所で取得した複数の検出画像から抽出したパターン輪郭を同時に表示するインターフェイスを有し、
   前記インターフェイスは、輪郭再構成方法設定部を有することを特徴とするパターン計測装置。
8. 試料を荷電粒子で走査し、試料から生じる二次荷電粒子または反射荷電粒子を検出することで検出画像を作成し、検出画像に撮像されたパターンを計測するパターン計測装置であって、
   試料の略同一場所で互いに検出条件が異なる複数の検出画像を取得する画像取得部と、
   前記複数の検出画像から複数のパターン輪郭を抽出する輪郭抽出部と、
   前記複数のパターン輪郭を組み合わせて計測対象輪郭を再構成する輪郭再構成部と、
   前記再構成した計測対象輪郭を用いて計測を行う輪郭計測部と、
   を備えることを特徴とするパターン計測装置。
9. 請求項８に記載のパターン計測装置において、
   計測対象試料が複数の層で構成され、
   計測対象パターンが複数であって、互いに異なる層に属するパターンを少なくとも一つ含むことを特徴とするパターン計測装置。
10. 請求項８に記載のパターン計測装置において、
    前記輪郭再構成部は、少なくとも一つの画像から抽出したパターン輪郭には複数のパターン輪郭が含まれていることを特徴とするパターン計測装置。
11. 試料を荷電粒子で走査し、試料から生じる二次荷電粒子または反射荷電粒子を検出することで検出画像を作成し、検出画像に撮像されたパターンを計測するパターン計測方法であって、
    試料の略同一場所で互いに撮像条件が異なる複数の検出画像を取得する工程と、
    前記複数の検出画像から複数のパターン輪郭を抽出する工程と、
    前記複数のパターン輪郭を組み合わせて計測対象輪郭を再構成する工程と、
    前記計測対象輪郭を用いて計測を行う工程と、
    を備えることを特徴とするパターン計測方法。
12. 請求項１１に記載のパターン計測方法において、
    前記複数の検出画像に共通して撮像されるパターンを用いて撮像位置ずれを検出する工程を備え、
    前記計測対象輪郭を再構成する工程は、前記撮像位置ずれを反映させて計測対象輪郭を再構成することを特徴とするパターン計測方法。
13. 請求項１２に記載のパターン計測方法において、更に、
    計測値が正常であるか異常であるかを判定する工程と、
    異常と判定された場合には、撮像位置ずれの検出を再度行う工程を備え、
    前記計測対象輪郭を再構成する工程は、前記再検出した撮像位置ずれを反映させて計測対象輪郭を再構成することを特徴とするパターン計測方法。
14. 請求項１１に記載のパターン計測方法において、更に、
    抽出した複数の輪郭を比較し判定する工程を備え、
    同じ輪郭を選んだと判定された場合には、前記パターン輪郭の抽出を行う工程において、パターン輪郭の抽出を再度行うことを特徴とするパターン計測方法。
15. 試料を荷電粒子で走査し、試料から生じる二次荷電粒子または反射荷電粒子を検出することで検出画像を作成し、検出画像に撮像されたパターンを計測するパターン計測方法であって、
    試料の略同一場所で互いに検出条件が異なる複数の検出画像を取得する工程と、
    前記複数の検出画像から複数のパターン輪郭を抽出する工程と、
    前記複数のパターン輪郭を組み合わせて計測対象輪郭を再構成する工程と、
    前記計測対象輪郭を用いて計測を行う工程と、
    を備えることを特徴とするパターン計測方法。
16. 荷電粒子線装置で得られた検出画像に撮像されたパターンの計測をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
    試料の略同一場所で互いに撮像条件が異なる複数の検出画像を読み込むステップと、
    前記複数の検出画像から複数のパターン輪郭を抽出するステップと、
    前記複数のパターン輪郭を組み合わせて計測対象輪郭を再構成するステップと、
    前記計測対象輪郭を用いて計測を行うステップと、
    を備えることを特徴とするパターン計測プログラム。
17. 請求項１６に記載のパターン計測プログラムにおいて、
    前記複数の検出画像に共通して撮像されるパターンを用いて撮像位置ずれを検出するステップを備え、
    前記計測対象輪郭を再構成するステップは、前記撮像位置ずれを反映させて計測対象輪郭を再構成することを特徴とするパターン計測プログラム。