JP2013239575A - 載置台、及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】載置台は、基台、導線、被接続部、及びスペーサを備えている。
【解決手段】基台１６には、貫通孔１６ａが形成されている。導線７２は、基台１６の貫通孔１６ａに通されている。被接続部は、基台１６上に設けられており、導線７２に電気的に接続されている。スペーサは、絶縁性を有しており、貫通孔１６ａ内において導線７２に取り付けられている。スペーサは、貫通孔１６ａの延在方向に直交する方向において当該貫通孔１６ａの幅よりも小さい幅を有しており、貫通孔１６ａに収容されている導線７２の長さよりも短い長さを有している。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、載置台、及びプラズマ処理装置に関するものである。

プラズマ処理装置は、減圧可能な処理容器内において被処理基体を支持するための載置台を有している。載置台は、被処理基体の温度を制御する機能、及び、被処理基体を吸着保持するための静電チャックといった種々の機能及び要素を有している。このような載置台の一例は、特許文献１に記載されている。

特許文献１に記載された載置台は、基台、及び、当該基台上に設けられた静電チャックを有している。静電チャックは、絶縁層内に設けられた給電層を有している。基台は導電性を有しており、当該基台には貫通孔が形成されている。この貫通孔には、セラミック製の筒状の碍子が設けられている。碍子は、貫通孔を画成する全内壁面に沿うように設けられている。この碍子内には給電層に電力を供給するための電極ロッドが嵌入されている。

特開２００７−２６６３４２号公報

基台上に設けられた静電チャックのような被接続部に対して電極ロッドを接続するためには貫通孔を基台に形成することは必要であるが、特許文献１に記載されたプラズマ処理装置の載置台のような従来の載置台では、貫通孔の全内壁面を覆うように碍子を設けているので、貫通孔の径は必然的に大きくなる。これにより、静電チャックにおいては貫通孔の上方に他の領域とは熱伝導率が異なる大きな領域が生じる。その結果、従来のプラズマ処理装置では、被処理基体の全領域にわたる均一な温度制御が困難となることがある。

したがって、本技術分野においては、貫通孔のサイズを小さくすることが可能な配線構造を有する載置台が要請されている。

本発明の一側面に係る載置台は、基台、導線、被接続部、及びスペーサを備えている。基台には、貫通孔が形成されている。導線は、基台の貫通孔に通されている。被接続部は、基台上に設けられており、導線に電気的に接続されている。スペーサは、絶縁性を有しており、貫通孔内において導電に取り付けられている。スペーサは、貫通孔の延在方向に直交する方向において当該貫通孔の幅よりも小さい幅を有しており、貫通孔に収容されている導線の長さよりも短い長さを有している。

この載置台では、給電層に電気的に接続する導線が貫通孔内に設けられている。本載置台では、従来の載置台が有する碍子、即ち、貫通孔の全内壁面を覆う碍子が省略されており、基台と導線との間の絶縁を確保するために、スペーサが導線に取り付けられている。このスペーサは、貫通孔の幅より小さい幅を有し、貫通孔の長さよりも短い長さを有している。したがって、スペーサは、従来の碍子に比べて相当に小さいサイズを有している。かかるスペーサを用いることにより、本載置台では、基台に設けられた貫通孔のサイズを小さくすることが可能となる。なお、一実施形態では、貫通孔内に収容されている導線に複数のスペーサが取り付けられていてもよい。

一実施形態では、スペーサは、導線を囲む筒状部、即ち、導線を、その長さの一部において覆う筒状部と、筒状部の延在方向に交差する方向に当該筒状部から延びる突出部と、を有していてもよい。かかる突出部により、導線と基台との接触がより確実に防止され得る。

一実施形態では、載置台は、貫通孔の内部に埋め込まれた絶縁性の充填材料を更に備え、スペーサは、充填材料を通すための空間を画成していてもよい。この実施形態によれば、充填材料が、確実且つ容易に貫通孔内に充填され、基台と導線との間のより確実な絶縁が確保され得る。

一実施形態では、被接続部は、載置台上に設けられた静電チャックであってもよい。静電チャックは、絶縁層と、当該絶縁層内に設けられた給電層と、を有する。この実施形態では、導線は、静電チャックの給電層に電気的に接続される。なお、別の実施形態では、被接続部は、載置台に設けられた熱電対といった温度センサ、又は、ヒータであってもよい。

一実施形態では、載置台は、導線の一端に取り付けられた端子部材を更に備え、給電層は、端子部材と結合される端子部を有し得る。この実施形態において、静電チャックの絶縁層には、貫通孔に連続する凹部が設けられており、端子部材と端子部との結合部分が、当該凹部内に収容される。即ち、この実施形態では、端子部材と端子部との結合部分は、熱膨張率の小さな絶縁層に設けた凹部の中に収容される。したがって、この実施形態によれば、基台の熱膨張率と静電チャックの絶縁層の熱膨張率の差によって生じて端子部材と端子部との結合部分に加わる応力を低減することができる。その結果、端子部材と端子部との結合の信頼性が高められ得る。

一実施形態では、端子部材は板金製の部材であり、凹部に収容され且つ端子部と結合されるベース部と、導線の一端を保持する保持部とを含み得る。この実施形態では、保持部の一端は、ベース部に対して該保持部が揺動可能なように、該ベース部に支持されており、端子部材は、保持部が基台の中心から離れる方向に揺動可能なように配置され得る。この実施形態では、基台の熱膨張により応力が発生すると、保持部がベース部に支持された一端を支点として倒れ、これにより、端子部材と端子部との結合部分に生じる応力が緩和する。したがって、この実施形態によれば、端子部材と端子部との結合の信頼性をより高めることができる。

一実施形態では、載置台は、導線の他端に取り付けられた端子部材と、当該端子部材を保持する保持部材を更に備え得る。この実施形態では、基台は、下方を向いた面を有し、基台の当該面に保持部材が当接する。導線の他端に取り付けられた端子部材には、例えば、導電ロッドの先端が上方へ付勢されつつ突き当てられる。このときに発生する力は、導線の一端に取り付けられた端子部材と端子部との結合部分に及ぶことなく、保持部材が当接している基台の面が受ける。したがって、この実施形態によれば、端子部材と端子部との結合の信頼性をより高めることができる。

一実施形態では、貫通孔内において収容されている導線の長さは、当該貫通孔の長さよりも長くてもよい。即ち、一実施形態では、貫通孔内に収容された導線は、その少なくとも一部が曲線状に延在するように、たわんでいる。この実施形態によれば、端子部材と端子部との結合部分に加わる応力をより低減することが可能である。

また、本発明の別の側面に係るプラズマ処理装置は、処理容器と、上述した側面又は種々の実施形態の何れかの載置台であり処理容器内に設けられた載置台と、処理容器内に処理ガスを供給する手段と、処理容器内において処理ガスのプラズマを生成する手段と、を備える。本プラズマ処理装置によれば、静電チャックにおいて貫通孔の上方に生じる熱伝導率の異なる領域の大きさを小さくすることができる。その結果、静電チャックの上面の温度のバラツキが低減され、ひいては被処理基体に対する処理のバラツキが低減され得る。

以上説明したように、本発明の種々の側面及び実施形態によれば、導線を通すための貫通孔のサイズを小さくすることができる配線構造を有する載置台、及び、当該載置台を備えるプラズマ処理装置が提供される。

一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一実施形態に係る載置台の配線構造を示す断面図である。 一実施形態に係るスペーサを示す斜視図である。 導線の一端及び他端にそれぞれ取り付けられた一実施形態の端子部材を破断して示す図である。 別の実施形態の端子部材を示す斜視図である。 別の実施形態に係るスペーサを示す斜視図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１では、一実施形態に係るプラズマ処理装置の断面が示されている。図１に示すプラズマ処理装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置である。

プラズマ処理装置１０は、処理容器１２及び載置台１４を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部に処理空間Ｓを画成している。処理容器１２の側壁には、被処理基体（基板）Ｗの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。プラズマ処理装置１０は、この処理容器１２内に、載置台１４を備えている。載置台１４は、処理空間Ｓの下方に設けられている。この載置台１４は、基台１６及び静電チャック１８を有している。基台１６は、略円板形状を有しており、導電性を有している。基台１６は、例えばアルミニウム製であり、下部電極を構成している。

一実施形態においては、基台１６は、静電チャック１８の熱を吸熱して、静電チャック１８を冷却する機能を有する。具体的に、基台１６の内部には、冷媒流路１６ｐが形成されており、冷媒流路１６ｐには、冷媒入口配管、冷媒出口配管が接続され得る。載置台１４は、冷媒流路１６ｐの中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、基台１６及び静電チャック１８を所定の温度に制御可能な構成とされている。

一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、筒状保持部２０及び筒状支持部２２を更に備えている。筒状保持部２０は、基台１６の側面及び底面の縁部に接して、当該基台１６を保持している。筒状支持部２２は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部２０を介して基台１６を支持している。プラズマ処理装置１０は、この筒状保持部２０の上面に載置されるフォーカスリングＦＲを更に備え得る。フォーカスリングＦＲは、例えば、シリコン又は石英から構成され得る。

一実施形態においては、処理容器１２の側壁と筒状支持部２２との間には、排気路２４が設けられている。排気路２４の入口又はその途中には、バッフル板２５が取り付けられている。また、排気路２４の底部には、排気口２６ａが設けられている。排気口２６ａは、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２６によって画成されている。この排気管２６には、排気装置２８が接続されている。排気装置２８は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。

基台１６には、プラズマ生成用の高周波電源３２が整合器３４を介して電気的に接続されている。一実施形態においては、高周波電源３２は、イオン引き込み用の所定の高周波数（例えば、２ＭＨｚ〜２７ＭＨｚ）の高周波電力を下部電極、即ち、基台１６に印加する。

プラズマ処理装置１０は、更に、処理容器１２内にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含んでいる。

電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、上部電極を構成している。電極板４０には、高周波電源３５が整合器３６を介して電気的に接続されている。高周波電源３５は、一実施形態においては、プラズマ生成用の所定の高周波数（例えば、２７ＭＨｚ以上）の高周波電力を電極板４０に印加する。高周波電源３５によって電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、基台１６と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成され、プラズマが励起される。したがって、一実施形態においては、基台１６、電極板４０、及び高周波電源３２は、一実施形態に係るプラズマを生成する手段の一部を構成している。

電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されている。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。プラズマ処理装置１０は、ガス供給部４４を更に備えており、バッファ室４２ａのガス導入口４２ｂにはガス供給導管４６を介してガス供給部４４が接続されている。ガス供給部４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。ガス供給部４４は、例えば、フルオロカーボン系のエッチングガス等を供給し得る。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。したがって、ガス供給部４４から供給されるガスは、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。なお、シャワーヘッド３８及びガス供給部４４は、一実施形態に係る処理ガスを供給する手段を構成している。

一実施形態においては、処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。

プラズマ処理装置１０では、基台１６の上面に静電チャック１８が設けられている。静電チャック１８は、略円板状の部材であり、絶縁層１８ａ、及び給電層１８ｂを有している。絶縁層１８ａはセラミック等の絶縁体により形成される膜であり、給電層１８ｂは、絶縁層１８ａの内層として形成された導電性の膜である。給電層１８ｂには、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から給電層１８ｂに直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理基体Ｗが静電チャック１８上に吸着保持される。

一実施形態においては、静電チャック１８の内部には、加熱素子であるヒータＨＴが埋め込まれていてもよい。この実施形態では、静電チャック１８は、ヒータＨＴにより、被処理基体Ｗを所定温度に加熱できるように構成されている。このヒータＨＴは、配線を介してヒータ電源ＨＰに接続されている。

一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、ガス供給ライン５８及び６０、並びに、伝熱ガス供給部６２及び６４を更に備えている。伝熱ガス供給部６２は、ガス供給ライン５８に接続されている。このガス供給ライン５８は、静電チャック１８の上面まで延びて、当該上面の中央部分において環状に延在している。伝熱ガス供給部６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック１８の上面と被処理基体Ｗとの間に供給する。また、伝熱ガス供給部６４はガス供給ライン６０に接続されている。ガス供給ライン６０は、静電チャック１８の上面まで延びて、当該上面においてガス供給ライン５８を囲むように環状に延在している。伝熱ガス供給部６４は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック１８の上面と被処理基体Ｗとの間に供給する。

さらに、一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、制御部６６を更に備えている。この制御部６６は、排気装置２８、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、伝熱ガス供給部６２及び６４、並びにヒータ電源ＨＰに接続されている。制御部６６は、排気装置２８、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、伝熱ガス供給部６２及び６４、並びにヒータ電源ＨＰのそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２８による排気、スイッチＳＷの開閉、高周波電源３２からの電力供給、整合器３４のインピーダンス調整、高周波電源３５からの電力供給、整合器３６のインピーダンス調整、ガス供給部４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部６２及び６４それぞれによる伝熱ガスの供給、ヒータ電源ＨＰからの電力供給が制御される。

かかるプラズマ処理装置１０では、ガス供給部４４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、電極板４０と基台１６との間、即ち処理空間Ｓにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Ｓにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル又はイオン等により、被処理基体Ｗのエッチングが行われ得る。

以下、図２を参照して、載置台１４における配線構造ついて詳細に説明する。図２は、一実施形態に係る載置台の配線構造を示す断面図であり、載置台の一部分の断面を拡大して示している。上述したように、載置台１４は、基台１６上に静電チャック１８が設けられた構造を有している。静電チャック１８は、例えば、アクリル系の接着剤７０により基台１６の上面に接着され得る。

この載置台１４には、給電層１８ｂを直流電源５６に電気的に接続するための配線構造が設けられている。具体的には、図２に示すように、上下に貫通する貫通孔１６ａが基台１６に形成されている。この貫通孔１６ａ内には、給電層１８ｂと直流電源５６とを電気的に接続するための導線７２が通されている。

一実施形態においては、導線７２の一端、即ち上端には金属製の端子部材７４が取り付けられており、導線７２の他端、即ち下端には金属製の端子部材７６が取り付けられている。この端子部材７４は、給電層１８ｂの端子部１８ｔと結合される。端子部材７４と端子部１８ｔとの間の結合には、例えば、ロウ付け、半田接合、又は導電性接着剤を用いた接合を用いることができる。また、端子部材７６の下面には、導電ロッド７８の先端が下方から突き当てられる。導電ロッド７８は、導線７２と直流電源５６との間に設けられるものであり、導電ロッド７８の先端はバネ８０によって下方から付勢される。

図２に示すように、貫通孔１６ａ内において延在する導線７２には、一以上のスペーサ８２が取り付けられている。スペーサ８２は、絶縁性の部材であり、例えば、アルミナといったセラミックによって構成され得る。スペーサ８２は、貫通孔１６ａの長さよりも短い長さを有しており、また、貫通孔１６ａの延在方向（即ち上下方向）に直交する方向において貫通孔１６ａの幅よりも小さい幅を有している。載置台１４では、このスペーサ８２により、基台１６の内壁面と導線７２との間に距離を確保して、基台１６と導線７２との間の絶縁を確保することができる。また、かかるサイズのスペーサ８２を用いることにより、貫通孔１６ａの幅、即ち、丸孔である場合には貫通孔１６ａの直径を、小さくすることが可能である。その結果、静電チャック１８では、貫通孔１６ａの上方の領域のサイズが小さくなる。即ち、静電チャック１８において他の領域とは熱伝導率が異なる領域のサイズが小さくなる。これにより、プラズマ処理装置１０では、静電チャック１８の上面の温度のバラツキが低減され、ひいては被処理基体Ｗに対する処理のバラツキが低減される。

図３は、一実施形態に係るスペーサを示す斜視図である。図２及び図３に示すように、一実施形態においては、スペーサ８２は、筒状部８２ａ及び突出部８２ｂを含んでいる。筒状部８２ａは、導線７２の全長のうち一部を囲むように設けられている。この筒状部８２ａは、例えば接着剤を介して導線７２に固定され得る。突出部８２ｂは、筒状部８２ａの延在方向に交差する方向に当該筒状部８２ａから延び出している。かかる突出部８２ｂにより、導線７２と基台１６との接触がより確実に防止され得る。なお、図３に示す突出部８２ｂは略環形状を有しているが、突出部８２ｂは、互いに間隔を置いて周方向に配列された複数の凸部が筒状部８２ａから延び出した構成を有していてもよい。

一実施形態においては、貫通孔１６ａ内には、絶縁性を有する充填材料８４が埋め込まれ得る。この充填材料８４には、例えば、シリコーン系の接着剤を用いることができる。この充填材料８４の埋込み作業を容易にするために、スペーサ８２は、当該充填材料８４を通すための空間を画成している。図３に示すスペーサ８２では、当該空間として複数の孔８２ｈが突出部８２ｂに形成されている。かかる構造のスペーサ８２によれば、充填材料８４が、確実且つ容易に貫通孔内に埋め込まれ、基台１６と導線７２との間のより確実な絶縁が確保され得る。

以下、図２と共に図４を参照する。図４は、導線の一端及び他端にそれぞれ取り付けられた一実施形態の端子部材を破断して示す図である。図４に示すように、端子部材７４は、一実施形態においては、ベース部７４ａ及び筒状部７４ｂを含んでいる。ベース部７４ａは、略円板形状を有している。筒状部７４ｂは、ベース部７４ａの一主面（即ち、下面）から当該一主面に交差する方向に延び出している。導線７２の一端は、筒状部７４ｂの内孔を通り、ベース部７４ａ及び／又は筒状部７４ｂの内壁面に結合されている。導線７２の一端と端子部材７４とは、接合部材９０を介して接合される。接合部材９０は、例えば、例えば、半田又は導電性接着剤である。

図２に示すように、静電チャック１８の絶縁層１８ａには、貫通孔１６ａに連続する凹部１８ｒが形成されている。この凹部１８ｒの奥端には、給電層１８ｂの端子部１８ｔの下面が露出している。この端子部１８ｔには、端子部材７４のベース部７４ａが結合されている。

一実施形態においては、図２に示すように、端子部材７４と端子部１８ｔとの結合部分は、凹部１８ｒ内に設けられている。このように、載置台１４では、基台１６よりも熱膨張率の小さな絶縁層１８ａ内に凹部１８ｒを設けて、当該凹部１８ｒ内に端子部材７４と端子部１８ｔとの結合部分を収容している。これにより、基台１６の熱膨張率と静電チャック１８の絶縁層１８ａの熱膨張率の差によって生じて端子部材７４と端子部１８ｔとの結合部分に加わる応力を低減することができる。その結果、端子部材７４と端子部１８ｔとの結合との信頼性が高められている。なお、図２に示す実施形態では、端子部材７４の全体が凹部１８ｒ内に収容されているが、端子部材７４と端子部１８ｔとの結合部分が凹部１８ｒ内に収容されていれば、端子部材７４の全体が凹部１８ｒ内に収容されている必要はない。

再び図４を参照すると、端子部材７６は、一実施形態においては、ベース部７６ａ及び筒状部７６ｂを有している。端子部材７６のベース部７６ａは、筒状部７６ｂとは別体であり、上面に凹部を画成した略円板形状を有している。筒状部７６ｂは、小径部７６ｃ、及び、小径部７６ｃに連続する大径部７６ｄを含んでおり、小径部７６ｃ及び大径部７６ｄを貫通する内孔を画成している。導線７２の他端は、筒状部７６ｂの内孔に収容されており、当該筒状部７６ｂの内壁面に結合されている。導線７２の他端と端子部材７６の筒状部７６ｂは、接合部材９２を介して接合される。接合部材９２は、例えば、半田又は導電性接着剤である。なお、導線７２の他端は、導線７２を筒状部７６ｂに通した後に、大径部７６ｄから突き出した余長部分を切断することにより形成され得る。そして、大径部７６ｄをベース部７６ａの凹部に収容して、大径部７６ｄとベース部７６ａとを結合することにより、端子部材７６が形成される。これら大径部７６ｄとベース部７６ａとの結合には、ロウ付け、半田接合、又は導電性接着剤を用いた接合を用いることができる。

図２に示すように、一実施形態においては、載置台１４は、端子部材７６を保持する保持部材８６を更に備え得る。また、基台１６には、貫通孔１６ａの下方に連続した凹部１６ｒが形成されている。この凹部１６ｒの幅は貫通孔１６ａの幅よりも大きくなっている。これにより、基台１６は、凹部１６ｒと貫通孔１６ａとの境界に、下方に向いた面１６ｆを提供している。

基台１６に形成された凹部１６ｒ内には、保持部材８６が配置されている。保持部材８６は、略筒状の絶縁性の部材であり、例えば、アルミナといったセラミックから構成される。この保持部材８６は、凹部１６ｒの幅に略等しい幅を有しており、保持部材８６の上端は、基台１６の面１６ｆに当接している。また、保持部材８６は、縮径部８６ａを有している。縮径部８６ａは、保持部材８６の内壁面から内側に延び出しており、保持部材８６の内孔の径を一部において狭くしている。縮径部８６ａによって画成される内孔の直径は、端子部材７６の筒状部７６ｂの外径に略等しくなっている。この縮径部８６ａにより筒状部７６ｂが保持されることにより、端子部材７６は保持部材８６によって保持される。また、縮径部８６ａには、貫通孔１６ａに連通する孔８６ｂが形成されている。この孔８６ｂは、上述した充填材料８４を貫通孔１６ａ内に注入し、また、貫通孔１６ａ内に充填された充填材料８４の脱泡を行うときに用いられる。

上述したように、端子部材７６のベース部７６ａの下面には、導電ロッド７８の先端がバネ８０によって上方に付勢されつつ、突き当てられる。載置台１４では、保持部材８６が基台１６の面１６ｆに当接しているので、基台１６は、導電ロッド７８の先端から端子部材７６に加わる力を保持部材８６を介して受ける。即ち、載置台１４では、端子部材７６に加わる力が、端子部材７４と端子部１８ｔとの結合部分に及ばないようになっている。これにより、載置台１４では、端子部材７４と端子部１８ｔとの結合の信頼性をより高めることが可能となっている。

また、一実施形態においては、貫通孔１６ａ内で延在する導線７２の長さは、貫通孔１６ａの長さよりも長くなっている。即ち、貫通孔１６ａ内において、導線７２は、少なくとも部分的に曲線状に延在しており、たわみを有している。これにより、基台１６が熱により膨張して、導線７２に力が加わっても、端子部材７４と端子部１８ｔとの結合部分に過剰な応力が加わらないようになっている。したがって、この実施形態によれば、端子部材７４と端子部１８ｔとの結合の信頼性をより高めることが可能となっている。

以下、更に別の実施形態について説明する。図５は、別の実施形態の端子部材を示す斜視図である。図５に示すように、載置台１４は、端子部材７４に代えて端子部材１７４を有していてもよい。端子部材１７４は、板金製の部材であり、ベース部１７４ａ、及び、保持部１７４ｂを有している。ベース部１７４ａは、略円板形状を有しており、端子部１８ｔと結合される部分である。また、保持部１７４ｂは、導線７２の一端を保持する部分であり、保持部１７４ｂと導線７２の一端は、半田付け等により互いに接合される。

保持部１７４ｂは、ベース部１７４ａに形成した一対のスリット間の帯状の領域を当該ベース部１７４ａから折り曲げることによって構成されている。この保持部１７４ｂの一端は、ベース部１７４ａに支持されており、当該保持部１７４ｂは当該一端を支点にして揺動可能となっている。かかる端子部材１７４は、基台１６の中心から離れる方向に保持部１７４ｂが揺動可能なように配置され得る。この方向は基台１６が主として膨張する方向であり、基台１６の径方向であり得る。なお、図５では、実線の矢印の先端に対して基端が存在する方向が、基台１６の中心を現わしている。このように端子部材１７４を配置することにより、基台１６の膨張に起因する力が保持部１７４ｂに加わると、保持部１７４ｂが倒れて、保持部１７４ｂにより当該力が吸収される。したがって、端子部材１７４によれば、端子部材１７４と端子部１８ｔとの結合部分に加わる応力を緩和することができ、ひいては、端子部材１７４と端子部１８ｔとの結合の信頼性をより高めることができる。なお、端子部材７４と同様に、端子部材１７４と端子部１８ｔとの結合部分が凹部１８ｒ内に収容されていてもよく、また、保持部１７４ｂは、貫通孔１６ａ内に延び出していてもよい。

以下、図６を参照する。図６は、別の実施形態に係るスペーサを示す斜視図である。載置台１４は、スペーサ８２に代えて図６に示すスペーサ１８２を有していてもよい。スペーサ１８２は、スペーサ８２と同様に、絶縁性の部材であり、例えば、アルミナといったセラミックによって構成され得る。スペーサ１８２は、スペーサ８２と同様に、筒状部１８２ａ及び突出部１８２ｂを含み得る。また、突出部１８２ｂには、スペーサ８２と同様に、複数の孔１８２ｈが形成されていてもよい。

スペーサ１８２は、スペーサ８２と異なり、当該スペーサ１８２の長手方向に平行な平面を境界にして２分割されている。即ち、図６に示すように、スペーサ１８２は、第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂとに分割されている。また、一実施形態においては、スペーサ１８２は、第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂの境界の縁に沿ってヒンジ１８２ｃを有している。これにより、第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂは、ヒンジ１８２ｃを軸として、左右に開くことが可能である。また、スペーサ１８２は、ヒンジ１８２ｃと対向配置された係止部１８２ｄを有している。係止部１８２ｄは、第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂとを互いに閉じた状態において当該第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂとを互いに係止させる。このスペーサ１８２を導線７２に取り付ける際には、第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂを左右に開かせ、筒状部１８２ａの内孔に導線７２を通した後、第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂを閉じて、係止部１８２ｄにより第１部分１８２Ａと第２部分１８２Ｂとを係止する。かかるスペーサ１８２によれば、導線７２に対する当該スペーサ１８２の取り付け及び取り外しを容易に行うことができる。なお、スペーサ１８２、特にヒンジ１８２ｃ及び係止部１８２ｄは、絶縁性を有する樹脂といった材料から構成されていてもよい。

以上、種々の実施形態について説明したが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、上述したプラズマ処理装置１０では、下部電極と上部電極に高周波電源３２，３５がそれぞれ接続されているが、高周波電源３２，３５の双方が、下部電極である基台１６に接続されていてもよい。

また、載置台１４を有するプラズマ処理装置は、平行平板型のプラズマ処理装置に限定されるものでない。例えば、誘導結合（ＩＣＰ）型のプラズマ処理装置、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置にも、載置台１４を適用することができる。また、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置は、マイクロ波を処理容器内に導入するアンテナとしてラジアルラインスロットアンテナを有するプラズマ処理装置であってもよい。また、載置台１４を有するプラズマ処理装置は、プラズマエッチング装置に限定されるものではなく、例えば、成膜装置であってもよい。

また、図２では、導線７２に単一のスペーサが取り付けられた状態が示されているが、導線７２には、複数のスペーサが取り付けられていてもよい。

また、上述した実施形態では、被接続部として静電チャックを例示したが、導線７２が接続される被接続部は、ヒータＨＴであってもよい。即ち、導線７２にスペーサを取り付けた上述の配線構造は、ヒータＨＴの配線構造にも適用可能である。また、導線７２が接続される被接続部は、熱電対といった温度センサであってもよい。即ち、基台１６に形成された貫通孔１６ａに導線７２を通すことにより配線が行われる任意の被接続部に、上述した実施形態の配線構造を適用することが可能である。また、上述した実施形態の配線構造が適用される被接続部に応じて、導線の太さは適宜に変更され得る。温度センサが被接続部である場合には、静電チャックが被接続部である場合よりも、細い導線が用いられ得る。

１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１４…載置台、１６…基台、１６ａ…貫通孔、１６ｒ…凹部、１６ｆ…面（当接面）、１８…静電チャック、１８ａ…絶縁層、１８ｂ…給電層、１８ｒ…凹部、１８ｔ…端子部、３２…高周波電源、３５…高周波電源、３８…シャワーヘッド、４４…ガス供給部、５６…直流電源、６６…制御部、７２…導線、４…端子部材、７４ａ…ベース部、７４ｂ…筒状部、７６…端子部材、７６ａ…ベース部、７６ｂ…筒状部、８２…スペーサ、８２ａ…筒状部、８２ｂ…突出部、８２ｈ…孔、８４…充填材料、８６…保持部材、８６ａ…縮径部、１７４…端子部材、１７４ａ…ベース部、１７４ｂ…保持部、１８２…スペーサ、ＨＴ…ヒータ。

Claims (9)

1. 貫通孔が形成された基台と、
   前記貫通孔に通された導線と、
   前記導線に電気的に接続された被接続部と、
   前記貫通孔内に設けられ前記導線に取り付けられた絶縁性のスペーサであり、前記貫通孔の延在方向に直交する方向において該貫通孔の幅よりも小さい幅を有し、前記貫通孔に収容されている前記導線の長さよりも短い長さを有する、該スペーサと、
   を備える載置台。
2. 前記スペーサは、前記導線を囲む筒状部と、前記筒状部の延在方向に交差する方向に該筒状部から延びる突出部と、を有する、請求項１に記載の載置台。
3. 前記貫通孔の内部に埋め込まれた絶縁性の充填材料を更に備え、
   前記スペーサは、前記充填材料を通すための空間を画成している、
   請求項１又は２に記載の載置台。
4. 前記被接続部は、前記載置台上に設けられた静電チャックであり、
   前記静電チャックは絶縁層と、該絶縁層内に設けられた給電層と、を有し、
   前記導線は、前記給電層に電気的に接続される、
   請求項１〜３の何れか一項に記載の載置台。
5. 前記導線の一端に取り付けられた端子部材を更に備え、
   前記給電層は、前記端子部材と結合される端子部を有しており、
   前記静電チャックの前記絶縁層には、前記貫通孔に連続する凹部であり前記端子部材と前記端子部との結合部分を収容する該凹部が設けられている、
   請求項４に記載の載置台。
6. 前記端子部材は板金製の部材であり、前記凹部に収容され且つ前記端子部と結合されるベース部と、前記導線の前記一端を保持する保持部とを含んでおり、
   前記保持部の一端は、前記ベース部に対して該保持部が揺動可能なように、該ベース部に支持されており、
   前記端子部材は、前記保持部が前記基台の中心から離れる方向に揺動可能なように配置されている、
   請求項５に記載の載置台。
7. 前記導線の他端に取り付けられた端子部材と、
   前記導線の他端に取り付けられた前記端子部材を保持する保持部材と、
   を更に備え、
   前記基台は下方を向いた面を有し、前記基台の該面に前記保持部材が当接している、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の載置台。
8. 前記貫通孔内において収容されている前記導線の長さは、該貫通孔の長さよりも長い、請求項１〜７の何れか一項に記載の載置台。
9. 処理容器と、
   前記処理容器内に設けられた、請求項１〜８の何れか一項に記載の載置台と、
   前記処理容器内に処理ガスを供給する手段と、
   前記処理容器内において前記処理ガスのプラズマを生成する手段と、
   を備えるプラズマ処理装置。

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