JP2013236165A - 半導体スイッチ及び半導体スイッチの制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】過電流を遮断する際に生じる過電圧をシステムが要求する範囲内に制御する。
【解決手段】半導体スイッチ１０は、直列に接続されたＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５と、ゲートドライバ１４−１〜１４〜５と、ゲートドライバ１４−１〜１４〜５に印加するゲート電圧を指示する制御回路１８と、電流を検出する電流センサＣＴと、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５のうち切断の対象とするＭＯＳＦＥＴを制御回路１８に入力するＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部１６とを含む。制御回路１８は、電流センサＣＴにより検出された電流が閾値以上又は閾値を上回る場合に、切断の対象とするＭＯＳＦＥＴのゲートドライバに、切断に対応したゲート電圧を入力するように指示する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体スイッチ及び半導体スイッチの制御方法に関する。

交流から直流への変換損失を低減するために、直流の給電システムが提案されている（例えば下記の特許文献１を参照）。こうした直流の給電システムにおいて、電源と負荷とを繋ぐ電線の間に半導体スイッチを設けて、電源から負荷への給電経路を可変とすることも提案されてきている。

落雷や機器の故障等により過電流が発生した場合には、半導体スイッチを遮断して過電流が下流のシステムに流れ込まないようにする必要があり、さらに半導体スイッチの耐圧は、半導体スイッチが接続するシステムの設計に応じて適宜設定される必要がある。このように、耐圧の幅を可変とするために、例えば半導体スイッチにＳｉＣ−ＳＩＴ（シリコンカーバイド静電誘導トランジスタ）を用いることが考えられる。

特開２００５−２５１７０２号公報

ＳｉＣ−ＳＩＴは、ゲート電圧を制御することで、その耐圧をある範囲内で任意に調整することができる。しかしながら、ＳｉＣ−ＳＩＴの耐圧は、そのゲート電圧に非常に敏感であり、安定的に制御するためには更なる研究が必要とされている。また、ＳｉＣは研究段階の半導体材料であり、未だ低コストで導入することは困難である。

本発明は上記課題に鑑みて為されたものであって、その目的は、過電流を遮断する際に生じる過電圧をシステムが要求する範囲内に制御することができる半導体スイッチ及び半導体スイッチの制御方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る半導体スイッチは、電線を接続する半導体スイッチであって、直列に接続された電圧制御型の複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタのゲート電極にそれぞれゲート電圧を印加して、前記複数のトランジスタのそれぞれの導通と切断を制御する複数のゲートドライバと、前記複数のゲートドライバに印加するゲート電圧を指示する制御回路と、前記電線に流れる電流を検出する電流センサと、前記複数のトランジスタのうち切断の対象とするトランジスタを設定する設定手段と、を含み、前記制御回路は、前記電流センサにより検出された電流が閾値以上又は閾値を上回る場合に、前記設定手段により設定された切断の対象とするトランジスタのゲートドライバに、切断に対応したゲート電圧を入力するように指示することを特徴とする。

また、本発明の一態様では、前記制御回路は、前記電流センサにより検出された電流が閾値以上又は閾値を上回る場合を除いては、前記複数のトランジスタのそれぞれのゲートドライバに、導通に対応したゲート電圧を入力するように指示することとしてよい。

また、本発明の一態様では、前記複数のゲートドライバはそれぞれ、対応する前記複数のトランジスタのいずれかに、導通に対応したゲート電圧、又は切断に対応したゲート電圧の一方を印加し、前記導通に対応したゲート電圧と、前記切断に対応したゲート電圧は、前記複数のトランジスタ間で等しいこととしてよい。

また、本発明の一態様では、前記設定手段は、前記複数のトランジスタのうちを最も耐圧の大きいトランジスタを少なくとも切断の対象に設定することとしてよい。

また、本発明の一態様では、前記複数のトランジスタはそれぞれ、ＭＯＳＦＥＴであることとしてよい。

また、本発明に係る半導体スイッチの制御方法は、電線を接続する半導体スイッチの制御方法であって、前記半導体スイッチは、直列に接続された電圧制御型の複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタのゲート電極にそれぞれゲート電圧を印加して、前記複数のトランジスタのそれぞれの導通と切断を制御する複数のゲートドライバと、前記複数のゲートドライバに印加するゲート電圧を指示する制御回路と、前記電線に流れる電流を検出する電流センサと、を備え、前記複数のトランジスタのうち切断の対象とするトランジスタを設定する設定ステップと、前記制御回路が、前記電流センサにより検出された電流が閾値以上又は閾値を上回る場合に、前記設定ステップで設定された切断の対象とするトランジスタのゲートドライバに、切断に対応したゲート電圧を入力するように指示するステップと、を含むことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、半導体スイッチを電圧制御型の複数のトランジスタを用いて構成し、個々のトランジスタの導通および切断の状態を制御することにより様々な耐圧を実現することで、過電流を遮断する際に生じる過電圧をシステムが要求する範囲内に制御することができる。

給電システムのシステム構成の一例を示す図である。 半導体スイッチユニットの構成図の一例である。 プロファイル情報の一例を示す図である。 電流値Ｉｄの時間変化、ＭＯＳＦＥＴの電圧Ｖｄの時間変化、ゲート電圧Ｖｇの時間変化の関係を説明する図である。 半導体スイッチユニットの構成図の一例である。 プロファイル情報の一例を示す図である。 プロファイル情報の一例を示す図である。 半導体スイッチユニット（比較例）の構成図の一例である。 電流値Ｉｄの時間変化、ＳｉＣ−ＳＩＴの電圧Ｖｄの時間変化、ゲート電圧Ｖｇの時間変化の関係を説明する図である。

以下、本発明を実施するための実施の形態（以下、実施形態という）を、図面に従って説明する。

図１には、本実施形態に係る半導体スイッチ１０を含む給電システム１のシステム構成の一例を示した。図１に示されるように、給電システム１は、直流電源２Ａ，２Ｂ，２Ｃと、給電線５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆと、ＤＣ／ＤＣコンバータ３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、半導体スイッチ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆと、負荷１００（負荷群１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ）と、を含む。

給電線５Ａは、直流電源２Ａから負荷群１００Ａに給電する電線であり、給電線５Ａ上に半導体スイッチ１０Ａが設けられる。給電線５Ｂは、直流電源２Ｂから負荷群１００Ｂに給電する電線であり、給電線５Ｂ上に半導体スイッチ１０Ｂが設けられる。給電線５Ｃは、直流電源２Ｃから負荷群１００Ｃに給電する電線であり、給電線５Ｃ上に半導体スイッチ１０Ｃが設けられる。給電線５Ｄは、給電線５Ａと給電線５Ｂを接続する電線であり、給電線５Ｄ上に半導体スイッチ１０ＤとＤＣ／ＤＣコンバータ３Ａが直列に設けられる。給電線５Ｅは、給電線５Ｂと給電線５Ｃを接続する電線であり、給電線５Ｅ上に半導体スイッチ１０ＥとＤＣ／ＤＣコンバータ３Ｂが直列に設けられる。給電線５Ｆは、給電線５Ａと給電線５Ｃを接続する電線であり、給電線５Ｆ上に半導体スイッチ１０ＦとＤＣ／ＤＣコンバータ３Ｃが直列に設けられる。

例えば、直流電源２ＡをＤＣ４８Ｖの電源、直流電源２ＢをＤＣ３８０Ｖの電源、直流電源２ＣをＤＣ６００Ｖの電源とした場合に、半導体スイッチ１０ＡはＤＣ４８Ｖの耐圧のスイッチ、半導体スイッチ１０ＢはＤＣ３８４Ｖの耐圧のスイッチ、半導体スイッチ１０ＣはＤＣ６００Ｖの耐圧のスイッチ、半導体スイッチ１０ＤはＤＣ４８Ｖの耐圧のスイッチ、半導体スイッチ１０ＥはＤＣ３８４Ｖの耐圧のスイッチ、半導体スイッチ１０ＦはＤＣ６００Ｖの耐圧のスイッチであることとしてよい。

以下、直流電源２Ａ，２Ｂ，２Ｃにそれぞれ共通する内容については直流電源２、給電線５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆにそれぞれ共通する内容については給電線５、ＤＣ／ＤＣコンバータ３Ａ，３Ｂ，３Ｃにそれぞれ共通する内容についてはＤＣ／ＤＣコンバータ３、半導体スイッチ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆにそれぞれ共通する内容については半導体スイッチ１０と表記する。

直流電源２は、例えば交流電源をＡＣ／ＤＣコンバータ、絶縁型のＤＣ／ＤＣコンバータにより直流電源に変換した電源ユニットにより構成してもよいし、太陽光パネルや蓄電池から出力される電力を所定の直流電力に変換して出力する電源ユニットにより構成してもよいし、それらの組み合わせにより構成してもよい。例えば、直流電源２の給電電圧は３８０Ｖとしてよい。

半導体スイッチ１０は、直流電源２Ａ〜２Ｃの状態、負荷１００の状態、過電流等の異常の発生に応じて、接続と遮断を制御するスイッチであり、例えば過電流が流れた場合には、他の給電線５や負荷１００に過電流が流れないようにスイッチをＯＦＦ（切断）する機能を有する。ここで、半導体スイッチ１０には、要求される耐圧が異なることがあり、半導体スイッチ１０は、要求される耐圧に応じたプロファイルを柔軟に設定可能とした点を特徴とする。以下、半導体スイッチ１０の具体的構成について説明する。

図２には、半導体スイッチ１０の構成図の一例を示した。図２に示されるように、半導体スイッチ１０は、リアクトルＬ、電流センサＣＴ、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５のそれぞれのゲートドライバ１４−１〜１４−５、ＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部１６、制御回路１８を含む。

リアクトルＬは、例えばコイルを含み、半導体スイッチ１０に過電流が流れる際の電流時間変化率を抑制する働きがあり、電流センサによる過電流検出時間と、制御回路から出力される指令値の伝送遅れと、ゲートドライバが電界効果トランジスタを駆動するまでに要する時間の間に、電流が半導体スイッチで遮断不能な値に増加することを防止する。

電流センサＣＴは、半導体スイッチ１０に流れる電流値を計測する機能を有し、計測された電流値（アナログ信号、デジタル信号のいずれでもよい）を制御回路１８に出力する。

ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５は、リアクトルＬと電流センサＣＴとの間に直列接続して設けられる複数の電界効果型トランジスタ（例えばＳｉ−ＭＯＳＦＥＴとしてよい）である。本実施形態では、リアクトルＬから電流センサＣＴに向かって、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５のドレイン電極とソース電極を順に直列接続することとするが、直列接続の順序はこれに限られず他の順序であってもよい。また、本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−４の耐圧をＶ１（例えば３０Ｖ）、ＭＯＳＦＥＴ１２−５の耐圧をＶ２（例えば６００Ｖ）と構成する例を説明するが、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５の耐圧はそれぞれ同じとしてもよいし、異なることとしてもよい。例えば、１つのＭＯＳＦＥＴの耐圧をベースとする値に基づいて選択し、他のＭＯＳＦＥＴを設定したい耐圧の幅に基づいて選択すれば、必要なＭＯＳＦＥＴの数を最小化することができる。もちろん、ＭＯＳＦＥＴの数は、５つに限られず、他の数としても構わない。

ゲートドライバ１４−１〜１４−５はそれぞれＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５のゲート電極と接続され、接続されたゲート電極にゲート電圧を印加する機能を有する。本実施形態では、ゲートドライバ１４−ｉ（ｉ＝１〜５のいずれかの整数）は、ＭＯＳＦＥＴ１２−ｉをＯＮ（導通）する場合には、ゲート電圧Ｖｇ＝Ｖｇ０とし、ＭＯＳＦＥＴ１２−ｉをＯＦＦ（遮断）する場合には、ゲート電圧Ｖｇ＝Ｖｇ１とすることとしてよい。

ＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部１６は、半導体スイッチ１０の耐圧を決定するプロファイル情報を制御回路１８に入力する機能を有する。例えば、ＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部１６は、半導体スイッチ１０を構成するＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５のうち、過電流が流れた場合にＯＦＦするＭＯＳＦＥＴを指定したプロファイル情報を選択し、選択したプロファイル情報を制御回路１８に出力する。ＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部１６は、例えば、ユーザから入力された情報に基づいて、プロファイル情報を選択することとしてもよいし、他のデバイスから受け付けたデータに基づいて、プロファイル情報を選択することとしてもよい。

図３には、プロファイル情報の一例を示した。図３に示されるように、プロファイル情報をそれぞれ識別するプロファイルＩＤに関連付けて、合計耐圧、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５のそれぞれのＯＮ又はＯＦＦの指定情報が記憶される。ここで、例えば６００Ｖ以下の合計耐圧が要求される場合には、プロファイルＩＤ「Ｅ」を選択し、６７０Ｖの合計耐圧が要求される場合には、プロファイルＩＤ「Ｃ」を選択し、７２０Ｖ以上の合計耐圧が要求される場合には、プロファイルＩＤ「Ａ」を選択することとしてよい。なお、プロファイル情報では、ＭＯＳＦＥＴのうち耐圧が最大のものを少なくともＯＦＦとするように設定してもよい。

なお、ＭＯＳＦＥＴ１２−１の耐圧＝Ｑ１，ＭＯＳＦＥＴ１２−２の耐圧＝Ｑ２，ＭＯＳＦＥＴ１２−３の耐圧＝Ｑ３，ＭＯＳＦＥＴ１２−４の耐圧＝Ｑ４，ＭＯＳＦＥＴ１２−５の耐圧＝Ｑ５とした場合に、図３におけるプロファイルＩＤ「Ａ」の場合の耐圧ＶｄＡ＝Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４＋Ｑ５、プロファイルＩＤ「Ｂ」の場合の耐圧ＶｄＢ＝Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４＋Ｑ５、プロファイルＩＤ「Ｃ」の場合の耐圧ＶｄＣ＝Ｑ３＋Ｑ４＋Ｑ５、プロファイルＩＤ「Ｄ」の場合の耐圧ＶｄＤ＝Ｑ４＋Ｑ５、プロファイルＩＤ「Ｅ」の場合の耐圧ＶｄＥ＝Ｑ５となる。

制御回路１８は、電流センサＣＴから入力された電流値Ｉｄ、ＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部１６から入力されたプロファイル情報に基づいて、ゲートドライバ１４−１〜１４−５にゲート電圧の制御信号を出力する。そして、ゲートドライバ１４−１〜１４−５は、制御回路１８から入力された制御信号に基づいて、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５にゲート電圧を印加する。

例えば、制御回路１８は、電流センサＣＴから入力された電流値Ｉｄが所定の閾値（Ｉｔｈ）以上の（又はより大きい）場合に、過電流が発生したと判定し、ＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部１６から入力されたプロファイル情報に基づいてＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５のうち、ＯＦＦするＭＯＳＦＥＴに対してＶｇ＝Ｖｇ１を入力するように、対応するゲートドライバに指示する。このとき、制御回路１８は、ＯＮからＯＦＦに切り替えるＭＯＳＦＥＴのゲートドライバにのみ、Ｖｇ＝Ｖｇ１を入力する旨の制御信号を送信することとしてもよいし、ＯＮのままのＭＯＦＥＴのゲートドライバにはＶｇ＝Ｖｇ０、ＯＮからＯＦＦに切り替えるＭＯＳＦＥＴのゲートドライバにはＶｇ＝Ｖｇ１とする制御信号を送信することとしてもよい。

図４には、電流値Ｉｄの時間変化、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５の電圧Ｖｄの時間変化、ゲート電圧Ｖｇの時間変化の関係を説明する図を示した。図４における（Ａ）は、電流値Ｉｄを縦軸、時間（Ｔ）を横軸としており、図４における（Ｂ）は、電圧Ｖｄを縦軸、時間（Ｔ）を横軸としており、図４における（Ｃ）は、ゲート電圧Ｖｇを縦軸、時間（Ｔ）を横軸としている。

ここで、図４（Ａ）に示されるように、電流値Ｉｄが閾値（Ｉｔｈ）を超える（又は以上となる）と、制御回路１８は、設定されたプロファイル（Ａ〜Ｅ）に基づいて、ＯＦＦとするＭＯＳＦＥＴのゲートドライバに図４（Ｃ）に示されるようなゲート電圧を出力するように指示する。これにより、図４（Ｂ）に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ１２−１〜１２−５の電圧Ｖｄは、設定されたプロファイル（Ａ〜Ｅ）に応じた電圧に制御されることとなる。

もちろん、半導体スイッチ１０の構成は図２に示した態様に限定されるものではなく、図５に示されるように、Ｎ（任意の自然数）個のトランジスタ（例えばＭＯＳＦＥＴ）を用いて半導体スイッチ１０を構成することとしてよい。ここで、トランジスタ１００−ｉ（ｉ＝１〜Ｎの任意の数）の耐圧＝Ｑｉとする場合に、プロファイルＰｊ（ｊ＝１〜Ｎの任意の数）を、図６に示されるＯＮ／ＯＦＦプロファイル情報に基づいて設定することとしてよい。このとき、プロファイルＰｊの耐圧Ｖｄｊは以下の式（１）に基づいて算出することとしてよい。

また、図７には、Ｎ＝７、Ｑ１〜Ｑ７＝１００Ｖとする場合のプロファイルＰ１〜Ｐ７の一例を示した。この場合に、ＤＣ６００Ｖの電線に接続するスイッチ（半導体スイッチ１０Ｃ，１０Ｆ）を構成する場合にはプロファイルＰ１、ＤＣ３８０Ｖのスイッチ（半導体スイッチ１０Ｂ，１０Ｅ）を構成する場合にはプロファイルＰ４、ＤＣ４８Ｖのスイッチ（半導体スイッチ１０Ａ，１０Ｄ）を構成する場合にはプロファイルＰ７を設定することとしてよい。

以下、本発明の比較例として、ＳｉＣ−ＳＩＴ（シリコンカーバイド静電誘導トランジスタ）２０を用いた半導体スイッチ１１の例を示す。

図８には、半導体スイッチ１１の構成図の一例を示した。図８に示されるように、半導体スイッチ１１は、リアクトルＬ、電流センサＣＴ、ＳｉＣ−ＳＩＴ２０、ゲートドライバ２２、ゲート電圧プロファイル入力部２４、制御回路２６を含む。

図９には、電流値Ｉｄの時間変化、ＳｉＣ−ＳＩＴ２０の電圧Ｖｄの時間変化、ゲート電圧Ｖｇの時間変化との対応関係を説明する図を示した。図９における（Ａ）は、電流値Ｉｄを縦軸、時間（Ｔ）を横軸としており、図９における（Ｂ）は、電圧Ｖｄを縦軸、時間（Ｔ）を横軸としており、図９における（Ｃ）は、ゲート電圧Ｖｇを縦軸、時間（Ｔ）を横軸としている。

ＳｉＣ−ＳＩＴ２０は、図９（Ｂ），（Ｃ）に示されるように、ゲート電圧を制御することにより、複数の耐圧を実現することができるスイッチ素子である。

ここで、図９（Ａ）に示されるように、電流値Ｉｄが閾値（Ｉｔｈ）を超える（又は以上となる）と、制御回路２６は、設定されたプロファイル（Ａ〜Ｅ）に基づいてゲート電圧の波形を選択し、ゲートドライバに選択した波形のゲート電圧を出力するように指示する。これにより、図９（Ｂ）に示されるように、ＳｉＣ−ＳＩＴ２０の電圧Ｖｄは、設定されたプロファイル（Ａ〜Ｅ）に応じた電圧に制御されることとなる。

しかしながら、ＳｉＣ−ＳＩＴ２０を用いた場合には、複数のプロファイルを設定可能とすると、ゲート電圧のプロファイルの間隔が狭くなり、ゲート電圧を安定的に制御することが困難となり、また、設定可能な耐圧の幅もＳｉＣ−ＳＩＴ２０の特性によって制限されてしまう。

一方で、本願発明による半導体スイッチ１０によれば、任意の耐圧の複数のＭＯＳＦＥＴを直列に組み合わせることで幅広い遮断電圧を実現することができる。さらに、ＳｉＣ−ＳＩＴ２０のようにゲート電圧をアナログ波形で制御することなく、ＭＯＳＦＥＴのＯＮ／ＯＦＦのみを制御するようにすることで、素子を安定動作させるとともに、応答速度も向上させることができる。

なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この分野の通常の知識を有する当業者によって多様な変更、変形又は置換が可能であることはもちろんである。

例えば、上記の実施形態では、トランジスタにＭＯＳＦＥＴを利用した例を説明したが、ＩＧＢＴ等の他の電圧制御型のトランジスタを用いることとしてもよいのはもちろんである。

１ 給電システム、２Ａ〜２Ｃ 直流電源、３Ａ〜３Ｃ ＤＣ／ＤＣコンバータ、５Ａ〜５Ｆ 給電線、１０Ａ〜１０Ｆ 半導体スイッチ、Ｌ リアクトル、ＣＴ 電流センサ、１２−１〜１２−５ ＭＯＳＦＥＴ、１４−１〜１４−５ ゲートドライバ、１６ ＯＮ／ＯＦＦプロファイル入力部、１８ 制御回路、２１ 半導体スイッチ、２０ ＳｉＣ−ＳＩＴ、２２ ゲートドライバ、２４ ゲート電圧プロファイル入力部、２６ 制御回路、１００−１〜Ｎ トランジスタ。

Claims (6)

1. 電線を接続する半導体スイッチであって、
   直列に接続された電圧制御型の複数のトランジスタと、
   前記複数のトランジスタのゲート電極にそれぞれゲート電圧を印加して、前記複数のトランジスタのそれぞれの導通と切断を制御する複数のゲートドライバと、
   前記複数のゲートドライバに印加するゲート電圧を指示する制御回路と、
   前記電線に流れる電流を検出する電流センサと、
   前記複数のトランジスタのうち切断の対象とするトランジスタを設定する設定手段と、を含み、
   前記制御回路は、前記電流センサにより検出された電流が閾値以上又は閾値を上回る場合に、前記設定手段により設定された切断の対象とするトランジスタのゲートドライバに、切断に対応したゲート電圧を入力するように指示する
   ことを特徴とする半導体スイッチ。
2. 前記制御回路は、前記電流センサにより検出された電流が閾値以上又は閾値を上回る場合を除いては、前記複数のトランジスタのそれぞれのゲートドライバに、導通に対応したゲート電圧を入力するように指示する
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体スイッチ。
3. 前記複数のゲートドライバはそれぞれ、対応する前記複数のトランジスタのいずれかに、導通に対応したゲート電圧、又は切断に対応したゲート電圧の一方を印加し、
   前記導通に対応したゲート電圧と、前記切断に対応したゲート電圧は、前記複数のトランジスタ間で等しい
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体スイッチ。
4. 前記設定手段は、前記複数のトランジスタのうちを最も耐圧の大きいトランジスタを少なくとも切断の対象に設定する
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体スイッチ。
5. 前記複数のトランジスタはそれぞれ、ＭＯＳＦＥＴである
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体スイッチ。
6. 電線を接続する半導体スイッチの制御方法であって、
   前記半導体スイッチは、
   直列に接続された複数のトランジスタと、
   前記複数のトランジスタのゲート電極にそれぞれゲート電圧を印加して、前記複数のトランジスタのそれぞれの導通と切断を制御する複数のゲートドライバと、
   前記複数のゲートドライバに印加するゲート電圧を指示する制御回路と、
   前記電線に流れる電流を検出する電流センサと、を備え、
   前記複数のトランジスタのうち切断の対象とするトランジスタを設定する設定ステップと、
   前記制御回路が、前記電流センサにより検出された電流が閾値以上又は閾値を上回る場合に、前記設定ステップで設定された切断の対象とするトランジスタのゲートドライバに、切断に対応したゲート電圧を入力するように指示するステップと、を含む
   ことを特徴とする半導体スイッチの制御方法。

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