JP2013228474A - 光変調導波路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る光変調導波路は、基板、窒化物系半導体バッファ層、下部窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層及び上部窒化物系半導体クラッド層が順次積層された光変調導波路であって、第1の電極部及び第2の電極部が、前記窒化物系半導体光導波層の両側面を挟み込むように形成され、前記上部窒化物系半導体クラッド層は、リセス溝を有することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
図2は、参考実施例に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路200を例示する。図2には、基板201、窒化物系半導体バッファ層202、下部窒化物系半導体クラッド層203、窒化物系半導体光導波層204、及び上部窒化物系半導体クラッド層205がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層204のa面又はm面の両側面に窒化物系半導体光導波層204を挟み込むように電極206及び207が形成された光変調導波路200が示されている。
図3は、本発明の実施例1に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路300を示す。図3には、基板301、窒化物系半導体バッファ層302、下部窒化物系半導体クラッド層303、窒化物系半導体光導波層304及び上部窒化物系半導体クラッド層305がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層304のa面又はm面の両側面に窒化物系半導体光導波層304を挟み込むように電極306及び307が形成され、上部窒化物系半導体クラッド層305にリセス溝308が形成された光変調導波路300が示されている。ここで、窒化物系半導体光導波層304の側面とは、窒化物系半導体光導波層304において光が入射する面と垂直な面である。
図4は、本発明の実施例2に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路400を示す。図4には、基板401、窒化物系半導体バッファ層402、下部窒化物系半導体クラッド層403、窒化物系半導体光導波層404、及び上部窒化物系半導体クラッド層405がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層404のa面又はm面の両側面に窒化物系半導体光導波層404を挟み込むように電極部420及び430が形成され、上部窒化物系半導体クラッド層405にリセス溝408が形成された光変調導波路400が示されている。電極部420は電極406及びn型イオン注入領域409で構成され、電極部430は電極407及びn型イオン注入領域410で構成される。基板、その他の各層を構成する材料は実施例1の場合と同様である。
図5は、本発明の実施例3に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路500を示す。図5には、基板501、窒化物系半導体バッファ層502、下部窒化物系半導体クラッド層503、窒化物系半導体光導波層504、及び上部窒化物系半導体クラッド層505がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層504の両側面に窒化物系半導体光導波層504を挟み込むようにa軸又はm軸方向に電極506及び507が形成され、上部窒化物系半導体クラッド層505にリセス溝508が形成され、リセス溝508を埋め込むように上部窒化物系半導体クラッド層505上に誘電体509が形成された光変調導波路500が示されている。基板、その他の各層を構成する材料は実施例1の場合と同様である。
図6は、本発明の実施例4に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路600を示す。図6には、基板601、窒化物系半導体バッファ層602、下部窒化物系半導体クラッド層603、窒化物系半導体光導波層604、及び上部窒化物系半導体クラッド層605がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層604のa面又はm面の両側面に窒化物系半導体光導波層604を挟み込むように電極部620及び630が形成され、上部窒化物系半導体クラッド層605にリセス溝608が形成され、リセス溝608を埋め込むように上部窒化物系半導体クラッド層605上に誘電体611が形成された光変調導波路600が示されている。電極部620は電極606及びn型イオン注入領域609で構成され、電極部630は電極607及びn型イオン注入領域610で構成される。基板、その他の各層、誘電体を構成する材料は実施例3の場合と同様である。
101、201、301、401、501、601 基板
102、106 n−GaN電極層
202、302、402、502、602 窒化物系半導体バッファ層
103 下部i−AlGaNクラッド層
203、303、403、503、603 下部窒化物系半導体クラッド層
104 i−GaN光導波層
204、304、404、504、604 窒化物系半導体光導波層
105 上部i−AlGaNクラッド層
205、305、405、505、605 上部窒化物系半導体クラッド層
106、107、206、207、306、307、406、407、506、507、606、607 電極
308、408、508、608 リセス溝
409、410、609、610 n型イオン注入領域
509、611 誘電体
Claims (6)
- 基板、窒化物系半導体バッファ層、下部窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層及び上部窒化物系半導体クラッド層が順次積層された光変調導波路であって、
第1の電極部及び第2の電極部が、前記窒化物系半導体光導波層の両側面を挟み込むように形成され、
前記上部窒化物系半導体クラッド層は、リセス溝を有することを特徴とする光変調導波路。 - 前記基板、前記窒化物系半導体バッファ層、前記下部窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層及び前記上部窒化物系半導体クラッド層は、C軸方向に順次積層されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調導波路。
- 前記窒化物系半導体光導波層と前記第1の電極部及び前記第2の電極部とのそれぞれの界面は、a面又はm面であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調導波路。
- 前記第1の電極部及び前記第2の電極部は、前記上部窒化物系半導体クラッド層にイオン注入することにより前記上部窒化物系半導体クラッド層から前記下部窒化物系半導体クラッド層までをn型化することにより形成されたn型イオン注入領域と、前記n型イオン注入領域上に形成された電極で構成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかにに記載の光変調導波路。
- 導波路構造がリッジ導波路構造であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光変調導波路。
- 前記上部窒化物系半導体クラッド層上に、前記リセス溝を埋め込むように誘電体が形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光変調導波路。
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