JP2013228476A - 光変調導波路 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、C軸方向の電界変調を行うことができ、電界変調が分極電荷による2次元キャリアガスの阻害を受けない窒化物系半導体で構成された光変調導波路を提供する。
【解決手段】本発明の光変調導波路は、基板、窒化物系半導体バッファ層、第1の窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層、及び第2の窒化物系半導体クラッド層が順次積層された光変調導波路であって、第1の電極及び第2の電極が、前記窒化物系半導体光導波層の側面を挟み込むように、C軸方向に形成されていることを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】本発明の光変調導波路は、基板、窒化物系半導体バッファ層、第1の窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層、及び第2の窒化物系半導体クラッド層が順次積層された光変調導波路であって、第1の電極及び第2の電極が、前記窒化物系半導体光導波層の側面を挟み込むように、C軸方向に形成されていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、窒化物系半導体で構成された光変調導波路に関する。
高速光通信システムや光情報処理システムにおけるキーデバイスの1つとして光変調導波路がある。光変調導波路としては、例えば、LiNbO3(LN)等の誘電体を用いた光変調導波路や、半導体を用いた光変調導波路が用いられている。LiNbO3変調器は現在広く用いられている。しかしながら、LiNbO3材料は導電性が無いため、印加電圧がシグナル電極とグラウンド電極の間でかけられる。その結果、電極間の距離は10数μm程度になり、光の変調に必要な屈折率の変化を得るには、3から5V程度の高い駆動電圧及び20〜40mm程度の電極長が必要となるため、消費電力が大きく、且つ光変調導波路の小型化を実現することができないという問題がある。
低消費電力化及び小型化を実現するため、特許文献1に示されるようなGaN系光導波路を有するn−i−n構造の半導体光変調導波路が提案された。図1は、特許文献1に示される光変調導波路の構成を示す。図1に示される光変調導波路100は、基板101上に、n−GaN電極層102、第1のi−AlGaNクラッド層103、i−GaN光導波層104、第2のi−AlGaNクラッド層105、及びn−GaN電極層106が順次積層されている。エッチングプロセスにより、n−GaN電極層102に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路を作製している。n−GaN電極層102上に電極107が形成され、n−GaN電極層106上に電極108が形成されている。
図1に示される光変調導波路100においては、電圧の印加は光が閉じ込められている厚さ1μm程度のn−GaN電極層102及び106間で行なわれるため、LiNbO3変調導波路等に比べ、光の導波する領域に対して高密度な電界印加が可能である。このため、位相変調部の長さが3mm程度で駆動電圧が3V以下である、小型で低駆動電圧の光変調導波路を実現することが可能となる。
O. Ambacher, 他12名、 "Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures", Journal of Applied Physics, 2000年1月1日、Vol. 87, No 1, p. 334-344.
ロバート・アーミテイジ、高野 隆好、椿 健治、平山 秀樹、"MOVPE法によるサファイア基板上へのm面GaNの成長"、松下電工技報、Vol. 56, No. 3, p. 81-85.
窒化物系半導体の成長は、一般にC面{0001}の法線方向であるC軸方向に進行するが、C軸方向に成長したGaN及びAlGaNの積層構造は、極めて強い分極効果によってヘテロ界面に2次元キャリアガスを発生する(非特許文献1を参照)。こうした分極効果による2次元キャリアガスの存在は、高電子移動度トランジスタへの応用などでは有用であるが、図1に示される光変調導波路では、電界変調がAlGaN/GaN界面及びGaN/AlGaN界面における2次元キャリアガスにより阻害されるため、所望の変調動作を得られないという問題がある。
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、C軸方向の電界変調を行うことができ、電界変調が分極電荷による2次元キャリアガスの阻害を受けない窒化物系半導体で構成された光変調導波路を提供することにある。
本発明の請求項1に記載の光変調導波路は、基板、窒化物系半導体バッファ層、第1の窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層、及び第2の窒化物系半導体クラッド層が順次積層された光変調導波路であって、第1の電極及び第2の電極が、前記窒化物系半導体光導波層の側面を挟み込むように、C軸方向に形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項2に記載の光変調導波路は、請求項1に記載の光変調導波路であって、前記基板、前記窒化物系半導体バッファ層、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層は、a軸又はm軸方向に順次積層されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載の光変調導波路は、請求項1又は2に記載の光変調導波路であって、前記窒化物系半導体バッファ層、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層上に、絶縁膜が形成され、前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項4に記載の光変調導波路は、請求項1又は2に記載の光変調導波路であって、前記窒化物系半導体バッファ層上と、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層の一方の側面に、第1の絶縁膜が形成され、前記窒化物系半導体バッファ層上と、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層の他方の側面に、第2の絶縁膜が形成され、前記第1の電極は前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第2の電極は前記第2の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載の光変調導波路は、請求項1ないし4に記載の光変調導波路であって、前記窒化物系半導体バッファ層としてi−GaNを、前記第1の窒化物系半導体クラッド層としてi−AlGaNを、前記窒化物系半導体光導波層としてi−GaNを、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層としてi−AlGaNを用いたことを特徴とする。
本発明に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路によると、C軸方向の電界変調を行うことができることにより、最も大きな電気光学効果を得ることが可能となる。また、各層が非極性面方向であるa軸又はm軸方向に積層されていることにより、ヘテロ界面に2次元キャリアガスが発生せず、分極効果による2次元キャリアガスの阻害を受けずに電界変調を行うことができる。
[実施例1]
図2は、本発明の実施例1に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路200を示す。図2には、基板201上に形成された、表面がa面又はm面である窒化物系半導体バッファ層202と、窒化物系半導体バッファ層202上に形成された第1の窒化物系半導体クラッド層203と、第1の窒化物系半導体クラッド層203上に形成された窒化物系半導体光導波層204と、窒化物系半導体光導波層204上に形成された第2の窒化物系半導体クラッド層205と、第1の窒化物系半導体クラッド層203、窒化物系半導体光導波層204及び第2の窒化物系半導体クラッド層205のC面の側面を挟み込むようにC軸方向に形成された電極206及び207とを備える光変調導波路200が示されている。
図2は、本発明の実施例1に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路200を示す。図2には、基板201上に形成された、表面がa面又はm面である窒化物系半導体バッファ層202と、窒化物系半導体バッファ層202上に形成された第1の窒化物系半導体クラッド層203と、第1の窒化物系半導体クラッド層203上に形成された窒化物系半導体光導波層204と、窒化物系半導体光導波層204上に形成された第2の窒化物系半導体クラッド層205と、第1の窒化物系半導体クラッド層203、窒化物系半導体光導波層204及び第2の窒化物系半導体クラッド層205のC面の側面を挟み込むようにC軸方向に形成された電極206及び207とを備える光変調導波路200が示されている。
図2に示されるように、光変調導波路200においては、基板201、窒化物系半導体バッファ層202、第1の窒化物系半導体クラッド層203、窒化物系半導体光導波層204、及び第2の窒化物系半導体クラッド層205がa軸又はm軸方向に順次積層されている。例えば、非特許文献2に記載のような手法によりa面又はm面に各層を成長させることが可能である。基板201は、例えばサファイア又はシリコンで構成することができる。窒化物系半導体バッファ層202は、例えば、i−GaN、i−AlN又はi−AlGaNなど、公知の窒化物系半導体の結晶成長で用いる材料を用いることができる。望ましくは、窒化物系半導体バッファ層202と第1の窒化物系半導体クラッド層203との間にリーク電流を生じさせないために高抵抗層とするのが望ましい。また、第1の窒化物系半導体クラッド層203及び第2の窒化物系半導体クラッド層205は、窒化物系半導体光導波層204よりも屈折率が小さく、かつバンドギャップが大きい窒化物系半導体であればよい。例えば、窒化物系半導体クラッド層/窒化物系半導体光導波層の組み合わせとしては、AlGaN/GaN、h−BN/GaN、GaN/InGaN、AlGaN/InGaN又はInAlN/GaNなどを用いることができ、どの材料も基本的には高抵抗なi層として用いればよい。結晶成長の容易さでは、i−AlGaN/i−GaNの組み合わせが好適である。
次に、エッチングプロセスにより側面がC面であるリッジ型となるように窒化物系半導体バッファ層202に至るまでエッチングを行うことにより、ハイメサ導波路構造が形成される。その後、電気光学効果の大きいC軸方向への電界変調が可能となるように、エッチングにより露出した両側面を挟み込むように窒化物系半導体光導波層204に電界を印加するための電極206及び207が形成される。
本発明の実施例1に係る光変調導波路200においては、窒化物系半導体光導波層204の側面を挟み込むようにC軸方向に電極206及び207が形成されている。そのため、C軸方向に電界を印加することができることにより、最も大きな電気光学効果を得ることが可能となる。
さらに、本発明の実施例1に係る光変調導波路200においては、各層が非極性面方向であるa軸又はm軸方向に積層されている。そのため、第2の窒化物系半導体クラッド層/窒化物系半導体光導波層界面および窒化物系半導体光導波層/第1の窒化物系半導体クラッド層界面に2次元キャリアガスが発生しないことにより、分極効果による2次元キャリアガスの阻害を受けずに電界変調を行うことができる。
図5は従来技術のようなC面成長した場合のGaN系光導波路を有する光変調導波路のバンドプロファイルを示し、図6は本発明のようなa面又はm面成長した場合のGaN系光導波路を有する光変調導波路のバンドプロファイルを示す。このバンドプロファイルでは、従来技術と比較できるよう、第1の窒化物系半導体クラッド層及び第2の窒化物系半導体クラッド層には、i−AlGaNを、窒化物系半導体光導波層にはi−GaNを用いたものを示した。図5及び6には、異なる電圧を印加した場合の各エネルギー(価導電子帯のみを表示)を示す。また、図1及び2では図示していないが、図5及び6で使用する光変調導波路においては、表面側のn−GaN層と第2のi−AlGaN層との間に、キャリアブロック層として機能するAl組成が大きいi−AlGaN層が形成されている。なお、ここでは比較のために、本発明の構成にもキャリアブロック層がある場合のバンドプロファイルを示したが、本発明の構成ではキャリアブロック層に平行な方向に電圧を印加しているため、キャリアの拡散を防止する層としては機能しない。つまり、本発明の構成にはキャリアブロック層は必須のものではない。
図5に示されるように、C面成長した場合の従来の光変調導波路においては、電圧を印加してもヘテロ界面に生じた2次元キャリアガスにより電界が遮蔽され、コア層であるi−GaN層部分に電界変調がかかりにくくなるため、電界変調強度が印加電圧に比例しない。それに対して、本発明に係る光変調導波路においてはヘテロ界面に2次元キャリアガスが生じないため、図6に示されるように印加電圧ごとに比例して電界変調がなされている。
[実施例2]
図3は、本発明の実施例2に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路300を示す。図3には、基板301、窒化物系半導体バッファ層302、第1の窒化物系半導体クラッド層303、窒化物系半導体光導波層304、及び第2の窒化物系半導体クラッド層305がa軸又はm軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層304の側面に絶縁膜308を介して窒化物系半導体光導波層304を挟み込むようにC軸上に電極306及び307が形成された光変調導波路300が示されている。
図3は、本発明の実施例2に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路300を示す。図3には、基板301、窒化物系半導体バッファ層302、第1の窒化物系半導体クラッド層303、窒化物系半導体光導波層304、及び第2の窒化物系半導体クラッド層305がa軸又はm軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層304の側面に絶縁膜308を介して窒化物系半導体光導波層304を挟み込むようにC軸上に電極306及び307が形成された光変調導波路300が示されている。
絶縁膜308は、窒化物系半導体バッファ層302、第1の窒化物系半導体クラッド層303、窒化物系半導体光導波層304、及び第2の窒化物系半導体クラッド層305上に形成され、絶縁膜308上に電極306及び307が形成されている。絶縁膜308は、例えばSiO2やAl2O3などで構成することができる。基板、その他の層を構成する材料は実施例1と同様である。
本発明の実施例2に係る光変調導波路300は、本発明の実施例1に係る光変調導波路200に絶縁膜308を加えた構成であるが、本発明の実施例1に係る光変調導波路200においては、ヘテロ界面に2次元キャリアガスが発生しないとはいえ、実際の材料には意図せずに存在する残留キャリアがあり、電極に電圧を加えた際にこれらが電流として流れる可能性がある。電流が流れるとジュール熱の発生によって素子温度が上がり、屈折率が変化して変調動作等に影響を与えてしまうため、消費電力の増大などの影響が懸念される。
本発明の実施例2に係る光変調導波路300においては、絶縁膜308を介して電極306及び307を形成することにより、残留キャリアが電流として流れることを回避することができるため、消費電力の増大を防止することができる。
[実施例3]
図4は、本発明の実施例3に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路400を示す。図4には、基板401、窒化物系半導体バッファ層402、第1の窒化物系半導体クラッド層403、窒化物系半導体光導波層404、及び第2の窒化物系半導体クラッド層405がa軸又はm軸方向に順次積層され、電極406及び407が絶縁膜408及び409を介して窒化物系半導体光導波層304を挟み込むようにC軸上に形成された光変調導波路400が示されている。
図4は、本発明の実施例3に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路400を示す。図4には、基板401、窒化物系半導体バッファ層402、第1の窒化物系半導体クラッド層403、窒化物系半導体光導波層404、及び第2の窒化物系半導体クラッド層405がa軸又はm軸方向に順次積層され、電極406及び407が絶縁膜408及び409を介して窒化物系半導体光導波層304を挟み込むようにC軸上に形成された光変調導波路400が示されている。
絶縁膜408は、窒化物系半導体バッファ層402上と、第1の窒化物系半導体クラッド層403、窒化物系半導体光導波層404、及び第2の窒化物系半導体クラッド層405の一方のC面の側面とに形成され、絶縁膜408上に電極406が形成されている。絶縁膜409は、窒化物系半導体バッファ層402上と、第1の窒化物系半導体クラッド層403、窒化物系半導体光導波層404、及び第2の窒化物系半導体クラッド層405の他方のC面の側面とに形成され、絶縁膜409上に電極407が形成されている。基板、層、膜を構成する材料は実施例1の場合と同様である。
本発明の実施例3に係る光変調導波路400は、本発明の実施例2に係る光変調導波路300の絶縁膜308において第2の窒化物系半導体クラッド層305上に形成された部分を除去した構成である。
本発明の実施例3に係る光変調導波路400においては、絶縁膜408及び409を介して電極406及び407を形成することにより、残留キャリアが電流として流れることを回避することができるため、消費電力の増大を防止することができる。
100、200、300、400 光変調導波路
101、201、301、401 基板
102、106 n−GaN電極層
202、302、402 窒化物系半導体バッファ層
103 第1のi−AlGaNクラッド層
203、303、403 第1の窒化物系半導体クラッド層
104 i−GaN光導波層
204、304、404 窒化物系半導体光導波層
105 第2のi−AlGaNクラッド層
205、305、405 第2の窒化物系半導体クラッド層
107、108、206、207、306、307、406、407 電極
308、408、409 絶縁膜
101、201、301、401 基板
102、106 n−GaN電極層
202、302、402 窒化物系半導体バッファ層
103 第1のi−AlGaNクラッド層
203、303、403 第1の窒化物系半導体クラッド層
104 i−GaN光導波層
204、304、404 窒化物系半導体光導波層
105 第2のi−AlGaNクラッド層
205、305、405 第2の窒化物系半導体クラッド層
107、108、206、207、306、307、406、407 電極
308、408、409 絶縁膜
Claims (5)
- 基板、窒化物系半導体バッファ層、第1の窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層、及び第2の窒化物系半導体クラッド層が順次積層された光変調導波路であって、
第1の電極及び第2の電極が、前記窒化物系半導体光導波層の側面を挟み込むように、C軸方向に形成されていることを特徴とする光変調導波路。 - 前記基板、前記窒化物系半導体バッファ層、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層は、a軸又はm軸方向に順次積層されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調導波路。
- 前記窒化物系半導体バッファ層、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層上に、絶縁膜が形成され、前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調導波路。
- 前記窒化物系半導体バッファ層上と、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層の一方の側面に、第1の絶縁膜が形成され、
前記窒化物系半導体バッファ層上と、前記第1の窒化物系半導体クラッド層、前記窒化物系半導体光導波層、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層の他方の側面に、第2の絶縁膜が形成され、
前記第1の電極は前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第2の電極は前記第2の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調導波路。 - 前記窒化物系半導体バッファ層としてi−GaNを、前記第1の窒化物系半導体クラッド層としてi−AlGaNを、前記窒化物系半導体光導波層としてi−GaNを、及び前記第2の窒化物系半導体クラッド層としてi−AlGaNを用いたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光変調導波路。
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