JP2013227193A - カーボンナノチューブ合成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カーボンナノチューブ合成装置1は、チャンバー2と、尖端部3aを備えるアンテナ3と、マイクロ波導体部4と、ガス導入手段5と、ガス排出手段6と、基板保持手段7と、加熱手段8とを備える。チャンバー2の内壁形状は、アンテナ3の尖端部3aに対して対称とされている。
【選択図】 図1
Description
Claims (11)
- チャンバーと、
該チャンバーの天井部中央の下方に設けられプラズマを発生させる尖端部を備えるアンテナと、
該チャンバーの天井部中央に設けられ、該アンテナの尖端部で反射して定在波を形成するマイクロ波を該アンテナに伝導するマイクロ波導体部と、
該チャンバーにガスを導入するガス導入手段と、
該チャンバーからガスを排出するガス排出手段と、
該チャンバー内でカーボンナノチューブ合成用基板を保持する基板保持手段と、
該チャンバー内で、該アンテナに対し、該カーボンナノチューブ合成用基板の位置が、該アンテナで発生するプラズマにより生成するラジカルに副生するイオンの攻撃を避け得ると共に、該ラジカルがラジカル状態を維持して到達し得る距離を存する位置となるように調整する位置調整手段と、
該基板保持手段に保持された該カーボンナノチューブ合成用基板を加熱する加熱手段とを備えるカーボンナノチューブ合成装置において、
該チャンバーの内壁形状は、該アンテナの尖端部に対して対称となるようにされていることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記チャンバーの内径がRであり、前記アンテナの外径がrであるときに、該チャンバーの内径Rの該アンテナの外径rに対する比R/rの値が10〜40の範囲であることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1又は請求項2記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記チャンバーは、前記アンテナの尖端部に対し、該チャンバーに設けられる各手段と対称となる位置に各手段のダミーを備えることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1〜請求項3のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記マイクロ波導体部は円柱状であると共に、前記アンテナは円錐形状であり、該アンテナの最大径は該マイクロ波導体部の直径と等しいことを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1〜請求項4のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記マイクロ波導体部は、周囲に絶縁部材を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記位置調整手段は、前記基板保持手段を昇降自在とする第1の昇降手段を備え、該第1の昇降手段により該カーボンナノチューブ合成用基板の位置を、前記アンテナで発生するプラズマにより生成するラジカルに副生するイオンの攻撃を避け得ると共に、該ラジカルがラジカル状態を維持して到達し得る距離を存する位置に調整することを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記位置調整手段は、前記マイクロ波導体部を昇降自在とする第2の昇降手段を備え、該第2の昇降手段により前記アンテナの位置を、前記カーボンナノチューブ合成用基板が該アンテナで発生するプラズマにより生成するラジカルに副生するイオンの攻撃を避け得ると共に、該ラジカルがラジカル状態を維持して到達し得る距離を存する位置に調整することを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1〜請求項7のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記加熱手段は、前記基板保持手段の周囲に配設された誘導加熱用コイルと、該誘導加熱用コイルに給電する電源装置とを備えることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項8記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記加熱手段は、前記基板保持手段と同期して随伴移動自在とされていることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1〜請求項7のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記加熱手段は、前記チャンバーの内部又は外部に配設された赤外加熱装置と、該赤外加熱装置に給電する電源装置とを備えることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
- 請求項1〜請求項7のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ合成装置において、前記加熱手段は、前記チャンバーの外部に配設されたレーザー加熱装置と、該レーザー加熱装置に給電する電源装置とを備えることを特徴とするカーボンナノチューブ合成装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013040586A JP6037281B2 (ja) | 2012-03-29 | 2013-03-01 | カーボンナノチューブ合成装置 |
US13/791,960 US8815168B2 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-09 | Carbon nanotube synthesizing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012077548 | 2012-03-29 | ||
JP2012077548 | 2012-03-29 | ||
JP2013040586A JP6037281B2 (ja) | 2012-03-29 | 2013-03-01 | カーボンナノチューブ合成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013227193A true JP2013227193A (ja) | 2013-11-07 |
JP6037281B2 JP6037281B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=49235315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013040586A Expired - Fee Related JP6037281B2 (ja) | 2012-03-29 | 2013-03-01 | カーボンナノチューブ合成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8815168B2 (ja) |
JP (1) | JP6037281B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220102910A (ko) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 씨비테크 주식회사 | 탄소 에미터 증착 장치 및 증착 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI647760B (zh) * | 2016-03-22 | 2019-01-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理系統中之溫度控制用系統及方法 |
MX2020002072A (es) | 2017-08-22 | 2020-09-03 | Ntherma Corp | Nanocintas de carbono, nanolaminillas de carbono y mezclas de las mismas y metodos de sintesis. |
SG11202001521SA (en) | 2017-08-22 | 2020-03-30 | Ntherma Corp | Methods and devices for synthesis of carbon nanotubes |
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Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5311103A (en) * | 1992-06-01 | 1994-05-10 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Apparatus for the coating of material on a substrate using a microwave or UHF plasma |
-
2013
- 2013-03-01 JP JP2013040586A patent/JP6037281B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-09 US US13/791,960 patent/US8815168B2/en not_active Expired - Fee Related
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KR20220102910A (ko) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 씨비테크 주식회사 | 탄소 에미터 증착 장치 및 증착 방법 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6037281B2 (ja) | 2016-12-07 |
US8815168B2 (en) | 2014-08-26 |
US20130259763A1 (en) | 2013-10-03 |
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