JP2013225593A - ガス精製装置 - Google Patents
ガス精製装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013225593A JP2013225593A JP2012097047A JP2012097047A JP2013225593A JP 2013225593 A JP2013225593 A JP 2013225593A JP 2012097047 A JP2012097047 A JP 2012097047A JP 2012097047 A JP2012097047 A JP 2012097047A JP 2013225593 A JP2013225593 A JP 2013225593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor
- semiconductor manufacturing
- chamber
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】ガス精製装置1は、半導体製造装置3に供給されるガスを収容するチャンバ11と、チャンバ11内に配置され、該チャンバ内のガスを熱処理する熱処理部12と、チャンバ11内のガスが所定温度となるように、熱処理部12に供給される電力を制御する制御部13とを備えている。制御部13は、熱処理部12と電気的に接続されており、該熱処理部に電力を供給する。また、制御部13には、熱処理部12の近傍に配置された温度センサ14が接続されており、この制御部13は、温度センサ14からの電気信号に基づいて、熱処理部12に供給する電力をフィードバック制御する。
【選択図】図1
Description
次に、以下に示す(1)〜(6)のプロセスにて半導体素子を作製した。
(1)p+GaN層の表面に、厚さ1000nmのSiO2層をPECVD法にて成膜した。
(2)p型電極領域となる直径150μmの円形パターンにて開口部を形成した。SiO2を除去するためにフォトリソグラフィーでパターンニングして、緩衝フッ酸で開口した。
(3)n型電極領域として、該当部分をn+GaN層が露出するまでドライエッチングした。そしてエッチングマスクとして厚さ2000nmのSiO2膜を形成した。エッチングマスクはフォトリソグラフィーと緩衝フッ酸により形成した。
(4)上記開口部に直径190umの円形パターンにてp型電極を形成した。真空蒸着法とリフトオフ法でp型電極Ni/Au=10/10nmを形成し、常圧の酸素100%雰囲気下で、500℃、10分間で熱処理を行った。
(5)その後、ドライエッチングした領域に、n型電極Ti/Al=25nm/500nmをスパッタ法とリフトオフ法で形成し、常圧の窒素雰囲気下で600℃、10分間で熱処理を行った。
(6)保護膜としてPECVD法にて厚さ1000nmのSiO2膜を成膜したのち、電極領域をフォトリソグラフィーと緩衝フッ酸にて形成した。
2 ガス供給部
3 半導体製造装置
4 供給路
11 チャンバ
12 熱処理部
13 制御部
14 温度センサ
20 冷却装置
30 フィルタ
40 半導体素子
41 基板
42 n+GaN層
43 n−GaN層
44 ショットキー電極
45 オーミック電極
Claims (8)
- 基板に半導体層を形成する半導体製造装置に接続され、該半導体製造装置にガスを供給するガス精製装置であって、
前記半導体製造装置の上流に配置され、該半導体製造装置にガスを導入するためのチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、該チャンバ内のガスを熱処理する熱処理部と、
前記チャンバ内のガスが半導体の結晶成長温度以上となるように、前記熱処理部に供給される電力を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするガス精製装置。 - 前記半導体製造装置が、化学的気相成長法、ドライエッチングおよびスパッタリングのいずれかを実行する装置であることを特徴とする請求項1記載のガス精製装置。
- 前記ガスが、アンモニア、窒素、アルゴン、ヘリウムおよびキセノンのいずれかであることを特徴とする請求項1または2記載のガス精製装置。
- 前記半導体製造装置は、基板にIII族窒化物層を成長させる装置であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のガス精製装置。
- 前記半導体製造装置は、MOCVD法により基板にIII族窒化物層を成長させる装置であることを特徴とする請求項4記載のガス精製装置。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体製造装置用ガス精製装置を用いて半導体を製造することを特徴とする製造方法。
- 請求項6記載の製造方法により製造されることを特徴とする半導体素子。
- 前記半導体素子がIII−V族窒化物半導体であることを特徴とする、請求項7記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012097047A JP2013225593A (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | ガス精製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012097047A JP2013225593A (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | ガス精製装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013225593A true JP2013225593A (ja) | 2013-10-31 |
Family
ID=49595463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012097047A Pending JP2013225593A (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | ガス精製装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013225593A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107919A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Taiyo Sanso Kk | ガス精製装置 |
JPH04200711A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体製造プロセス用ガス精製装置 |
JPH11312650A (ja) * | 1998-01-17 | 1999-11-09 | Hanbekku Corp | 化合物半導体製造用水平反応炉 |
-
2012
- 2012-04-20 JP JP2012097047A patent/JP2013225593A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107919A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Taiyo Sanso Kk | ガス精製装置 |
JPH04200711A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体製造プロセス用ガス精製装置 |
JPH11312650A (ja) * | 1998-01-17 | 1999-11-09 | Hanbekku Corp | 化合物半導体製造用水平反応炉 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4631681B2 (ja) | 窒化物系半導体基板及び半導体装置 | |
CA2638191A1 (en) | Buried contact devices for nitride-based films and manufacture thereof | |
JP6070846B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
CN106711022B (zh) | 一种生长掺杂界面清晰的碳化硅外延薄膜的制备方法 | |
WO2006137192A1 (ja) | 炭化ケイ素基板の表面再構成方法 | |
JP2007201336A (ja) | 半導体積層体の形成方法 | |
KR19980080216A (ko) | 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법 | |
JP2010263140A (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法 | |
US8802546B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP2010111576A (ja) | 窒化物系半導体基板及び半導体装置 | |
JP2013225593A (ja) | ガス精製装置 | |
JP4699420B2 (ja) | 窒化物膜の製造方法 | |
WO2011070760A1 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
WO2013104200A1 (zh) | 用ald设备生长氮化镓薄膜的方法 | |
JP2011006304A (ja) | 窒化物半導体基板およびその製造方法 | |
JP5172426B2 (ja) | Iii−v族化合物半導体の結晶成長方法 | |
WO2010116424A1 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP4196498B2 (ja) | エピタキシャル層の形成方法 | |
JPH0355432B2 (ja) | ||
JP2004299958A (ja) | 高純度水素ガス発生装置 | |
JP2008141048A (ja) | p型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置 | |
KR101383295B1 (ko) | 3C-SiC 박막을 이용한 그래핀 합성방법 | |
JP2001298213A (ja) | p型III族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法 | |
CN105140355A (zh) | 基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料及其制作方法 | |
KR100942146B1 (ko) | 펄스 가스 유동 증착방법, 그 장치 및 이를 이용한에피택셜 웨이퍼의 제작 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20130801 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131009 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140407 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140728 |