CN105140355A - 基于m面蓝宝石衬底上半极性（11-22）黄光LED材料及其制作方法 - Google Patents
基于m面蓝宝石衬底上半极性（11-22）黄光LED材料及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105140355A CN105140355A CN201510509289.4A CN201510509289A CN105140355A CN 105140355 A CN105140355 A CN 105140355A CN 201510509289 A CN201510509289 A CN 201510509289A CN 105140355 A CN105140355 A CN 105140355A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polarity
- semi
- sapphire substrate
- surface sapphire
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将m面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.1-100μm，Si掺杂浓度为4×1017cm-3～4×1019cm-3，C掺杂浓度为2×1017cm-3～2×1019cm-3的高温有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～3×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，发光效率高，可用于制作半极性(11-22)GaN黄光发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED半导体材料，属于微电子技术领域，可用于制作GaN黄光LED产品。
技术背景
Ш-V族氮化物材料为直接带隙，热导率高、电子饱和迁移率高、发光效率高、耐高温和抗辐射，在光电子和微电子领域都取得了巨大的进步。通过调节In的组分，理论上讲，可以实现对可见光波长的全覆盖，在发光器件、微波器件和大功率半导体器件等方面有巨大的前景。
2007年，M.J.Kappers等人提出了在m面蓝宝石衬底上生长10个周期的InGaN/GaN量子阱结构的方案，参见Growthandcharacterisationofsemi-polar(11-22)InGaN/GaNMQWstructures，JournalofCrystalGrowth，300(2007)155–159。该方案InGaN/GaN量子阱结构中存在较大的应力，导致GaN的结晶质量退化，应用于器件中会影响器件的性能，而且量子阱结构的生长工艺复杂，生长效率低，制作成本高。
发明内容
本发明的目的在于针对上述已有技术的不足，提供一种基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料及其制作方法，以简化工艺复杂度，提高生长效率，降低成本，提高LED器件性能。
实现本发明目的技术关键是：采用MOCVD的方法，通过引入C掺杂，使C元素替换N元素形成深能级，提供复合能级，C杂质可以通过C源引入，也可以通过控制工艺利用MOCVD中的C杂质实现。
一.本发明基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料，自上而下分别为p型GaN层，有源层，成核层和m面蓝宝石衬底，其特征在于有源层使用C掺杂和Si掺杂的n型GaN层，以在GaN中引入C的深能级，为发黄光的电子、空穴提供复合平台。
进一步，C掺杂的浓度为2×1017cm-3～2×1019cm-3，Si掺杂的浓度为4×1017cm-3～4×1019cm-3。
进一步，p型GaN层的厚度为0.01-10μm。
进一步，n型GaN层的厚度为0.1-100μm。
二.本发明基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料的制作方法，包括如下步骤：
(1)将m面蓝宝石衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理，反应室的真空度小于2×10-2Torr，衬底加热温度为920-1250℃，时间为5-10min，反应室压力为20-800Torr；
(2)在m面蓝宝石衬底上生长厚度为8-210nm，温度为530-750℃的低温成核层；
(3)在低温成核层之上生长厚度为0.1-100μm，Si掺杂浓度为4×1017cm-3～4×1019cm-3，C掺杂浓度为2×1017cm-3～2×1019cm-3，温度为900-1200℃的高温n型半极性(11-22)GaN有源层；
(4)在n型GaN有源层之上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～3×1019cm-3，温度为900-1200℃的高温p型半极性(11-22)GaN层。
本发明由于采用C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN作为有源层，与现有技术相比具有如下优点：
1.直接利用MOCVD中的Ga源中的C作为C源，降低了生产成本。
2.避免了传统LED结果中的InGaN量子阱生长，简化了工艺步骤，提高了生长效率。
3.避免了InGaN的存在引起材料晶格失配大的问题，提高了材料的质量，从而提高LED器件的性能。
本发明的技术方案和效果可通过以下附图和实施例进一步说明。
附图说明
图1是本发明基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料结构示意图；
图2为本发明制作基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料的流程图。
具体实施方式
参照图1，本发明的黄光LED材料设有四层，其中第一层为衬底，采用m面蓝宝石；第二层为成核层，采用厚度为8-210nm的AlN；第三层为有源层，采用厚度为0.1-100μm的C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN层，其中C掺杂的浓度为2×1017cm-3～2×1019cm-3，Si掺杂的浓度为4×1017cm-3～4×1019cm-3，由于在GaN中引入了C掺杂，因此在GaN中会形成深能级，为发黄光的电子、空穴提供了复合的平台；第四层为p型GaN层，采用厚度为0.01-10μm，掺杂浓度为1×1017cm-3～3×1019cm-3的Mg掺杂半极性(11-22)GaN。
参照图2，本发明制作基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料的方法，给出如下三种实施例：
实施例1，制作C掺杂浓度为2×1018cm-3、Si掺杂浓度为4×1018cm-3的n型半极性(11-22)GaN层有源层的LED材料。
步骤1，对衬底基片进行热处理。
将m面蓝宝石衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，在反应室的真空度小于2×10-2Torr，衬底加热温度为1150℃，时间为8min，反应室压力为40Torr的条件下，对衬底基片进行热处理。
步骤2，生长AlN成核层。
将热处理后的衬底基片温度降低为650℃，向反应室通入流量为5μmol/min的铝源、流量为1200sccm氢气和流量为2400sccm的氨气，在保持压力为40Torr的条件下生长厚度为20nm的低温AlN成核层。
步骤3，生长C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN有源层。
向反应室通入流量为15μmol/min的镓源、流量为1200sccm氢气和流量为3000sccm的氨气，保持反应室压力为40Torr，温度为1150℃，取C掺杂浓度为2×1018cm-3，Si掺杂浓度为4×1018cm-3，在低温AlN成核层上生长厚度为3μm的n型半极性(11-22)GaN有源层。
步骤4，生长p型半极性(11-22)GaN层。
将已经生长了C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN层基片温度保持在1050℃，向反应室通入流量为15μmol/min的镓源、流量为1200sccm氢气，流量为3000sccm的氨气和流量为8μmol/min的Mg源，保持压力为40Torr，温度为1050℃，生长厚度为200nm的p型半极性(11-22)GaN层，形成半极性(11-22)面GaN材料，并从MOCVD反应室中取出。
实施例2，制作C掺杂浓度为2×1017cm-3、Si掺杂浓度为4×1017cm-3的n型半极性(11-22)GaN层有源层的LED材料。
本实例的实现步骤如下：
步骤A，将m面蓝宝石衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，在反应室的真空度小于2×10-2Torr，衬底加热温度为920℃，时间为5min，反应室压力为20Torr的条件下，对衬底基片进行热处理。
步骤B，将热处理后的衬底基片温度降低为530℃，向反应室通入流量为3μmol/min的铝源、流量为1000sccm氢气和流量为2000sccm的氨气，在保持压力为20Torr的条件下生长厚度为8nm的低温AlN成核层。
步骤C，向反应室通入流量为3μmol/min的镓源、流量为1000sccm氢气和流量为2000sccm的氨气，保持压力为20Torr，温度为900℃，取C掺杂浓度为2×1017cm-3、Si掺杂浓度为4×1017cm-3，在低温AlN成核层上生长厚度为100nm的n型半极性(11-22)GaN有源层。
步骤D，将已经生长了C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN层基片温度保持在900℃，向反应室通入流量为3μmol/min的镓源、流量为1000sccm氢气和流量为2000sccm的氨气，3μmol/min的Mg源，保持压力为20Torr，生长厚度为10nm的p型半极性(11-22)GaN层，形成半极性(11-22)面GaN材料，并从MOCVD反应室中取出。
实施例3，制作C掺杂浓度为2×1019cm-3、Si掺杂浓度为4×1019cm-3的n型半极性(11-22)GaN有源层的LED材料。
本实例的实现步骤如下：
步骤一，对衬底基片进行热处理。
将m面蓝宝石衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，进行热处理，其工艺条件如下：
反应室的真空度：小于2×10-2Torr；
衬底加热温度：1250℃；
氮化时间：10min；
反应室压力：800Torr。
步骤二，生长AlN成核层。
在热处理后的衬底基片上生长厚度为210nm的低温AlN成核层，其工艺条件如下：
反应室温度：750℃；
反应室压力：800Torr；
铝源流量：50μmol/min；
氢气流量：10000sccm；
氨气流量：20000sccm。
步骤三，生长C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN有源层。
在低温AlN成核层上生长厚度为100μm的n型半极性(11-22)GaN有源层，其工艺条件如下：
反应室温度：1200℃；
反应室压力：800Torr；
镓源流量：50μmol/min；
氢气流量：10000sccm；
氨气流量：20000sccm；
C掺杂浓度：2×1019cm-3；
Si掺杂的浓度：4×1019cm-3。
步骤四，生长p型半极性(11-22)GaN层。
在C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN有源层上生长厚度为10μm的p型半极性(11-22)GaN层，形成半极性(11-22)GaN材料，其工艺条件为：
基片温度：1200℃；
反应室压力：800Torr；
镓源流量：50μmol/min；
氢气流量：10000sccm；
氨气流量：20000sccm；
Mg源流量：80μmol/min。
步骤五，将形成的半极性(11-22)面GaN材料从MOCVD反应室中取出。
以上实施例仅用于对本发明的说明，不构成对本发明的限制。对于本领域的专业人员来说，在了解本发明内容和原理后，能够在不背离本发明的原理和范围的情况下，根据本发明的方法进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明的修正和改变仍受本发明的权利要求保护。
Claims (5)
1.一种基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料，自上而下分别为p型GaN层，有源层，成核层和m面蓝宝石衬底，其特征在于有源区使用C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11-22)GaN层，以在GaN中引入C的深能级，为发黄光的电子、空穴提供复合平台。
2.根据权利要求1所述的基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料，其特征在于C掺杂的浓度为2×1017cm-3～2×1019cm-3，Si掺杂的浓度为4×1017cm-3～4×1019cm-3。
3.根据权利要求1所述的基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料，其特征在于p型GaN层的厚度为0.01-10μm。
4.根据权利要求1所述的基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料，其特征在于有源层的厚度为0.1-100μm。
5.一种基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料的制作方法，包括如下步骤：
(1)将m面蓝宝石衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理，保持反应室的真空度小于2×10-2Torr，衬底加热温度为920-1250℃，时间为5-10min，反应室压力为20-800Torr；
(2)在m面蓝宝石衬底上生长厚度为10-200nm，温度为530-750℃的低温成核层；
(3)在低温成核层之上生长厚度为0.1-100μm，Si掺杂浓度为4×1017cm-3～4×1019cm-3，C掺杂浓度为2×1017cm-3～2×1019cm-3，温度为900-1200℃的高温n型半极性(11-22)GaN有源层；
(4)在n型半极性(11-22)GaN有源层之上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～3×1019cm-3，温度为900-1200℃的高温p型半极性(11-22)GaN层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510509289.4A CN105140355A (zh) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | 基于m面蓝宝石衬底上半极性（11-22）黄光LED材料及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510509289.4A CN105140355A (zh) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | 基于m面蓝宝石衬底上半极性（11-22）黄光LED材料及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105140355A true CN105140355A (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=54725639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510509289.4A Pending CN105140355A (zh) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | 基于m面蓝宝石衬底上半极性（11-22）黄光LED材料及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105140355A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206880A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 中联西北工程设计研究院有限公司 | 一种制备InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1608310A (zh) * | 2001-10-22 | 2005-04-20 | 耶鲁大学 | 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件 |
| US20050090079A1 (en) * | 2002-01-10 | 2005-04-28 | Hiroshi Yoshida | Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal |
| CN101409231A (zh) * | 2007-05-18 | 2009-04-15 | 索尼株式会社 | 半导体层生长方法、半导体发光元件及制造方法、电子器件 |
| CN102832241A (zh) * | 2012-09-14 | 2012-12-19 | 电子科技大学 | 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管 |
| CN103430295A (zh) * | 2011-05-17 | 2013-12-04 | 先进动力设备技术研究协会 | 半导体元件及其制造方法 |
-
2015
- 2015-08-18 CN CN201510509289.4A patent/CN105140355A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1608310A (zh) * | 2001-10-22 | 2005-04-20 | 耶鲁大学 | 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件 |
| US20050090079A1 (en) * | 2002-01-10 | 2005-04-28 | Hiroshi Yoshida | Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal |
| CN101409231A (zh) * | 2007-05-18 | 2009-04-15 | 索尼株式会社 | 半导体层生长方法、半导体发光元件及制造方法、电子器件 |
| CN103430295A (zh) * | 2011-05-17 | 2013-12-04 | 先进动力设备技术研究协会 | 半导体元件及其制造方法 |
| CN102832241A (zh) * | 2012-09-14 | 2012-12-19 | 电子科技大学 | 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| C.H. SEAGER等: "Luminescence in GaN co-doped with carbon and silicon", 《JOURNAL OF LUMINESCENCE》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206880A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 中联西北工程设计研究院有限公司 | 一种制备InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法 |
| CN106206880B (zh) * | 2016-08-31 | 2018-08-31 | 中联西北工程设计研究院有限公司 | 一种制备InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2021204644B2 (en) | Buried activated p-(Al,In)GaN layers | |
| US9184051B2 (en) | Method for producing an optoelectronic nitride compound semiconductor component | |
| EP3107128B1 (en) | Preparation method of a non-polar blue led epitaxial wafer based on lao substrate | |
| CN108878606A (zh) | 基于超晶格结构和δ掺杂的高效发光二极管及制备方法 | |
| CN105098017B (zh) | 基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED结构及其制作方法 | |
| CN106159048B (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
| WO2022127093A1 (zh) | 基于h-BN的V型隧穿结LED外延结构及其制备方法 | |
| CN106876530B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 | |
| CN105140365B (zh) | 基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED结构及其制作方法 | |
| CN105047779B (zh) | 基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法 | |
| CN105720154B (zh) | 一种led外延片及其制造方法 | |
| CN105118902A (zh) | 基于m面SiC衬底上黄光LED材料及其制作方法 | |
| CN103441197A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| CN103390705A (zh) | 一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法 | |
| JP2012169621A (ja) | ＡｌＩｎＧａＮ層の成長方法、光電子装置、光電池装置、および電子装置 | |
| CN105098016B (zh) | 基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法 | |
| CN105161588A (zh) | 基于r面蓝宝石衬底上黄光LED材料及其制作方法 | |
| Lu et al. | Impact of composite last quantum barrier on the performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode | |
| CN105140355A (zh) | 基于m面蓝宝石衬底上半极性（11-22）黄光LED材料及其制作方法 | |
| CN107331744B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | |
| CN105070801B (zh) | 非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法 | |
| JP2007103955A (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体結晶層の成長方法 | |
| CN112736168A (zh) | 非极性GaN基微型发光二极管及制备方法 | |
| CN101901760B (zh) | 基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法 | |
| TW201305398A (zh) | 以ｉｉｉ族氮化物為基礎的多層堆疊結構、帶有該多層堆疊結構的部件以及該多層堆疊結構的製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20151209 |