CN112736168A - 非极性GaN基微型发光二极管及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，InxGa1‑xN/GaN多量子阱，p型GaN层，该n型GaN层和p型GaN层上分别设有n型电极和p型电极。其中：衬底采用r面蓝宝石，用以外延生长非极性a面GaN，InxGa1‑xN/GaN多量子阱为非极性，其周期数为5，且InxGa1‑xN阱层的In含量x的调整范围为0.1‑0.4。本发明消除了由极化效应造成的不良影响，进而提升了器件的发光效率，可用来制作高亮度、高分辨率和高对比度的显示器。

Description

非极性GaN基微型发光二极管及制备方法
技术领域
本发明属于微电子领域，特别涉及一种非极性GaN基微型发光二极管，可用来制作高亮度、高分辨率和高对比度的显示器。
技术背景
随着电子图像显示技术的发展，目前主流的显示技术有有机发光二极管OLED、次毫米发光二极管Mini-LED以及新一代的显示技术即微型发光二极管Micro-LED。微型发光二极管是指在传统发光二极管的基础上将尺寸减小至直径100μm以下，每个Micro-LED芯片作为一个像素发光，能够实现高集成度、高亮度、高分辨率、高对比度以及自发光的功能，相比于其他显示器有明显优势。
GaN作为一类重要的宽禁带直接带隙半导体材料，具有高电子漂移饱和速度、高击穿电压、导电性能好、以及化学稳定性好等特点，并且近年来通过MOCVD等工艺来外延生长GaN的技术已经较为成熟，可以用来制备高性能的Micro-LED。通过调节InGaN/GaN多量子阱中的In组分，实现蓝、绿、红等不同波长的发光，从而达到全彩化显示的效果，为实现Micro-LED自发光的显示器奠定基础。
传统的GaN基微型发光二极管Micro-LED，如图1所示。其是在c面蓝宝石衬底上生长极性GaN外延片的结构基础上制备而成，自下而上包括c面蓝宝石衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，多量子阱层，p型GaN层和电极，其受到极化效应的影响，发光效率并不高。
由于Ⅲ族氮化物具有很强的自发极化效应，并且因异质外延导致外延层与衬底材料之间存在的较大晶格失配和热失配，产生压电极化，同时会引入大量缺陷作为漏电通道，甚至会出现裂纹，这直接影响器件的性能和可靠性。因此，传统的极性GaN基微型发光二极管由于自发极化和压电极化引起的内建电场，使能带弯曲、倾斜，能级位置发生变化，强大的极化电场还会使正负载流子在空间上分离，电子与空穴波函数的交迭变小，即产生量子限制斯塔克效应，造成器件的内量子效率下降，发光波长峰位移动，发光效率降低。
发明内容
本发明的目的在于针对传统极性GaN基微型发光二极管的不足，提出一种非极性GaN基微型发光二极管及制备方法，以减弱量子限制斯塔克效应的影响，减小器件发光波长峰位移动，提高器件的内量子效率，从而提升器件的发光效率。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
1.一种非极性GaN基微型发光二极管，其自下而上包括：衬底、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1-xN/GaN多量子阱和p型GaN层，n型GaN层上设有n型电极，p型GaN层上设有p型电极，其特征在于：
所述衬底，采用r面蓝宝石，用于外延生长非极性a面GaN二极管结构，以消除极化效应，提高器件的发光效率；
所述的InxGa1-xN/GaN多量子阱为非极性，其周期数为5，每个周期的单层InxGa1-xN阱层和GaN垒层的厚度分别为2-4nm和15-20nm，In含量x的调整范围为0.1-0.4。
作为优选，所述高温AlN成核层(2)的厚度为20-50nm。
作为优选，所述n型GaN层(3)的厚度为2000-3000nm。
作为优选，所述p型GaN层(5)的厚度为100-300nm。
2.一种非极性GaN基微型发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下：
1)对r面蓝宝石衬底进行清洗及热处理，将热处理后的衬底置于温度为1000-1100℃的反应室，通入流量为3000-4000sccm的氢气和氨气的混合气体，持续3-5min进行氮化；
2)在氮化后的衬底上采用MOCVD工艺生长厚度为20-50nm的高温AlN成核层；
3)在AlN成核层上采用MOCVD工艺生长厚度为2000-3000nm的n型GaN层；
4)在n型GaN层上采用MOCVD工艺生长五个周期的InxGa1-xN/GaN量子阱，每个周期的单层InxGa1-xN/GaN阱层和GaN垒层的厚度分别为2-4nm和15-20nm，In含量x的调整范围为0.1-0.4；
5)在多量子阱层上采用MOCVD工艺生长厚度为100-300nm的p型GaN层；
6)采用溅射金属的方法分别在n型GaN层上沉积n型电极，在p型GaN层上沉积p型电极，完成对微型发光二极管的制作。
本发明与传统的极性GaN基微型发光二极管相比，具有如下优点：
1.本发明由于采用r面蓝宝石衬底外延生长非极性GaN基微型发光二极管结构，能够消除量子限制斯塔克效应，有效提高电子和空穴的辐射复合效率，提升内量子效率，进而提高器件的发光效率。
2.本发明由于采用五个周期InxGa1-xN阱层和GaN垒层的非极性InxGa1-xN/GaN多量子阱，可通过改变其厚度和调节In组分来实现不同波段的发光，消除由极化效应产生的内建电场的影响，使得非极性量子阱发射峰位随驱动电流的增大而保持稳定。
附图说明
图1是传统的极性GaN基微型发光二极管结构图；
图2是本发明非极性GaN基微型发光二极管结构图；
图3是本发明制作图2所示微型发光二极管的流程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步说明。
参照图2，本发明的器件结构包括：r面蓝宝石衬底层1、高温AlN成核层2、n型GaN层3、InxGa1-xN/GaN多量子阱4、p型GaN层5、电极6。其中，该高温AlN成核层2位于r面蓝宝石衬底层1之上，其厚度为20-50nm；该n型GaN层3位于高温AlN成核层2之上，其厚度为2000-3000nm；该InxGa1-xN/GaN多量子阱4位于n型GaN层3之上，其共五个周期，总厚度为85-120nm，In含量的参数x的调整范围为0.1-0.4，不同In含量的量子阱可制备出发光波长不同的微型发光二极管；该p型GaN层5位于InxGa1-xN/GaN多量子阱4之上，其厚度为100-300nm；该电极6包括n型电极和p型电极，分别位于n型GaN层3和p型层5之上。
参照图3，本发明给出制备非极性GaN基微型发光二极管的三种实施例。
实施例1，制备发光波长为385nm的微型发光二极管。
步骤一，对r面蓝宝石衬底预处理。
1a)选用r面蓝宝石作为衬底，并对其进行清洗，将清洗后的r面蓝宝石衬底置于金属有机化学气相淀积MOCVD反应室中，将反应室的真空度降低至2×10-2Torr；向反应室通入氢气，在MOCVD反应室压力达到为400Torr条件下，将衬底加热到温度为950℃，并保持8min，完成对衬底基片的热处理；
1b)将热处理后的衬底置于温度为1000℃的反应室，通入流量为3500sccm的氨气，持续4min完成氮化。
步骤二，采用MOCVD工艺生长高温AlN层，如图3(a)。
在氮化后的衬底上采用MOCVD工艺在反应室温度为1200℃的条件下，同时通入流量为3500sccm的氨气和流量为20sccm的铝源，生长厚度为20nm的高温AlN成核层。
步骤三，采用MOCVD工艺生长n型GaN层，如图3(b)。
调节反应室温度为1350℃，同时通入流量为2800sccm的氨气、流量为360sccm的镓源和流量为15sccm的硅源，在保持压力为40Torr的条件下，在AlN成核层上生长厚度为2000nm的n型GaN层。
步骤四，采用MOCVD工艺生长In0.11Ga0.89N/GaN多量子阱结构，如图3(c)。
4a)在反应室温度为1350℃、压力为20Torr的条件下，通入流量为1000sccm的氨气；
4b)保持镓源流量为130sccm，铟源流量为150sccm，在n型GaN层上生长2nm的In0.11Ga0.89N阱层，再保持镓源流量为120sccm，在In0.11Ga0.89N阱层上生长15nm的GaN垒层，每个阱层和垒层组成一个周期的In0.11Ga0.89N/GaN量子阱；
4c)重复4b)共生长出5个周期的In0.11Ga0.89N/GaN量子阱。
步骤五，采用MOCVD工艺生长p型GaN层，如图3(d)。
调节反应室温度为900℃，并同时通入流量为2700sccm的氨气、流量为320sccm的镓源和流量为150sccm的镁源，在保持压力为20Torr的条件下，在第五个In0.11Ga0.89N/GaN量子阱垒层上生长厚度为100nm的均匀掺杂Mg的GaN。
步骤六，淀积电极，如图3(e)。
将反应室温度维持在1250℃，先在H2气氛下，退火5min；再采用溅射金属的方法分别在n型GaN层上沉积n型电极，在p型GaN层上沉积p型电极，完成对发光波长为385nm的微型发光二极管器件的制作。
实施例2，制备发光波长为415nm的微型发光二极管。
步骤1，对r面蓝宝石衬底预处理。
1.1)选用r面蓝宝石作为衬底，并对其进行清洗，将清洗后的r面蓝宝石衬底置于金属有机化学气相淀积MOCVD反应室中，将反应室的真空度降低至2×10-2Torr；向反应室通入氢气，在MOCVD反应室压力达到为550Torr条件下，将衬底加热到温度为1000℃，并保持8min，完成对衬底基片的热处理；
1.2)将热处理后的衬底置于温度为1050℃的反应室，通入流量为3500sccm的氨气，持续5min完成氮化。
步骤2，采用MOCVD工艺生长高温AlN层，如图3(a)。
在氮化后的衬底上采用MOCVD工艺在反应室温度为1250℃的条件下，同时通入流量为3500sccm的氨气和流量为30sccm的铝源，生长厚度为30nm的高温AlN成核层。
步骤3，采用MOCVD工艺生长n型GaN层，如图3(b)。
调节反应室温度为1450℃，同时通入流量为3000sccm的氨气、流量为380sccm的镓源和流量为20sccm的硅源，在保持压力为40Torr的条件下，在AlN成核层上生长厚度为2200nm的n型GaN层。
步骤4，采用MOCVD工艺生长In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱结构，如图3(c)。
4.1)在反应室温度为1450℃、压力为40Torr的条件下，通入流量为1000sccm的氨气；
4.2)保持镓源流量为150sccm，铟源流量为160sccm，在n型GaN层上生长2.5nm的In0.2Ga0.8N阱层，再保持镓源流量为150sccm，在In0.2Ga0.8N阱层上生长20nm的GaN垒层，每个阱层和垒层组成一个周期的In0.2Ga0.8N/GaN量子阱；
4.3)重复4.2)共生长出5个周期的In0.2Ga0.8N/GaN量子阱。
步骤5，采用MOCVD工艺生长p型GaN层，如图3(d)。
调节反应室温度为950℃，并同时通入流量2700sccm的氨气、流量为320sccm的镓源和流量为150sccm的镁源，在保持压力为20Torr的条件下，在第五个In0.2Ga0.8N/GaN量子阱垒层上生长厚度为150nm的均匀掺杂Mg的GaN。
步骤6，淀积电极，如图3(e)。
本步进行的具体实施与实施例1的步骤六相同，完成对发光波长为415nm的微型发光二极管器件的制作。
实施例3，制备发光波长为460nm的微型发光二极管。
步骤A，对r面蓝宝石衬底进行清洗和热处理。
选用r面蓝宝石作为衬底，并对其进行清洗，将清洗后的r面蓝宝石衬底置于金属有机化学气相淀积MOCVD反应室中，将反应室的真空度降低至2×10-2Torr；向反应室通入氢气，在MOCVD反应室压力达到为760Torr条件下，将衬底加热到温度为1050℃，并保持7min，完成对衬底基片的热处理；将热处理后的衬底置于温度为1050℃的反应室，通入流量为3500sccm的氨气，持续5min完成氮化。
步骤B，采用MOCVD工艺生长高温AlN层，如图3(a)。
在氮化后的衬底上采用MOCVD工艺在反应室温度为1300℃的条件下，同时通入流量为3500sccm的氨气和流量为40sccm的铝源，生长厚度为50nm的高温AlN成核层。
步骤C，采用MOCVD工艺生长n型GaN层，如图3(b)。
调节反应室温度为1500℃，同时通入流量为3000sccm的氨气、流量为380sccm的镓源和流量为30sccm的硅源，在保持压力为40Torr的条件下，在AlN成核层上生长厚度为2500nm的n型GaN层。
步骤D，采用MOCVD工艺生长In0.3Ga0.7N/GaN多量子阱结构，如图3(c)。
d1)在反应室温度为1500℃、压力为40Torr的条件下，通入流量为1000sccm的氨气；
d2)保持镓源流量为180sccm，铟源流量为180sccm，在n型GaN上生长3nm的In0.3Ga0.7N阱层，再保持镓源流量为180sccm，在In0.3Ga0.7N阱层上生长25nm的GaN垒层，每个阱层和垒层组成一个周期的In0.3Ga0.7N/GaN量子阱；
d3)重复d2)共生长出5个周期的In0.3Ga0.7N/GaN量子阱。
步骤E，采用MOCVD工艺生长p型GaN层，如图3(d)。
调节反应室温度为1080℃，并同时通入流量2700sccm的氨气、流量为360sccm的镓源和流量为160sccm的镁源，在保持压力为20Torr的条件下，在第五个In0.3Ga0.7N/GaN量子阱垒层上生长厚度为200nm的均匀掺杂Mg的GaN。
步骤F，淀积电极，如图3(e)。
本步进行的具体实施与实施例1的步骤六相同，完成对发光波长为460nm的微型发光二极管器件的制作。
以上描述仅是本发明的三个具体实例，不构成对本发明的任何限制，显然对于本领域的专业人员来说，在了解本发明内容和原理后，都可能在不背离本发明的原理、结构的情况下，进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明思想的修正和改变仍在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (10)

1.一种非极性GaN基微型发光二极管，其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1-xN/GaN多量子阱(4)和p型GaN层(5)，n型GaN层(3)上设有n型电极(6)，p型GaN层(5)上设有p型电极(6)，其特征在于：
所述衬底(1)，采用r面蓝宝石，用于外延生长非极性a面GaN微型发光二极管结构，以消除极化效应，提高器件的发光效率；
所述的InxGa1-xN/GaN多量子阱(4)，其为非极性，周期数为5，每个周期的单层InxGa1-xN/GaN阱层和GaN垒层的厚度分别为2-4nm和15-20nm，In含量x的调整范围为0.1-0.4。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述高温AlN成核层(2)的厚度为20-50nm。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述n型GaN层(3)的厚度为2000-3000nm。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述p型GaN层(5)的厚度为100-300nm。
5.一种非极性GaN基微型发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下：
1)对r面蓝宝石衬底进行清洗及热处理，将热处理后的衬底置于温度为1000-1100℃的反应室，通入流量为3000-4000sccm的氢气和氨气的混合气体，持续3-5min进行氮化；
2)在氮化后的衬底上采用MOCVD工艺生长厚度为20-50nm的高温AlN成核层；
3)在AlN成核层上采用MOCVD工艺生长厚度为2000-3000nm的n型GaN层；
4)在n型GaN层上采用MOCVD工艺生长五个周期的InxGa1-xN/GaN量子阱，每个周期的单层InxGa1-xN/GaN阱层和GaN垒层的厚度分别为2-4nm和15-20nm，In含量x的调整范围为0.1-0.4；
5)在多量子阱层上采用MOCVD工艺生长厚度为100-300nm的p型GaN层；
6)采用溅射金属的方法分别在n型GaN层上沉积n型电极，在p型GaN层上沉积p型电极，完成对微型发光二极管的制作。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，1)中对r面蓝宝石衬底衬底清洗及热处理，是先将r面蓝宝石衬底经过打磨和清洗之后，置于金属有机化学气相淀积MOCVD反应室中，将反应室的真空度降低到小于2×10-2Torr；再向反应室通入氢气，在MOCVD反应室压力达到为20-740Torr条件下，将衬底加热到温度为1000～1050℃，并保持5-10min，完成对衬底的热处理。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，2)中采用的MOCVD工艺，是对反应室设置如下条件参数：
反应室温度为1100-1400℃，
保持反应室压力为20-60Torr，
向反应室同时通入流量为3000-3500sccm的氨气、流量为20-50sccm的铝源这两种气体。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，3)中采用的MOCVD工艺，是对反应室设置如下条件参数：
反应室温度为1200-1500℃，
保持反应室压力为20-60Torr，
向反应室中同时通入流量为2500-4000sccm的氨气、流量为200-500sccm的镓源和流量为15-50sccm的硅源这三种气体。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，4)中采用的MOCVD工艺，是对反应室设置如下条件参数：
反应室温度为1200-1500℃，
保持反应室压力为20-60Torr，
向反应室中同时通入流量为900-1200sccm的氨气、流量为120-200sccm的镓源和流量为140-200sccm的铟源这三种气体。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，5)采用的MOCVD工艺，是对反应室设置如下条件参数：
反应室温度为900-1100℃，
保持反应室压力为20-60Torr，
向反应室同时通入流量为2600-3000sccm的氨气、流量为300-400sccm的镓源和流量为150-250sccm的镁源这三种气体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116111015A (zh) * 2023-04-11 2023-05-12 江西兆驰半导体有限公司 一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1972044A (zh) * 2005-11-18 2007-05-30 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN101270471A (zh) * 2008-05-16 2008-09-24 南京大学 生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途
US20100193843A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-05 National Chiao Tung University Manufacture method of multilayer structure having non-polar a-plane iii-nitride layer
CN101901759A (zh) * 2010-06-24 2010-12-01 西安电子科技大学 基于r面Al2O3衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
CN103151247A (zh) * 2013-03-10 2013-06-12 北京工业大学 一种在r面蓝宝石衬底上制备非极性GaN薄膜方法
CN105161588A (zh) * 2015-08-18 2015-12-16 西安电子科技大学 基于r面蓝宝石衬底上黄光LED材料及其制作方法
CN106299041A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 华南理工大学 生长在r面蓝宝石衬底上的非极性LED外延片的制备方法及应用
CN107146831A (zh) * 2017-03-31 2017-09-08 西安电子科技大学 基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管
CN107170862A (zh) * 2017-06-08 2017-09-15 中国科学院半导体研究所 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1972044A (zh) * 2005-11-18 2007-05-30 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN101270471A (zh) * 2008-05-16 2008-09-24 南京大学 生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途
US20100193843A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-05 National Chiao Tung University Manufacture method of multilayer structure having non-polar a-plane iii-nitride layer
CN101901759A (zh) * 2010-06-24 2010-12-01 西安电子科技大学 基于r面Al2O3衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
CN103151247A (zh) * 2013-03-10 2013-06-12 北京工业大学 一种在r面蓝宝石衬底上制备非极性GaN薄膜方法
CN105161588A (zh) * 2015-08-18 2015-12-16 西安电子科技大学 基于r面蓝宝石衬底上黄光LED材料及其制作方法
CN106299041A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 华南理工大学 生长在r面蓝宝石衬底上的非极性LED外延片的制备方法及应用
CN107146831A (zh) * 2017-03-31 2017-09-08 西安电子科技大学 基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管
CN107170862A (zh) * 2017-06-08 2017-09-15 中国科学院半导体研究所 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BAIK, K.H.A;PARK, J.-H.A;LEE, S.-H.A ET AL.: ""Device Performance of Nonpolar a-plane (11-20) InGaN/GaN Light-emitting Diodes on r-plane Sapphire Substrates"", 《JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY》 *
孙玉芹: ""用于固态照明的非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长及表征"", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库（博士）》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116111015A (zh) * 2023-04-11 2023-05-12 江西兆驰半导体有限公司 一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法

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