CN116364821A - 一种紫外led外延片及外延生长方法、紫外led - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种紫外LED外延片及外延生长方法、紫外LED，通过提出一种全新的量子阱层，具体的，在生长量子阱层的过程中，掺入TMIn，可以作为表面活性剂，增加Al的迁移，同时也可以起到提高晶体质量的作用，并控制Al组分先阶段性降低，再阶段性升高，通过这种方式可以缓解量子阱层和量子垒层之间因为带隙不同产生的较大的极化场，同时，也可以限制电子溢流，从而可以提高电子和空穴的复合效率，另外，由于量子阱层中的Al组分低于量子垒层的Al组分，使得量子垒层的能带高于量子阱层，有利于外延片发光波长的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种紫外LED外延片及外延生长方法、紫外LED。
背景技术
紫外LED(light-emitting diode，发光二极管)主要应用在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储以及军事等方面。随着技术的发展，紫外LED有着广阔的市场应用前景。
需要说明的是，与GaN基蓝光LED相比，紫外LED的研制面临着许多独特的技术困难，以AlGaN材料为例，高Al组分AlGaN的材料的外延生长困难，一般而言，Al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109～1010/cm2，乃至更高，同时，随着Al组分的增加，外延层的电导率也会迅速降低，上述这些情况都会增加材料本身自发极化和压电极化带来的QCSE(Quantum Confined Stark Effect，量子局限史塔克效应)，使得量子阱内部电子和空穴的波函数重叠率下降。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种紫外LED外延片及外延生长方法、紫外LED，旨在解决现有技术中，基于AlGaN材料的紫外LED外延片在外延生长过程中，产生的QCSE，使得量子阱内部电子和空穴的波函数重叠率下降的问题。
根据本发明实施例当中的一种紫外LED外延片，包括有源层，所述有源层包括周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层，所述量子阱层中的Al组分低于所述量子垒层的Al组分，其中，在生长所述量子阱层的过程中，掺入TMIn，并控制Al组分先阶段性降低，再阶段性升高。
进一步的，所述量子阱层中的Al组分为0.3～0.4，所述量子垒层的Al组分为0.45～0.55。
进一步的，所述TMIn的通入流量为50sccm～100sccm。
进一步的，所述紫外LED外延片还包括衬底、AlN层、N型半导体层、电子阻挡层以及P型半导体层；
其中，在所述衬底上沿外延生长方向依次沉积所述AlN层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层以及所述P型半导体层。
进一步的，所述AlN层的厚度为1μm～4μm，所述N型半导体层的厚度为1μm～3μm，所述有源层的厚度为60nm～312nm，所述电子阻挡层的厚度为20nm～30nm，所述P型半导体层的厚度为150nm～250nm。
进一步的，所述N型半导体层为N型掺杂的AlxGa1-xN层，其中，掺杂剂为硅烷，掺杂浓度为5E18～1E20，Al组分为0.4～0.6；所述电子阻挡层为AlyGa1-yN层，Al组分为0.6～0.7；所述P型半导体层为P型掺杂的AlzGa1-zN层，掺杂剂为Mg，其中，Al组分为0.2～0.4，掺杂Mg浓度为5E18～5E20。
根据本发明实施例当中的一种紫外LED外延片的外延生长方法，用于制备上述的紫外LED外延片，所述外延生长方法包括：
生长有源层，所述有源层包括周期性交替生长的量子垒层和量子阱层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层，所述量子阱层中的Al组分低于所述量子垒层的Al组分；
在生长所述量子阱层的过程中，持续通入TMIn，控制Al组分先阶段性降低，其中，Al组分的阶段性降低过程至少存在两次，且从第二次开始，每次降低过程完成后，会伴随生长停顿的过程；
再控制Al组分阶段性升高，其中，Al组分的阶段性升高次数与Al组分的阶段性降低次数一致。
进一步的，所述有源层的生长压力为100torr～300torr，生长温度为980℃～1180℃。
进一步的，所述方法还包括：
提供一衬底；
在所述衬底上沿外延生长方向依次沉积所述AlN层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层以及所述P型半导体层。
根据本发明实施例当中的一种紫外LED，包括上述的紫外LED外延片。
与现有技术相比：通过提出一种全新的量子阱层，具体的，在生长量子阱层的过程中，掺入TMIn，可以作为表面活性剂，增加Al的迁移，同时也可以起到提高晶体质量的作用，并控制Al组分先阶段性降低，再阶段性升高，通过这种方式可以缓解量子阱层和量子垒层之间因为带隙不同产生的较大的极化场，同时，也可以限制电子溢流，从而可以提高电子和空穴的复合效率，另外，由于量子阱层中的Al组分低于量子垒层的Al组分，使得量子垒层的能带高于量子阱层，有利于外延片发光波长的稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种紫外LED外延片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种紫外LED外延片的外延生长方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参考图1，为本发明实施例提供的一种紫外LED外延片的结构示意图，该紫外LED外延片包括衬底1和依次设于衬底1上的AlN层2、N型半导体层3、有源层4、电子阻挡层5以及P型半导体层6。
其中，衬底1可以为蓝宝石衬底、SiC衬底、Si基衬底以及GaN衬底中的任意一种，但不限于此，在本发明实施例当中，衬底1为Si基衬底，具体的，Si基衬底具有导热性好，成本低，工艺成熟，容易剥离等有点，AlN层2实际为缓冲层，目的在于，释放Si基衬底与AlGaN材料的晶格失配和热失配，其中，AlN层2的厚度为1μm～4μm，示例性的，AlN层2的厚度为1.1μm、2.4μm、3μm、3.4μm或3.8μm等等，但不限于此；N型半导体层3为N型掺杂的AlxGa1-xN层，其中，掺杂剂为硅烷，掺杂浓度为5E18～1E20，Al组分为0.4～0.6，N型半导体层3的厚度为1μm～3μm，示例性的，N型半导体层3的厚度为1.1μm、1.2μm、2μm或2.4μm，但不限于此；有源层4由量子垒层和量子阱层周期性交替生长而成，其生长周期数≥5，具体的，量子垒层和量子阱层均为AlGaN层，其中，单层量子垒层的厚度为12nm～16nm，示例性的，单层量子垒层的厚度为12nm、12.5nm、13nm、14nm或15nm，但不限于此，单层量子阱层的厚度为2nm～4nm，示例性的，量子阱层的厚度为2nm、2.2nm、2.8nm、3nm或3.2nm，但不限于此；电子阻挡层5为AlyGa1-yN层，Al组分为0.6～0.7，主要起到阻挡电子溢流的作用，电子阻挡层5的厚度为20nm～30nm，示例性的，电子阻挡层5的厚度为21nm、23nm、25nm、26nm或29nm，但不限于此；P型半导体层6为P型掺杂的AlzGa1-zN层，掺杂剂为Mg，其中，Al组分为0.2～0.4，掺杂Mg浓度为5E18～5E20，P型半导体层6的厚度为150nm～250nm，示例性的，P型半导体层6的厚度为165nm、185nm、200nm、225nm或230nm，但不限于此。
具体的，有源层4是由量子阱层和量子垒层交替生长而成的周期性结构，量子阱层和量子垒层均为AlGaN层，由于量子阱层中的Al组分会影响外延片的发光波长，所以设置量子阱层中的Al组分低于量子垒层的Al组分，使得量子垒层的能带高于量子阱层，有利于外延片发光波长的稳定性，其中，有源层4可以为单个循环的量子阱层和量子垒层结构，或者可以为多个循环的交替生长的量子阱层和量子垒层结构，在本实施例当中，当有源层4由量子垒层和量子阱层交替生长的周期数≥5时，外延片质量较佳。
需要说明的是，有源层4中的每层量子阱层在生长过程中，持续通入TMIn，可以作为表面活性剂，增加Al的迁移，同时也可以起到提高晶体质量的作用，其中，TMIn的通入流量为50sccm～100sccm，示例性的，TMIn的通入流量为60sccm、70sccm、80sccm或90sccm，但不限于此。另外，采用Al组分渐变的方式进行外延生长，具体的，控制Al组分先阶段性降低，再阶段性升高，其中，阶段性降低指的是，Al组分从第一预设值以预设速率降低至第二预设值，并在第二预设值稳定一段时间，再以第二预设值以预设速率降低至第三预设值，并在第三预设值稳定一段时间，以此类推，但是，在Al组分阶段性降低的过程中，会伴随生长停顿的过程，在本实施例当中，Al组分的阶段性降低过程至少存在两次，且从第二次开始，每次降低过程完成后，会伴随生长停顿的过程，可以理解的，以上述提到的Al组分的第一预设值、第二预设值以及第三预设值为例，当Al组分从第一预设值降至第二预设值，为第一次降低过程，该次降低过程完成后，不会存在生长停顿的过程，而当Al组分在第二预设值稳定一段时间后，从第二预设值降至第三预设值，为第二次降低过程，该次降低过程完成后，存在生长停顿的过程，生长停顿的过程可以理解为停止通入所有的MO源，即停止外延片的生长。
而在每层量子垒层的生长过程中，控制Al组分阶段性升高，可以理解的，阶段性升高指的是，Al组分从第四预设值以预设速率升高至第五预设值，并在第五预设值稳定一段时间，再以第五预设值以预设速率升高至第六预设值，并在第六预设值稳定一段时间，以此类推，但是，在Al组分阶段性升高的过程中，不会伴随生长停顿的过程，即为连续生长的过程，需要说明的是，Al组分的阶段性升高次数与Al组分的阶段性降低次数应保持一致，即Al组分的阶段性降低次数为两次，那么，Al组分的阶段性升高次数也对应为两次，另外，Al组分降低的开始点的组分大小、Al组分升高的结束点的组分大小、以及在生长量子垒层的过程中Al组分的大小保持一致。
通过采用上述方法生长得到的有源层4，可以有效缓解量子阱层和量子垒层之间因为带隙不同产生的较大的极化场，也可以限制电子溢流，从而可以提高电子和空穴的复合效率。
相应的，参考图2，本发明实施例还提供了一种紫外LED外延片的外延生长方法，其用于制备上述的紫外LED外延片，具体包括以下步骤：
S100：提供衬底；
优选的，所选衬底1可为蓝宝石衬底1、SiC衬底1、Si基衬底1以及GaN衬底1中的任意一种，在本发明实施例中，选用Si基衬底1，将Si基衬底1放置在MOCVD(Metal OrganicChemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备中，在温度为1000℃～1200℃、气压为200torr～600torr、氢气气氛下退火5min～8min，以去除Si基衬底1表面的颗粒、氧化物等杂质。
S200：在衬底上依次外延生长AlN层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层以及P型半导体层；
具体的，S200包括：
S210：在衬底上生长AlN层；
具体的，在Si基衬底上生长高温AlN层2，在MOCVD设备中生长，生长高温AlN层2主要是为了释放Si基衬底与AlGaN材料的晶格失配和热失配，其具体生长工艺为：将MOCVD反应室的温度控制在1200℃～1300℃，压力控制在50mtorr～100mtorr，向MOCVD反应室内通入TMAl和NH3，通过化学气相沉积法制备AlN层2，并控制所沉积的AlN层2厚度为1μm～4μm。
需要说明的是，采用普通的生长方式制备AlN层2时，会出现裂纹。因此，在本实施例当中，AlN层2在低压高温的环境下采用NH3脉冲通入制备，即持续通入MO源(TMAl源和TMGa源)，但是NH3采用脉冲的方式断续地通入反应室，这样可以得到晶体质量较优的AlN层2。
S220：在AlN层上生长N型半导体层；
具体的，在MOCVD设备中生长N型半导体层3，作为电子提供层，N型半导体层3为N型掺杂的AlxGa1-xN层，Al组分为0.4～0.6，其中，将MOCVD反应室温度降低至1060℃～1150℃，压力控制在150torr～250torr，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源，通入硅烷作为N型掺杂剂，同时Si(硅)的掺杂浓度可为5E18～1E20，并控制所沉积的N型半导体层3的厚度为1μm～3μm。
S230：在N型半导体层上生长有源层；
具体的，在MOCVD设备中生长有源层4，其中，有源层4由量子垒层和量子阱层周期性交替生长而成，其生长周期数≥5。在本发明的一个实施例之中，周期数可以为5，也即是说，有源层4由量子阱层和量子垒层交替生长5次得到；
进一步的，控制生长量子阱层时MOCVD反应室的温度为980℃～1180℃，压力控制在100torr～300torr，其中，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源，控制沉积的AlGaN量子阱层厚度为2nm～4nm。
进一步的，控制生长量子垒层时MOCVD反应室的温度为980℃～1180℃，压力控制在100torr～300torr，其中，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源，控制沉积的AlGaN量子垒层厚度为12nm～16nm。
需要说明的是，在生长量子阱层的过程中，持续通入TMIn，控制Al组分先阶段性降低，其中，Al组分的阶段性降低过程至少存在两次，且从第二次开始，每次降低过程完成后，会伴随生长停顿的过程；再控制Al组分阶段性升高，其中，Al组分的阶段性升高次数与Al组分的阶段性降低次数一致。
S240：在有源层上生长电子阻挡层；
具体的，在MOCVD设备中生长电子阻挡层5，其中，电子阻挡层5可为AlyGa1-yN层，Al组分为0.6～0.7，其具体生长工艺为：将MOCVD反应室温度控制为1050℃～1150℃，压力控制在150torr～250torr，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源，并控制所沉积的电子阻挡层5的厚度为20nm～30nm。
S250：在电子阻挡层上生长P型半导体层；
具体的，在MOCVD设备中生长P型半导体层6，P型半导体层6为P型掺杂的AlzGa1-zN层，掺杂剂为Mg，其中，Al组分为0.2～0.4，掺杂Mg浓度为5E18～5E20，其具体生长工艺为：将MOCVD反应室温度控制为930℃～1000℃，压力控制在150torr～250torr，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源，并控制所沉积的P型半导体层6的厚度为150nm～250nm。
上述各步骤中，以三甲基镓作为镓源，高纯氨气作为氮源，高纯H2为载气，三甲基铝作为铝源，N型掺杂剂选用硅烷，P型掺杂剂选用二茂镁。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：
实施例1
本实施例提供一种紫外LED外延片，包括衬底和依次设于衬底上的AlN层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层以及P型半导体层。
其中，衬底为Si基衬底，N型半导体层、有源层、电子阻挡层以及P型半导体层的材料均为AlGaN材料，具体的，AlN层的厚度为1.5μm；N型半导体层的厚度为2μm，Al组分为0.5，Si的掺杂浓度为1E19；有源层由量子垒层和量子阱层周期性交替生长而成，其生长周期数为5，单层量子垒层的厚度为12nm，Al组分为0.5，单层量子阱层的厚度为2nm，Al组分由0.5，经过三次阶段性降低，直至0.35，再经过三次阶段性升高，到达0.5，其中，单层量子垒层中Si掺杂浓度为5E18，主要目的是为了降低串联电阻，降低工作电压，如果浓度过高，这种杂质会引入晶体缺陷；电子阻挡层的厚度为25nm，Al组分为0.65；P型半导体层为P型掺杂的AlzGa1-zN层，掺杂剂为Mg，P型半导体层的厚度为200nm，Al组分为0.3，Mg的掺杂浓度为5E19。
本实施例中紫外LED外延片的外延生长方法包括以下步骤：
(1)提供衬底；将Si基衬底加载至MOCVD设备中，在1150℃、450torr、氢气气氛下退火6min。
(2)在Si基衬底上生长AlN层；
具体的，采用MOCVD设备生长AlN层，其中，生长温度为1250℃，生长压力为50mbar，在MOCVD反应室中通入NH3作为N(氮)源，以H2和N2作为载气，其中，氨气开30s，关10s断续的通入反应腔。
(3)在AlN层上生长N型半导体层；
具体的，采用MOCVD设备生长N型半导体层，其中，生长温度为1100℃，生长压力为200torr，在MOCVD反应室中通入NH3作为N(氮)源，以H2和N2作为载气，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源。
(4)在N型半导体层上生长有源层；
具体的，采用MOCVD设备生长有源层，其中，生长温度为1080℃，生长压力为200torr，在MOCVD反应室中通入NH3作为N(氮)源，以H2和N2作为载气，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源，通入硅烷作为掺杂剂。
在本实施例当中，有源层采用5个周期循环生长，具体的，先生长量子垒层，Al组分为0.5，然后再生长量子阱层，即经过5s的时间Al组分由0.5渐变到0.45，以Al组分为0.45生长5s后，停顿5s，然后Al组分再次经过5s的时间降低0.05，循环三次后降低至0.35的Al组分，以Al组分为0.35生长5s后，开始Al组分按照0.05每阶段进行递增，经过三次升高后，完成单层量子阱层的生长，此时的Al组分大小也即达到量子垒层的Al组分大小，再开始单层量子垒层的生长。
(5)在有源层上生长电子阻挡层；
具体的，在MOCVD设备中生长电子阻挡层，其中，生长温度为1100℃，生长压力为220torr，在MOCVD反应室中通入NH3作为N(氮)源，以H2或N2作为载气，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源。
(6)在电子阻挡层上生长P型半导体层；
具体的，在MOCVD设备中生长P型半导体层，其中，生长温度为980℃，生长压力为200torr，在MOCVD反应室中通入NH3作为N(氮)源，以H2或N2作为载气，通入TMAl作为Al源，通入TMGa作为Ga源，通入二茂镁作为Mg源。
实施例2
本实施例同样提供一种紫外LED外延片，与实施例1的区别在于，有源层采用2个周期循环生长。
实施例3
本实施例同样提供一种紫外LED外延片，与实施例1的区别在于，有源层采用8个周期循环生长。
实施例4
本实施例同样提供一种紫外LED外延片，与实施例1的区别在于，量子垒层中Al组分为0.55，量子阱层中Al组分的最大值为0.55，最小值为0.4。
实施例5
本实施例同样提供一种紫外LED外延片，与实施例1的区别在于，量子垒层中Al组分为0.45，量子阱层中Al组分的最大值为0.45，最小值为0.3。
对比例1
本对比例提供一种紫外LED外延片，与实施例1的区别在于，在生长量子阱层的过程中，控制Al组分迅速降低至预设值，并在预设值的基础上进行生长，最后再迅速升高，且在Al组分迅速降低后，不存在生长停顿的过程。
将实施例1-5，对比例1所得的紫外LED外延片和紫外LED进行测试，具体的，对紫外LED外延片在100mA下，进行EL的发光强度测试，同时，对紫外LED进行亮度测试。
具体结果如下：
由表中可以看出，采用本发明实施例中的方法制备得到的紫外LED外延片和紫外LED可以有效提高电子和空穴的复合效率，在相同的测试条件下，本发明实施例中的方法制备得到的紫外LED的发光亮度相比于传统方法制备得到紫外LED而言，亮度明显提升，亮度最大值为6.5mW，同时，，本发明实施例中的方法制备得到的紫外LED的良率也优于传统方法制备得到紫外LED。
综上，本发明实施例当中的紫外LED外延片及外延生长方法、紫外LED，通过提出一种全新的量子阱层，具体的，在生长量子阱层的过程中，掺入TMIn，可以作为表面活性剂，增加Al的迁移，同时也可以起到提高晶体质量的作用，并控制Al组分先阶段性降低，再阶段性升高，通过这种方式可以缓解量子阱层和量子垒层之间因为带隙不同产生的较大的极化场，同时，也可以限制电子溢流，从而可以提高电子和空穴的复合效率，另外，由于量子阱层中的Al组分低于量子垒层的Al组分，使得量子垒层的能带高于量子阱层，有利于外延片发光波长的稳定性。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种紫外LED外延片，其特征在于，包括有源层，所述有源层包括周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层，所述量子阱层中的Al组分低于所述量子垒层的Al组分，其中，在生长所述量子阱层的过程中，掺入TMIn，并控制Al组分先阶段性降低，再阶段性升高。
2.根据权利要求1所述的紫外LED外延片，其特征在于，所述量子阱层中的Al组分为0.3～0.4，所述量子垒层的Al组分为0.45～0.55。
3.根据权利要求1或2所述的紫外LED外延片，其特征在于，所述TMIn的通入流量为50sccm～100sccm。
4.根据权利要求3所述的紫外LED外延片，其特征在于，所述紫外LED外延片还包括衬底、AlN层、N型半导体层、电子阻挡层以及P型半导体层；
其中，在所述衬底上沿外延生长方向依次沉积所述AlN层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层以及所述P型半导体层。
5.根据权利要求4所述的紫外LED外延片，其特征在于，所述AlN层的厚度为1μm～4μm，所述N型半导体层的厚度为1μm～3μm，所述有源层的厚度为60nm～312nm，所述电子阻挡层的厚度为20nm～30nm，所述P型半导体层的厚度为150nm～250nm。
6.根据权利要求4所述的紫外LED外延片，其特征在于，所述N型半导体层为N型掺杂的AlxGa1-xN层，其中，掺杂剂为硅烷，掺杂浓度为5E18～1E20，Al组分为0.4～0.6；所述电子阻挡层为AlyGa1-yN层，Al组分为0.6～0.7；所述P型半导体层为P型掺杂的AlzGa1-zN层，掺杂剂为Mg，其中，Al组分为0.2～0.4，掺杂Mg浓度为5E18～5E20。
7.一种紫外LED外延片的外延生长方法，其特征在于，用于制备权利要求1-6任一项所述的紫外LED外延片，所述外延生长方法包括：
生长有源层，所述有源层包括周期性交替生长的量子垒层和量子阱层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层，所述量子阱层中的Al组分低于所述量子垒层的Al组分；
在生长所述量子阱层的过程中，持续通入TMIn，控制Al组分先阶段性降低，其中，Al组分的阶段性降低过程至少存在两次，且从第二次开始，每次降低过程完成后，会伴随生长停顿的过程；
再控制Al组分阶段性升高，其中，Al组分的阶段性升高次数与Al组分的阶段性降低次数一致。
8.根据权利要求7所述的紫外LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述有源层的生长压力为100torr～300torr，生长温度为980℃～1180℃。
9.根据权利要求7或8所述的紫外LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述方法还包括：
提供一衬底；
在所述衬底上沿外延生长方向依次沉积所述AlN层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层以及所述P型半导体层。
10.一种紫外LED，其特征在于，包括根据权利要求1至6中任一项所述的紫外LED外延片。
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