JP2013225307A - 不揮発性メモリ装置を制御するコントローラの動作方法、及び、極符号化された符号語を不揮発性メモリ装置のマルチビットデータにマッピングするマッピングパターン選択方法 - Google Patents
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- 238000013507 mapping Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000011017 operating method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000010187 selection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 91
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 102100031885 General transcription and DNA repair factor IIH helicase subunit XPB Human genes 0.000 description 4
- 101000920748 Homo sapiens General transcription and DNA repair factor IIH helicase subunit XPB Proteins 0.000 description 4
- 101100049574 Human herpesvirus 6A (strain Uganda-1102) U5 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 101150064834 ssl1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000934888 Homo sapiens Succinate dehydrogenase cytochrome b560 subunit, mitochondrial Proteins 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100025393 Succinate dehydrogenase cytochrome b560 subunit, mitochondrial Human genes 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1072—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in multilevel memories
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- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
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- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/38—Response verification devices
- G11C29/42—Response verification devices using error correcting codes [ECC] or parity check
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56004—Pattern generation
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- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56008—Error analysis, representation of errors
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
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- H03M13/03—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
- H03M13/05—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
- H03M13/13—Linear codes
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Probability & Statistics with Applications (AREA)
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明の動作方法は、情報ビットを極符号化して符号語(code word)を生成する段階と、マッピングパターンを読み出す段階と、マッピングパターンを反復して反復されたマッピングパターンを生成する段階と、反復されたマッピングパターンに従って符号語の各ビットを不揮発性メモリ装置のマルチビットデータの中の特定ビットにマッピングする段階と、で構成される。
【選択図】図7
Description
実施形態として、前記マッピングする段階は、前記反復されたマッピングパターンに従って、前記符号語の各ビットを最下位ビット又は最上位ビットにマッピングする段階を含む。
実施形態として、前記マッピングする段階は、前記反復されたマッピングパターンに従って、前記符号語の各ビットを最下位ビット、中間ビット(CSB:Central Significant Bit)、又は最上位ビットにマッピングする段階を含む。
実施形態として、前記マッピングされた符号語をマルチビット書込みデータに前記不揮発性メモリ装置へ伝送する段階をさらに含む。
実施形態として、前記不揮発性メモリ装置からマルチビット読出しデータを受信する段階と、前記反復されたマッピングパターンに基づいて前記マルチビット読出しデータを読み出された符号語に変換する段階と、前記読み出された符号語をデコーディングする段階と、をさらに含む。
実施形態として、前記不揮発性メモリ装置から最上位ビット読出しデータ及び最下位ビット読出しデータを受信する段階と、前記最上位ビット読出しデータ及び最下位ビット読出しデータをエラー訂正デコーディングする段階と、前記反復されたマッピングパターンに基づいて前記エラー訂正デコーディングされた最上位ビット読出しデータ及び最下位ビット読出しデータを読み出された符号語に変換する段階と、前記読み出された符号語を復号する段階と、をさらに含む。
実施形態として、前記エラー率を各々計算する段階は、前記マルチビットの確率密度関数に基づいて、極符号化器の入力端のビットのエラー率を各々計算する段階を含む。
実施形態として、前記極符号化器の入力端のビットのエラー率の中で少なくとも1つのエラー率が基準値より大きい時、該当反復されたパターンは非選択される。
実施形態として、前記選択された反復されたパターンに対応するパターンを不揮発性メモリ装置のコントローラに格納する段階をさらに含む。
実施形態として、前記反復されたパターンの長さは前記極符号化された符号語の長さと同一である。
不揮発性メモリ装置1100はコントローラ1200の制御に従って書込み、読出し、及び消去を遂行するように構成される。
RAM(1230)はプロセッサー1220の動作メモリ(working_memory、スクラッチパッドともいう)、キャッシュメモリ、及びバッファメモリの中で少なくとも1つに利用され得る。
例えば、符号語の第1番目ビットはMSBにマッピングされ、第2番目ビットはMSBにマッピングされ、第3番目ビットはLSBにマッピングされ、そして第4番目ビットはLSBにマッピングされる。
[数学式1]
(n!)/((n/2)!)2
[数学式2]
(n!)/((n/m)!)m
位置情報LIは固定ビット(frozen bit)が挿入される位置に関する情報を示す。
符号語Cnはソースデータであり、不揮発性メモリ装置1100から読み出されたデータは符号語Cnが複数のメモリメモリセルによって形成されるチャンネルを通じて受信されたデータであり得る。パラメーター格納部1320は不揮発性メモリ装置1100の複数のチャンネル、即ちマルチビットデータが格納されるチャンネル(以下で、メモリセルのチャンネルは第1チャンネルと称する)に各々対応する確率密度関数PDFに関する情報を格納する。
メモリシステム5600は不揮発性メモリ装置5610及びコントローラ5620を含む。不揮発性メモリ装置5610は複数の不揮発性メモリチップを含む。メモリシステム5600は図1又は図17を参照して説明されたメモリシステム1000、又は2000の何れかである。
1100、2100、3100、4100 不揮発性メモリ装置
1110、1110a、1110b メモリセルアレイ
1120 アドレスデコーダー
1130 読出し/書込み回路
1140 制御ロジック
1200、2200、3200、4200 コントローラ
1210 システムバス
1220 プロセッサー
1230 RAM
1240 ホストインターフェイス
1250 メモリインターフェイス
1260 極符号エンコーダー/デコーダー
1270 エラー訂正ブロック
1261 パターン及び位置情報格納部
1262 固定ビット挿入部
1263、1263a、1263b 生成行列エンコーディング部
1264 パターン反復部
1265 ビット分類部
1266 マッピング及びデマッピング部
1267 連続除去デコーディング部
1300 テスト装置
1310 パターン生成部
1320 パラメーター格納部
1330 エラー測定部
1340 選択部
1400 ホスト
3000 メモリカード
3300、4300 コネクター
4000 ソリッドステートドライブ
5000 コンピューティングシステム
5100 中央処理装置
5200 RAM
5300 使用者インターフェイス
5400 モデム
5500 システムバス
5600 メモリシステム
Claims (10)
- 不揮発性メモリ装置を制御するように構成されるコントローラの動作方法において、
情報ビットを極符号化して符号語を生成する段階と、
マッピングパターンを読み出す段階と、
前記マッピングパターンを反復して反復されたマッピングパターンを生成する段階と、
前記反復されたマッピングパターンに従って、前記符号語の各ビットを前記不揮発性メモリ装置のマルチビットデータの中で特定ビットにマッピングする段階と、を含むことを特徴とする動作方法。 - 前記反復されたマッピングパターンの長さは前記符号語の長さと同一であることを特徴とする請求項1に記載の動作方法。
- 前記マッピングする段階は、
前記反復されたマッピングパターンに従って、前記符号語の各ビットを最下位ビット又は最上位ビットにマッピングする段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の動作方法。 - 前記マッピングする段階は、
前記反復されたマッピングパターンに従って、前記符号語の各ビットを最下位ビット、中間ビット、又は最上位ビットにマッピングする段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の動作方法。 - 前記マッピングされた符号語をマルチビット書込みデータに前記不揮発性メモリ装置へ伝送する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の動作方法。
- 前記不揮発性メモリ装置からマルチビット読出しデータを受信する段階と、
前記反復されたマッピングパターンに基づいて前記マルチビット読出しデータを読み出された符号語に変換する段階と、
前記読み出された符号語をデコーディングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の動作方法。 - 極符号化された符号語を不揮発性メモリ装置のマルチビットにマッピングするマッピングパターンを選択するマッピングパターン選択方法において、
複数のパターンを生成する段階と、
前記複数のパターンを各々反復して複数の反復されたパターンを生成する段階と、
前記複数の反復されたパターンのエラー率を各々計算する段階と、
前記計算されたエラー率に従って、前記複数の反復されたパターンの中で1つの反復されたパターンを選択する段階と、を含むことを特徴とするマッピングパターン選択方法。 - 前記エラー率を各々計算する段階は前記マルチビットの確率密度関数に基づいて遂行されることを特徴とする請求項7に記載のマッピングパターン選択方法。
- 前記エラー率を各々計算する段階は、
前記マルチビットの確率密度関数に基づいて、極符号化器の入力端のビットのエラー率を各々計算する段階を含むことを特徴とする請求項8に記載のマッピングパターン選択方法。 - 前記極符号化器の入力端のビットのエラー率の中で少なくとも1つのエラー率が基準値より大きい時、該当反復されたパターンは非選択されることを特徴とする請求項9に記載のマッピングパターン選択方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120040909A KR101919934B1 (ko) | 2012-04-19 | 2012-04-19 | 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러의 동작 방법 및 극 부호화된 부호어를 불휘발성 메모리 장치의 멀티 비트 데이터에 매핑하는 매핑 패턴을 선택하는 매핑 패턴 선택 방법 |
KR10-2012-0040909 | 2012-04-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013225307A true JP2013225307A (ja) | 2013-10-31 |
JP6250299B2 JP6250299B2 (ja) | 2017-12-20 |
Family
ID=49290281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013088461A Active JP6250299B2 (ja) | 2012-04-19 | 2013-04-19 | 極符号化された符号語を不揮発性メモリ装置のマルチビットデータにマッピングするマッピングパターン選択方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9164835B2 (ja) |
JP (1) | JP6250299B2 (ja) |
KR (1) | KR101919934B1 (ja) |
CN (1) | CN103377694B (ja) |
DE (1) | DE102013103391B4 (ja) |
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KR20130118035A (ko) | 2013-10-29 |
CN103377694B (zh) | 2018-01-23 |
US20130283128A1 (en) | 2013-10-24 |
US9164835B2 (en) | 2015-10-20 |
KR101919934B1 (ko) | 2018-11-20 |
DE102013103391B4 (de) | 2023-10-19 |
DE102013103391A1 (de) | 2013-10-24 |
JP6250299B2 (ja) | 2017-12-20 |
CN103377694A (zh) | 2013-10-30 |
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