JP2017537369A

JP2017537369A - データ保存方法、装置及び端末

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Publication number: JP2017537369A
Application number: JP2017516283A
Authority: JP
Inventors: ジュー，シュークイ; シー，シャオフェイ; ジャン，チー
Original assignee: ZTE Corp
Current assignee: ZTE Corp
Priority date: 2014-09-24
Filing date: 2015-02-10
Publication date: 2017-12-14
Also published as: WO2016045303A1; US20170277603A1; CN105512056A; EP3200085A1; EP3200085A4

Abstract

データ保存方法、装置及び端末であり、該方法は、電源に電源供給異常が発生したことを検出すること（Ｓ１０２）と、電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーすること（Ｓ１０４）と、保護メカニズムプログラムによって、電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶すること（Ｓ１０６）と、を含む。関連技術において、電源供給異常時データを保存する時に、非常用電源を使用することが必要とされ、システムのコスト増加を招く問題を解決し、さらに、非常用電源を使用しない場合、電源供給異常時データの保存を実現する目的を達成している。

Description

本発明は通信分野に関し、具体的には、データ保存方法、装置及び端末に関する。

電源供給異常時場面のデータ保存は、故障モニタリングのための「ブラックボックス」として、ずっと技術革新のホットスポットである。電源供給異常イベントが突然に発生し、電源供給異常イベントの継続時間が短く、そして電源供給異常時に多くのデータ量を保存する必要があるという３つの特性によって、電源供給異常時データをタイムリーに保存することができない。現在既存の特許は、大体、以下の３つの方法をまとめたものであると見なすことができる。まず、システムに非常用電源を追加する方法であり、電源供給異常になった場合、システム電源の代わりに非常用電源が給電し、データ保存の時間的需用を満たす。次に、不揮発性フラッシュメモリＮＡＮＤＦＬＡＳＨを用いてより速い書き込み速度を追い求め、データ保存期間を別の形で短縮する。最後に、電源供給異常になった後、データ圧縮により、書き込んだデータの大きさを減少する。

しかしながら、無線通信分野の製品にとって、まず、非常用電源を追加することは、コストの増加を意味している。次に、基地局製品はデータの信頼性が高く要求されるものの、ＮＡＮＤＦＬＡＳＨは使用中に「不良ブロック」がランダムに現れるため、電源供給異常期間に書き込まれたデータの正確性を保証することができない。最後に、電源供給異常時に保存が必要とされるデータは、全て圧縮により記憶されれば、圧縮時間によって、不揮発性メモリに書き込まれる時間が必ず長くなり、さらに、非常用電源による給電時間に対する要求が一層高められることになる。一方、基地局製品の電源供給異常の継続時間は、通常、数十ミリ秒オーダーが最大である。

ＮＡＮＤＦＬＡＳＨ及び不揮発性フラッシュメモリＮＯＲＦＬＡＳＨは、最も一般的な不揮発性メモリである。消費電子製品市場において、ＮＡＮＤＦＬＡＳＨの価格優位及び比べものにならない書き込み速度に直面して、ＮＯＲＦＬＡＳＨがＮＡＮＤＦＬＡＳＨによって取って代わられるのは成り行き次第である。これにもかかわらず、ＮＡＮＤＦＬＡＳＨに比べ、データの信頼性は、ＮＯＲＦＬＡＳＨの方がより高い。例えば、自動車、工業、医療、無線通信製品、或いは消費電子のシステムファームウェア等、読み取り速度及び信頼性に対する要求が非常に高いものの、書き込み速度を重視しておらず、これらの応用分野において、ＮＯＲＦＬＡＳＨは、依然としてデバイスの機能や性能を左右する主要素子である。

関連技術において、電源供給異常時データを保存する時に、非常用電源を使用することが必要とされ、システムのコスト増加を招く問題に対して、未だに有効な対策が提案されていない。

本発明は、関連技術において、電源供給異常時データを保存する時に、非常用電源を使用することが必要とされ、システムのコスト増加を招く問題を少なくとも解決するデータ保存方法、装置及び端末を提供する。

本発明の一態様は、電源に電源供給故障が発生したことを検出することと、電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーすることと、前記保護メカニズムプログラムによって、前記電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶することと、を含むデータ保存方法が提供される。

前記電源に電源供給故障が発生したことを検出する前に、前記電源供給異常時データを重要度によって領域別に記憶すること、をさらに含むことが好ましい。

前記保護メカニズムプログラムによって、前記電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶することは、前記電源供給異常時データのうち、重要度が所定値を超えたデータを優先して前記所定のメモリに記憶することを含むことが好ましい。

前記所定のメモリは、シリアル型不揮発性フラッシュメモリＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨ、相変化ランダムアクセスメモリＰＲＡＭ（登録商標）、抵抗変化型メモリＲＲＡＭ（登録商標）、強誘電体ランダムアクセスメモリＦＲＡＭ、磁気ランダムアクセスメモリＭＲＡＭのうち少なくとも１つを含む高速な不揮発性メモリを含むことが好ましい。

前記電源に電源供給異常が発生したことを検出する前に、前記所定のメモリの書き込み対象領域に記憶されたデータを消去すること、をさらに含むことが好ましい。

本発明の他の一態様は、電源に電源供給異常が発生したことを検出するように構成される検出モジュールと、電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーするように構成されるトリガーモジュールと、前記保護メカニズムプログラムによって、前記電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶するように構成される第１の記憶モジュールと、を備えるデータ保存装置が提供される。

前記データ保存装置は、前記電源供給異常時データを重要度によって領域別に記憶するように構成される第２の記憶モジュール、をさらに備えることが好ましい。

前記第１の記憶モジュールは、前記電源供給異常時データのうち、重要度が所定値を超えたデータを優先して前記所定のメモリに記憶するように構成される記憶ユニットを備えることが好ましい。

前記データ保存装置は、前記所定のメモリの書き込み対象領域に記憶されたデータを消去するように構成される消去モジュール、をさらに備えることが好ましい。

本発明のさらなる一態様は、上記いずれかに記載の装置を備える端末が提供される。

本発明によると、電源に電源供給異常が発生したことを検出し、電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーし、前記保護メカニズムプログラムによって、前記電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶することにより、関連技術において、電源供給異常時データを保存する時に、非常用電源を使用することが必要とされ、システムのコスト増加を招く問題を解決し、さらに、非常用電源を使用しない場合、電源供給異常時データの保存を実現する目的を達成している。

ここで説明する図面は、本発明をさらに理解させるためのものであり、本願の一部を構成し、また、本発明における模式的実施例及びその説明は本発明を説明するものであり、本発明を不当に限定するものではない。図面において、
本発明の実施例によるデータ保存方法のフローチャートである。本発明の実施例によるＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨのチップ構造図である。本発明の実施例によるデータ保存装置の構成ブロック図である。本発明の実施例によるデータ保存装置の第１の好適な構成ブロック図である。本発明の実施例によるデータ保存装置における第１の記憶モジュール３６の構成ブロック図である。本発明の実施例によるデータ保存装置の第２の好適な構成ブロック図である。本発明の実施例による端末の構成ブロック図である。本発明の実施例による電源供給異常時データ保存方法のフローチャートである。本発明の実施例によるシステムのブロック図である。

以下、図面を参照しつつ実施例を結合して本発明を詳しく説明する。なお、衝突しない限り、本願の実施例及び実施例中の構成要件を互いに組み合わせることができる。

本実施例にてデータ保存方法が提供され、図１は、本発明の実施例によるデータ保存方法のフローチャートであり、図１に示すように、そのフローは以下のステップＳ１０２〜ステップＳ１０６を含む。

ステップＳ１０２：電源に電源供給異常が発生したことを検出する；
ステップＳ１０４：電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーする；
ステップＳ１０６：該保護メカニズムプログラムによって、電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶する。

上記ステップを通じて、電源に電源供給異常が発生したことを検出し、電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーし、該保護メカニズムプログラムによって、電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶することにより、非常用電源を使用しない場合、保護メカニズムプログラムによって、電源供給異常になる瞬間に電源供給異常時データの保存を完成することを実現し、関連技術において、電源供給異常時データを保存する時に、非常用電源を使用することが必要とされ、システムのコスト増加を招く問題を解決し、さらに、非常用電源を使用しない場合、電源供給異常時データの保存を実現する目的を達成している。

１つの好適な実施例において、電源に電源供給異常が発生したことを検出する前に、電源供給異常時データを重要度によって領域別に記憶することをさらに含む。即ち、電源供給異常が発生する前に、重要度の高い部分のデータをシステムに保存し、例えば、電圧、電流、信号量、スイッチ量等の重要なパラメータが優先してシステムの内部に記憶され、電源供給異常になる瞬間にて、システムの内部に記憶されたこれらのデータが優先して所定のメモリに保存されるようになる。このようにして、重要データの保存効率を向上させる。

１つの好適な実施例において、保護メカニズムプログラムによって、電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶することは、電源供給異常時データのうち、重要度が所定値を超えたデータを優先して所定のメモリに記憶することを含む。即ち、予め記憶されたデータは、記憶時に重要度によって分類され、電源供給異常になった時に、重要度の高いデータが優先して記憶されるようになり、また、重要度の低いデータに対して圧縮処理を行うことができ、そして、重要度の高いデータの記憶が済んでから記憶されるようにすることができる。このようにして、記憶された重要データの完全性を確保する。

上記所定のメモリは、高速な不揮発性メモリを含むことができ、該高速な不揮発性メモリは、シリアル型不揮発性フラッシュメモリＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨ、相変化ランダムアクセスメモリＰＲＡＭ、抵抗変化型メモリＲＲＡＭ、強誘電体ランダムアクセスメモリＦＲＡＭ、磁気ランダムアクセスメモリＭＲＡＭのうち少なくとも１つを含んでもよい。シリアル型不揮発性フラッシュメモリ（Serial Peripheral Interface NOR FLASH、単にＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨという）の容量が６４Ｍバイトを超えており、ダブルデータレート（Double Date Rate、単にＤＤＲという）モードにおけるＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨの読み書き速度が数千万バイト／秒に達することが可能であり、この速度が、パラレル型ＮＯＲＦＬＡＳＨの１０倍になっている。図２は、本発明の実施例によるＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨのチップ構造図であり、図２に示すように、このチップはデザインが相対的に簡単であり、従来のパラレル型不揮発性フラッシュメモリＮＯＲＦｌａｓｈに対して、ＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨは、ただ十数個のピンだけで、６４Ｍ乃至１２８Ｍバイトのデータ記憶を実現することができるのに対し、パラレル型ＮＯＲＦＬＡＳＨは少なくとも５０個のピンを必要とする。相変化ランダムアクセスメモリ（Phase-Change Random Access Memory、単にＰＲＡＭという）は不揮発性メモリの１種であり、通常のフラッシュメモリＦＬＡＳＨに比べ、ＰＲＡＭは、高速、低電力の特徴を有する。順調に成長していけば、ＰＲＡＭがだんだんＦＬＡＳＨに取って代わり、次世代のメモリ製品の中堅となっていくと予測される。抵抗変化型メモリ（Resistive Random Access Memory、単にＲｅＲＡＭ／ＲＲＡＭという）は、新しい不揮発性メモリである。消費電力が低く、書き込み速度が速いことがその長所である。強誘電体ランダムアクセスメモリ（Ferroelectric Random Access Memory、単にＦｅＲＡＭ／ＦＲＡＭという）は新しい不揮発性メモリであり、強誘電体結晶の強誘電体効果によってデータ記憶を実現するものであり、消費電力が低く、書き込み速度が速いことがその長所である。磁気ランダムアクセスメモリ（Magnetic Random Access Memory、単にＭＲＡＭという）は、不揮発性の磁気ランダムアクセスメモリである。スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）の高速な読み取りや書き込み能力及びダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）の高集積度を持っているとともに、何回も繰り返して書き込むことが実質上可能である。

１つの好適な実施例において、電源に電源供給異常が発生したことを検出する前に、所定のメモリの書き込み対象領域に記憶されたデータを消去することをさらに含む。システムに電源を入れた直後に、所定のメモリの記憶領域への消去処理を行うことができ、これにより、電源供給異常中に消去操作が導入されないように確保し、データ記憶のためにより多くの時間を提供する。

本実施形態にてデータ保存装置がさらに提供され、上記実施例及び好適な実施形態を実現するものであって、既に説明したものは省略される。以下で使用する用語「モジュール」とは、所定の機能を実現可能なソフトウェア及び／又はハードウェアの組合せである。以下の実施例に説明する装置をソフトウェアで実現することが好ましいが、ハードウェア又はソフトウェアとハードウェアとの組合せにより実現することも可能であり、構想されている。

図３は、本発明の実施例によるデータ保存装置の構成ブロック図であり、図３に示すように、該装置は、検出モジュール３２と、トリガーモジュール３４と、第１の記憶モジュール３６と、を備え、以下、該装置について説明する。

検出モジュール３２は、電源に電源供給異常が発生したことを検出するように構成される。トリガーモジュール３４は、上記検出モジュール３２に接続され、電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーするように構成される。第１の記憶モジュール３６は、上記トリガーモジュール３４に接続され、保護メカニズムプログラムによって、電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶するように構成される。

図４は、本発明の実施例によるデータ保存装置の第１の好適な構成ブロック図であり、図４に示すように、該装置は、図３に示す全てのモジュールに加え、第２の記憶モジュール４２をさらに備え、以下、該装置について説明する。

第２の記憶モジュール４２は、上記検出モジュール３２に接続され、電源供給異常時データを重要度によって領域別に記憶するように構成される。

図５は、本発明の実施例によるデータ保存装置における第１の記憶モジュール３６の構成ブロック図であり、図５に示すように、該第１の記憶モジュール３６は、記憶ユニット５２を備え、以下、これについて説明する。

記憶ユニット５２は、電源供給異常時データのうち、重要度が所定値を超えたデータを優先して所定のメモリに記憶するように構成される。

図６は、本発明の実施例によるデータ保存装置の第２の好適な構成ブロック図であり、図６に示すように、該装置は、図３に示す全てのモジュールに加え、消去モジュール６２をさらに備え、以下、該装置について説明する。

消去モジュール６２は、上記検出モジュール３２に接続され、所定のメモリの書き込み対象領域に記憶されたデータを消去するように構成される。

図７は、本発明の実施例による端末の構成ブロック図であり、図７に示すように、該端末７０は、上記いずれかのデータ保存装置７２を備える。

関連技術において、電源供給異常時データを保存する時に、非常用電源を使用することが必要とされ、システムのコスト増加を招く問題を解決するために、本発明はさらに以下のような電源供給異常時データ保存方法及び装置を提案し、以下、具体的な実施例を結合して本発明を説明する。

本発明の実施例に提供される無線通信製品に用いる電源供給異常時データ保存方法は、無線通信製品システムの復元能力及び信頼性、並びに特異な記録能力を向上させることができる。該方法は、電源、電源検出ユニット（上記検出モジュール３２に該当）、コントローラ（上記トリガーモジュール３４及び第１の記憶モジュール３６に該当）及び安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリに関わっている。コントローラは、高速ＳＲＡＭのＳＯＣチップを含んでもよく、安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリは、ＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨ、ＰＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ／ＲＲＡＭ、ＦＲＡＭ／ＦｅＲＡＭ、ＭＲＡＭの５つのメモリのうちの少なくとも１つを含んでもよい。

図８は、本発明の実施例による電源供給異常時データ保存方法のフローチャートであり、図８に示すように、そのフローは以下のステップＳ８０２〜ステップＳ８１８を含む。

ステップＳ８０２：電源モジュールが正常に給電する；
ステップＳ８０４：システムが正常に稼動する；
ステップＳ８０６：電源検出モジュールが電源を検出する；
ステップＳ８０８：電源が正常に稼動しているか否か、判断する；
ステップＳ８１０：電源が正常に稼動している場合、電源を継続して検出し、ステップＳ８０６に移行する；
ステップＳ８１２：電源供給異常になっている場合、電源検出モジュールが電源供給異常イベントを検出し、コントローラに通知する；
ステップＳ８１４：コントローラは、電源供給異常イベントが発生してから電源の完全故障までの期間を利用して、高速ＳＲＡＭにおける保護メカニズムプログラムを実行し、高速ＳＲＡＭにおけるデータを安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリに書き込む；
ステップＳ８１６：電源モジュールが全く稼動しなくなる；
ステップＳ８１８：システムの電源供給異常が終わる。

電源による給電が回復された場合、コントローラは、電源供給異常になる前のデータを安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリから読み戻すことができる。上記方法において、電源供給異常になる時に、電源検出ユニットは電源供給異常イベントを検出してコントローラに通知し、その後、コントローラは、電源供給異常イベントが発生してから電源の完全故障までの期間を利用して、高速ＳＲＡＭにおける保護メカニズムプログラムを実行し、高速ＳＲＡＭにおけるデータを安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリに書き込む。そして、電源による給電が回復された場合、コントローラは、電源供給異常になる前のデータを安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリから読み戻すことができる。また、安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリにおける書き込み対象領域に対して予め消去することで、電源供給異常始終、消去操作が導入されないように確保できる。

本発明の実施例にて基地局製品に用いるシステムがさらに提供され、基地局製品システムの復元能力及び信頼性、並びに特異な記録能力を向上させることができる。図９は、本発明の実施例によるシステムのブロック図であり、図９に示すように、該システムは、電源モジュール９０２と、電源検出モジュール９０４と、コントローラモジュール９０６と、安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリ９０８との４つの部分を備え、電源検出モジュール９０４により電源供給異常になったことを検出した場合、すぐにキャッシュデータを保護し、システムの電源が回復された後、保護データを素早くて効果的に復元することができる。電源検出モジュール９０４は、システム電源が正常であるか否かを検出し、そして制御モジュール９０６の関連データを保護するようにトリガーすることを含むシステム電源及び給電モジュールの電源の検出を完成する機能を担う。電源モジュール９０２は、システムの電源部分であり、コントローラモジュール９０６及び安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリ９０８に対して必要な電源供給を行う。コントローラモジュール９０６は、高速なＳＲＡＭを含み、一部が電源供給異常になった後に保護システム全体の運転を管理する処理コードを格納し、他の一部が正常に運転する場合の、且つ安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリ９０８に書き込まれていない電源供給異常時データを格納する。安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリ９０８は、コントローラモジュール９０６の高速ＳＲＡＭにより読み出された保護データを格納する。

電源供給異常になった後、コントローラモジュール９０６は、電源検出モジュール９０４により検出された電源故障状態を発見したら、高速ＳＲＡＭにおける電源供給異常保護プログラムを実行し、データを安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリ９０８にコピーし、システムの電源モジュール９０２が回復された後、安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリ９０８から保護データを取得することができる。

使用される安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリは、ＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨ、ＰＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ／ＲＲＡＭ、ＦＲＡＭ／ＦｅＲＡＭ、ＭＲＡＭの５つのメモリを含みうる。これは、他のメモリを用いた関連技術に対する改良であり、書き込み速度が速く、データ信頼性が高いことがその共通点である。関連技術におけるメモリは、例えば、ＮＡＮＤＦＬＡＳＨの場合、不良ブロックがランダムに現れるリスクがあり、誤ったデータが書き込まれてしまう可能性があり、また、パラレル型ＮＯＲＦＬＡＳＨ又は磁気ディスクの場合、書き込み速度が遅すぎて、電源供給異常の継続期間内にデータをタイムリーに書き込むことができない、といった問題がある。

保存対象となるデータをＳＯＣ内部の高速ＳＲＡＭに格納するのは、同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（Synchronous Dynamic Random Access Memory、単にＳＤＲＡＭ）によるデータキャッシュを用いた関連技術に対する改良であり、データ保存の実現にあたり、ＳＤＲＡＭが正常に稼動するという必要な条件が省略されたことがその特徴である。そして、ＳＤＲＡＭは、オフチップメモリとして、ＳＯＣ内部のＳＲＡＭより読み書き速度が遅いため、非常用電源無し場面におけるデータ保存効率の向上には不利である。

本発明の実施例において、保護機構を実行するプログラムも高速ＳＲＡＭに格納されており、外部記憶によるデータキャッシュを用いた関連技術に対する改良であり、データ保存の実現にあたり、ＳＤＲＡＭが正常に稼動するという必要な条件が省略されたことがその特徴である。そして、ＳＤＲＡＭは、オフチップメモリとして、ＳＯＣ内部のＳＲＡＭより読み書き速度が遅いため、非常用電源無し場面におけるデータ保存効率の向上には不利である。

保存対象となるデータに対するデータ処理とは、保存が必要とされるデータを一定の優先度に従って並べ、異なる処理を行うことをいう。電圧、電流等のパラメータのような一番重要なデータはデータ圧縮が施されず、電源供給異常になった後、これをまず最初に安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリに保存する。それから、重要性が比較的低い信号量、スイッチ量等のパラメータは、データ符号化処理を経てから、安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリに保存される。最後は、重要性が最も低いシステムで実行されるｌｏｇファイルであり、これは、書類圧縮を経てから、安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリに保存される。このようにするのは、最悪の電源供給異常場面において、一番重要なデータをできるだけ多く保存するためである。

安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリにおける書き込み対象領域に対して予め消去しておくのは、不揮発性メモリのデータエリアにおけるデータ消去をまず行わなければ、データを正確に書き込むことができない特性に対するものであり、電源供給異常始終、消去操作が導入されないように確保し、大切な時間の無駄遣いを回避する。これに対し、該問題を考慮しなかった関連技術の場合、１つのセクターの消去動作のために、電源供給異常イベントが時間切れになってしまう可能性がある。

本発明の実施例に提供される電源供給異常時データ保存システムは、非常用電源を備えない要素と、外部のキャッシュを備えない要素とを組み合わせることを特徴とする。非常用電源を備えないというのは、主電源以外を用いた関連技術に対する改良であり、該システムは、システム電源以外の電源を備えない。外部のキャッシュを備えないというのは、ＳＯＣ以外のメモリを用いたデータ格納及び電源供給異常保護プログラムの技術に対する改良であり、これらの技術は、システムが電源供給異常になった時に、本発明の実施例におけるシステムに比べ、電源供給異常時データを保存する間にＳＯＣ以外のメモリが正常に給電することを確保しなければならないという必要な条件が増加されている。

本発明の実施例に提供されるシステムは、非常用電源を増設しなくてもよく、電源供給異常場面のデータ保存要求を実現するシステムの構成要素は、以下のような素子によって置き換えられてもよい。

将来のＮＡＮＤＦＬＡＳＨのようなメモリプロセスは、画期的な進歩を遂げ、不良ブロック問題を解決し、その生命周期における個々のデータブロックの性能の信頼性を確保できる。

将来、メモリ技術は画期的な進歩を遂げ、新しいメモリが現れる。その書き込み速度がここで挙げられたいくつかのメモリよりも速い。将来に現れる関連メモリによって本発明の実施例における不揮発性メモリを置き換えることができる。

以下、具体的な実施例を結合して本発明をさらに説明する。この応用例における安定した信頼性のある高速な不揮発性メモリとして、ＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨを用いることができ、そのフローは以下のステップを含む。

１）システムに電源を入れた後、電源供給異常時データを書き込もうとする領域を用意し、該領域は、１つ又は複数の電源供給異常時データを収納できるように確保すべきである。ここで、「電源供給異常時データ」とは、電源供給異常時に保存しようとする高速ＳＲＡＭ中の全データを指すことができる。電源供給異常時データが１つである場合、電源供給異常時データを転移して保存した後、元の記憶領域に対して消去操作を実行する。電源供給異常時データが複数である場合、それぞれの電源供給異常時データごとに前回の電源供給異常イベントが対応し、各電源供給異常時データが時間順に循環し、時間的に最も早い電源供給異常時データが消去される。このステップを実行した後、今回の運転において、一旦電源供給異常イベントが発生すれば、電源供給異常時データを保存する中、データ消去操作を実行する必要がなくなることを確保できる。

２）システムの運転時、電源検出モジュールは、システム電源の運転状況をリアルタイムにモニタリングし、給電電圧が閾値まで落ちたことを検出することが電源供給異常イベントの発生を判断する根拠となってもよい。

３）システムの運転時、電圧、電流、信号量、スイッチ量等のパラメータのような重要なデータは、時間順に循環して記憶され、複数回のサンプリングが行われ、その数値をＳＯＣの高速ＳＲＡＭに格納する。システムで実行されるｌｏｇファイルは、ファイルの形で外部のＳＤＲＡＭに格納される。ここで、「パラメータ」は、電源供給異常時に保存しようとする高速ＳＲＡＭの全データとなってもよく、若干回のサンプリング値を含み、それぞれのサンプリング値ごとに前回のサンプリングが対応し、各サンプリング値が時間順に循環し、時間的に最も早いサンプリング値を最新のサンプリング値で置き換える。一番重要な電圧、電流等のデータ値は、データ処理されなくてもよい。二番目に重要な信号量、スイッチ量等は、データ符号化処理が施されることができ、それぞれのサンプリングが１つ又は複数のビットのみを占める。システムで実行されるｌｏｇファイルは、ファイルの形で外部のＳＤＲＡＭに格納されることができる。

４）電源供給異常イベントが発生したと判定された後、電源検出モジュールは中断することにより制御モジュールに通知する。

５）制御モジュールは、高速ＳＲＡＭにおける保護メカニズムプログラムを実行し、一番重要な電圧、電流等のデータをすぐに読み取り、高速ＳＲＡＭに書き込まれたサンプリング値が循環し、区別のために最新値をラベリングし、そして、パラメータをすぐにＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨに書き込む。

６）制御モジュールは、高速ＳＲＡＭにおける保護メカニズムプログラムを実行し、二番目に重要な信号量、スイッチ量等のデータを読み取り、高速ＳＲＡＭに書き込まれたサンプリング値が循環し、区別のために最新値をラベリングし、そして、パラメータをすぐにＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨに書き込む。

７）制御モジュールは、外部のＳＤＲＡＭからシステムで実行される最新のｌｏｇファイルを読み取り、ファイル圧縮を経てからＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨに書き込む。このステップにおいて随時電源供給異常になる可能性があるので、ｌｏｇファイルが完全に保存されていない可能性がある。

８）システムの電源供給異常イベントが完了する。

９）不定長さの時間帯が経過した後、システムに再び電源が入り、ユーザは、ＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨに保存された電源供給異常時データに基づいて、この前に発生した電源供給異常場面を分析することができる。

当業者にとって、上述の本発明の各ブロック又は各ステップは汎用の計算装置によって実現することができ、単独の計算装置に集成させることができれば、複数の計算装置から構成されるネットワークに分布させることもでき、さらに計算装置で実行可能なプログラムのコードによって実現することもできるので、それらを記憶装置に格納して計算装置によって実行することができ、そして場合によって、示した又は説明したステップを上述と異なる手順で実行することができ、それぞれ集積回路ブロックに製作したり、これらのうち複数のブロック又はステップを単独の集積回路ブロックに製作したりして実現することができることは、明らかなことである。このように、本発明は、如何なる特定のハードウェアとソフトウェアの結合に限定されない。

以上は、本発明の好適な実施例に過ぎず、本発明を限定することは意図していない。当業者であれば、本発明に様々な変更や変形が可能である。本発明の思想や原則内の如何なる修正、均等の置き換え、改良なども、本発明の保護範囲内に含まれるべきである。

上述したように、上記実施例及び好適な実施形態により、関連技術において、電源供給異常時データを保存する時に、非常用電源を使用することが必要とされ、システムのコスト増加を招く問題を解決し、さらに、非常用電源を使用しない場合、電源供給異常時データ保存を実現する目的を達成している。

Claims

電源に電源供給異常が発生したことを検出することと、
電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーすることと、
前記保護メカニズムプログラムによって、前記電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶することと、
を含むデータ保存方法。
前記電源に電源供給異常が発生したことを検出する前に、
前記電源供給異常時データを重要度によって領域別に記憶すること、をさらに含む
請求項１に記載の方法。
前記保護メカニズムプログラムによって、前記電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶することは、
前記電源供給異常時データのうち、重要度が所定値を超えたデータを優先して前記所定のメモリに記憶することを含む
請求項２に記載の方法。
前記所定のメモリは、
シリアル型不揮発性フラッシュメモリＳＰＩＮＯＲＦＬＡＳＨ、相変化ランダムアクセスメモリＰＲＡＭ、抵抗変化型メモリＲＲＡＭ、強誘電体ランダムアクセスメモリＦＲＡＭ、磁気ランダムアクセスメモリＭＲＡＭのうち少なくとも１つを含む高速な不揮発性メモリを含む
請求項１に記載の方法。
前記電源に電源供給異常が発生したことを検出する前に、
前記所定のメモリの書き込み対象領域に記憶されたデータを消去すること、をさらに含む
請求項１に記載の方法。
電源に電源供給異常が発生したことを検出するように構成される検出モジュールと、
電源供給異常時のデータ保護のための保護メカニズムプログラムをトリガーするように構成されるトリガーモジュールと、
前記保護メカニズムプログラムによって、前記電源に電源供給異常が発生する前に記憶された電源供給異常時データを所定のメモリに記憶するように構成される第１の記憶モジュールと、
を備えるデータ保存装置。
前記電源供給異常時データを重要度によって領域別に記憶するように構成される第２の記憶モジュール、をさらに備える
請求項６に記載の装置。
前記第１の記憶モジュールは、
前記電源供給異常時データのうち、重要度が所定値を超えたデータを優先して前記所定のメモリに記憶するように構成される記憶ユニットを備える
請求項７に記載の装置。
前記所定のメモリの書き込み対象領域に記憶されたデータを消去するように構成される消去モジュール、をさらに備える
請求項６に記載の装置。
請求項６乃至９のうちいずれか一項に記載の装置を備える端末。