JP2013225032A

JP2013225032A - 表示装置

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Publication number: JP2013225032A
Application number: JP2012097266A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Suzuki; 喬之鈴木; Hiroyuki Abe; 裕行阿部; Masahiro Maki; 正博槙; Mitsuru Goto; 充後藤
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Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2012-04-23
Filing date: 2012-04-23
Publication date: 2013-10-31
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Abstract

【課題】基準電位に設定される共通電極の電位変動を抑えることを目的とする。
【解決手段】表示装置は、基板１２の画像表示領域３２に形成された画素電極３６と、基板１２の画像表示領域３２に形成された共通電極３８と、基板１２の画像表示領域３２の内側に形成されて画素電極３６に電気的に接続される内側信号線４１と、基板１２の画像表示領域３２の外側に形成されて内側信号線４１に電気的に接続される外側信号線４３と、基板１２の画像表示領域３２の内側及び外側に形成されて共通電極３８に電気的に接続されるコモン線４０と、を有する。画素電極３６と共通電極３８の間に生じる電界を利用した光の制御で画像を表示する。内側信号線４１と共通電極３８との間にカップリング容量Ｃが形成される。外側信号線４３は、第１部分４８と、第１部分４８及び内側信号線４１よりも電気抵抗が高い第２部分５０と、を含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置に関する。

インターフェースとしてタッチパネルを備えた表示装置が知られている（特許文献１参照）。タッチパネルのうち、静電容量式タッチパネルは、指先で触れるだけでスムーズに動作するため、スマートフォンなどに広く使用されている。タッチパネルに表示パネルが重ねられて表示装置が構成される。

特開２００８−８３４９１号公報

表示パネルには、画像を形成するための画像信号を供給する多数の信号線が形成されており、画像信号によって電磁波ノイズが生じる。静電容量式タッチパネルは、微量な静電容量変化を検出する必要があるため、周囲からのノイズによって位置検出精度に影響を及ぼす。

本願の発明者が解析したところ、基準電位に設定される共通電極と信号線との間にカップリング容量が形成され、信号線を通る画像信号によって共通電極の電位が変動することが分かった。信号線からの電磁波ノイズに加えて、共通電極にも電位の変動による電磁波ノイズが生じ、静電容量式タッチパネルが誤作動する可能性がある。

本発明は、基準電位に設定される共通電極の電位変動を抑えることを目的とする。

（１）本発明に係る表示装置は、画像表示領域を有する基板と、前記基板の前記画像表示領域に形成された画素電極と、前記基板の前記画像表示領域に形成された共通電極と、前記基板の前記画像表示領域の内側に形成されて前記画素電極に電気的に接続される内側信号線と、前記基板の前記画像表示領域の外側に形成されて前記内側信号線に電気的に接続される外側信号線と、前記基板の前記画像表示領域の内側及び外側に形成されて前記共通電極に電気的に接続されるコモン線と、を有し、前記画素電極と前記共通電極の間に生じる電界を利用した光の制御で画像を表示し、前記内側信号線と前記共通電極との間にカップリング容量が形成され、前記外側信号線及び前記内側信号線の少なくとも一方は、第１部分と、前記第１部分よりも電気抵抗が高い第２部分と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、内側信号線に伝達される信号は、外側信号線を通るときに第２部分の電気抵抗の高さによって遅延する。信号の遅延により、内側信号線とのカップリング容量の影響を受ける共通電極の電位変動のピークレベルを下げる。これにより、基準電位に設定される共通電極の電位変動を抑えることができる。

（２）本発明に係る表示装置は、画像表示領域を有する基板と、前記基板の前記画像表示領域に形成された画素電極と、前記基板の前記画像表示領域に形成された共通電極と、前記基板の前記画像表示領域の内側に形成されて前記画素電極に電気的に接続される内側信号線と、前記基板の前記画像表示領域の外側に形成される外側信号線と、前記内側信号線と前記外側信号線との間で電気的な導通及び遮断を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に制御信号を入力するための制御線と、前記基板の前記画像表示領域の内側及び外側に形成されて前記共通電極に電気的に接続されるコモン線と、を有し、前記画素電極と前記共通電極の間に生じる電界を利用した光の制御で画像を表示し、前記内側信号線と前記共通電極との間にカップリング容量が形成され、前記制御線は、第１部分と、前記第１部分よりも電気抵抗が高い第２部分と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、スイッチング素子に入力される制御信号は、制御線を通るときに第２部分の電気抵抗の高さによって遅延する。制御信号の遅延より、スイッチング素子の動作が遅くなるので、内側信号線に伝達される信号が遅延する。これにより、内側信号線とのカップリング容量の影響を受ける共通電極の電位変動のピークレベルが下がるので、基準電位に設定される共通電極の電位変動を抑えることができる。

（３）（２）に記載された表示装置において、ｎ本の前記制御線と、前記制御線と同じ数のｎ個ごとにグループ化され、各グループではそれぞれ異なる前記制御線で制御されるｍ個の前記スイッチング素子と、ｍ個の前記スイッチング素子のそれぞれに１本が電気的に接続されるｍ本の前記内側信号線と、各グループのｎ個の前記スイッチング素子に１本から分岐して電気的に接続する（ｍ／ｎ）本の前記外側信号線と、を有し、ｎ本の前記制御線の１つに制御信号が入力されることで、各グループの１つの前記スイッチング素子が、１本の前記外側信号線と１本の前記内側信号線を接続することを特徴としてもよい。

（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された表示装置において、前記第２部分を覆う絶縁膜をさらに有し、前記絶縁膜には、前記第２部分を露出する複数のコンタクトホールが、前記第２部分の長さ方向に間隔をあけて形成されていることを特徴としてもよい。

（５）（４）に記載された表示装置において、２つ以上の前記コンタクトホールで前記第２部分に電気的に接続するように前記絶縁膜の上に形成された導電層をさらに有し、前記導電層は、前記第２部分の材料よりも電気抵抗率の低い材料からなることを特徴としてもよい。

（６）（４）に記載された表示装置において、いずれかの前記コンタクトホールで前記第２部分に接触するように前記絶縁膜の上に形成された放熱層をさらに有し、前記放熱層は、前記第２部分の材料よりも熱伝導率が高い材料からなることを特徴としてもよい。

（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載された表示装置において、前記第２部分は、ポリシリコンからなることを特徴としてもよい。

（８）（１）から（７）のいずれか１項に記載された表示装置において、前記第２部分は、直線を描くように延びることを特徴としてもよい。

（９）（１）から（７）のいずれか１項に記載された表示装置において、前記第２部分は、屈曲部を有することを特徴としてもよい。

（１０）（１）から（９）のいずれか１項に記載された表示装置において、前記基板と重ねられたタッチパネルをさらに有することを特徴としてもよい。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置を備えた機器の斜視図である。本発明の第１の実施形態に係る表示装置の概要を示す断面図である。表示パネルの基板を示す図である。画像を表示するための回路を示す図である。外側信号線が形成された領域の詳細を示す図である。図５に示す領域のVI−VI線断面図である。図５に示す領域のVII−VII線断面図である。図５に示す実施形態の変形例１を示す図である。図８に示す領域のIX−IX線断面図である。図５に示す実施形態の変形例２を示す図である。図５に示す実施形態の変形例３を示す図である。図５に示す実施形態の変形例４を示す図である。図５に示す実施形態の変形例５を示す図である。図５に示す実施形態の変形例６を示す図である。本発明の第２の実施形態に係る表示装置が有する表示パネルの基板を示す図である。画像を表示するための回路を示す図である。制御線を示す図である。第２の実施形態の変形例１を示す図である。第２の実施形態の変形例２を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置を備えた機器の斜視図である。図１に示す機器１０００は、本発明の表示装置をスマートフォンに適用した例であり、タッチインターフェースを有する。

図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の概要を示す断面図である。表示装置は、表示パネル１０を有する。本実施形態では、表示パネル１０は、液晶表示パネルであって、一対の基板１２，１４（ガラス基板）を有し、両者間には図示しない液晶が介在する。基板１２，１４には、それぞれ、偏光板１６が貼り付けられている。一方の基板１２の周縁部には、液晶を駆動するためのドライバ回路を内蔵する集積回路チップ１８が搭載され、フレキシブル配線基板２０が取り付けられている。あるいは、表示パネル１０は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであってもよい。

表示装置は、タッチパネル２２（例えば静電容量結合方式のタッチパネル２２）を有する。タッチパネル２２と表示パネル１０とは、粘着層２４によって貼り付けられている。タッチパネル２２が、画像を表示する表示パネル１０に重ねられているので、画像に対して指による入力が可能になっている。タッチパネル２２には、フレキシブル配線基板２６が電気的に接続されている。

表示装置は、カバー基板２８を有する。カバー基板２８は、光透過性材料（例えばガラス）からなる。カバー基板２８には、画像を表示する領域を囲むように遮光膜３０が形成されている。遮光膜３０が形成された面が、粘着層３１を介して、タッチパネル２２に貼り付けられている。

図３は、表示パネルの基板を示す図である。基板１２は、画像表示領域３２を有する。画像表示領域３２には、複数の画素から画像が構成される。複数の画素は、図２にも示す集積回路チップ１８に内蔵されるドライバ回路による駆動によって、明るさのレベルが変わるようになっている。駆動は走査方式で行うため、基板１２には走査回路３４が形成されている。例えば、矩形の画像表示領域３２の対向する二辺の隣にそれぞれ走査回路３４が形成され、他の一辺の隣に集積回路チップ１８が搭載される。

図４は、画像を表示するための回路を示す図である。画像表示領域３２には画素電極３６が形成されている。複数の画素電極３６によって画素が形成されるので、複数の画素電極３６を囲む領域が画像表示領域３２である。画像表示領域３２には共通電極３８が形成されている。共通電極３８は基準電位（例えばＧＮＤ）に設定され、画素電極３６には、画素の明るさに応じた電圧が印加される。画素電極３６と共通電極３８の間に生じる電界を利用した光の制御（例えば液晶の駆動）で画像が表示される。

共通電極３８は、画像表示領域３２の内側及び外側にわたって延びるコモン線４０に電気的に接続している。画素電極３６は、信号線４２に電気的に接続されている。詳しくは、画素電極３６と信号線４２との間にスイッチング素子４４（例えば薄膜トランジスタ）が接続されており、画素電極３６と信号線４２の電気的な導通及び遮断を行えるようになっている。スイッチング素子４４は、走査回路３４から引き出された走査線４６に接続されており、走査線４６に入力される走査信号によって駆動（オン／オフ）される。

信号線４２は、画像表示領域３２の内側にある内側信号線４１と、画像表示領域３２の外側にある外側信号線４３からなる。内側信号線４１が画素電極３６に電気的に接続される。内側信号線４１は、金属などの電気抵抗率が低い材料から形成されている。内側信号線４１が共通電極３８の近くを通るため、内側信号線４１と共通電極３８との間にカップリング容量Ｃが形成される。カップリング容量Ｃによって、基準電位に設定されるはずの共通電極３８の電位が変動するが、本実施形態ではその変動を抑えるために次の特徴を有する。

図５は、外側信号線が形成された領域の詳細を示す図である。図６は、図５に示す領域のVI−VI線断面図である。図７は、図５に示す領域のVII−VII線断面図である。

外側信号線４３は、第１部分４８と第２部分５０とを含む。第１部分４８は、金属などの電気抵抗率が低い材料から形成されており、その材料は内側信号線４１と同じ材料であってもよい。第２部分５０は、第１部分４８よりも電気抵抗が高く、例えば電気抵抗率の高い材料（例えば半導体材料）からなる。また、第２部分５０は、図４に示す内側信号線４１よりも電気抵抗率の高い材料から形成されている。図５の例では、内側信号線４１に近い側に第２部分５０が位置し、内側信号線４１から離れた側に第１部分４８が位置しているが、逆であってもよいし、一対の第１部分４８の間に第２部分５０があってもよいし、一対の第２部分５０の間に第１部分４８があってもよい。本実施形態では、第１部分４８は、図３に示すように、集積回路チップ１８に内蔵されるドライバ回路に電気的に接続される。

外側信号線４３（第２部分５０）が形成された領域では、図６及び図７に示すように、基板１２には複数の膜が積層されている。複数の膜は、半導体膜５２（例えばポリシリコン膜）を含む。半導体膜５２は、図示しない位置で、薄膜トランジスタ（図４に示すスイッチング素子４４）の一部を構成する。半導体膜５２はゲート絶縁膜５４で覆われており、薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜５４上にゲート電極（図示せず）を有する。ゲート絶縁膜５４上には層間絶縁膜５６が形成されている。本実施形態では、第２部分５０（図５）は、半導体膜５２から形成されている。具体的には、第２部分５０は、ポリシリコンからなる。

本実施形態によれば、第２部分５０は、第１部分４８よりも電気抵抗が高い。つまり、外側信号線４３の一部の電気抵抗が高くなっている。したがって、内側信号線４１に伝達される信号は、外側信号線４３を通るときに第２部分５０の電気抵抗の高さによって遅延する。信号の遅延により、内側信号線４１とのカップリング容量Ｃの影響を受ける共通電極３８の電位変動のピークレベルを下げる。これにより、基準電位に設定される共通電極３８の電位変動を抑えることができる。

第２部分５０（半導体膜５２）は、絶縁膜（ゲート絶縁膜５４及び層間絶縁膜５６）に覆われている。絶縁膜（ゲート絶縁膜５４及び層間絶縁膜５６）には、第２部分５０（半導体膜５２）を露出する複数のコンタクトホール５８が、第２部分５０の長さ方向（図５参照）に間隔をあけて形成されている。コンタクトホール５８を介して第２部分５０との電気的な接続が可能になっている。第２部分５０の長さ方向に離れた２つのコンタクトホール５８を介して、第２部分５０の離れた２個所を電気的に接続すれば、その離れた２個所間の電気抵抗を下げることができる。なお、図５の例では、第２部分５０の幅方向に２つのコンタクトホール５８が並んでいるが、これは第２部分５０との電気的な接続を確実にするためのものである。

本実施形態では、第２部分５０の離れた２個所の電気的接続はなされていないが、それぞれのコンタクトホール５８で第２部分５０に電気的に接続するように、絶縁膜（層間絶縁膜５６）の上からコンタクトホール５８内にわたって導電層６０が形成されている。つまり、第２部分５０の絶縁膜からの露出部がそれぞれ導電層６０によって電気的に接続されている。導電層６０は、第２部分５０の材料よりも電気抵抗率の低い材料（例えば金属）からなる。そして、導電層６０の形状を変更するだけで、第２部分５０の離れた２個所の電気的接続が可能になる。詳しくは以下の変形例で説明する。導電層６０の上には、無機パッシベーション膜６２、有機パッシベーション膜６４及び他の無機パッシベーション膜６６が順に積層されている。

［変形例］
図８は、図５に示す実施形態の変形例１を示す図である。図９は、図８に示す領域のIX−IX線断面図である。この例では、絶縁膜の上に導電層１６０が形成されている。導電層１６０は、第２部分１５０の長さ方向に離れた２つ以上のコンタクトホール１５８を通るように形成されている。導電層１６０はコンタクトホール１５８で第２部分１５０に電気的に接続する。つまり、第２部分１５０の長さ方向に離れた２つ以上のコンタクトホール１５８で、第２部分１５０の長さ方向に離れた個所が導電層１６０によって電気的に接続されている。導電層１６０は、第２部分１５０よりも電気抵抗が低いので、導電層１６０によって、第２部分１５０の離れた２個所の間の電気抵抗を下げることができる。電気抵抗を下げることで、第２部分１５０の電気抵抗の高さによる信号の遅延の程度を調整することができる。

導電層１６０は、第２部分１５０の任意の長さ離れた個所を電気的に接続することができ、任意の数のコンタクトホール１５８で第２部分１５０と電気的に接続することができる。例えば、図８には、第２部分１５０の長さ方向に第１距離ｄ_１を以て離れた２つのコンタクトホール１５８で第２部分１５０と電気的に接続する導電層１６０ａと、他の第２部分１５０の長さ方向に第２距離ｄ_２を以て離れた一対のコンタクトホール１５８及びその間に位置する１つのコンタクトホール１５８で第２部分１５０と電気的に接続する導電層１６０ｂと、さらに他の第２部分１５０の長さ方向に第３距離ｄ_３を以て離れた一対のコンタクトホール１５８及びその間に位置する複数（２つ）のコンタクトホール１５８で第２部分１５０と電気的に接続する導電層１６０ｃと、が示されている。

図１０は、図５に示す実施形態の変形例２を示す図である。この例では、いずれかのコンタクトホール２５８で第２部分２５０に接触するように絶縁膜の上に放熱層２６８が形成されている。放熱層２６８は、大きいほど放熱性が高くなる。放熱層２６８は、第２部分２５０の材料よりも熱伝導率が高い材料からなる。放熱層２６８が導電層であってもよい。

図１１は、図５に示す実施形態の変形例３を示す図である。図５に示す例では第２部分５０は屈曲部を有することで長くなって全体的な電気抵抗を高くしてあるが、図１１に示す例では第２部分３５０は直線を描くように真っ直ぐに延びているので比較的電気抵抗は低くなる。

図１２は、図５に示す実施形態の変形例４を示す図である。図５に示す例では第２部分５０は互い違いに凸部を形成するように屈曲しているが、図１２に示す例では第２部分４５０は、同じ方向に凸部を形成するように屈曲している。

図１３は、図５に示す実施形態の変形例５を示す図である。図５に示す第２部分５０では、第２部分５０の長さ方向に離れた一対のコンタクトホール５８の間で１つの凸部が形成されるように屈曲するのに対して、図１３に示す第２部分５５０では、第２部分５５０の長さ方向に離れた一対のコンタクトホール５５８の間で複数（例えば２つ）の凸部が形成されるように屈曲する。複数の凸部は、図１３に示すように相互に反対方向に突出するように形成されてもよいし、同じ方向に突出するように形成されていてもよい。

図１４は、図５に示す実施形態の変形例６を示す図である。この例では、第２部分６５０は、第２部分６５０の長さ方向に離れた一対のコンタクトホール６５８の間で、クランク状に屈曲している。

［第２の実施形態］
図１５は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置が有する表示パネルの基板を示す図である。図１６は、画像を表示するための回路を示す図である。

表示装置は、画像表示領域７３２を有する基板７１２を有する。画像表示領域７３２の内側に内側信号線７４１が形成され、画像表示領域７３２の外側に外側信号線７４３が形成されている。画像表示領域７３２の内側及び外側を通るようにコモン線７４０が形成されている。

本実施形態に係る表示装置は、図４に示す第１の実施形態で説明した画素電極３６と共通電極３８を有し、画素電極３６と共通電極３８の間に生じる電界を利用した光の制御で画像を表示する。その詳細は上記第１の実施形態で説明した通りであり、内側信号線４１と共通電極３８との間にカップリング容量Ｃが形成される点も共通である。

図１６に示すように、本実施形態に係る表示装置は、ＲＧＢ選択回路７７２を有する点で第１の実施形態と相違する。ＲＧＢ選択回路７７２によって、外側信号線７４３の数を減らすことができる。

詳しくは、ＲＧＢ選択回路７７２は、ｍ（図１６ではｍ＝６）個のスイッチング素子７４４を有する。スイッチング素子７４４は、内側信号線７４１と外側信号線７４３との電気的な導通及び遮断を切り替える。スイッチング素子７４４には、制御線７７０から制御信号が入力される。制御線７７０に制御信号が入力されることで、スイッチング素子７４４が外側信号線７４３と内側信号線７４１を接続する。

制御線７７０の数は、ｎ（図１６ではｎ＝３）本である。ｍ個のスイッチング素子７４４は、制御線７７０と同じ数のｎ個ごとにグループ化されている。各グループのｎ個のスイッチング素子７４４は、それぞれ異なる制御線７７０で制御される。ｍ個のスイッチング素子７４４のそれぞれに、ｍ本の内側信号線７４１の１本が電気的に接続される。各グループのｎ個のスイッチング素子７４４に電気的に接続するように、（ｍ／ｎ）本の外側信号線７４３のそれぞれ（１本）は、ｎ本に分岐している。ｎ本の制御線７７０の１つに制御信号が入力されることで、各グループの１つのスイッチング素子７４４が、１本の外側信号線７４３と１本の内側信号線７４１を接続する。

１本の走査線（図示せず）に沿って並ぶ複数の画素は、赤色の画素Ｒ_１，Ｒ_２，…、緑色の画素Ｇ_１，Ｇ_２，…、青色の画素Ｂ_１，Ｂ_２，…を有する。制御線７７０は、ＲＧＢ選択回路７７２に接続されており、いずれかの色を選択するようになっている。そのため、画素の色の数（ＲＧＢの３色）と制御線７７０の数が同じになっている。制御線７７０によって、いずれかの色が選択されると、その色の画素に、信号線７４２（外側信号線７４３）から信号が入力される。

例えば、赤の画素Ｒ_１，Ｒ_２が選択されると制御線７７０_Ｒに制御信号が入力され、スイッチング素子７４４_Ｒ１及びスイッチング素子７４４_Ｒ２がオンになって、外側信号線７４３ａと内側信号線７４１_Ｒ１を接続し、外側信号線７４３ｂと内側信号線７４１_Ｒ２を接続する。このとき、外側信号線７４３ａ及び外側信号線７４３ｂには、それぞれ、赤の画素Ｒ_１，Ｒ_２に対応した信号が入力されており、信号に応じて赤の画素Ｒ_１，Ｒ_２が表示される。

緑の画素Ｇ_１，Ｇ_２が選択されると制御線７７０_Ｇに制御信号が入力され、スイッチング素子７４４_Ｇ１及びスイッチング素子７４４_Ｇ２がオンになって、外側信号線７４３ａと内側信号線７４１_Ｇ２を接続し、外側信号線７４３ｂと内側信号線７４１_Ｇ１を接続する。このとき、外側信号線７４３ａ及び外側信号線７４３ｂには、それぞれ、緑の画素Ｇ_１，Ｇ_２に対応した信号が入力されており、信号に応じて緑の画素Ｇ_１，Ｇ_２が表示される。

青の画素Ｂ_１，Ｂ_２が選択されると制御線７７０_Ｂに制御信号が入力され、スイッチング素子７４４_Ｂ１及びスイッチング素子７４４_Ｂ２がオンになって、外側信号線７４３ａと内側信号線７４１_Ｂ１を接続し、外側信号線７４３ｂと内側信号線７４１_Ｂ２を接続する。このとき、外側信号線７４３ａ及び外側信号線７４３ｂには、それぞれ、青の画素Ｂ_１，Ｂ_２に対応した信号が入力されており、信号に応じて青の画素Ｂ_１，Ｂ_２が表示される。

図１７は、制御線７７０を示す図である。制御線７７０は、第１部分７４８と第２部分７５０とを含む。第１部分７４８は、金属などの電気抵抗率が低い材料から形成されており、その材料は内側信号線７４１と同じ材料であってもよい。第２部分７５０は、第１部分７４８よりも電気抵抗が高い。この例では、第２部分７５０は、第１部分７４８よりも細く（幅が狭くなるように）形成されることで、電気抵抗を高くしてある。したがって、第２部分７５０は、第１部分７４８と同じ材料（例えば金属）で形成されている。このことは、第１の実施形態にも適用可能である。逆に、第１の実施形態で説明したように、第２部分７５０を、第１部分７４８又は内側信号線７４１よりも電気抵抗率の高い材料（例えばポリシリコンなどの半導体材料）から形成してもよい。

本実施形態によれば、スイッチング素子７４４に入力される制御信号は、制御線７７０を通るときに第２部分７５０の電気抵抗の高さによって遅延する。制御信号の遅延より、スイッチング素子７４４の動作が遅くなるので、内側信号線７４１に伝達される信号が遅延する。これにより、内側信号線７４１とのカップリング容量の影響を受ける共通電極（図示せず）の電位変動のピークレベルが下がるので、基準電位に設定される共通電極（図示せず）の電位変動を抑えることができる。

［変形例］
図１８は、第２の実施形態の変形例１を示す図である。この例では、第２部分８５０に電気的に接続するように導電層８６０が形成されている。詳しくは、第２部分８５０が金属で形成されていても細くなっていることで電気抵抗が高いが、第２部分８５０の長さ方向に離れた２つ以上のコンタクトホール８５８で、第２部分８５０の長さ方向に離れた個所が導電層８６０によって電気的に接続されている。導電層８６０は第２部分８５０よりも幅が広いので電気抵抗が低くなる。そのため、導電層８６０によって、第２部分８５０の離れた２個所の間の電気抵抗を下げることができる。電気抵抗を下げることで、第２部分８５０の電気抵抗の高さによる信号の遅延の程度を調整することができる。

図１９は、第２の実施形態の変形例２を示す図である。この例でも、導電層９６０は、第２部分９５０の任意の長さ離れた個所を電気的に接続することができ、任意の数のコンタクトホール９５８で第２部分９５０と電気的に接続することができる。例えば、図１９には、第２部分９５０の長さ方向に第１距離ｄ_１１を以て離れた２つのコンタクトホール９５８で第２部分９５０と電気的に接続する導電層９６０ａと、他の第２部分９５０の長さ方向に第２距離ｄ_２２を以て離れた一対のコンタクトホール９５８及びその間に位置する１つのコンタクトホール９５８で第２部分９５０と電気的に接続する導電層９６０ｂと、さらに他の第２部分９５０の長さ方向に第３距離ｄ_３３を以て離れた一対のコンタクトホール９５８及びその間に位置する複数（２つ）のコンタクトホール９５８で第２部分９５０と電気的に接続する導電層９６０ｃと、が示されている。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０表示パネル、１２基板、１４基板、１６偏光板、１８集積回路チップ、２０フレキシブル配線基板、２２タッチパネル、２４粘着層、２６フレキシブル配線基板、２８カバー基板、３０遮光膜、３２画像表示領域、３４走査回路、３６画素電極、３８共通電極、４０コモン線、４１内側信号線、４２信号線、４３外側信号線、４４スイッチング素子、４６走査線、４８第１部分、５０第２部分、５２半導体膜、５４ゲート絶縁膜、５６層間絶縁膜、５８コンタクトホール、６０導電層、６２無機パッシベーション膜、６４有機パッシベーション膜、６６無機パッシベーション膜、１５０第２部分、１５８コンタクトホール、１６０導電層、２５０第２部分、２５８コンタクトホール、２６８放熱層、３５０第２部分、４５０第２部分、５５０第２部分、５５８コンタクトホール、６５０第２部分、６５８コンタクトホール、７１２基板、７３２画像表示領域、７４０コモン線、７４１内側信号線、７４２信号線、７４３外側信号線、７４４スイッチング素子、７４８第１部分、７５０第２部分、７７０制御線、７７２ＲＧＢ選択回路、８５０第２部分、８５８コンタクトホール、８６０導電層、９５０第２部分、９５８コンタクトホール、９６０導電層。

Claims

画像表示領域を有する基板と、
前記基板の前記画像表示領域に形成された画素電極と、
前記基板の前記画像表示領域に形成された共通電極と、
前記基板の前記画像表示領域の内側に形成されて前記画素電極に電気的に接続される内側信号線と、
前記基板の前記画像表示領域の外側に形成されて前記内側信号線に電気的に接続される外側信号線と、
前記基板の前記画像表示領域の内側及び外側に形成されて前記共通電極に電気的に接続されるコモン線と、
を有し、
前記画素電極と前記共通電極の間に生じる電界を利用した光の制御で画像を表示し、
前記内側信号線と前記共通電極との間にカップリング容量が形成され、
前記外側信号線及び前記内側信号線の少なくとも一方は、第１部分と、前記第１部分よりも電気抵抗が高い第２部分と、を含むことを特徴とする表示装置。
画像表示領域を有する基板と、
前記基板の前記画像表示領域に形成された画素電極と、
前記基板の前記画像表示領域に形成された共通電極と、
前記基板の前記画像表示領域の内側に形成されて前記画素電極に電気的に接続される内側信号線と、
前記基板の前記画像表示領域の外側に形成される外側信号線と、
前記内側信号線と前記外側信号線との間で電気的な導通及び遮断を切り替えるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に制御信号を入力するための制御線と、
前記基板の前記画像表示領域の内側及び外側に形成されて前記共通電極に電気的に接続されるコモン線と、
を有し、
前記画素電極と前記共通電極の間に生じる電界を利用した光の制御で画像を表示し、
前記内側信号線と前記共通電極との間にカップリング容量が形成され、
前記制御線は、第１部分と、前記第１部分よりも電気抵抗が高い第２部分と、を含むことを特徴とする表示装置。
請求項２に記載された表示装置において、
ｎ本の前記制御線と、
前記制御線と同じ数のｎ個ごとにグループ化され、各グループではそれぞれ異なる前記制御線で制御されるｍ個の前記スイッチング素子と、
ｍ個の前記スイッチング素子のそれぞれに１本が電気的に接続されるｍ本の前記内側信号線と、
各グループのｎ個の前記スイッチング素子に１本から分岐して電気的に接続する（ｍ／ｎ）本の前記外側信号線と、
を有し、
ｎ本の前記制御線の１つに制御信号が入力されることで、各グループの１つの前記スイッチング素子が、１本の前記外側信号線と１本の前記内側信号線を接続することを特徴とする表示装置。
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２部分を覆う絶縁膜をさらに有し、
前記絶縁膜には、前記第２部分を露出する複数のコンタクトホールが、前記第２部分の長さ方向に間隔をあけて形成されていることを特徴とする表示装置。
請求項４に記載された表示装置において、
２つ以上の前記コンタクトホールで前記第２部分に電気的に接続するように前記絶縁膜の上に形成された導電層をさらに有し、
前記導電層は、前記第２部分の材料よりも電気抵抗率の低い材料からなることを特徴とする表示装置。
請求項４に記載された表示装置において、
いずれかの前記コンタクトホールで前記第２部分に接触するように前記絶縁膜の上に形成された放熱層をさらに有し、
前記放熱層は、前記第２部分の材料よりも熱伝導率が高い材料からなることを特徴とする表示装置。
請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２部分は、ポリシリコンからなることを特徴とする表示装置。
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２部分は、直線を描くように延びることを特徴とする表示装置。
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２部分は、屈曲部を有することを特徴とする表示装置。
請求項１から９のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記基板と重ねられたタッチパネルをさらに有することを特徴とする表示装置。